有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，陰極包括層疊于電子傳輸層表面的金屬摻雜層、層疊于金屬摻雜層表面的錸的氧化物摻雜層及層疊于錸的氧化物摻雜層表面的金屬層；金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在低功函數金屬中的鈍化材料，鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，低功函數金屬的功函數為-2.0eV～-3.5eV；錸的氧化物摻雜層的材料包括錸的氧化物及摻雜在錸的氧化物中的鈍化材料；金屬層的材料為功函數為-4.0～-5.5eV的金屬。上述有機電致發光器件的發光效率較高。本發明還提供一種有機電致發光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發光器件的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。傳統的有機電致發光器件的發光效率較低。
【發明內容】
[0003]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發光器件及其制備方法。
[0004]—種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的金屬摻雜層、層疊于所述金屬摻雜層表面的錸的氧化物摻雜層及層疊于所述錸的氧化物摻雜層表面的金屬層；所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的鈍化材料，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV，所述低功函數金屬與所述鈍化材料的質量比為5:1?30:1 ;所述錸的氧化物摻雜層的材料包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的所述鈍化材料，所述錸的氧化物與所述鈍化材料的質量比為2:1?10:1 ;所述金屬層的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的金屬。
[0005]在其中一個實施例中，所述金屬摻雜層的厚度為30nm?10nm ;所述錸的氧化物摻雜層的厚度為5nm?30nm ;所述金屬層的厚度為10nm?300nm。
[0006]在其中一個實施例中，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種。
[0007]在其中一個實施例中，所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
[0008]在其中一個實施例中，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種。
[0009]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層 '及
[0011]在所述電子注入層表面蒸鍍制備陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的金屬摻雜層、層疊于所述金屬摻雜層表面的錸的氧化物摻雜層及層疊于所述錸的氧化物摻雜層表面的金屬層，所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的鈍化材料，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV,所述低功函數金屬與所述鈍化材料的質量比為5:1?30:1，所述錸的氧化物摻雜層的材料包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的所述鈍化材料，所述錸的氧化物與所述鈍化材料的質量比為2:1?10:1 ;所述金屬層的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的金屬。
[0012]在其中一個實施例中，所述金屬摻雜層的厚度為30nm?10nm ;所述錸的氧化物摻雜層的厚度為5nm?30nm ;所述金屬層的厚度為10nm?300nm。
[0013]在其中一個實施例中，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種。
[0014]在其中一個實施例中，所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
[0015]在其中一個實施例中，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種。
[0016]上述有機電致發光器件及其制備方法，通過制備復合陰極，提高出光效率，在電子注入層之上先制備一層金屬摻雜層，由鈍化材料和低功函數金屬組成，鈍化材料可以提高有機電致發光器件的穩定性，防止水氧滲透到有機電致發光器件中，低功函數金屬功函數較低，有利于電子的注入，提高注入效率，同時，提高有機電致發光器件的導電性，然后制備一層錸的氧化物摻雜層，由錸的氧化物與鈍化材料組成，錸的氧化物功函數較低，約為-6.5eV?-7.2eV，可阻擋空穴穿越到陰極與電子復合淬滅，且蒸發溫度較低，在300?800°C左右，加入鈍化材料可提高錸的氧化物摻雜層的穩定性，最后制備一層高功函數金屬層，提高有機電致發光器件的導電性和光的反射性能，從而有機電致發光器件的發光效率較聞。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1為一實施方式的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0018]圖2為一實施方式的有機電致發光器件的制備方法的流程圖；
[0019]圖3為實施例1制備的有機電致發光器件的電流密度與流明效率關系圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發光器件及其制備方法進一步闡明。
[0021]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊的陽極基底40、空穴注入層50、空穴傳輸層60、發光層70、電子傳輸層80、電子注入層85及陰極90。
[0022]陽極基底40為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優選為 ITOo
[0023]空穴注入層50形成于陽極基底40的表面。空穴注入層50的材料選自三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優選為W03。空穴注入層50的厚度為20nm?80nm,優選為65nm。
[0024]空穴傳輸層60形成于空穴注入層50的表面。空穴傳輸層60的材料選自1,1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯苯二胺(NPB)中的至少一種，優選為TCTA。空穴傳輸層60的厚度為20nm?60nm，優選為55nm。
[0025]發光層70形成于空穴傳輸層60的表面。發光層70的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種,優選為Alq3。發光層70的厚度為5nm?40nm,優選為18nm。
[0026]電子傳輸層80形成于發光層70的表面。電子傳輸層80的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優選為TAZ。電子傳輸層80的厚度為40nm?300nm,優選為90nm。
[0027]電子注入層85形成于電子傳輸層80的表面。電子注入層85的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優選為LiF。電子注入層85的厚度為0.5nm?1nm,優選為1.5nm。
[0028]陰極90包括層疊于電子注入層85表面的金屬摻雜層92、層疊于金屬摻雜層92表面的錸的氧化物摻雜層94及層疊于錸的氧化物摻雜層94表面的金屬層96。
[0029]金屬摻雜層92的材料包括低功函數金屬及摻雜在低功函數金屬中的鈍化材料。低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV。鈍化材料選自二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鎳(N1)及氧化銅(CuO)中的至少一種。低功函數金屬與鈍化材料的質量比為5:1?30:1。金屬摻雜層92的厚度為30nm?lOOnm。優選的，低功函數金屬選自鎂(Mg)、銀(Sr)、|丐(Ca)及鐿(Yb)中的至少一種。
[0030]錸的氧化物摻雜層94的材料包括錸的氧化物及摻雜在錸的氧化物中的鈍化材料。錸的氧化物與鈍化材料的質量比為2:1?10:1。鈍化材料選自二氧化硅(Si02)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鎳(Ni O)及氧化銅(CuO)中的至少一種。錸的氧化物摻雜層94的厚度為5nm?30nm。優選的，錸的氧化物選自七氧化二錸(Re2O7)、二氧化錸(ReO2)、三氧化錸(ReO3)及三氧化二錸(Re2O3)中的至少一種。
[0031]金屬層96的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的高功函數金屬。金屬層96的厚度為10nm?300nm。優選的，金屬層96的材料選自銀(Ag)、鋁(Al )、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種。
[0032]上述有機電致發光器件100，通過制備復合陰極90，提高出光效率，在電子注入層80之上先制備一層金屬摻雜層92，由鈍化材料和低功函數金屬組成，鈍化材料可以提高有機電致發光器件的穩定性，防止水氧滲透到有機電致發光器件中，低功函數金屬功函數較低，有利于電子的注入，提高注入效率，同時，提高有機電致發光器件的導電性，然后制備一層錸的氧化物摻雜層94，由錸的氧化物與鈍化材料組成，錸的氧化物功函數較低，約為-6.5eV?-7.2eV，可阻擋空穴穿越到陰極與電子復合淬滅，且蒸發溫度較低，在300?800°C左右，加入鈍化材料可提高錸的氧化物摻雜層的穩定性，最后制備一層高功函數金屬層96,提高有機電致發光器件的導電性和光的反射性能,從而有機電致發光器件的發光效率較高。
[0033]可以理解，該有機電致發光器件100中也可以根據需要設置其他功能層。
[0034]請同時參閱圖2，一實施例的有機電致發光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0035]步驟S110、在陽極基底40的表面依次蒸鍍制備空穴注入層50、空穴傳輸層60、發光層70、電子傳輸層80及電子注入層85。
[0036]陽極基底40為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優選為 ITOo
[0037]本實施方式中，在陽極基底40的表面蒸鍍制備空穴注入層50之前先對陽極基底40進行預處理。對陽極基底40預處理為:將陽極基底40先進行光刻處理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇、異丙酮各超聲波清洗15min，以去除陽極基底40表面的有機污染物。
[0038]空穴注入層50形成于陽極基底40的表面。空穴注入層50的材料選自三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)及五氧化二釩(V2O5)中的至少一種，優選為W03。空穴注入層50的厚度為20nm?80nm，優選為65nm。空穴注入層50由蒸鍍制備。蒸鍍在真空壓力為2 X KT3Pa?5 X ICT5Pa下進行,蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0039]空穴傳輸層60形成于空穴注入層50的表面。空穴傳輸層60的材料選自I, 1-二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -聯苯二胺(NPB)中的至少一種，優選為TCTA。空穴傳輸層60的厚度為20nm?60nm，優選為55nm。空穴傳輸層60由蒸鍍制備。蒸鍍時，蒸鍍在真空壓力為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa下進行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/ s
[0040]發光層70形成于空穴傳輸層60的表面。發光層70的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-聯苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉招(Alq3)中的至少一種,優選為Alq3。發光層70的厚度為5nm?40nm,優選的18nm。發光層70由蒸鍍制備。蒸鍍在真空壓力為2X10_3Pa?5X10_5Pa下進行，蒸鍍速率為0.1nm/s ?lnm/s ο
[0041]電子傳輸層80形成于發光層70的表面。電子傳輸層80的材料選自4，7-二苯基-1，I O-菲羅啉(Bphen )、I，2，4-三唑衍生物(如TAZ )及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優選為TAZ。電子傳輸層80的厚度為40nm?300nm,優選為90nm。電子傳輸層80由蒸鍍制備。蒸鍍在真空壓力為2X10_3Pa?5X 10_5Pa下進行,蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/S。
[0042]電子注入層85形成于電子傳輸層80的表面。電子注入層85的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優選為LiF。電子注入層85的厚度為0.5nm?1nm,優選為1.5nm。電子注入層85由蒸鍍制備。蒸鍍在真空壓力為2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下進行，蒸鍍速率為lnm/s?I Onm/S0
[0043]步驟S120、在電子注入層85的表面蒸鍍制備陰極90。
[0044]陰極90包括層疊于電子注入層85表面的金屬摻雜層92、層疊于金屬摻雜層92表面的錸的氧化物摻雜層94及層疊于錸的氧化物摻雜層94表面的金屬層96。
[0045]金屬摻雜層92的材料包括低功函數金屬及摻雜在低功函數金屬中的鈍化材料。低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV。鈍化材料選自二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鎳(N1)及氧化銅(CuO)中的至少一種。低功函數金屬與鈍化材料的質量比為5:1?30:1。金屬摻雜層92的厚度為30nm?lOOnm。優選的，低功函數金屬選自鎂(Mg)、鍶(Sr)、鈣(Ca)及鐿(Yb)中的至少一種。金屬摻雜層92由電子束蒸鍍制備。電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2。
[0046]錸的氧化物摻雜層94的材料包括錸的氧化物及摻雜在錸的氧化物中的鈍化材料。錸的氧化物與所述鈍化材料的質量比為2:1?10:1。鈍化材料選自二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鎳(N1)及氧化銅(CuO)中的至少一種。錸的氧化物摻雜層94的厚度為5nm?30nm。優選的,錸的氧化物選自七氧化二錸(Re207)、二氧化錸(ReO2)、三氧化錸(ReO3)及三氧化二錸(Re2O3)中的至少一種。錸的氧化物摻雜層94由電子束蒸鍍制備。電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2。
[0047]金屬層96的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的高功函數金屬。金屬層96的厚度為10nm?300nm。優選的，金屬層96的材料選自銀(Ag)、鋁(Al )、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種。金屬層96由熱蒸鍍制備。蒸鍍在真空壓力為2X10_3Pa?5X10_5Pa下進行，蒸鍛速率為lnm/s?10nm/s。
[0048]上述有機電致發光器件制備方法，工藝簡單。
[0049]以下結合具體實施例對有機電致發光器件的制備方法進行詳細說明。
[0050]本發明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(沈陽科學儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的CS-100A色度計測試亮度和色度。
[0051]實施例1
[0052]本實施例制備結構為ITO 玻璃 /W03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Mg: Si02/Re207:Ni0/Au 的有機電致發光器件。其中，“/”表示層疊結構，“:”表示摻雜或混合，以下實施例相同。
[0053]先將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物；蒸鍍空穴注入層:材料為W03，厚度為65nm ;蒸鍍空穴傳輸層:材料為TCTA，厚度為55nm;蒸鍍發光層:所選材料為Alq3，厚度為18nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為90nm ;蒸鍍電子注入層，材料為LiF，厚度為1.5nm ;然后蒸鍍復合陰極，由金屬摻雜層、錸的氧化物摻雜層和金屬層組成。先制備金屬摻雜層，材料包括為Mg及S12, Mg與S12的質量比為10:1，采用電子束制備，厚度為7011111。接著制備錸的氧化物摻雜層，材料包括Re2O7及N1，Re2O7與N1的質量比為4:1，采用電子束制備，厚度為10nm。接著制備金屬層，材料為Au，采用熱阻蒸鍍，厚度為150nm。最后得到所需要的有機電致發光器件。制備的工作壓強為8X 10_5Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s。電子束蒸鍍的能量密度為50W/cm2。
[0054]請參閱圖3，所示為實施例1中制備的結構為ITO玻璃/W03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Mg:Si02/Re207:Ni0/Au的有機電致發光器件(曲線I)與對比例制備的結構為ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有機電致發光器件(曲線2)的電流密度與流明效率的關系。對比例制備有機電致發光器件的步驟及各層厚度與實施例1均相同。
[0055]從圖上可以看到，在不同的電流密度下，實施例1有機電致發光器件的流明效率都比對比例的要大,實施例1的有機電致發光器件的最大流明效率為10.lllm/W，而對比例的僅為6.581m/ff,同時，隨著電流密度的提高，實施例1的流明效率衰減更慢，這說明，制備復合陰極有利于電子的注入，提高注入效率，同時，提高有機電致發光器件的導電性，阻擋空穴穿越到陰極與電子復合淬滅，提高摻雜層的穩定性，提高有機電致發光器件的導電性和光的反射性能，這種復合陰極可有效提高發光效率。。
[0056]以下各個實施例制備的有機電致發光器件的亮度都與實施例1相類似，各有機電致發光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0057]實施例2
[0058]本實施例制備結構為AZO 玻璃 /V205/NPB/ADN/Bphen/CsF/Sr:Al203/Re02:Si02/Al的有機電致發光器件。
[0059]先將AZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，蒸鍍制備空穴注入層，材料為V2O5,厚度為SOnm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為NPB，厚度為60nm ;蒸鍍發光層,材料為ADN,厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為200nm ；蒸鍍電子注入層，材料為CsF，厚度為1nm ;蒸鍍復合陰極，由金屬摻雜層、錸的氧化物摻雜層和金屬層組成。先制備金屬摻雜層，材料包括Sr及Al2O3, Sr與Al2O3的質量比為5:1，采用電子束制備，厚度為lOOnm。接著制備錸的氧化物摻雜層，材料包括ReO2及S12, ReO2與S12的質量比為2:1，采用電子束制備，厚度為5nm。接著制備金屬層，材料為Al，采用熱阻蒸鍍，厚度為lOOnm。最后得到所需要的有機電致發光器件。制備的工作壓強為2X10_3Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s。電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2。
[0060]實施例3
[0061]本實施例制備結構為IZO 玻璃 /Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/Ca: N1/ReO3: Al2O3Ag的有機電致發光器件。
[0062]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，蒸鍍制備空穴注入層，材料為MoO3，厚度為20nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TAPC，厚度為30nm ;蒸鍍發光層，材料為BCzVBi，厚度為40nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為60nm ;蒸鍍電子注入層,材料為Cs2CO3,厚度為0.5nm ;蒸鍍復合陰極，由金屬摻雜層、錸的氧化物摻雜層和金屬層組成。先制備金屬摻雜層，材料包括Ca及N1，Ca與N1的質量比為30:1，采用電子束制備，厚度為30nm。接著制備錸的氧化物摻雜層，材料包括ReO3及Al2O3,ReO3與Al2O3的摻雜質量比為10:1，采用電子束制備，厚度為3011111。接著制備金屬層，材料為Ag。采用熱阻蒸鍍，厚度為300nm。最后得到所需要的有機電致發光器件。制備的工作壓強為5X l(T5Pa,有機材料的蒸鍍速率為lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s。電子束蒸鍍的能量密度為lOOW/cm2。
[0063]實施例4
[0064]本實施例制備結構為IZO 玻璃 /W03/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/Yb:Cu0/Re203:Cu0/Pt的有機電致發光器件。
[0065]先將IZO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，蒸鍍制備空穴注入層，材料為WO3,厚度為30nm ;蒸鍍空穴傳輸層，材料為TCTA，厚度為50nm ;蒸鍍發光層，材料為DCJTB，厚度為5nm ;蒸鍍電子傳輸層，材料為Bphen，厚度為40nm ;蒸鍍電子注入層，材料為CsN3,厚度為Inm ;蒸鍍復合陰極，由金屬摻雜層、錸的氧化物摻雜層和金屬層組成。先制備金屬摻雜層，材料包括Yb及CuO，Yb與CuO的摻雜質量比為20:1，采用電子束制備，厚度為80nm。接著制備錸的氧化物摻雜層，材料包括Re2O3及CuO，Re2O3與CuO的摻雜質量比為8:1，采用電子束制備，厚度為25nm。接著制備金屬層，材料為Pt。采用熱阻蒸鍍，厚度為250nm。最后得到所需要的有機電致發光器件。制備的工作壓強為5X 10_4Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s。電子束蒸鍍的能量密度為30W/cm2。
[0066]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的金屬摻雜層、層疊于所述金屬摻雜層表面的錸的氧化物摻雜層及層疊于所述錸的氧化物摻雜層表面的金屬層；所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的鈍化材料，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV，所述低功函數金屬與所述鈍化材料的質量比為5:1?30:1 ;所述錸的氧化物摻雜層的材料包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的所述鈍化材料，所述錸的氧化物與所述鈍化材料的質量比為2:1?10:1 ;所述金屬層的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的金屬。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬摻雜層的厚度為30nm?10nm ;所述錸的氧化物摻雜層的厚度為5nm?30nm ;所述金屬層的厚度為10nm?300nmo
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種。
6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層及電子注入層；及 在所述電子注入層的表面蒸鍍制備陰極，所述陰極包括層疊于所述電子注入層表面的金屬摻雜層、層疊于所述金屬摻雜層表面的錸的氧化物摻雜層及層疊于所述錸的氧化物摻雜層表面的金屬層，所述金屬摻雜層的材料包括低功函數金屬及摻雜在所述低功函數金屬中的鈍化材料，所述鈍化材料選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鎳及氧化銅中的至少一種，所述低功函數金屬的功函數為-2.0eV?-3.5eV，所述低功函數金屬與所述鈍化材料的質量比為5:1?30:1，所述錸的氧化物摻雜層的材料包括錸的氧化物及摻雜在所述錸的氧化物中的所述鈍化材料，所述錸的氧化物與所述鈍化材料的質量比為2:1?10:1 ;所述金屬層的材料為功函數為-4.0?-5.5eV的金屬。
7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬摻雜層的厚度為30nm?10nm ;所述錸的氧化物摻雜層的厚度為5nm?30nm ;所述金屬層的厚度為 10nm ?300nm。
8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:所述低功函數金屬選自鎂、鍶、鈣及鐿中的至少一種。
9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:所述金屬層的材料選自銀、鋁、鉬及金中的至少一種。
10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:所述錸的氧化物選自七氧化二錸、二氧化錸、三氧化錸及三氧化二錸中的至少一種。
【文檔編號】H01L51/50GK104347802SQ201310339583
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月6日 優先權日:2013年8月6日
【發明者】周明杰, 黃輝, 馮小明, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司