磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器的制造方法
【專利摘要】本發明公開一種磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其結構是由鐵芯、磁條、鋼板和繞組組成，鐵芯芯柱截面由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成，通過不飽和區域鐵芯吸收飽和區域鐵芯的磁條、漏磁通形成白屏蔽并附著一層絕緣線、控制器，鐵芯外套裝繞組和二極管，繞組是由L1一L6組成，其中L1和L5線頭并接，L2和L3線頭串聯接，L5和L7線尾并接，L1、L2的中間接點接可控硅4的陽極形成整流電路，L3、L4的中間接點接可控硅的陽極形成整流電路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接續流二極管的負極，可控硅的陰極與續流三極管的正極并接相連。本發明的有益效果是：工藝簡單，能夠大幅度減少鐵芯硅鋼片的用量。
【專利說明】 磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種可控電抗器，具體是磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，屬于電網和輸變電設備節能控制領域。
【背景技術】
[0002]隨著超高壓大電網的形成和城市電網中電纜線路劇增，電網中的無功功率變化和電壓波動等問題日益突出，實施無功功率動態平衡和電壓波動的動態抑制、加強電網諧波治理、抑制超高壓輸電長線路末端電壓升高和減少線路單相接地時的潛供電流、消除發電機白勵磁等措施，對電網的安全經濟運行、促進電網節能，具有重要意義。隨著電網中沖擊性負荷逐漸增多，電力電子技術和裝置在電網中的廣泛應用，動態無功補償和濾波裝置對可控電抗器的安全可靠性等技術經濟指標，提出了更高的要求。
[0003]調匝式可控電抗器是通過斷路器或接觸器投切抽頭，改變匝數實現電抗可調，這種調節簡單易行但達不到連續可調。調氣隙式可控電抗器是通過精密機械傳動方式，連續改變磁路中氣隙的長度，實現電抗的連續可調，存在著響應速度慢、噪聲大、易發生機械失靈等問題。晶閘管控制電抗器式可控電抗器是通過控制晶閘管的導通角和導通時間，以控制流過電抗器電流的大小和相位，實現了對電抗器容量的連續快速可調，在冶金行業應用廣泛:由于單只晶閘管耐壓水平較低，該類型可控電抗器應用到6kV以上電網中，需要用很多只晶閘管串聯，在多只晶閘管同步觸發和均壓、控制維護等方面難度大，可靠性有待提高；該裝置占地面積大，晶閘管發熱量大需要輔助冷卻設備，自身產生的諧波量大需要配備專用濾波設備，成本高價格昂貴。高短路阻抗變壓器式可控電抗器是將變壓器和電抗器設計為一體，將變壓器的短路阻抗設計為100%，再在變壓器的低壓側接入晶閘管進行調節，實現對感性無功功率的連續或有級控制:該類型可控電抗器可滿足高電壓、大容量、連續可調的要求，存在著變壓器漏磁面積非常大造成效率低、結構和制造工藝復雜、成本高等不足，應用較少。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是克服現有技術存在的不足，提供一種結構可靠、損耗小、噪聲低、鐵芯截面充分利用、制造成本低的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器。
[0005]為了實現上述目的，本發明所采用的技術方案是:磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，是由鐵芯、磁條、鋼板和繞組組成，鐵芯芯柱截面由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成，通過不飽和區域鐵芯吸收飽和區域鐵芯的磁條、漏磁通形成白屏蔽并附著一層絕緣線、控制器，鐵芯外套裝繞組和二極管，繞組是由L1-L6組成，其中LI和L5線頭并接，L2和L3線頭串聯接，L5和L7線尾并接，L1、L2的中間接點接可控硅4的陽極形成整流電路，L3、L4的中間接點接可控硅的陽極形成整流電路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接續流二極管的負極，可控硅的陰極與續流三極管的正極并接相連。
[0006]繞組還可以是由4個獨立的繞組L1-L3組成，其中L2的兩端并接可控硅組成整流電路和開關，兩只可控硅的陰極陽極相互并接L2首端，可控硅和電磁線的陰極陽極相互并接的另一端與繞組L2的末端接外接電源，L3的兩端接一濾波保護回路，鐵芯芯柱的主磁通經過上下鐵軛閉合形成磁回路。
[0007]本發明的有益效果是:工藝簡單，能夠大幅度減少鐵芯硅鋼片的用量。
【具體實施方式】
[0008]磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，是由鐵芯、磁條、鋼板和繞組組成，鐵芯芯柱截面由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成，通過不飽和區域鐵芯吸收飽和區域鐵芯的磁條、漏磁通形成白屏蔽并附著一層絕緣線、控制器，鐵芯外套裝繞組和二極管，繞組是由L1-L6組成，其中LI和L5線頭并接，L2和L3線頭串聯接，L5和L7線尾并接，L1、L2的中間接點接可控硅4的陽極形成整流電路，L3、L4的中間接點接可控硅的陽極形成整流電路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接續流二極管的負極，可控硅的陰極與續流三極管的正極并接相連。
[0009]繞組還可以是由4個獨立的繞組L1-L3組成，其中L2的兩端并接可控硅組成整流電路和開關，兩只可控硅的陰極陽極相互并接L2首端，可控硅和電磁線的陰極陽極相互并接的另一端與繞組L2的末端接外接電源，L3的兩端接一濾波保護回路，鐵芯芯柱的主磁通經過上下鐵軛閉合形成磁回路。
【權利要求】
1.磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其是由鐵芯、磁條、鋼板和繞組組成，鐵芯芯柱截面由不飽和區域鐵芯和飽和區域鐵芯交錯排列組成，通過不飽和區域鐵芯吸收飽和區域鐵芯的磁條、漏磁通形成白屏蔽并附著一層絕緣線、控制器，鐵芯外套裝繞組和二極管，繞組是由L1-L6組成，其中LI和L5線頭并接，L2和L3線頭串聯接，L5和L7線尾并接，L1、L2的中間接點接可控硅4的陽極形成整流電路，L3、L4的中間接點接可控硅的陽極形成整流電路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接續流二極管的負極，可控硅的陰極與續流三極管的正極并接相連。
2.根據權利要求1所述的磁路并聯漏磁自屏蔽式可控電抗器，其特征在于:所述繞組還可以是由4個獨立的繞組L1-L3組成，其中L2的兩端并接可控硅組成整流電路和開關，兩只可控硅的陰極陽極相互并接L2首端，可控硅和電磁線的陰極陽極相互并接的另一端與繞組L2的末端接外接電源，L3的兩端接一濾波保護回路，鐵芯芯柱的主磁通經過上下鐵軛閉合形成磁回路。
【文檔編號】H01F27/28GK104347249SQ201310327078
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年7月31日 優先權日:2013年7月31日
【發明者】張宗有, 王光輝, 金鑫 申請人:青島菲特電器科技有限公司