薄膜晶體管基板的制造方法
【專利摘要】本發明涉及一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在該基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋層、透明導電層及金屬層；提供一光阻層，該光阻層覆蓋在該金屬層上，利用一光罩對該光阻層進行曝光顯影，以形成圖案化光阻層，該圖案化光阻層鄰近半導體層的部分較厚，遠離半導體層的部分較薄，再對金屬層進行蝕刻，直到暴露出部分蝕刻阻擋層；去除剩余的較薄部分的光阻層，以暴露出部分金屬層；對暴露在外的金屬層進行蝕刻，以暴露出部分該透明導電層；以及去除該光阻層。
【專利說明】薄膜晶體管基板的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種薄膜晶體管基板的制造方法。
【背景技術】
[0002] 現有的薄膜晶體管基板的制造方法一般包括如下步驟：步驟一：形成柵極金屬 層；步驟二：形成柵極電極；步驟三：形成柵極絕緣層；步驟四：形成一個半導體層在該柵 極絕緣層上；步驟五：形成一個蝕刻阻擋層在該半導體層上；步驟六：形成一個透明導電 層；步驟七：形成一個像素電極；步驟八：形成源/漏極電極；步驟九：形成一鈍化層的圖案 層在該像素電極、源/漏極電極上。
[0003] 該薄膜晶體管基板需要采用多道光罩制程，而光罩制程通常較為復雜且成本較 1?，從而使得制造成本較
【發明內容】
[0004] 有鑒于此，有必要提供一種制程簡單的薄膜晶體管基板的制造方法。
[0005] -種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在該基板上依次形成柵 極、柵極絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋層、透明導電層及金屬層；提供一光阻層，該光阻層覆 蓋在該金屬層上，利用一光罩對該光阻層進行曝光顯影，以形成圖案化光阻層，該圖案化光 阻層鄰近半導體層的部分較厚，遠離半導體層的部分較薄，再對金屬層進行蝕刻，直到暴露 出部分蝕刻阻擋層；去除剩余的較薄部分的光阻層，以暴露出部分金屬層；對暴露在外的 金屬層進行蝕刻，以暴露出部分該透明導電層；以及去除該光阻層。
[0006] 在上述薄膜晶體管基板的制造方法中，源極、漏極的形成以及像素電極的形成只 需要一次光阻層，從而節省了一次光阻層的使用，制程簡化，有效地降低了成本。進一步地， 由于透明導電層是位于金屬層與柵極絕緣層之間，因此可阻擋金屬層的金屬元素擴散到柵 極絕緣層內，從而提升產品的品質。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007] 圖1到圖7是本發明實施方式提供的薄膜晶體管基板的制造方法的剖面示意圖。
[0008] 主要元件符號說明
【權利要求】
1. 一種薄膜晶體管基板的制造方法，其包括： 提供一基板； 在該基板上依次形成柵極、柵極絕緣層、半導體層、蝕刻阻擋層、透明導電層及金屬 層； 提供一光阻層，該光阻層覆蓋在該金屬層上，利用一光罩對該光阻層進行曝光顯影，以 形成圖案化光阻層，該圖案化光阻層鄰近半導體層的部分較厚，遠離半導體層的部分較薄， 再對金屬層進行蝕刻，直到暴露出部分蝕刻阻擋層； 去除剩余的較薄部分的光阻層，以暴露出部分金屬層； 對暴露在外的金屬層進行蝕刻，以暴露出部分該透明導電層；以及 去除該光阻層。
2. 如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，該半導體層包括非 晶氧化半導體材料。
3. 如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，該透明導電層為銦 錫氧化物薄膜。
4. 如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，該光罩為半色調網 點光罩。
5. 如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，透明導電層位于金 屬層與半導體層之間。
6. 如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，在步驟"去除該光阻 層"之后，進一步包括如下步驟：形成一個保護層，以覆蓋該金屬層、透明導電層以及暴露在 外的蝕刻阻擋層。
【文檔編號】H01L21/84GK104253091SQ201310253860
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月25日 優先權日:2013年6月25日
【發明者】安生健二 申請人:業鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司