光半導體密封用固化性組合物和使用其的光半導體裝置制造方法
【專利摘要】本發明的課題在于提供一種光半導體密封用固化性組合物及光半導體裝置，該組合物形成耐沖擊性及粘著性優異的固化物，該裝置是利用固化該光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物來密封光半導體元件而成。該組合物含有：(A)直鏈狀聚氟化合物；(B)環狀有機聚硅氧烷、及/或有機氫硅氧烷，該環狀有機硅氧烷具有SiH基及含氟有機基，該有機氫硅氧烷具有SiH基及含氟有機基；(C)鉑族金屬系催化劑；(D)環狀有機聚硅氧烷，具有SiH基、含氟有機基及環氧基；及(E)環狀有機聚硅氧烷，具有一價不飽和烴基及含氟有機基；且，該組合物固化所獲得的固化物的利用JIS?K6253-3中規定的A型硬度計所測得的硬度值為30～80。
【專利說明】光半導體密封用固化性組合物和使用其的光半導體裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種光半導體密封用固化性組合物及使用該光半導體密封用固化性組合物的光半導體裝置。
【背景技術】
[0002]先前，作為固化性組合物，提出有從直鏈狀氟聚醚化合物、含氟有機氫硅氧烷及鉬族化合物所組成的組合物，獲得耐熱性、耐化學品性、耐溶劑性、脫模性、防水性、防油性、及低溫特性等性質的平衡性良好且優異的固化物，其中，所述直鏈狀氟聚醚化合物I分子中具有至少兩個烯基，且主鏈中具有全氟聚醚結構；所述含氟有機氫硅氧烷I分子中具有兩個以上直接鍵結于硅原子上的氫原子(專利文獻I)。
[0003]并且，提出有一種組合物，所述組合物通過在該組合物中添加具有氫硅烷基(hydrosilyl)與環氧基及/或三烷氧基甲娃烷基(trialkoxysilyl)的有機聚硅氧烷,來將自身粘著性賦予金屬或塑料基材(專利文獻2)。
[0004]進一步提出有一種組合物，通過在該組合物中添加羧酸酐，提升對各種基材，尤其是對聚苯硫醚樹脂(PPS)或聚酰胺樹脂的粘著性(專利文獻3)。并且，在專利文獻4中提出有一種組合物，此組合物即使在腐蝕性酸性氣體或堿性氣體的存在下，仍可防止亮度降低。
[0005]但是，在將利用這些先前技術實際制備的組合物進行固化而獲得的固化物中，如果將利用JIS K6253-3中規定的A型(type A)硬度計所測得的硬度值為20左右的低硬度固化物作為發光二極體(以下，只要無特別說明，稱作“LED”)的密封材料使用，那么作為密封材料的耐沖擊性可能會不充分。例如，使用碗式振動送料器，將利用該固化物密封LED的散裝光半導體裝置排列為一定的方向/形態時，由于該光半導體裝置彼此沖撞的沖擊，常常發生連接LED晶片與電極的焊 線斷線的問題。
[0006]另一方面，如果提高該固化物的上述硬度以提升上述耐沖擊性，那么存在以下問題:該固化物對LED的封裝體材料、尤其是對代表性材料聚鄰苯二甲酰胺(Polyphthalamide, PPA)的粘著性不充分。
[0007]現有技術文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本專利第2990646號公報
[0010]專利文獻2:日本專利第3239717號公報
[0011]專利文獻3:日本專利第3567973號公報
[0012]專利文獻4:日本特開2009-277887號公報
【發明內容】
[0013]本發明是有鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種光半導體密封用固化性組合物及光半導體裝置，所述光半導體密封用固化性組合物形成耐沖擊性優異，且具有良好粘著性的固化物；所述光半導體裝置是利用固化該光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物來密封光半導體元件而成。
[0014]為了解決上述課題，根據本發明，優選為含有:
[0015](A)直鏈狀聚氟化合物100質量份:所述直鏈狀聚氟化合物是由下述通式(I)所表不，
[0016]CH2=CH-(X) ,-Rf1-(XJ ) ,-CH=CH2 (I)
[0017][式中，X是由-CH2_、-CH2O-, -CH2OCH2-、及-Y-NR1-CO-(Y 是由-CH2-或下述結構
式⑵
[0018]
【權利要求】
1.一種光半導體密封用固化性組合物，其特征在于，其含有: (A)直鏈狀聚氟化合物100質量份:所述直鏈狀聚氟化合物是由下述通式(I)所表示，
CH2=CH- (X) ,-Rf1-(X，) ,-CH=CH2 (I) 通式(I)中，X是由-CH2-、-CH2O-、-CH2OCH2-、及-Y-NR1-CO-中的任 Iv所表不的基團，X’是由-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-、及-CO-NR1-Y,-中的任一個所表不的基團，a是獨立而為O或1，Rf1是由下述通式(4)或(5)所表示的二價全氟聚醚基， 在-Y-NR1-CO-中,Y是由-CH2-或下述結構式⑵所表不的鄰、間或對二甲基娃亞苯基、R1是氫原子、或未被取代或取代的一價烴基，
2.如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，進一步含有環狀有機聚硅氧烷0.010~10.0質量份來作為(F)成分，所述環狀有機聚硅氧烷是由下述通式(9)所表示，一分子中具有直接鍵結于硅原子上的氫原子、通過可包含氧原子或氮原子的二價烴基而鍵結于娃原子上的一價全氟烷基或一價全氟烷氧基、及通過二價烴基而鍵結于娃原子上的環狀羧酸酐殘基，
3.如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述光半導體密封用固化性組合物的Jis K7117-1中規定的23°C下的粘度為100~50，OOOmPa.S。
4.如權利要求2所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述光半導體密封用固化性組合物的JIS K7117-1中規定的23°C下的粘度為100~50，OOOmPa.S。
5.如權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，固化前述光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物在25°C、589nm的鈉D線下的折射率為1.30以上且不足1.40。
6.如權利要求2所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，固化前述光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物在25°C、589nm的鈉D線下的折射率為1.30以上且不足1.40。
7.如權利要求3所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，固化前述光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物在25°C、589nm的鈉D線下的折射率為1.30以上且不足1.40。
8.如權利要求4所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，固化前述光半導體密封用固化性組合物所獲得的固化物在25°C、589nm的鈉D線下的折射率為1.30以上且不足1.40。
9.如權利要求1至權利要求8中的任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述(A)成分是由下述通式(10)所表示，
10.如權利要求1至8中的任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述(A)成分的直鏈狀聚氟化合物的烯基含量為0.0050~0.lOOmol/lOOg。
11.如權利要求9所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述(A)成分的直鏈狀聚氟化合物的烯基含量為0.0050~0.100mol/100g。
12.如權利要求1至8中的任一項所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述(B)成分、(D)成分、(E)及(F)成分各自具有的一價全氟烷基或一價全氟烷氧基，分別由下述通式(11)或通式(12)所表示， CfF2f+1 (11) 通式(11)中，f是I~10的整數，
13.如權利要求9所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述(B)成分、(D)成分、(E)及(F)成分各自具有的一價全氟烷基或一價全氟烷氧基，分別由下述通式(11)或通式(12)所表示，
CfF2f+1- (11) 通式(11)中，f是I~10的整數，
14.如權利要求10所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述⑶成分、⑶成分、(E)及(F)成分各自具有的一價全氟烷基或一價全氟烷氧基，分別由下述通式(11)或通式(12)所表示，
CfF2f+1- (11) 通式(11)中，f是I~10的整數，
15.如權利要求11所述的光半導體密封用固化性組合物，其中，前述⑶成分、⑶成分、(E)及(F)成分各自具有的一價全氟烷基或一價全氟烷氧基，分別由下述通式(11)或通式(12)所表示，
CfF2f+1- (11)通式(11)中，f是1~10的整數，
16.一種光半導體裝置，其具有:光半導體元件及固化物，所述固化物是固化權利要求1所述的光半導體密封用固化性組合物而獲得，用以密封該光半導體元件。
17.如權利要求16所述的光半導體裝置，其中，前述光半導體元件為發光二極體。
【文檔編號】H01L33/56GK103467965SQ201310221629
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年6月5日 優先權日:2012年6月5日
【發明者】越川英紀, 塩野巳喜男 申請人:信越化學工業株式會社