形成凸塊結構的方法

形成凸塊結構的方法
【專利摘要】一種形成凸塊結構的方法，包括：通過化學鍍工藝在頂部金屬層上形成金屬化層；在金屬化層上方形成聚合物層；在聚合物層上形成開口以暴露金屬化層；以及在暴露的金屬化層上方形成焊料凸塊，以與頂部金屬層電接觸。
【專利說明】形成凸塊結構的方法
【技術領域】
[0001]本發總的來說涉及集成電路，更具體地，涉及形成凸塊結構的方法。
【背景技術】
[0002]現代集成電路由數百萬諸如晶體管和電容器的有源器件組成。這些器件最初彼此隔離，但后來互連在一起以形成功能電路。典型的互連結構包括諸如金屬線(配線)的橫向互連件以及諸如通孔和接觸件的垂直互連件。互連件越來越多地決定現代集成電路的性能和密度的限制。在互連結構的頂部上，在各個芯片的表面上形成并暴露焊盤。通過焊盤進行電連接以將芯片連接至封裝襯底或另外的管芯。焊盤可用于配線接合或倒裝芯片接合。倒裝芯片封裝利用凸塊在芯片的輸入/輸出(I/o)焊盤與襯底或封裝件的引線框架之間建立電接觸。在結構上，凸塊實際上包括凸塊本身和位于凸塊和I/o焊盤之間的“凸塊下金屬層”(UBM)。用于倒裝芯片技術的另一結構是銅上直接凸塊(DBOC)結構，其中UBM與頂部金屬化層的銅金屬直接接觸。鋁焊盤或內鈍化層沒有用于DBOC結構。在鋁焊盤或內鈍化層沒有作為緩沖的情況下，DBOC結構通常具有較小的機械強度并遭受銅氧化的問題。

【發明內容】

[0003]根據本發明的一個方面，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在半導體襯底的頂部金屬層上形成第一金屬化層；在第一金屬化層上方形成鈍化層；在鈍化層中形成開口，以暴露第一金屬化層，其中暴露的第一金屬化層包括第一部分和第二部分；在鈍化層和第一金屬化層上形成保護層；在保護層中形成開口，以暴露第一金屬化層的第一部分而覆蓋第一金屬化層的第二部分；以及在保護層上方形成電連接至第一金屬化層的焊料凸塊。
[0004]優選地，第一金屬化層包括鎳層、錫層、鈦層、鈀層和金層中的至少一個。
[0005]優選地，頂部金屬層是包括銅的焊盤區域。
[0006]優選地，該方法進一步包括:在第一金屬化層和焊料凸塊之間形成第二金屬化層。
[0007]優選地，第二金屬化層包括鈦層、銅層和鎳層中的至少一個。
[0008]優選地，鈍化層包括介電層，并且保護層包括聚合物層。
[0009]優選地，該方法進一步包括:在形成第一金屬化層之前，對頂部金屬層執行拋光工藝。
[0010]根據本發明的另一方面，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層；在鈍化層中形成開口以暴露頂部金屬層的一部分；通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在頂部金屬層的暴露部分上形成第一金屬化層；在鈍化層和第一金屬化層上形成保護層；在保護層中形成開口，以暴露第一金屬化層的第一部分而覆蓋第一金屬化層的第二部分；以及在保護層上方形成電連接至第一金屬化層的焊料凸塊。
[0011]優選地，第一金屬化層包括延伸至鈍化層的頂面的邊緣部分。
[0012]優選地，保護層覆蓋第一金屬化層的邊緣部分。[0013]優選地，第一金屬化層包括鎳層、錫層、鈦層、鈀層和金層中的至少一個。
[0014]優選地，頂部金屬層是包括銅的焊盤區域。
[0015]優選地，該方法進一步包括:在第一金屬化層和焊料凸塊之間形成第二金屬化層。
[0016]優選地，第二金屬化層包括鈦層、銅層和鎳層中的至少一個。
[0017]優選地，鈍化層包括介電層，并且保護層包括聚合物層。
[0018]根據本發明的又一方面，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層；在鈍化層中形成開口以暴露頂部金屬層，暴露的頂部金屬層包括第一部分和第二部分；在鈍化層和暴露的頂部金屬層上形成保護層；在保護層中形成開口以暴露頂部金屬層的第一部分而覆蓋暴露的頂部金屬層的第二部分；通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在頂部金屬層的第一部分上形成第一金屬化層；以及在保護層上方形成電連接至第一金屬化層的焊料凸塊。
[0019]優選地，第一金屬化層包括鎳層、錫層、鈦層、鈀層和金層中的至少一個。
[0020]優選地，頂部金屬層是包括銅的焊盤區域。
[0021]優選地，該方法進一步包括:在第一金屬化層和焊料凸塊之間形成第二金屬化層。
[0022]優選地，第二金屬化層包括鈦層、銅層和鎳層中的至少一個。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1A至IE是根據一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖；
[0024]圖2A和2B是示出了根據又一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖；
[0025]圖3A至3B是示出了根據又一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖；以及
[0026]圖4A至4C是示出了根據又一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖。
【具體實施方式】
[0027]可以理解，下面公開提供了很多不同的實施例或示例，用于實現各種實施例的不同的特性。下面描述了部件和配置的具體實例以簡化本公開。然而，本公開可能以不同的形式體現，并且不應該被解釋為限于本文所描述的實施例；提供這些實施例是為了使說明書詳盡并完整，并且將使本領域技術人員完全明白本發明。然而，顯而易見的是，在沒有這些具體細節的情況下也可以實施一個或多個實施例。
[0028]在附圖中，為了清楚而放大層和區域的厚度和寬度。圖中相似的參考數字表示相似的元件。圖中示出的元件和區域實際上是示意性的，因此圖中所示的相對尺寸或間隔不用于限制本公開的范圍。
[0029]圖1A至圖1E是示出根據一個實施例的形成凸塊結構的各個中間階段的截面圖。
[0030]參照圖1A，根據一個實施例示出了其上形成有電路12的襯底10的一部分。例如，襯底10可以包括體硅、摻雜或非摻雜、或者絕緣體上半導體(SOI)襯底的有源層。通常，SOI襯底包括形成在絕緣層上的諸如硅的半導體材料層。例如，絕緣體層可以是隱埋氧化物(BOX)層或氧化硅層。在襯底(通常為硅襯底或玻璃襯底)上提供絕緣層。還可以使用諸如多層或梯度襯底的其他襯底。形成在襯底10上的電路12可以是適合于具體應用的任何類型的電路。在實施例中，電路12包括形成在襯底10上的電器件，其中一個或多個介電層覆蓋電器件。金屬層可形成在介電層之間，以在電器件之間傳輸電信號。電器件也可以形成在一個或多個介電層中。例如，電路12可以包括各種N型金屬氧化物半導體(NMOS)和/或P型金屬氧化物半導體(PMOS)器件，諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔絲等，它們被互連以執行一種或多種功能。功能可以包括存儲結構、處理結構、傳感器、放大器、功率分配、輸入/輸出電路等。本領域的技術人員應該理解，上述實施例中只是示意性的目的，以進一步解釋一些說明性實施例的應用并且不以任何方式限制本公開。其他電路可根據需要用于給定的應用。
[0031]圖1A還示出了形成在襯底10上方的互連結構14，其包括多個介電層16和相關的金屬化層(未示出)。例如，至少一個介電層16可包括低介電系數(低K)材料，諸如磷硅酸鹽玻璃(PSG)、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、SiOxCy、旋涂玻璃、旋涂聚合物、碳化硅材料、它們的化合物、它們的復合物、它們的組合等，其可通過諸如旋轉、化學汽相沉積(CVD)和/或等離子體增強CVD(PECVD)的任何適當方法來形成。形成在介電層16中的金屬化層的金屬線或金屬通孔被用于互連電路12并提供外部電連接。金屬化層可由銅或銅合金形成，盡管它們也可以由其他金屬形成。本領域技術人員應該會知曉金屬化層的形成細節。此外，金屬化層包括頂部金屬層18，其形成在最上面的介電層16T中或上并被圖案化以提供外部電連接并保護下面的層免受各種環境污染。根據一些實施例，最上面的介電層16T可以由介電材料形成,諸如氮化娃、氧化娃、非摻雜娃玻璃等。在一些實施例中，頂部金屬層18由銅或銅合金形成，如果有必要的話，其是導電路由的一部分并具有通過平坦化工藝(諸如化學機械拋光(CMP))處理的暴露表面。在實施例中，頂部金屬層18是焊盤區域，凸塊結構將形成在其上以將襯底10中的集成電路連接至外部部件。
[0032]參照圖1B，第一金屬化層20以自對準方式形成為覆蓋焊盤區域18。在實施例中，化學鍍工藝22用于在焊盤區域18的暴露部分上沉積金屬層。第一金屬化層20可具有單層結構或包括由不同材料形成的多個子層的復合結構，并且可包括從主要由鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)、錫鉛(SnPb)、金(Au)、銀、鈀(Pd)、銦(In)、鎳鈀金(NiPdAu)、鎳金(NiAu)、錫基合金或鈀基合金、其他類似材料、或通過化學鍍工藝或浸鍍工藝形成的合金所組成的組中選出的層。在一些實施例中，第一金屬化層20具有大約0.2至3.0 μ m的厚度，例如
0.3?0.5μπι。在一個實施例中，金屬覆蓋層20是包括化學鍍鎳層、化學鍍鈀層和浸鍍金層的三層結構，其也稱為ENEPIG結構。在一個實施例中，第一金屬化層20是包括化學鍍鎳層和化學鍍鈀層的雙層結構，稱為ENEP結構。在一個實施例中，金屬覆蓋層20是單層結構，其包括化學鍍鎳層、浸鍍錫層或化學鍍鈦層。第一金屬化層20也被稱為直接形成在焊盤區域18上的自對準凸塊下金屬化(UBM)層。第一金屬化層20可防止焊盤區域18中的銅被氧化和/或擴散到接合材料中。防止銅氧化和/或擴散增加了封裝件的可靠性和接合強度。
[0033]接下來，如圖1C所示，在所得到的結構上方形成一個或多個鈍化層，諸如鈍化層
24。鈍化層24被圖案化以形成暴露第一金屬化層20的部分20Α的開口 25。鈍化層24可由介電材料形成，諸如非摻雜硅酸鹽玻璃(USG)、氮化硅、二氧化硅、氧氮化硅或通過適當方法(諸如CVD、PVD等)形成的非多孔材料。在一個實施例中，鈍化層24被形成為覆蓋第一金屬化層20的外圍部分，并且通過鈍化層24中的開口 25暴露第一金屬化層20的中心部分。鈍化層24可以是單層或層積層。
[0034]接下來，如圖1D所示，然后保護層26形成在鈍化層24和暴露的第一金屬化層20上。使用光刻和/或蝕刻工藝，進一步圖案化保護層26以形成暴露第一金屬化層20的開口 27。在一些實施例中，暴露部分20A包括第一部分20Bi和第二部分20B2。第一部分20Bi可以是暴露部分20A的中心部分，以及第二部分20B2可以是暴露部分20A的外圍部分。在一些實施例中，保護層26的開口 27暴露第一部分20Bi并覆蓋第二部分20B2，使得保護層26位于第一金屬化層20上。在一些實施例中，保護層26由聚合物層形成，諸如環氧樹脂、聚酰亞胺、苯并環丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等，盡管還可以使用其他相對較軟、通常為有機的介電材料。根據一些實施例，保護層26位于金屬覆蓋層上并用作應力緩沖層。
[0035]參照圖1E，第二金屬化層28和焊料凸塊30順序形成在所得到的結構上，以與第一金屬化層20和焊盤區域18電接觸。第二金屬化層28是可選擇的層，其可以包括鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、銅、銅合金、鎳、金、鋁及它們的組合，并且可以使用物理汽相沉積、電鍍、噴鍍等形成。第二金屬化層28有助于改善隨后形成的焊料凸塊的粘附性和封裝可靠性。在一些實施例中，第二金屬化層28是包括鈦層和銅層的雙層結構，其中鈦層具有大約0.01 μ m至0.1 μ m之間的厚度,銅層具有大約0.ΙμL?至0.5μηι之間的厚度。在一些實施例中，第二金屬化層28是包括鈦層、銅層和鎳層的三層結構，其中鈦層具有大約0.01 μ m至0.1 μ m之間的厚度，銅層具有大約0.1ym至0.5 ym之間的厚度，以及鎳層具有大約0.1 μ m至
0.5μπι之間的厚度。第二金屬化層28的制造包括:沉積一個或多個金屬層并將焊料凸塊30用作掩模來圖案化金屬層。因此，第二金屬化層28沿著保護層26的開口 27的側壁和底部形成在焊料凸塊30的下方并延伸至保護層27的頂面。通過電鍍或球工藝在第二金屬化層28上方形成焊料凸塊30。焊料凸塊30可包括無鉛預焊層、SnAg或包括錫、鉛、銀、銅、鎳、鉍或它們的組合的合金的焊料。
[0036]在焊盤區域18上方完成包括第一金屬化層20、第二金屬化層28和焊料凸塊30的凸塊結構。在凸塊結構中，第一金屬化層20和第二金屬化層28形成焊料凸塊30下方的UBM結構32。在UBM結構32中，第 一金屬化層20是自對準UBM層，以及第二金屬化層28是可選的UBM層。在凸塊形成之后，例如，可以形成密封劑，可以執行切割工藝以分離各個管芯，以及可以執行晶圓級或管芯級堆疊等。然而，應該注意，實施例可用于不同的情況。例如，實施例可用于管芯-管芯接合結構、管芯-晶圓接合結構、晶圓-晶圓接合結構、管芯級封裝、晶圓級封裝等。
[0037]本實施例提供了作為自對準金屬覆蓋層的第一金屬化層20以防止運輸期間焊盤區域18的銅氧化。以自對準方式，通過化學鍍工藝在焊盤區域18上形成第一金屬化層20。這也簡化了凸塊形成工藝，從而顯著減少了工藝成本。本實施例提供了作為自對準UBM層的第一金屬化層20，并且提供了作為位于自對準UBM層上的應力緩沖層的保護層26，使得可以有效釋放凸塊應力，可以增強凸塊可靠性裕度，并且可以實現提高電遷移(EM)壽命的加強凸塊方案。因此，根據一些實施例，可以減少凸塊裂縫并且可以消除低K介電質分層。已經發現，在焊盤區域具有自對準UBM層的凸塊結構顯著釋放了凸塊應力，并且聚合物層下方的低k介電層可以減少30 %的應力。因此，在封裝裝配工藝中，可以增加連接可靠性并且可以降低凸塊疲勞。
[0038]圖1A至IE示出了在形成焊盤區域18之后形成第一金屬化層20的實施例。根據一些實施例，第一金屬化層20可以在形成鈍化層24或形成保護層26之后形成，這將在圖2至圖4中進行描述。除非特別說明，否則這些實施例中的參考數字與圖1A至IE所示的相同。
[0039]圖2A和2B是示出根據又一實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖。
[0040]參照圖2A，在形成鈍化層24之后，在暴露的焊盤區域18上形成第一金屬化層20。在一些實施例中，在形成接合焊盤區域18之后，在介電層16和焊盤區域18上形成鈍化層24，然后進行圖案化以使開口 25暴露焊盤區域18的部分18A。接下來，通過化學鍍工藝或浸鍍工藝將第一金屬化層20形成為覆蓋焊盤區域18的暴露部分18A。
[0041]參照圖2B，在所得到的結構上形成保護層26以覆蓋鈍化層24和部分第一金屬化層20。在一些實施例中，第一金屬化層20包括中心部分20C和外圍部分20D，其中通過保護層26的開口 27暴露中心部分20C，并且通過保護層26覆蓋外圍部分20D。因此，保護層26位于第一金屬化層20的外圍部分20D上。然后，在所得到的結構上順序形成第二金屬化層28和焊料凸塊30以與第一金屬化層20和焊盤區域18電接觸。這完成了凸塊結構，其包括焊盤區域18上的第一金屬化層20，其中第一金屬化層20是位于鈍化層24的開口 25內并被保護層26部分覆蓋的自對準UBM層。
[0042]圖3A和3B是示出根據又一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖。
[0043]參照圖3A，在形成鈍化層24和保護層26之后，在暴露的焊盤區域18上形成第一金屬化層20。在一些實施例中，在形成接合焊盤區域18之后，在介電層16和焊盤區域18上形成鈍化層24，然后進行圖案化以使開口 25暴露焊盤區域18的部分18A。焊盤區域18的暴露部分18A包括第一部分WB1和第二部分18B2。在一些實施例中，第一部分WB1是暴露部分18A的中心部分，而第二部分18B2是暴露部分18A的外圍部分。
[0044]接下來，保護層26被形成為覆蓋鈍化層24和暴露部分18A的第二部分18B2，而通過保護層26的開口 27 (諸如如圖1D所示)暴露了暴露部分18A的第一部分18Βρ因此，保護層26位于焊盤區域18的第二部分ISB2上。然后，通過化學鍍工藝或浸鍍工藝將第一金屬化層20形成為覆蓋焊盤區域18的第一部分ISBp參照圖3B，在所得到的結構上順序形成第二金屬化層28和焊料凸塊30以與第一金屬化層20和焊盤區域18電接觸。這完成了凸塊結構，其包括位于焊盤區域18上的第一金屬化層20，其中第一金屬化層20是保護層26的開口 27內的自對準UBM層。
[0045]圖4A至4C是示出根據又一個實施例的形成凸塊結構的方法的截面圖。
[0046]參照圖4A，在形成鈍化層24之后，在暴露的焊盤區域18上形成第一金屬化層20，并且第一金屬化層20具有延伸至鈍化層24的頂面24T的邊緣部分20E。在一些實施例中，鈍化層24形成在介電層16和焊盤區域18上以使開口 25暴露焊盤區域18的部分18A。接下來，通過化學鍍工藝或浸鍍工藝將第一金屬化層20形成為覆蓋焊盤區域18的暴露部分18A。通過控制工藝的時間和鍍速率，可以使第一金屬化層20形成為從鈍化層24的頂面24T突出，使得第一金屬化層20的頂面20T高于鈍化層24。第一金屬化層20的厚度T可變得大于0.3 μ m，例如0.3 < T < 10 μ m。在一個實施例中，第一金屬化層20還包括延伸至鈍化層24的頂面24T的邊緣部分20E。邊緣部分20E具有大于或等于2 μ m的寬度W，例如，2 < WS 10 μ m。
[0047]參照圖4B，在所得到的結構上形成保護層，以覆蓋鈍化層24和部分第一金屬化層20，而通過保護層26的開口 27暴露第一金屬化層20的部分20F。在一個實施例中，保護層26覆蓋第一金屬化層20的邊緣部分20E。因此,保護層26位于第一金屬化層20上方。[0048]然后，如圖4C所示，在所得到的結構上順序形成第二金屬化層28和焊料凸塊30，以與第一金屬化層20和焊盤區域18電接觸。這完成了凸塊結構，其包括位于焊盤區域18上的第一金屬化層20，其中第一金屬化層20是夾在鈍化層24和保護層26之間并具有延伸至鈍化層24的邊緣部分20E的自對準UBM層。
[0049]根據一些實施例，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在半導體襯底的頂部金屬層上形成第一金屬化層；在第一金屬化層上形成鈍化層；在鈍化層中形成開口以暴露部分第一金屬化層，其中第一金屬化層的暴露部分包括第一部分和第二部分；在聚合物層和第一金屬化層上形成保護層；在保護層中形成開口以暴露第一金屬化層的第一部分并覆蓋第一金屬化層的第二部分；以及在保護層上方形成焊料凸塊，以電連接第一金屬化層。
[0050]根據一些實施例，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層；在鈍化層中形成開口，以暴露部分頂部金屬層；通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在頂部金屬層的暴露部分上形成第一金屬化層；在聚合物層和第一金屬化層上形成保護層；在保護層中形成開口，以暴露第一金屬化層的第一部分并覆蓋第一金屬化層的第二部分；以及在保護層上方形成焊料凸塊，以電連接第一金屬化層。
[0051]根據一些實施例，提供了一種形成凸塊結構的方法，包括:在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層；在鈍化層中形成開口，以暴露頂部金屬層的一部分，其中頂部金屬層的暴露部分包括第一部分和第二部分；在聚合物層和頂部金屬層的暴露部分上形成保護層；在保護層中形成開口，以暴露頂部金屬層的第一部分并覆蓋暴露的頂部金屬的第二部分；通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在頂部金屬層的第一部分上形成第一金屬化層；以及在保護層上方形成焊料凸塊，以電連接第一金屬化層。
[0052]雖然參照示例性實施例具體示出并描述了本公開，但本領域技術人員應該理解，本公開可以具有許多實施例的變化。盡管詳細描述了實施例及其特征，但應該理解，可以進行各種更改、替換和變更而不背離本實施例的精神和范圍。
[0053]上面的方法實施例示出了示例性步驟，但是它們沒必要以所示順序執行。根據本公開的精神和范圍，可以根據需要、替換、改變順序和/或消除步驟。在閱讀本公開之后，組合不同權利要求和/或不同實施例的實施例均在本公開的范圍內并且對于本領域技術人員來說是顯而易見的。
【權利要求】
1.一種形成凸塊結構的方法，包括: 通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在半導體襯底的頂部金屬層上形成第一金屬化層； 在所述第一金屬化層上方形成鈍化層； 在所述鈍化層中形成開口，以暴露所述第一金屬化層，其中暴露的所述第一金屬化層包括第一部分和第二部分； 在所述鈍化層和所述第一金屬化層上形成保護層； 在所述保護層中形成開口，以暴露所述第一金屬化層的第一部分而覆蓋所述第一金屬化層的第二部分；以及 在所述保護層上方形成電連接至所述第一金屬化層的焊料凸塊。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一金屬化層包括鎳層、錫層、鈦層、鈀層和金層中的至少一個。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述頂部金屬層是包括銅的焊盤區域。
4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括:在所述第一金屬化層和所述焊料凸塊之間形成第二金屬化層。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述第二金屬化層包括鈦層、銅層和鎳層中的至少一個。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層包括介電層，并且所述保護層包括聚合物層。
7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括:在形成所述第一金屬化層之前，對所述頂部金屬層執行拋光工藝。
8.一種形成凸塊結構的方法，包括: 在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層； 在所述鈍化層中形成開口以暴露所述頂部金屬層的一部分； 通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在所述頂部金屬層的暴露部分上形成第一金屬化層； 在所述鈍化層和所述第一金屬化層上形成保護層； 在所述保護層中形成開口，以暴露所述第一金屬化層的第一部分而覆蓋所述第一金屬化層的第二部分；以及 在所述保護層上方形成電連接至所述第一金屬化層的焊料凸塊。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一金屬化層包括延伸至所述鈍化層的頂面的邊緣部分。
10.一種形成凸塊結構的方法，包括: 在半導體襯底的頂部金屬層上形成鈍化層； 在所述鈍化層中形成開口以暴露所述頂部金屬層，暴露的所述頂部金屬層包括第一部分和第二部分； 在所述鈍化層和暴露的所述頂部金屬層上形成保護層； 在所述保護層中形成開口以暴露所述頂部金屬層的第一部分而覆蓋暴露的所述頂部金屬層的第二部分； 通過化學鍍工藝或浸鍍工藝在所述頂部金屬層的第一部分上形成第一金屬化層；以及 在所述保護層上方形成電連接至所述第一金屬化層的焊料凸塊。
【文檔編號】H01L21/60GK104008981SQ201310199231
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年5月24日 優先權日:2013年2月27日
【發明者】于宗源, 陳憲偉, 陳英儒 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司