一種有機電致發光器件及其制備方法

一種有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】本發明提供了一種有機電致發光器件，包括陽極基板、功能層、發光層、陰極和封裝層，陽極基板和封裝層形成封閉空間，功能層、發光層和陰極容置在封閉空間內，封裝層依次包括混合阻擋層和無機阻擋層，混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料，第一有機材料為金屬酞菁化合物，第二有機材料為TAPC、NPB、Alq3、m-MTDATA、BCP或TPBi，無機材料為金屬氟化物；無機阻擋層的材質為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。本發明還提供了該有機電致發光器件的制備方法。該方法可有效減少水、氧對器件的侵蝕，提高器件壽命。
【專利說明】一種有機電致發光器件及其制備方法

【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及有機電致發光器件，具體涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】
[0002]有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在透明陽極和金屬陰極之間夾有多層有機材料薄膜(空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子輸送層和電子注入層)，當電極間施加一定的電壓后，發光層就會發光。近年來，有機電致發光器件由于本身制作成本低、響應時間短、發光亮度高、寬視角、低驅動電壓以及節能環保等特點已經在全色顯示、背光源和照明等領域受到了廣泛關注，并被認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有機電致發光器件存在壽命較短的問題，這主要是因為有機材料薄膜很疏松，易被空氣中的水汽和氧氣等成分滲入后迅速發生老化。因此，有機電致發光器件進入實際使用之前必須進行封裝，封裝的好壞直接關系到有機電致發光器件的壽命。
[0004]傳統技術中采用玻璃蓋或金屬蓋進行封裝，其邊沿用紫外聚合樹脂密封，但這種方法中使用的玻璃蓋或金屬蓋體積往往較大，增加了器件的重量，并且該方法不能應用于柔性有機電致放光器件的封裝。以及，現有的有機電致發光器件通常不能提供良好的透光率。


【發明內容】

[0005]為克服上述現有技術的缺陷，本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法。該制備方法可有效地減少水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發光器件的壽命。本發明方法適用于以導電玻璃基板制備的有機電致發光器件，也適用于以塑料或金屬為基底制備的柔性有機電致發光器件。本發明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件。
[0006]一方面，本發明提供了一種有機電致發光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發光功能層、陰極和封裝層，所述封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機阻擋層，
[0007]所述混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質中，所述第一有機材料占所述混合阻擋層總質量的40%?60%，所述無機材料的質量占所述混合阻擋層總質量的10%?30% ；
[0008]所述無機阻擋層的材質為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
[0009]優選地，陽極基板為導電玻璃基板或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0010]優選地，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0011]本發明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發光層的材質不作具體限定，本領域現有材料均適用于本發明。
[0012]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質層夾雜金屬層形成的介質層/金屬層/介質層結構等)。
[0013]封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機阻擋層。即所述無機阻擋層形成在混合阻擋層上。
[0014]混合阻擋層通過真空蒸鍍的方式沉積在陰極表面。
[0015]混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料。
[0016]第一有機材料為金屬酞菁化合物。優選地，金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鐵(FePc)、酞菁鈷(CoPc)、酞菁猛(MnPc)或酞菁鎳(NiPc)。金屬酞菁化合物的存在能使混合阻擋層的膜層致密度提高，且能使整個膜層存在一個應力，從而有效防止膜層發生皺裂，提高膜層穩定性。
[0017]第二有機材料為1，1-二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環己烷(TAPC)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 — 二苯基一1,10 -鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。第二有機材料的存在能有效提高混合阻擋層的整個膜層的平整度，減少封裝層存在縫隙。
[0018]無機材料為金屬氟化物，可以為氟化鋰(LiF )、氟化銫(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。金屬氟化物具有較強的防腐蝕性能，從而能有效提高混合阻擋層的整個膜層的防外界腐蝕性能。
[0019]混合阻擋層采用上述三種材料共蒸鍍制備，所得膜層熱穩定性高，致密性高，平整度好，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕，延長器件使用壽命O
[0020]無機阻擋層通過磁控濺射的方式沉積在混合阻擋層表面。
[0021]無機阻擋層的材質為氧化鈦(T i O2)、氧化鎂(MgO )、二氧化硅(S i O2)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0022]無機阻擋層為高吸水吸氧性物質膜層，其存在可以保護陰極在后續操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕。
[0023]優選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無機阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0024]混合阻擋層的層數不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。無機阻擋層的層數不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。優選地，混合阻擋層與無機阻擋層交替疊層設置4?6次。此時，混合阻擋層與無機阻擋層均為多層且層數相同。
[0025]另一方面，本發明提供了一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0026]在陽極基板上制備發光功能層和陰極；
[0027]通過真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備混合阻擋層，再采用磁控濺射的方式在所述混合阻擋層上制備無機阻擋層形成封裝層，得到有機電致發光器件；
[0028]所述混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機材料為1，1-二((4-N，N, -二 (對甲苯基)胺)苯基)環己烷、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 一二苯基一 1，10 —鄰菲羅啉或1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質中，第一有機材料占所述混合阻擋層總質量的40%?60%，無機材料的質量占所述混合阻擋層總質量的10%?30% ；
[0029]所述無機阻擋層的材質為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁；
[0030]所述真空蒸鍍過程中的真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,所述第一有機材料的蒸發速度為0.5人~ Skh；所述磁控濺射過程中的本底真空度為IX 10_5Pa?IX 10?,濺射過程通入氬氣和甲烷，氬氣通入流量為5?15sccm，甲烷通入流量為10?20sccm。
[0031]優選地，陽極基板為導電玻璃基板或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0032]優選地，將陽極基板進行如下清潔處理:依次進行洗潔精清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，然后再用烘箱烘干待用，再對洗凈后的陽極基板進行表面活化處理。
[0033]優選地，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0034]本發明中，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發光層的材質不作具體限定，本領域現有材料均適用于本發明。
[0035]陰極可以為非透明金屬陰極(鋁、銀、金等)，也可以為透明陰極(介質層夾雜金屬層形成的介質層/金屬層/介質層結構等)。
[0036]封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機阻擋層。
[0037]混合阻擋層通過真空蒸鍍的方式沉積在陰極表面。
[0038]混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料。
[0039]第一有機材料為金屬酞菁化合物。優選地，金屬酞菁化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc )、酞菁鐵(FePc )、酞菁鈷(CoPc )、酞菁猛(MnPc )或酞菁鎳(NiPc )。
[0040]第二有機材料為1，1-二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環己烷(TAPC)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯苯-4，4’ - 二胺(NPB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，7 — 二苯基一1,10 -鄰菲羅啉(BCP)或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)。
[0041 ] 無機材料為金屬氟化物，可以為氟化鋰(LiF )、氟化銫(CeF2)、氟化鎂(MgF2)、氟化鋁(AlF3)、氟化鈣(CaF2)或氟化鋇(BaF2)。
[0042]混合阻擋層采用上述三種材料混合摻雜共蒸鍍制備，所得膜層熱穩定性高，致密性高，從而能有效阻擋外界水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕，延長器件使用壽命O
[0043]混合阻擋層的蒸鍍制備過程中的真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,第一有機材料的蒸發速度為0.5人~ 5A/s。所述第二有機材料與無機材料的蒸發速率依三者的質量比而定。所述第一有機材料、第二有機材料和無機材料的蒸發速度比為4?6:1?5:1?3。
[0044]無機阻擋層通過磁控濺射的方式沉積在混合阻擋層表面。
[0045]無機阻擋層的材質為氧化鈦(T12)、氧化鎂(MgO)、二氧化硅(S12)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)或氧化鋁(Al2O3X
[0046]無機阻擋層為高吸水吸氧性物質膜層，其存在可以保護陰極在后續操作條件下免遭破壞，延長水、氧滲透路徑，有效減少外部水、氧等活性物質對有機電致發光器件的侵蝕。
[0047]磁控濺射過程中的本底真空度為I X 1-5Pa?I X 10?,濺射過程通入氬氣和甲燒，IS氣通入流量為5?15sccm,甲燒通入流量為10?20sccm。
[0048]優選地，混合阻擋層的厚度為100?200nm,無機阻擋層的厚度為50?lOOnm。
[0049]混合阻擋層的層數不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。無機阻擋層的層數不限，可以為單層，也可以為兩層或多層。優選地，混合阻擋層與無機阻擋層交替疊層設置4?6次。即先在陰極表面蒸鍍制備第一混合阻擋層，然后在第一混合阻擋層表面磁控濺射制備第一無機阻擋層，再在第一無機阻擋層表面蒸鍍制備第二混合阻擋層，依此交替制備多層混合阻擋層與無機阻擋層。此時，混合阻擋層與無機阻擋層層數相同。
[0050]本發明提供了一種有機電致發光器件及其制備方法具有以下有益效果:
[0051](I)本發明有機電致發光器件的混合阻擋層和無機阻擋層的存在可以保護功能層和陰極在后續操作過程中免遭破壞，同時可有效地減少水汽對有機電致發光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發光器件的壽命；
[0052](2)本發明有機電致發光器件的防水性能(WVTR)達到10_4g/m2.day，器件壽命(T70il000cd/m2)達 4500 小時以上；
[0053](3)本發明方法適用于封裝以導電玻璃為陽極基板制備的有機電致發光器件，也適用于封裝以塑料或金屬為陽極基底制備的柔性有機電致發光器件。本發明方法尤其適用于封裝柔性有機電致發光器件，本發明有機電致發光器件的封裝面透光率可達到68%以上；
[0054](4)本發明有機電致發光器件材料廉價，封裝方法工藝簡單，易大面積制備，適于工業化大規模使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0055]圖1是本發明實施例1制得的有機電致發光器件的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0056]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0057]實施例1
[0058]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0059](I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0060]a.導電玻璃基板的前處理
[0061]取ITO玻璃基板，依次進行丙酮清洗、乙醇清洗、純水清洗和乙醇清洗，均用超聲波清洗機進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，烘干后，對洗凈后的ITO玻璃基板進行表面活化處理；ΙΤ0厚度10nm;
[0062]b.發光功能層和陰極的制備
[0063]采用真空蒸鍍的方法在ITO玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極；
[0064]空穴注入層的制備:將MoO3摻雜入N，N’-二苯基-N，N’-二 (1-萘基聯苯-4，4’-二胺(NPB)中作為空穴注入層材料，摻雜質量濃度為30%，厚度為10nm，真空度
3父10-%，蒸發速度0.1人/5;
[0065]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3 X 1-5Pa,蒸發速度0.1A/S，蒸發厚度30nm ；
[0066]發光層的制備:主體材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料采用三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)，客體材料摻雜質量濃度為5%，將主體材料與客體材料混合摻雜后共蒸，真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為0.2A/S，蒸發厚度20nm ；
[0067]電子傳輸層的制備:釆用4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度3 X 10?,蒸發速度0.1A/S,蒸發厚度1nm ；
[0068]電子注入層的制備:將CsN3摻入4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)中作為電子注入層材料，摻雜質量濃度30%，真空度3 X 10_5Pa，蒸發速度0.2A/S,蒸發厚度20nm ；
[0069]陰極的制備:陰極采用ZnS/Ag/ZnS，ZnS厚度30nm，Ag厚度10nm，真空度為I X l(T5Pa,蒸發速度為I A/s。
[0070](2)在陰極上制備封裝層
[0071]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0072]混合阻擋層的材質包括酞菁鎳(NiPc)，TPBi和BaF2,混合阻擋層由NiPc，TPBi和BaF2按質量比為4:5:1混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為IX 10_3Pa，NiPc的蒸發速度為5A/S, NiPc，TPBi和BaF2的蒸發速度之比為4:5:1 ；
[0073]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為70nm的Al2O3層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為lX10_3Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為7sCCm，aV流量為13sccm ；
[0074]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備4層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0075]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
9.0Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4500 小時，透光率為 75%。
[0076]圖1是本發明實施例1制得的有機電致發光器件的結構示意圖。如圖1所示，本實施例有機電致發光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發光層4、電子傳輸層5、電子注入層6、陰極7和封裝層8。所述封裝層8包括4層厚度為150nm的混合阻擋層81、83、85和87、4層厚度為70nm的無機阻擋層82、84、86和88。
[0077]實施例2
[0078]—種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0079](I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0080]與實施例1同。
[0081](2)在陰極上制備封裝層
[0082]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0083]混合阻擋層的材質包括酞菁鋅(ZnPc)，NPB和CeF2,混合阻擋層由ZnPc，NPB和CeF2按質量比為5:4:1混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，ZnPc的蒸發速度為0.5A/S，ZnPc, NPB和CeF2的蒸發速度之比為5:4:1 ；
[0084]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的MgO層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為5sCCm，aV流量為15sccm ；
[0085]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備6層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0086]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
6.8Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4611 小時，透光率為 69%。
[0087]實施例3
[0088]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0089](I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0090]與實施例1同。
[0091](2)在陰極上制備封裝層
[0092]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為10nm的混合阻擋層；
[0093]混合阻擋層的材質包括酞菁鐵(FePc)，Alq3和MgF2,混合阻擋層由FePc，Alq3和MgF2按質量比為5:3:2混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，FePc的蒸發速度為2A/S，FePc，Alq3和MgF2的蒸發速度之比為5:3:2 ；
[0094]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為50nm的S12層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為7sCCm，aV流量為1sccm ；
[0095]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備6層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0096]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
7.2Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4586 小時，透光率為 70%。
[0097]實施例4
[0098]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0099](I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0100]與實施例1同。
[0101](2)在陰極上制備封裝層
[0102]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0103]混合阻擋層的材質包括酞菁鈷(CoPc)，m-MTDATA和AlF3,混合阻擋層由CoPc，m-MTDATA和AlF3按質量比為5:2:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5 X 10_5Pa，CoPc的蒸發速度為3A/S，CoPc, m-MTDATA和AlF3的蒸發速度之比為5:2:3 ;
[0104]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的ZrO2層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為5 X 10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為15sCCm，CH4流量為 15sccm ；
[0105]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備5層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0106]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
7.9Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4554 小時，透光率為 72%。
[0107]實施例5
[0108]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0109](I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0110]與實施例1同。
[0111](2)在陰極上制備封裝層
[0112]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備有一層厚度為150nm的混合阻擋層；
[0113]混合阻擋層的材質包括酞菁錳(MnPc)，BCP和CaF2,混合阻擋層由MnPc，BCP和CaF2按質量比為6:1:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為5X 10_5Pa，MnPc的蒸發速度為lA/s，MnPc, BCP和CaF2的蒸發速度之比為6:1:3 ；
[0114]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為SOnm的ZnO層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為5X10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為5sCCm，CH4流量為20sccm ；
[0115]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備5層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0116]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)為
8.2Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4521 小時，透光率為 73%。
[0117]實施例6
[0118]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0119]( I)在陽極基板上制備發光功能層和陰極
[0120]與實施例1同。
[0121](2)在陰極上制備封裝層
[0122]通過真空蒸鍍的方式在陰極表面制備一層厚度為200nm的混合阻擋層；
[0123]混合阻擋層的材質包括酞菁銅(CuPc)，TAPC和LiF，混合阻擋層由CuPc，TAPC和LiF按質量比為5:2:3混合共蒸鍍制備，蒸鍍過程的真空度為lX10_5Pa，CuPc的蒸發速度為I A,S CuPc, TAPC和LiF的蒸發速度之比為5:2:3 ;
[0124]通過磁控濺射的方式在混合阻擋層上制備厚度為10nm的氧化鈦T12層作為無機阻擋層，磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa，通入Ar和CH4, Ar流量為lOsccm，CH4流量為20sccm ；
[0125]混合阻擋層和無機阻擋層交替重復制備6層，形成封裝層，得到有機電致發光器件。
[0126]本實施例復合封裝后的有機電致發光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)為
6.4Χ10Λ 壽命(T70@1000cd/m2)為 4670 小時，透光率為 68%。
[0127]綜上，本發明提供的有機電致發光器件的制備方法可有效地減少水汽和氧對有機電致發光器件的侵蝕，顯著地提高有機電致發光器件的壽命，并且能夠保護陰極免遭破壞，提高封裝面的透光率。
[0128]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊設置的陽極基板、發光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層包括依次層疊的混合阻擋層和無機阻擋層， 所述混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機材料為1，1-二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環己烷、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質中，所述第一有機材料占所述混合阻擋層總質量的40%?60%，所述無機材料的質量占所述混合阻擋層總質量的10% ?30% ； 所述無機阻擋層的材質為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無機阻擋層的厚度為50?lOOnm。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述混合阻擋層與所述無機阻擋層交替疊層設置4?6次。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在陽極基板上制備發光功能層和陰極； 通過真空蒸鍍的方式在所述陰極表面蒸鍍制備混合阻擋層，再采用磁控濺射的方式在所述混合阻擋層上制備無機阻擋層形成封裝層，得到有機電致發光器件； 所述混合阻擋層的材質為第一有機材料、第二有機材料與無機材料三者混合形成的混合材料，所述第一有機材料為金屬酞菁化合物，所述第二有機材料為1，1-二((4-N，N' -二(對甲苯基)胺)苯基)環己烷、N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)_1，I，-聯苯-4，4’ - 二胺、8-羥基喹啉鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、4，7 —二苯基一 1，10—鄰菲羅啉或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，所述無機材料為氟化鋰、氟化銫、氟化鎂、氟化鋁、氟化鈣或氟化鋇；在所述混合阻擋層的材質中，所述第一有機材料占所述混合阻擋層總質量的40%?60%，所述無機材料的質量占所述混合阻擋層總質量的10% ?30% ； 所述無機阻擋層的材質為氧化鈦、氧化鎂、二氧化硅、氧化鋯、氧化鋅或氧化鋁； 所述真空蒸鍍過程中的真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，所述第一有機材料的蒸發速度為0.5A ~ 5A/S ；所述磁控濺射過程中的本底真空度為I X 10_5Pa?I X 10?,濺射過程通入氬氣和甲烷，氬氣通入流量為5?15sccm，甲烷通入流量為10?20sccm。
7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬酞菁化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鐵、酞菁鈷、酞菁錳或酞菁鎳。
8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層的厚度為100?200nm,所述無機阻擋層的厚度為50?lOOnm。
9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述混合阻擋層與所述無機阻擋層交替疊層設置4?6次。
10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述發光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號】H01L51/54GK104167503SQ201310186432
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月20日 優先權日:2013年5月20日
【發明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司