發光二極管結構及其制造方法

發光二極管結構及其制造方法
【專利摘要】本發明公開一種發光二極管結構及其制造方法，包含絕緣基板、發光二極管芯片、內連線層、第一電性電極墊、第二電性電極墊、絕緣反射層、第一電性接合墊及第二電性接合墊。發光二極管芯片包含鄰接的平臺結構與第一電性半導體層暴露部分、及第一隔離溝槽設于平臺結構中。內連線層連接相鄰二發光二極管芯片。第一電性電極墊及第二電性電極墊分別與二發光二極管芯片電連接。絕緣反射層覆蓋內連線層、平臺結構、第一電性電極墊與第二電性電極墊。第一電性接合墊及第二電性接合墊位于絕緣反射層上，且分別與第一電性電極墊及第二電性電極墊電連接。
【專利說明】發光二極管結構及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種發光結構，且特別是涉及一種發光二極管(LED)結構及其制造方法。
【背景技術】
[0002]目前，為了提升發光二極管整體的發光效率，而發展出利用打線方式來串聯多個發光二極管芯片。由于打線方式有成本高生產良率低的問題，因此進一步發展出利用內建金屬來進行多個發光二極管芯片的串聯。
[0003]請參照圖1，其是繪示一種傳統串聯的發光二極管結構的局部剖視圖。此傳統的串聯發光二極管結構100是利用內建金屬來串聯多個發光二極管芯片。串聯發光二極管結構100包含數個串聯的發光二極管芯片，例如發光二極管芯片106a與106b。其中，這些發光二極管芯片106a與106b設置在絕緣基板102的表面104上。相鄰的二發光二極管芯片106a與106b之間以隔離溝槽122隔開。而每個發光二極管芯片106a與106b包含依序堆疊在絕緣基板102的表面上的未摻雜半導體層108、第一電性半導體層110、主動層112、第二電性半導體層114與透明導電層116。
[0004]發光二極管芯片106a與106b均具有平臺結構128與第一電性半導體層110的暴露部分130。發光二極管芯片106a的第一電性電極墊118a與第二電性電極墊120a分別設于第一電性半導體層110的暴露部分130與平臺結構128上。同樣地,發光二極管芯片106b的第一電性電極墊118b與第二電性電極墊120b分別設于第一電性半導體層110的暴露部分130與平臺結構128上。
[0005]在發光二極管結構100中，絕緣層124覆蓋在隔離溝槽122內，且延伸于此隔離溝槽122的開口外側的發光二極管芯片106a的第一電性半導體層110、與發光二極管芯片106b的透明導電層116上，以電性隔離相鄰的二發光二極管芯片106a與106b。而為了串聯相鄰的二發光二極管芯片106a與106b，發光二極管結構100具有內連線層126。內連線層126自發光二極管芯片106a的第一電性電極墊118a上，經由位在第一電性半導體層110的暴露部分130上方與隔離溝槽122內的絕緣層124，而延伸至相鄰發光二極管芯片106b上的絕緣層124與第二電性電極墊120b上，以電性串聯相鄰的發光二極管芯片106a與106b。
[0006]由于此種串聯式的發光二極管結構100利用較高的電壓來加以驅動，因此驅動電路具有較高的效率。其次，相較于多個獨立的發光二極管芯片，串聯式的發光二極管結構100的電極墊面積小，因此發光二極管結構100具有較大的出光面積。再者，由于串聯式的發光二極管結構100的電流可分散流動于每個小發光二極管芯片，因此電流分布較單一個大面積的發光二極管芯片均勻，故串聯式的發光二極管結構100的發光效率較佳。
[0007]然而，由于這種傳統的串聯式發光二極管結構100的隔離溝槽122的底部需向下延伸至絕緣基板102的表面104。因此，隔離溝槽122的深寬比過高，導致絕緣層124的材料不易填入，而容易產生沉積不連續的情形，使得絕緣層124中易有破孔生成。故，后續沉積導電的內連線層126時，內連線層126的導電材料可能會填入絕緣層124的破孔中，而造成短路現象。
[0008]在串聯式發光二極管結構100中，只要有其中一個發光二極管芯片106a或106b有短路現象，整個串聯的發光二極管結構100就無法運轉。因此，串聯式發光二極管結構100的生產良率不佳。
[0009]此外，隔離溝槽122的深寬比過高也容易使內連線層126的沉積不連續，如此一來將造成內連線層126斷線。在串聯式發光二極管結構100中，只要有其中一個發光二極管芯片106a或106b有斷線現象，整個串聯的發光二極管結構100同樣無法運轉。因此，此種串聯式發光二極管結構100的生產良率不佳。

【發明內容】

[0010]因此，本發明的一目的在于提供一種發光二極管結構，其由多個發光二極管芯片串聯而成，而具有排列密與高光效等優勢。
[0011]本發明的另一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其包含絕緣反射層覆蓋在每個發光二極管芯片的內連線、平臺結構與第一電性半導體層暴露部分上，因此可利用倒裝方式進行封裝，而達到高散熱、免打線與低熱阻等功效。
[0012]本發明的又一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其內連線層是從相鄰發光二極管芯片之一者的第一電性半導體層的暴露部分，直接經由另一者的平臺結構的側面而延伸至此平臺結構上。因此，可大幅降低內連線層的深寬比，而可有效提升內連線層沉積時的階梯覆蓋能力，進而可避免內連線層沉積時產生斷線。
[0013]本發明的再一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其發光二極管芯片的平臺結構可具有梯形傾斜側面，因此可進一步提升內連線層的階梯覆蓋能力，而更有效解決內連線層斷線的問題。
[0014]本發明的再一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其發光二極管芯片的發光區域與相鄰的發光二極管芯片的第一電性半導體層之間以隔離溝槽隔開，且隔離溝槽中僅填充絕緣層而無導電材料。再加上，隔離溝槽的開口上可額外設置電流阻障層來加以電性隔絕。因此，縱使隔離溝槽內的絕緣層沉積不連續，在隔離溝槽內無導電材料的情況下，發光區域中也不會有短路的問題產生。
[0015]本發明的再一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其內連線層可直接從相鄰發光二極管芯片之一者上方的介電層中的接觸孔經由介電層上方延伸至另一者上方的介電層中的接觸孔。因此，導電材料可不需要填充在相鄰二發光二極管芯片之間的隔離溝槽中，因而可解決內連線層斷線的問題。
[0016]本發明的再一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其可有效解決短路與斷線的問題，因此可大幅提升串聯發光二極管結構的生產良率，進而可降低制作成本。
[0017]本發明的再一目的在于提供一種發光二極管結構及其制造方法，其可有效解決短路與斷線的問題，因此可無需仰賴逆向漏電流的檢測手段，而通過順逆向電流的檢測，即可順利確認發光二極管結構中的短路缺陷。
[0018]根據本發明的上述目的，提出一種發光二極管結構。此發光二極管結構包含一絕緣基板、多個發光二極管芯片、多個內連線層、一第一電性電極墊、一第二電性電極墊、一絕緣反射層、一第一電性接合墊以及一第二電性接合墊。每一發光二極管芯片包含一外延層，此外延層包含依序堆疊在絕緣基板的一表面上的一第一電性半導體層、一主動層以及一第二電性半導體層，且每一發光二極管芯片包含鄰接的一平臺結構與一第一電性半導體層暴露部分、以及一第一隔離溝槽，第一隔離溝槽設于平臺結構中。前述的多個內連線層分別連接發光二極管芯片的相鄰二者。第一電性電極墊及第二電性電極墊分別設于發光二極管芯片的一第一者與一第二者上，且分別與第一者的第一電性半導體層暴露部分及第二者的第二電性半導體層電連接。絕緣反射層覆蓋在前述的內連線層、平臺結構、第一電性電極墊與第二電性電極墊上。其中，此絕緣反射層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊與第二電性電極墊。第一電性接合墊位于部分的絕緣反射層上，且經過至少一第一貫穿孔而與第一電性電極墊電連接。第二電性接合墊位于另一部分的絕緣反射層上，并與第一電性接合墊分離，且經過至少一第二貫穿孔而與第二電性電極墊電連接。
[0019]依據本發明的一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含一絕緣層，此絕緣層填入第一隔離溝槽中，以封住第一隔離溝槽的一開口。
[0020]依據本發明的另一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含一電流阻障層介于平臺結構上的內連線層與絕緣層之間。
[0021]依據本發明的又一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含一透明導電層延伸于平臺結構的第二電性半導體層上，且介于平臺結構上的內連線層與電流阻障層之間。
[0022]依據本發明的再一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含一介電層設于外延層上，且每一發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層。此外，第一隔離溝槽介于發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。再者，每一內連線層由每一發光二極管芯片的第二電性接觸孔中經由第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔中。而且，絕緣反射層還覆蓋在介電層上。
[0023]依據本發明的再一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含一透明導電層介于介電層與外延層之間。其次，第一電性接觸孔的一底部暴露出第一電性半導體層暴露部分。而且，第二電性接觸孔的一底部暴露出該透明導電層。
[0024]依據本發明的再一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含至少一電流阻障層介于第二電性接觸孔的底部與外延層之間。
[0025]依據本發明的再一實施例，在上述每一發光二極管芯片中，外延層具有一凹槽，凹槽的一底部暴露出第一電性半導體層暴露部分，第一電性接觸孔暴露出凹槽的底部的一部分，且介電層覆蓋在凹槽的一側壁上。
[0026]依據本發明的再一實施例，上述每一發光二極管芯片還包含至少一絕緣襯層覆蓋在第一電性接觸孔的一側壁上。
[0027]根據本發明的上述目的，另提出一種發光二極管結構的制造方法，包含下列步驟。提供一絕緣基板。形成一外延結構。其中，外延結構包含依序堆疊在絕緣基板的一表面上的一第一電性半導體層、一主動層與一第二電性半導體層。形成多個第一隔離溝槽與多個第二隔離溝槽于外延結構中，以定義出多個發光二極管芯片的多個外延層。其中，第一隔離溝槽分別與第二隔離溝槽鄰接。移除部分的第二電性半導體層與部分的主動層，以定義出每一發光二極管芯片的一平臺結構與一第一電性半導體層暴露部分。其中，每一發光二極管芯片包含一第一隔離溝槽，且此第一隔離溝槽設于平臺結構中。形成多個內連線層、一第一電性電極墊及一第二電性電極墊。其中，這些內連線層分別連接發光二極管芯片的相鄰二者。第一電性電極墊及第二電性電極墊分別設于這些發光二極管芯片的一第一者與一第二者上，且第一電性電極墊及該第二電性電極墊分別與第一者的第一電性半導體層暴露部分及第二者的第二電性半導體層電連接。形成一絕緣反射層覆蓋在內連線層、平臺結構、第一電性電極墊與第二電性電極墊上。其中，絕緣反射層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊與部分的第二電性電極墊。形成一第一電性接合墊于部分的絕緣反射層上。其中，第一電性接合墊經過至少一第一貫穿孔而與第一電性電極墊電連接。形成一第二電性接合墊于另一部分的絕緣反射層上。其中，第二電性接合墊與第一電性接合墊分離。而且，第二電性接合墊經過至少一第二貫穿孔而與第二電性電極墊電連接。
[0028]依據本發明的一實施例，于形成第一隔離溝槽與第二隔離溝槽于外延結構中之后，上述發光二極管結構的制造方法還包含形成多個介電層分別覆蓋在外延層上。其中，每一發光二極管芯片具有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層，且第一隔離溝槽介于發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。
[0029]依據本發明的另一實施例，于形成介電層前，上述發光二極管結構的制造方法還包含:形成多個透明導電層分別介于介電層與外延層之間；以及形成多個電流阻障層分別位于外延層與透明導電層之間。其中，在每一發光二極管芯片中，第一電性接觸孔的一底部暴露出第一電性半導體層，且第二電性接觸孔的一底部暴露出透明導電層。這些電流阻障層的位置是對應的設置于上述的第二電性接觸孔的底部下。
[0030]根據本發明的上述目的，又提出一種發光二極管結構。此發光二極管結構包含一絕緣基板、多個發光二極管芯片、多個內連線層、一第一電性電極墊、一第二電性電極墊、一絕緣層、一第一電性接合墊以及一第二電性接合墊。每一發光二極管芯片包含一外延層。此外延層包含依序堆疊在絕緣基板的一表面上的一第一電性半導體層、一主動層以及一第二電性半導體層，且每一發光二極管芯片包含鄰接的一平臺結構與一第一電性半導體層暴露部分、以及一第一隔離溝槽，第一隔離溝槽設于平臺結構中。前述的多個內連線層分別連接發光二極管芯片的相鄰二者。第一電性電極墊及第二電性電極墊分別設于發光二極管芯片的第一者與第二者上，且分別與第一者的第一電性半導體層暴露部分及第二者的第二電性半導體層電連接。絕緣層覆蓋在前述內連線層、平臺結構、第一電性電極墊與第二電性電極墊上。其中，絕緣層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊與第二電性電極墊。第一電性接合墊位于部分的絕緣層上，且經過前述至少一第一貫穿孔而與第一電性電極墊電連接。第二電性接合墊位于另一部分的絕緣層上，并與第一電性接合墊分離，且經過前述至少一第二貫穿孔而與第二電性電極墊電連接。
[0031]依據本發明的一實施例，上述的絕緣層是一布拉格反射鏡(DBR)。
[0032]依據本發明的另一實施例，上述的發光二極管結構還包含一絕緣反射層。每一發光二極管芯片還包含一介電層設于外延層上。每一發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層。第一隔離溝槽介于發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。絕緣反射層覆蓋在每一發光二極管芯片的第一電性接觸孔的一側壁、第二電性接觸孔的一側壁、與介電層的一上表面上。每一內連線層由每一發光二極管芯片的第二電性接觸孔中經由第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔中。
[0033]依據本發明的又一實施例，上述的發光二極管結構還包含一絕緣反射層。每一發光二極管芯片還包含一介電層設于外延層上。每一發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層。第一隔離溝槽介于此發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。外延層具有一凹槽，此凹槽的一底部暴露出第一電性半導體層暴露部分。第一電性接觸孔暴露出凹槽的底部的一部分。絕緣反射層覆蓋在每一凹槽的一側壁、與每一外延層的一上表面上。每一內連線層由每一發光二極管芯片的第二電性接觸孔中經由第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔中。
[0034]依據本發明的再一實施例，上述的發光二極管結構還包含一絕緣反射層。每一發光二極管芯片還包含一介電層設于外延層上。每一發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層。第一隔離溝槽介于此發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。外延層具有一凹槽，此凹槽的一底部暴露出第一電性半導體層暴露部分，第一電性接觸孔暴露出凹槽的底部的一部分。介電層覆蓋在凹槽的一側壁上。絕緣反射層覆蓋在每一外延層的一上表面上。每一內連線層由每一發光二極管芯片的第二電性接觸孔中經由第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔中。
[0035]依據本發明的再一實施例，上述的發光二極管結構還包含一絕緣反射層。每一發光二極管芯片還包含一介電層設于外延層上。每一發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿介電層。第一隔離溝槽介于此發光二極管芯片的第二電性接觸孔與相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔之間。外延層具有一凹槽，此凹槽的一底部暴露出第一電性半導體層暴露部分，第一電性接觸孔暴露出凹槽的底部的一部分。介電層覆蓋在凹槽的一側壁上。絕緣反射層覆蓋在每一介電層的一上表面上。每一內連線層由每一發光二極管芯片的第二電性接觸孔中經由第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的發光二極管芯片的第一電性接觸孔中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0037]圖1是一種傳統串聯的發光二極管結構的局部剖視圖；
[0038]圖2是本發明的一實施方式的一種發光二極管結構的上視示意圖；
[0039]圖3是沿著圖2的AA’剖面線所獲得的發光二極管結構的剖視圖；
[0040]圖4是沿著圖2的BB’剖面線所獲得的發光二極管結構的剖視圖；
[0041]圖5是本發明的另一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；
[0042]圖6是本發明的又一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；
[0043]圖7是本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；
[0044]圖8是本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；[0045]圖9是本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；
[0046]圖10是本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖；
[0047]圖1lA至圖1lG是本發明的一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖；
[0048]圖12A至圖12D是本發明的另一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖；
[0049]圖13A至圖13C是本發明的又一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖。
[0050]符號說明
[0051]100 發光二極管結構
[0052]102 絕緣基板
[0053]104 表面
[0054]106a 發光二極管芯片
[0055]106b 發光二極管芯片
[0056]108 未摻雜半導體層
[0057]110 第一電性半導體層
[0058]112 主動層
[0059]114 第二電性半導體層
[0060]116 透明導電層
[0061]118a 第一電性電極墊
[0062]118b 第一電性電極墊
[0063]120a 第二電性電極墊
[0064]120b 第二電性電極墊
[0065]122 隔離溝槽
[0066]124 絕緣層
[0067]126 內連線層
[0068]128 平臺結構
[0069]130 暴露部分
[0070]200 發光二極管結構
[0071]200a 發光二極管結構
[0072]200b 發光二極管結構
[0073]200c 發光二極管結構
[0074]200d 發光二極管結構
[0075]200e 發光二極管結構
[0076]200f 發光二極管結構
[0077]202 絕緣基板
[0078]204 表面
[0079]206 未摻雜半導體層
[0080]208 第一電性半導體層[0081]210主動層[0082]212第二電性半導體層
[0083]214外延層
[0084]214a 外延結構
[0085]216隔離溝槽
[0086]218絕緣層
[0087]220絕緣反射層
[0088]222電流阻障層
[0089]224透明導電層
[0090]226內連線層
[0091]228發光二極管芯片
[0092]228a 發光二極管芯片
[0093]228b 發光二極管芯片
[0094]228c 發光二極管芯片
[0095]228d 發光二極管芯片
[0096]228e 發光二極管芯片
[0097]228f 發光二極管芯片
[0098]228g 發光二極管芯片
[0099]228h 發光二極管芯片
[0100]230平臺結構
[0101]232第二電性接合墊
[0102]234暴露部分
[0103]236第二電性電極墊
[0104]238第一電性電極墊
[0105]240隔離溝槽
[0106]242絕緣層
[0107]244電流阻障層
[0108]246側面
[0109]248開口
[0110]250開口
[0111]252第一電性接合墊
[0112]254貫穿孔
[0113]256貫穿孔
[0114]258測試墊
[0115]260貫穿孔
[0116]262介電層
[0117]264第一電性接觸孔
[0118]266第二電性接觸孔
[0119]268絕緣襯層[0120]270底部
[0121]272接觸插塞
[0122]274接觸插塞
[0123]276凹槽
[0124]278上表面
[0125]280底部
[0126]282絕緣襯層
[0127]284底部
[0128]286絕緣襯層
[0129]288上表面
[0130]290絕緣層
[0131]292蝕刻停止層
[0132]294硬掩模層
[0133]296光致 抗蝕劑層
[0134]298光致抗蝕劑層
[0135]300光致抗蝕劑層
[0136]α夾角
[0137]Θ夾角
【具體實施方式】
[0138]請參照圖2至圖4，其中圖2是繪示依照本發明的一實施方式的一種發光二極管結構的上視示意圖，圖3是繪示沿著圖2的ΑΑ’剖面線所獲得的發光二極管結構的剖視圖，圖4是繪示沿著圖2的ΒΒ’剖面線所獲得的發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200可為高壓發光二極管(High Voltage LED ；HV LED)。
[0139]發光二極管結構200是由數個發光二極管芯片228相互串聯而成。如圖2所示的示范實施例，發光二極管結構200是由16個發光二極管芯片228所組成。每個發光二極管芯片228的周圍均設有隔離溝槽216與240，以電性隔離任二相鄰的發光二極管芯片228。此外，相鄰的發光二極管芯片228之間則通過導電的內連線層226來電連接，以將所有的發光二極管芯片228予以串聯。
[0140]請一并參照圖2與圖3，發光二極管結構200主要包含絕緣基板202、數個發光二極管芯片228、數個內連線層226、第一電性電極墊238、第二電性電極墊236、絕緣反射層220、第一電性接合墊252以及第二電性接合墊232。絕緣基板202的材料可例如為藍寶石。在一些例子中，絕緣基板202可為圖案化藍寶石基板(PSS)，亦即此絕緣基板202的表面204上形成有多個圖案結構(未繪示)。通過這些圖案結構的設置，可提升發光二極管芯片228的光取出效率。
[0141]這些發光二極管芯片228是設置在絕緣基板202的表面204上。每個發光二極管芯片228包含外延層214。在圖3所示的實施例中，外延層214包含依序成長堆疊在絕緣基板202的表面204上的未摻雜半導體層206、第一電性半導體層208、主動層210與第二電性半導體層212。在本發明中，第一電性與第二電性為不同的電性。例如，第一電性與第二電性的其中一者為η型，另一者則為P型。在另一實施例中，外延層214也可沒有包含未摻雜+導體層206。
[0142]在一些例子中，主動層210可例如為多組相互交替堆疊的量子井(quantum well)和阻障層(barrier layer)所組成的多重量子井(Multiple Quantum Well ；MQff)結構。在一例子中，未摻雜半導體層206、第一電性半導體層208、主動層210與第二電性半導體層212的材料可例如為氮化鎵系列材料。
[0143]每個發光二極管芯片228包含互相鄰接的平臺結構230與暴露部分234。平臺結構230包含部分的未摻雜半導體層206、部分的第一電性半導體層208、部分的主動層210與部分的第二電性半導體層212。由于，暴露部分234是在外延層214中定義平臺結構230時，經移除一部分的第二電性半導體層212與一部分的主動層210，甚至下方的一部分的第一電性半導體層208,而暴露出第一電性半導體層208后所形成的部分。因此,暴露部分234為第一半導體層208遭暴露出的部分,且暴露部分234包含一部分的未摻雜半導體層206與一部分的第一電性半導體層208，但并未包含主動層210與第二電性半導體層212。
[0144]在一實施例中，如圖3所示，平臺結構230的剖面形狀可例如呈梯形，且具有傾斜的側面246。通過使平臺結構230具有傾斜的側面246，可有利于后續內連線層226的沉積。然而，在另一實施例中，平臺結構230的剖面形狀也可呈矩形，而具有垂直的側面246。
[0145]每個發光二極管芯片228還包含隔離溝槽216。在發光二極管芯片228中，隔離溝槽216設置在平臺結構230中，且較佳是鄰近于相鄰發光二極管芯片228的暴露部分234。在平臺結構230中，隔離溝槽216自第二電性半導體層212向下朝未摻雜半導體層206延伸。在一實施例中，隔離溝槽216的底部位于未摻雜半導體層206中。在圖3所示的實施例中，隔離溝槽216的底部直接延伸至絕緣基板202的表面204，而暴露出絕緣基板202的表面204。在外延結構214沒有包含未摻雜半導體層206的實施例中，隔離溝槽216自第二電性半導體層212朝絕緣基板202的表面204延伸。因此，此實施例的隔離溝槽216的底部暴露出絕緣基板202的表面204的一部分。
[0146]在一些實施例中，每個`發光二極管芯片228還可包含絕緣層218。在發光二極管芯片228中，此絕緣層218填入隔離溝槽216中，并覆蓋絕緣基板202的表面204，且較佳是封住隔離溝槽216的開口 248。如圖3所示，絕緣層218可完全填滿隔離溝槽216。但在另一實施例中，絕緣層218也可不填滿隔離溝槽216，例如隔離溝槽216中的絕緣層218可具有孔洞。在又一些實施例中，絕緣層218可僅填充隔離溝槽216的一部分深度。
[0147]在一實施例中，如圖3所示，隔離溝槽216的剖面形狀為倒梯形，以利絕緣層218沉積于隔離溝槽216中。隔離溝槽216與絕緣基板202的表面204之間的夾角Θ可例如從30°至90°。在另一實施例中，隔離溝槽216的剖面形狀也可為矩形。此外，絕緣層218的材料可例如為二氧化硅或氮化硅(SiNx)。
[0148]在一實施例中，每個發光二極管芯片228也可選擇性地包含電流阻障層222，用于分散電流的分布。如圖3所示，電流阻障層222設于平臺結構230上，且位于隔離溝槽216的上方，并覆蓋住絕緣層218、部分的第二電性半導體層212、以及內連線層226所在的平臺結構230的側面246。
[0149]每個發光二極管芯片228還可選擇性地包含透明導電層224。透明導電層224的材料可例如為氧化銦錫(Ι--)等。透明導電層224設于平臺結構230上，且覆蓋在電流阻障層222上，并延伸于平臺結構230的第二電性半導體層212上。在另一實施例中，透明導電層224可僅位于平臺結構230的第二電性半導體層212上，但并未覆蓋在電流阻障層222上，其中內連線層226延伸覆蓋部分的透明導電層224，以利電性導通。
[0150]在發光二極管結構200中，內連線層226分別連接相鄰的發光二極管芯片228，以電性串聯這些發光二極管芯片228。內連線層226自二相鄰發光二極管芯片228中的一發光二極管芯片228的第一電性半導體層208的暴露部分234，延伸至另一發光二極管芯片228的平臺結構230上的透明導電層224。如圖3所示，內連線層226從二相鄰發光二極管芯片228中的一發光二極管芯片228的暴露部分234，直接延伸到另一發光二極管芯片228的平臺結構230的側面246上的電流阻障層222，再順著平臺結構230的側面246而連接位在平臺結構230上方的透明導電層224。因此，內連線層226的最低表面位于第一電性半導體層208的暴露部分234上，且與第一電性半導體層208的暴露部分234接觸。內連線層226的材料為導電材料,可例如為金屬。在一實施例中，內連線層226可為依序堆疊的鉻層、鉬層與金層所構成的鉻/鉬/金(Cr/Pt/Au)堆疊結構。
[0151]如圖3所示，內連線層226在平臺結構230上的部分覆蓋在隔離溝槽216上方的電流阻障層222與透明導電層224上。因此，電流阻障層222介于平臺結構230上方的內連線層226與隔離溝槽216中的絕緣層218之間，且透明導電層224介于平臺結構230上方的內連線層226與電流阻障層222之間。
[0152]在一實施例中，電流阻障層222可有部分水平延伸至內連線層226的外側，以獲得更佳的電流阻障效果，并可避免大量電流由內連線層226直接向下灌注至發光二極管芯片228中而造成電流擁塞情形，進而可強迫電流經由透明導電層224而流至平臺結構230中。由此，可大幅增進發光二極管芯片228的發光效率。因此，在一較佳實施例中，透明導電層224可延伸在平臺結構230上的第二電性半導體層212上。
[0153]請再次參照圖2與圖3，第一電性電極墊238與第二電性電極墊236分別設置在發光二極管結構200的二發光二極管芯片上。舉例而言，此二發光二極管芯片分別為發光二極管芯片陣列的起始芯片與結尾芯片，即發光二極管芯片228a與228b。第一電性電極墊238及第二電性電極墊236可與內連線層226同時制作，且第一電性電極墊238及第二電性電極墊236的材料也可與內連線層226的材料相同。第一電性電極墊238與第二電性電極墊236的材料為導電材料,例如金屬。在一實施例中，第一電性電極墊238與第二電性電極墊236均可為依序堆疊的鉻層、鉬層與金層所構成的鉻/鉬/金堆疊結構。在發光二極管結構200中，第一電性電極墊238可位于發光二極管芯片228a的第一電性半導體層208的暴露部分234上,而與第一電性半導體層208的暴露部分234電連接。另一方面，第二電性電極墊236可位于發光二極管芯片228b的平臺結構230上的透明導電層224或第二電性半導體層212上，而與第二電性半導體層212電連接。
[0154]在一實施例中，發光二極管結構200還可包含測試墊258。此測試墊258可根據制作工藝或產品需求而設置在所需之一或多個發光二極管芯片228上。如圖2所示的實施例，測試墊258延伸設置相鄰兩列且彼此相鄰的二發光二極管芯片228上，即位于發光二極管芯片228a與228b之間的二發光二極管芯片228上，且與此二相鄰的發光二極管芯片228之間的內連線層226接合。
[0155]絕緣反射層220覆蓋在發光二極管芯片228的內連線層226、平臺結構230、第一電性半導體層212的暴露部分234、第一電性電極墊238與第二電性電極墊236上。絕緣反射層220可例如為一布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector ;DBR),在本實施例中布拉格反射鏡材料例如包含二氧化硅/ 二氧化鈦(Si02/Ti02)或二氧化硅/氮化硅(SiO2/SiNx)的重復疊層，或其組合。在一實施例中，絕緣反射層220至少設有貫穿孔256與254，其中此二貫穿孔256與254分別暴露出部分的第一電性電極墊238與部分的第二電性電極墊236。如此一來，后續形成的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由貫穿孔256與254，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236電性接合。
[0156]在另一實施例中，絕緣反射層220還可根據測試墊258的設置，而對應設有貫穿孔260。此貫穿孔260可暴露出部分的測試墊258，以利后續經由此貫穿孔260而通過暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200的檢測。
[0157]如圖2所示，第一電性接合墊252與第二電性接合墊232分別位于絕緣反射層220上而形成彼此分離的二部分。也就是說，第一電性接合墊252與第二電性接合墊232彼此分離。第一電性接合墊252還經由絕緣反射層220的貫穿孔256，而與暴露出的第一電性電極墊238接觸并電連接。另一方面，第二電性接合墊232還經由絕緣反射層220的另一貫穿孔254，而與暴露出的第二電性電極墊236接觸并電連接。
[0158]請一并參照圖2與圖4，每個發光二極管芯片228還包含另一隔離溝槽240。此隔離溝槽240設于平臺結構230外側的外延層214中，且與隔離溝槽216鄰接。如圖2所示，隔離溝槽240可電性隔離相鄰二行的發光二極管芯片228。而且，不同于隔離溝槽216，隔離溝槽240上方并未覆蓋有透明導電層或內連線層等導電材料。
[0159]隔離溝槽240自外延層214的第二電性半導體層212延伸至未摻雜半導體層206。因此，隔離溝槽240的底部位于未摻雜半導體層206中。在圖4所示的實施例中，隔離溝槽240的底部直接延伸至絕緣基板202的表面204，而暴露出絕緣基板202的表面204。在外延層214沒有包含未摻雜半導體層206的實施例中，隔離溝槽240自第二電性半導體層212朝絕緣基板202的表面204延伸，此時隔離溝槽240的底部暴露出絕緣基板202的表面204的一部分。
[0160]在一些實施例中，每個發光二極管芯片228還可包另一絕緣層242。絕緣層242填入隔離溝槽240中，且較佳是封住隔離溝槽240的開口 250。在一例子中，絕緣層242可完全填滿隔離溝槽240。但在另一例子中，絕緣層242也可不填滿隔離溝槽240。此外，如圖4所示，隔離溝槽240剖面形狀可為倒梯形，以利絕緣層242沉積于隔離溝槽240中。在一示范例子中，隔離溝槽240與絕緣基板202的表面204之間的夾角α可例如為從30°至90°。然而，在另一例子中，隔離溝槽240的剖面形狀也可為矩形。絕緣層242的材料可例如為二氧化硅或氮化硅。
[0161]在一實施例中，每個發光二極管芯片228也可選擇性地包含另一電流阻障層244。如圖4所示，電流阻障層244位于隔離溝槽240的上方，且覆蓋住隔離溝槽240內的絕緣層242、與隔離溝槽240的開口 250外圍的第二電性半導體層212上。絕緣反射層220也覆蓋住隔離溝槽240上方的電流阻障層244。
[0162]請參照圖5，其是繪示依照本發明的另一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。此實施方式的發光二極管結構200a的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200相同，二者的主要差異在于,發光二極管結構200a的每個發光二極管芯片228c還包含介電層262。
[0163]在發光二極管結構200a中，介電層262疊設在外延層214上。介電層262又可稱為層間介電(Interlayer Dielectric ；ILD)層。介電層262的材料為絕緣材料,例如二氧化硅與氮化硅等。每個發光二極管芯片228c具有第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266。第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266均貫穿介電層262。第一電性接觸孔264從介電層262的上表面278延伸至外延層214的第一電性半導體層208。因此，第一電性接觸孔264的底部270暴露出部分的第一電性半導體層208。
[0164]在發光二極管芯片228c無透明導電層的實施例中，第二電性接觸孔266從介電層262的上表面278延伸至外延層214的第二電性半導體層212。亦即，第二電性接觸孔266的底部280暴露出部分的第二電性半導體層212。而在發光二極管芯片228c具有透明導電層224的實施例中，透明導電層224介于介電層262與外延層214之間，而第二電性接觸孔266從介電層262的上表面278僅延伸至透明導電層224。因此，第二電性接觸孔266的底部280暴露出部分的透明導電層224。在每個發光二極管芯片228c中，隔離溝槽216介于此發光二極管芯片228c的第二電性接觸孔266與相鄰的發光二極管芯片228c的第一電性接觸孔264之間。
[0165]每個發光二極管芯片228c還包含絕緣襯層268。絕緣襯層268覆蓋在第一電性接觸孔264的側壁上，以電性隔離后續填入第一電性接觸孔264的內連線層226、和第一電性接觸孔264的側壁所暴露出的透明導電層224、第二電性半導體層212、主動層210與第一電性半導體層208。由此，可避免第一電性接觸孔264內的電流流經電阻值較小的透明導電層224而到達第二電性接觸孔266，進而造成短路而無法發光。通過絕緣襯層268的設置，可避免同一發光二極管芯片228c或相鄰的發光二極管芯片228c的第一電性半導體層208與第二電性半導體層212通過透明導電層224而直接導通。
[0166]每個發光二極管芯片228c還可包含絕緣襯層282。此絕緣襯層282覆蓋在第二電性接觸孔266的側壁上，以提高發光二極管芯片228c的電性可靠度。然，發光二極管芯片228c可僅包含絕緣襯層268，而無需設置絕緣襯層282。絕緣襯層268與282的材料可例如為二氧化硅或氮化硅。
[0167]在另一實施方式中，發光二極管結構也可不包含絕緣襯層。請先參照圖6，其是繪不依照本發明的又一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200b的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200a的架構相同，二者的差異在于發光二極管結構200b的發光二極管芯片228d的第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266內并未設有絕緣襯層。
[0168]在發光二極管結構200b中，每個發光二極管芯片228d的外延層214設有凹槽276。此凹槽276自外延層214的第二電性半導體層212朝第一電性半導體層208延伸。凹槽276的底部284位于第一電性半導體層208中，即凹槽276的底部284暴露出第一電性半導體層208。第一電性接觸孔264與凹槽276相接。而且，介電層262的一部分覆蓋在凹槽276的側壁上，且第一電性接觸孔264的底部270暴露出凹槽276的底部284的一部分。
[0169]通過設計使介電層262延伸覆蓋在外延層214的凹槽276的側壁上，發光二極管結構200b無需另外設置絕緣襯層于第一電性接觸孔264的側壁上，即可達到使內連線層226與凹槽276的側壁所暴露出的外延層214和透明導電層224電性絕緣的效果。[0170]請再次參照圖5，在發光二極管結構200a中，內連線層226分別對應填入一發光二極管芯片228c的第二電性接觸孔266中，并經由隔離溝槽216上方的介電層262的上表面278，而延伸并填入相鄰的發光二極管芯片228c的第一電性接觸孔264中。內連線層226填入第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266中的部分也可分別稱為接觸插塞(contactplug) 272與274。絕緣反射層220覆蓋在介電層262與內連線層226上。
[0171]如圖5所示，在每個發光二極管芯片228c中，電流阻障層222設于部分的外延層214上，且位于第二電性接觸孔266的底部280的下方。因此，電流阻障層222介于第二電性接觸孔266的底部280與外延層214之間。而且，透明導電層224覆蓋住電流阻障層222。
[0172]通過電流阻障層222的設置，可避免大量電流經由內連線層226的接觸插塞274而直接向下灌注至發光二極管芯片228c中而造成電流擁塞情形，進而可強迫電流經由透明導電層224而流至外延層214中。在一實施例中，電流阻障層222較佳是大于接觸插塞274的底部的面積，亦即電流阻障層222的范圍較佳是涵蓋接觸插塞274的整個底部，以獲得更佳的電流阻障效果。
[0173]在另一實施例中，絕緣層218可僅填入隔離溝槽216的一部分深度，而無需使絕緣層218的上表面與外延層214等高。而在此實施例中，電流阻障層222可從第二電性接觸孔266的底部280的下方延伸至鄰近的絕緣溝槽216的開口 248，并使電流阻障層222覆蓋住絕緣溝槽216的開口 248。通過電流阻障層222的設置，可進一步增加絕緣效果，以避免透明導電層224覆蓋到外延層214而造成短路。
[0174]請參照圖7，其是繪示依照本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200c的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200a的架構相同，二者的差異在于發光二極管結構200c的絕緣反射層220取代發光二極管結構200a的絕緣襯層268與282。而且，絕緣反射層220覆蓋在發光二極管芯片228e的第一電性接觸孔264的側壁、第二電性接觸孔266的側壁、與介電層262的上表面278上。此外，發光二極管結構200c還包含絕緣層290。絕緣層290覆蓋在內連線層226與絕緣反射層220上。
[0175]請一并參照圖2，在發光二極管結構200c中，絕緣層290可如發光二極管結構200的絕緣反射層220般至少設有二貫穿孔，其中此二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊238與部分的第二電性電極墊236。如此一來，后續形成的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由此二貫穿孔，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236電性接合。
[0176]在另一實施例中，絕緣層290還可根據測試墊258的設置，而對應設有另一貫穿孔。此貫穿孔可暴露出部分的測試墊258，以利后續經由此貫穿孔而通過暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200c的檢測。
[0177]請參照圖8，其是繪示依照本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200d的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200b的架構相同，二者的差異在于發光二極管結構200d的每個發光二極管芯片228f的絕緣反射層220覆蓋在外延層214的凹槽276的側壁與透明導電層224的上表面288上。此外，發光二極管結構200d還包含絕緣層290。絕緣層290覆蓋在內連線層226與介電層262的上表面278上。[0178]在此實施方式的發光二極管結構200d中，由于絕緣反射層220設置的位置較接近主動層210，因此主動層210所發出的光線不會通過介電層262。故，可減少光線被介電層262吸收的損失，而可還進一步提升發光二極管結構200d的發光效率。
[0179]請一并參照圖2，在發光二極管結構200d中，絕緣層290可如發光二極管結構200的絕緣反射層220般至少設有二貫穿孔，其中此二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊238與部分的第二電性電極墊236。因此，后續形成的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由此二貫穿孔，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236電性接合。
[0180]在另一實施例中，絕緣層290還可根據測試墊258的設置，而對應設有另一貫穿孔。此貫穿孔可暴露出部分的測試墊258，以利后續經由此貫穿孔而通過暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200d的檢測。
[0181]請參照圖9，其是繪示依照本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200e的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200b的架構相同，二者的差異在于發光二極管結構200e的每個發光二極管芯片228g的絕緣反射層220覆蓋在透明導電層224的上表面288上。此外，發光二極管結構200e還包含絕緣層290。絕緣層290覆蓋在內連線層226與介電層262的上表面278上。
[0182]請一并參照圖2，在發光二極管結構200e中，絕緣層290可如發光二極管結構200的絕緣反射層220般至少設有二貫穿孔，其中此二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊238與部分的第二電性電極墊236。如此一來，后續形成的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由此二貫穿孔，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236電性接合。
[0183]在另一實施例中，絕緣層290還可根據測試墊258的設置，而對應設有另一貫穿孔。此貫穿孔可暴露出部分的測試墊258，以利后續經由此貫穿孔而通過暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200e的檢測。
[0184]請參照圖10，其是繪示依照本發明的再一實施方式的一種發光二極管結構的剖視圖。在本實施方式中，發光二極管結構200f的架構大致上與上述實施方式的發光二極管結構200b的架構相同，二者的差異在于發光二極管結構200f的每個發光二極管芯片228h的絕緣反射層220覆蓋在介電層262的上表面278上。此外，發光二極管結構200f還包含絕緣層290。絕緣層290覆蓋在內連線層226與絕緣反射層220上。
[0185]請一并參照圖2，在發光二極管結構200f中，絕緣層290可如發光二極管結構200的絕緣反射層220般至少設有二貫穿孔，其中此二貫穿孔分別暴露出部分的第一電性電極墊238與部分的第二電性電極墊236。如此一來，后續形成的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由此二貫穿孔，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236電性接合。
[0186]在另一實施例中，絕緣層290還可根據測試墊258的設置，而對應設有另一貫穿孔。此貫穿孔可暴露出部分的測試墊258，以利后續經由此貫穿孔而通過暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200f的檢測。
[0187]請參照圖1lA至圖11G，其是繪示依照本發明的一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖。在此實施方式中，制造發光二極管結構200時，先提供絕緣基板202。再利用外延成長方式，例如有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)方式,依序在絕緣基板202的表面204上形成未摻雜半導體層206、第一電性半導體層208、主動層210與第二電性半導體層212。如圖1lA所不,未摻雜半導體層206、第一電性半導體層208、主動層210與第二電性半導體層212依序堆疊而構成外延結構214a。在另一實施例中，外延結構214a也可不包含未摻雜半導體層206。
[0188]接下來，利用例如沉積方式，形成蝕刻停止層292覆蓋在第二電性半導體層212上。蝕刻停止層292的材料可例如為氮化硅(SiNx)。如圖1lB所示，再利用例如沉積方式，形成硬掩模層294覆蓋在蝕刻停止層292上。硬掩模層294的材料可例如為鎳或二氧化硅。蝕刻停止層292可作為硬掩模層294圖案定義時的蝕刻終點。
[0189]接著，先利用例如涂布方式，形成光致抗蝕劑層296覆蓋在硬掩模層294上。再利用例如光刻制作工藝，對光致抗蝕劑層296進行圖案定義，以移除部分的光致抗蝕劑層296，而暴露出部分的硬掩模層294，用于在光致抗蝕劑層296中定義出隔離溝槽216與240的預設位置與形狀。隨后，利用例如蝕刻方式，以圖案化后的光致抗蝕劑層296為蝕刻掩模，且以蝕刻停止層292為蝕刻終點，來移除硬掩模層294的暴露部分，用于將光致抗蝕劑層296中的圖案轉移至硬掩模層294中。如此一來，可將原先定義在光致抗蝕劑層296中的隔離溝槽216與240的預設位置與形狀，轉移至硬掩模層294，如圖1lC所示。
[0190]接著，利用例如感應耦合式等離子體蝕刻(ICP)方式，且以圖案化的光致抗蝕劑層296與硬掩模層294為蝕刻掩模，來蝕刻外延結構214a，以移除部分的第二電性半導體層212、部分的主動層210、部分的第一電性半導體層208與部分的未摻雜半導體層206，用于將硬掩模層294中的圖案轉移至外延結構214a中，而在外延結構214a中形成數個隔離溝槽216與240。如圖2與圖1lD所示，隔離溝槽216分別與隔離溝槽240鄰接，且隔離溝槽216與240將外延結構214a定義成數個發光二極管芯片228的外延層214。其中，每個發光二極管芯片228包含一隔離溝槽216，而一隔離溝槽240可隔設在相鄰二行的發光二極管芯片228之間。
[0191]在一實施例中，如圖4與圖1lD所示，隔離溝槽216的底部與隔離溝槽240的底部均暴露出絕緣基板202的表面204的一部分。在另一實施例中，隔離溝槽216的底部與隔離溝槽240的底部可位于未摻雜半導體層206中。在外延層214并未包含未摻雜半導體層206的實施例中，隔離溝槽216與240自第二電性半導體層212朝絕緣基板202的表面204延伸，且隔離溝槽216與240均暴露出絕緣基板202的表面204的一部分。
[0192]在一實施例中，如圖1lD所示，形成隔離溝槽216與240后，可移除殘留的光致抗蝕劑層296與硬掩模層294，而暴露出蝕刻停止層292。在另一實施例中，蝕刻停止層292可不需要在硬掩模層294之前形成，而可在光致抗蝕劑層296與硬掩模層294移除后，再形成蝕刻停止層292覆蓋在第二電性半導體層212上。
[0193]接下來，可根據產品需求，而利用例如等離子體輔助化學沉積(PECVD)方式，選擇性地形成絕緣材料覆蓋在蝕刻停止層292上、以及隔離溝槽216與240中。絕緣材料可例如為二氧化硅或氮化硅。接著，在一實施例中，可利用例如回蝕刻方式，并以蝕刻停止層292為蝕刻終點，來移除蝕刻停止層292上的絕緣材料，用于分別在隔離溝槽216與240中填入絕緣層218與242，如圖1lE與圖4所示。在一些實施例中，可利用例如化學機械研磨(CMP)方式，來移除蝕刻停止層292上多余的絕緣材料。此時，蝕刻停止層292作為研磨終點。[0194]絕緣層218與242較佳是分別封住隔離溝槽216的開口 248與隔離溝槽240的開口 250。在一實施例中，如圖1lE所示，絕緣材料可完全填滿隔離溝槽216與240。在另一實施例中，絕緣材料也可能沒有填滿隔離溝槽216與240，而在隔離溝槽216與240中形成孔洞。
[0195]接下來，移除蝕刻停止層292，而暴露出第二電性半導體層212。在一實施例中，可直接進行發光二極管芯片228的平臺定義。然，在另一實施例中，可選擇性地利用例如沉積方式，先形成電流阻障材料覆蓋在絕緣層218與242、以及第二電性半導體層212上。再利用例如光刻與蝕刻方式，移除第二電性半導體層212上的電流阻障材料的一部分，用于形成電流阻障層222與244，如圖1lF與圖4所示。電流阻障層222覆蓋在絕緣層218上，且延伸于隔離溝槽216的開口 248外側的第二電性半導體層212上。同樣地，電流阻障層244覆蓋在絕緣層242上，且延伸于隔離溝槽240的開口 250外側的第二電性半導體層212上。
[0196]如圖1lF所示，在設置有電流阻障層222與244的實施例中，接著可利用例如蒸鍍或濺鍍方式，形成透明導電層224覆蓋在電流阻障層222與244、以及第二電性半導體層212上。透明導電層224的材料可例如為氧化銦錫。接下來，利用例如光刻與蝕刻制作工藝，例如感應耦合式等離子體蝕刻制作工藝，來進行每個發光二極管芯片228的平臺定義。在平臺定義制作工藝中，移除部分的透明導電層224、部分的第二電性半導體層212、與部分的主動層210，甚至移除一部分的第一電性半導體層208，以暴露出部分的第一電性半導體層208，而形成每個發光二極管芯片228的平臺結構230與暴露部分234。此外，如圖4所示，平臺定義制作工藝還移除隔離溝槽240上的透明導電層224。經平臺定義后，每個發光二極管芯片228的隔離溝槽216位于平臺結構230中，且透明導電層224位于平臺結構230 上。
[0197]在另一實施例中，可先完成每個發光二極管芯片228的平臺定義后，再形成電流阻障層222與244，而后再形成透明導電層224。此時，如圖1lG所示，電流阻障層222位于平臺結構230上，且位于隔離溝槽216的上方，并覆蓋住絕緣層218、部分的第二電性半導體層212、以及后續形成的內連線層226所在的平臺結構230的側面246。而且，透明導電層224位于平臺結構230上，且覆蓋在電流阻障層222上，并延伸于平臺結構230的第二電性半導體層212上。另一方面，電流阻障層244位于隔離溝槽240的上方，且覆蓋住隔離溝槽240內的絕緣層242、與隔離溝槽240的開口 250外圍的第二電性半導體層212上。
[0198]接著，利用例如沉積方式，形成導電層覆蓋在平臺結構230與第一電性半導體層208的暴露部分234上。再利用例如光刻與蝕刻方式，移除部分的金屬層，而形成數個內連線層226、第一電性電極墊238與第二電性電極墊236。在另一實施例中，如圖2所示，可在制作內連線層226時，同時制作測試墊258。內連線層226分別連接相鄰的發光二極管芯片228，以電性串聯這些發光二極管芯片228。第一電性電極墊238與第二電性電極墊236分別設置在發光二極管結構200的二發光二極管芯片上，例如分別為發光二極管芯片陣列的發光二極管芯片228b與228a。第一電性電極墊238可位于發光二極管芯片228b的第一電性半導體層208的暴露部分234上，而與第一電性半導體層208的暴露部分234電連接。另一方面，第二電性電極墊236可位于發光二極管芯片228a的平臺結構230上的透明導電層224或第二電性半導體層212上，而與第二電性半導體層212電連接。
[0199]接下來，利用例如沉積方式，形成絕緣反射層220覆蓋在內連線層226、平臺結構230、第一電性半導體層208的暴露部分234、第一電性電極墊238與第二電性電極墊236上。請再次參照圖2，可利用例如圖案化技術對絕緣反射層220進行定義，以在絕緣反射層220中至少形成貫穿孔256、254與260。此三個貫穿孔256、254與260分別暴露出部分的第一電性電極墊238、部分的第二電性電極墊236與部分的測試墊258。通過貫穿孔260的設置，可通過貫穿孔260所暴露出的測試墊258來進行發光二極管結構200的檢測。
[0200]接下來，如圖2與圖1lG所示，分別于絕緣反射層220的彼此分離的二部分上形成第一電性接合墊252與第二電性接合墊232，而完成串聯式發光二極管結構200。第一電性接合墊252與第二電性接合墊232彼此分離。此外，第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由貫穿孔256與254，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236接觸并電性接合。
[0201]請參照圖12A至圖12D，其是繪示依照本發明的另一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖。在本實施方式中，可先根據上述實施方式的制作工藝步驟，完成圖1lF所示的結構。接下來，形成介電材料層覆蓋在外延層214上方的透明導電層224上。介電材料為絕緣材料，例如二氧化硅與氮化硅等。在一實施例中，可利用例如等離子體輔助化學沉積方式來形成介電材料層，其中此介電材料層的厚度可約為2000A至3000A。在另
一實施例中，可利用例如旋轉涂布方式來形成介電材料層，其中此介電材料層的厚度可約%2μηιΜ3μηι。
[0202]接著，可根據實際制作工藝需求，而選擇性地利用例如化學機械研磨的方式對此介電材料層進行平坦化處理，用于獲得表面實質平坦的介電材料層。接著，如圖12Α所示，利用例如光刻與蝕刻方式，例如感應耦合式等離子體蝕刻方式，移除部分的介電材料層，而形成數個第一電性接觸孔264的一部分與數個第二電性接觸孔266，并形成數個介電層262。每個發光二極管芯片228c包含一介電層262，且第一電性接觸孔264的一部分與第二電性接觸孔266貫穿介電層262。
[0203]接下來，形成光致抗蝕劑層298覆蓋在介電層262上，并填入第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266中。再利用例如光刻制作工藝，對光致抗蝕劑層298進行圖案定義。定義光致抗蝕劑層298時，移除第一電性接觸孔264中的光致抗蝕劑層298，并暴露出第一電性接觸孔264內的透明導電層224。然后，利用例如蝕刻方式，且以圖案化后的光致抗蝕劑層298為蝕刻掩模，來移除透明導電層224的暴露部分及其下方的第二電性半導體層212、主動層210與部分的第一電性半導體層208,而完成第一電性接觸孔264。如此,完成每個發光二極管芯片228c的平臺結構230與第一電性半導體層208的暴露部分234的定義。如圖12B所示，每個發光二極管芯片228c的隔離溝槽216介于其第二電性接觸孔266與相鄰的發光二極管芯片228c的第一電性接觸孔264之間。
[0204]如圖12B所示，在每個發光二極管芯片228c中，第一電性接觸孔264的底部270暴露出部分的第一電性半導體層208，且位于第一電性半導體層208中。第二電性接觸孔266的底部280暴露出部分的透明導電層224。此外，電流阻障層222介于外延層214的第二電性半導體層212與第二電性接觸孔266的底部280之間。而透明導電層224覆蓋在電流阻障層222上,且介于外延層214的第二電性半導體層212與介電層262之間。在另一實施例中，發光二極管芯片228c無透明導電層，而第二電性接觸孔266的底部280暴露出部分的第二電性半導體層212。[0205]接下來，移除殘留的光致抗蝕劑層298，而暴露出介電層262、第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266。再利用例如等離子體輔助化學沉積方式，形成絕緣材料層覆蓋在介電層262、及第一電性接觸孔264的側壁和底部270、與第二電性接觸孔266的側壁和底部280上。絕緣材料層的材料可例如為二氧化硅或氮化硅。接著，可利用干蝕刻等非等向性蝕刻方式，去除介電層262的上表面278、第一電性接觸孔264的底部270以及第二電性接觸孔266的底部280上的絕緣材料層，而在第一電性接觸孔264的側壁與第二電性接觸孔266的側壁上分別形成絕緣襯層268與282，如圖12C所示。
[0206]接著，利用例如沉積方式，形成導電層覆蓋在介電層262的上表面278上，并填入第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266中。請同時參照圖12D與圖2，再利用例如光刻與蝕刻方式，移除部分的金屬層，而形成數個內連線層226、第一電性電極墊238與第二電性電極墊236。每個內連線層226填充在第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266中的部分也可分別稱為接觸插塞272與274。
[0207]接著，利用例如沉積方式，形成絕緣反射層220覆蓋在內連線層226與介電層262的上表面278上。請再次參照圖2，可利用例如圖案化技術對絕緣反射層220進行定義，以在絕緣反射層220中至少形成貫穿孔256、254與260。此三個貫穿孔256、254與260分別暴露出部分的第一電性電極墊238、部分的第二電性電極墊236與部分的測試墊258。
[0208]接下來，如圖2與圖12D所示，于絕緣反射層220上形成彼此分離的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232，而完成串聯式發光二極管結構200a。第一電性接合墊252與第二電性接合墊232彼此分離。此外，第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由貫穿孔256與254，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236接觸并電性接合。
[0209]請參照圖13A至圖13C，其是繪示依照本發明的又一實施方式的一種發光二極管結構的制作工藝剖視圖。在本實施方式中，可先根據上述實施方式的制作工藝步驟，完成圖1lF所示的結構。先利用例如涂布方式，形成光致抗蝕劑層300覆蓋在透明導電層224上。再利用例如光刻制作工藝，對光致抗蝕劑層300進行圖案定義。定義光致抗蝕劑層300時，移除部分的光致抗蝕劑層300，而暴露出部分的透明導電層224，以在光致抗蝕劑層300中定義出凹槽276的預設位置與形狀。然后，如圖13A所示，利用例如蝕刻方式，且以圖案化后的光致抗蝕劑層300為蝕刻掩模，來移除透明導電層224的暴露部分、及其下方的部分第二電性半導體層212、部分第主動層210與部分第一電性半導體層208，以在外延層214中形成凹槽276。凹槽276的底部284暴露出部分的第一電性半導體層208。如此，完成每個發光二極管芯片228d的外延層214、平臺結構230與第一電性半導體層208的暴露部分234的定義。
[0210]接著，移除殘留的光致抗蝕劑層300而暴露出透明導電層224與凹槽276。再利用例如等離子體輔助化學沉積方式或旋轉涂布方式，形成介電材料層覆蓋在透明導電層224上，并填入凹槽276中。此介電材料為絕緣材料，例如二氧化硅與氮化硅等。介電材料層形成后，可根據實際制作工藝需求，而選擇性地利用例如化學機械研磨的方式對此介電材料層進行平坦化處理，用于獲得表面實質平坦的介電材料層。
[0211]接著，如圖13B所示，利用例如光刻與蝕刻方式，例如感應耦合式等離子體蝕刻方式，移除部分的介電材料層，而形成數個第一電性接觸孔264與數個第二電性接觸孔266，并形成數個介電層262。每個發光二極管芯片228c包含一介電層262，且第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266貫穿介電層262。
[0212]如圖13B所示，在每個發光二極管芯片228d中，介電層262的一部分覆蓋在凹槽276的側壁上，且第一電性接觸孔264的底部270暴露出凹槽276的底部284的一部分。第二電性接觸孔266的底部280暴露出部分的透明導電層224。在本實施方式中，由于介電層262延伸覆蓋在凹槽276的側壁上，因此發光二極管結構200b (請先參考圖13C)無需另外設置絕緣襯層于第一電性接觸孔264的側壁上，即可使內連線層226與凹槽276的側壁所暴露出的外延層214和透明導電層224電性絕緣。
[0213]接著，利用例如沉積方式，形成導電層覆蓋在介電層262的上表面278上，并填入第一電性接觸孔264與第二電性接觸孔266中。再利用例如光刻與蝕刻方式，移除部分的金屬層，而形成數個內連線層226、第一電性電極墊與第二電性電極墊(如圖2所示的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236)，而完成串聯式發光二極管結構200b，如圖13C所
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[0214]如圖13C所示，內連線層226從二相鄰發光二極管芯片228d中的一發光二極管芯片228d的第一電性接觸孔264中第一電性半導體層208的暴露部分，經由相鄰的發光二極管芯片228d的隔離溝槽216上方的介電層262的上表面278，而延伸并填入此相鄰發光二極管芯片228d的第二電性接觸孔266中，而與相鄰發光二極管芯片228d的透明導電層224的暴露部分接觸。因此，內連線層226可電連接相鄰的二發光二極管芯片228d。
[0215]接著，利用例如沉積方式，形成絕緣反射層220覆蓋在內連線層226與介電層262的上表面278上。請再次參照圖2，可利用例如圖案化技術對絕緣反射層220進行定義，以在絕緣反射層220中至少形成貫穿孔256、254與260。此三個貫穿孔256、254與260分別暴露出部分的第一電性電極墊238、部分的第二電性電極墊236與部分的測試墊258。
[0216]接下來，如圖2與圖13C所示，分別于絕緣反射層220上形成彼此分離的第一電性接合墊252與第二電性接合墊232，而完成串聯式發光二極管結構200b。第一電性接合墊252與第二電性接合墊232彼此分離。此外，第一電性接合墊252與第二電性接合墊232可分別經由貫穿孔256與254，而分別與暴露出的第一電性電極墊238與第二電性電極墊236接觸并電性接合。
[0217]由上述的實施方式可知，本發明的一優點就是因為本發明的發光二極管結構是由多個發光二極管芯片串聯而成，因此具有排列密與高光效等優勢。
[0218]由上述的實施方式可知，本發明的另一優點就是因為本發明的發光二極管結構包含絕緣反射層覆蓋在每個發光二極管芯片的內連線、平臺結構與第一電性半導體層暴露部分上，因此可利用倒裝方式進行封裝，而達到高散熱、免打線與低熱阻等功效。
[0219]由上述的實施方式可知，本發明的又一優點就是因為內連線層是從相鄰發光二極管芯片之一者的第一電性半導體層的暴露部分，直接經由另一者的平臺結構的側面而延伸至此平臺結構上，因此可大幅降低內連線層的深寬比，而可有效提升內連線層沉積時的階梯覆蓋能力，進而可避免內連線層沉積時產生斷線。
[0220]由上述的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為發光二極管芯片的平臺結構可具有梯形傾斜側面，因此可進一步提升內連線層的階梯覆蓋能力，而更有效解決內連線層斷線的問題。[0221]由上述的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為發光二極管芯片的發光區域與相鄰的發光二極管芯片的第一電性半導體層之間以隔離溝槽隔開，且隔離溝槽中僅填充絕緣層而無導電材料。再加上，隔離溝槽的開口上可額外設置電流阻障層來加以電性隔絕。因此，縱使隔離溝槽內的絕緣層沉積不連續，在隔離溝槽內無導電材料的情況下，發光區域中也不會有短路的問題產生。
[0222]由上述的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為內連線層可直接從相鄰發光二極管芯片之一者上方的介電層中的接觸孔經由介電層上方延伸至另一者上方的介電層中的接觸孔。因此，導電材料可不需要填充在相鄰二發光二極管芯片之間的隔離溝槽中，因而可解決內連線層斷線的問題。
[0223]由上述的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為可有效解決短路與斷線的問題，因此可大幅提升串聯發光二極管結構的生產良率，進而可降低制作成本。
[0224]由上述的實施方式可知，本發明的再一優點就是因為可有效解決短路與斷線的問題，因此可無需仰賴逆向漏電流的檢測手段，而通過順逆向電流的檢測，即可順利確認發光二極管結構中的短路缺陷。
[0225]雖然已結合以上實施例公開了本發明，然而其并非用以限定本發明，任何在此【技術領域】中熟悉此技術者，在不脫離本發明的精神和范圍內，可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。
【權利要求】
1.一種發光二極管結構，包含: 絕緣基板； 多個發光二極管芯片，其中每一該些發光二極管芯片包含一外延層，該外延層包含依序堆疊在該絕緣基板的一表面上的第一電性半導體層、主動層以及第二電性半導體層，且每一該些發光二極管芯片包含鄰接的平臺結構與第一電性半導體層暴露部分、以及第一隔離溝槽，該第一隔離溝槽設于該平臺結構中； 多個內連線層，分別連接該些發光二極管芯片的相鄰二者； 第一電性電極墊及第二電性電極墊分別設于該些發光二極管芯片的一第一者與一第二者上，且分別與該第一者的該第一電性半導體層暴露部分及該第二者的該第二電性半導體層電連接； 絕緣反射層，覆蓋在該些內連線層、該些平臺結構、該第一電性電極墊與該第二電性電極墊上，其中該絕緣反射層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的該第一電性電極墊與該第二電性電極墊； 第一電性接合墊，位于部分的該絕緣反射層上，且經過該至少一第一貫穿孔而與該第一電性電極墊電連接；以及 第二電性接合墊，位于另一部分的該絕緣反射層上，并與該第一電性接合墊分離，且經過該至少一第二貫穿孔而與該第二電性電極墊電連接。
2.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中每一該些發光二極管芯片還包含一絕緣層，該絕緣層填入該第一隔離溝槽中，以封住該第一隔離溝槽的一開口。
3.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中每一該些發光二極管芯片還包含一電流阻障層，介于該平臺結構上的該內連線層與該絕緣層之間。
4.如權利要求3所述的發光二極管結構，其中每一該些發光二極管芯片還包含一透明導電層延伸于該平臺結構的該第二電性半導體層上，且介于該平臺結構上的該內連線層與該電流阻障層之間。
5.如權利要求1所述的發光二極管結構，其中 每一該些發光二極管芯片還包含一介電層，設于該外延層上，且每一該些發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿該介電層， 該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間， 每一該些內連線層由每一該些發光二極管芯片的該第二電性接觸孔中經由該第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔中，以及該絕緣反射層還覆蓋在該介電層上。
6.如權利要求5所述的發光二極管結構，其中 每一該些發光二極管芯片還包含一透明導電層，介于該介電層與該外延層之間； 該第一電性接觸孔的一底部暴露出該第一電性半導體層暴露部分；以及 該第二電性接觸孔的一底部暴露出該透明導電層。
7.如權利要求6所述的發光二極管結構,其中每一該些發光二極管芯片還包含至少一電流阻障層，介于該第二電性接觸孔的該底部與該外延層之間。
8.如權利要求5所述的發光二極管結構,其中在每一該些發光二極管芯片中，該外延層具有一凹槽，該凹槽的一底部暴露出該第一電性半導體層暴露部分，該第一電性接觸孔暴露出該凹槽的該底部的一部分，且該介電層覆蓋在該凹槽的一側壁上。
9.如權利要求5所述的發光二極管結構，其中每一該些發光二極管芯片還包含至少一絕緣襯層，覆蓋在該第一電性接觸孔的一側壁上。
10.一種發光二極管結構的制造方法，包含: 提供一絕緣基板； 形成一外延結構，其中該外延結構包含依序堆疊在該絕緣基板的一表面上的第一電性半導體層、主動層與第二電性半導體層； 形成多個第一隔離溝槽與多個第二隔離溝槽于該外延結構中，以定義出多個發光二極管芯片的多個外延層，其中該些第一隔離溝槽分別與該些第二隔離溝槽鄰接； 移除部分的該第二電性半導體層與部分的該主動層，以定義出每一該些發光二極管芯片的一平臺結構與一第一電性半導體層暴露部分，其中每一該些發光二極管芯片包含該些第一隔離溝槽之一者，且該些第一隔離溝槽的該者設于該平臺結構中； 形成多個內連線層、一第一電性電極墊及一第二電性電極墊，其中該些內連線層分別連接該些發光二極管芯片的相鄰二者，該第一電性電極墊及該第二電性電極墊分別設于該些發光二極管芯片的一第一者與一第二者上，且該第一電性電極墊及該第二電性電極墊分別與該第一者的該第一電性半導體層暴露部分及該第二者的該第二電性半導體層電連接; 形成一絕緣反射層覆蓋在該些內連線層、該些平臺結構、該第一電性電極墊與該第二電性電極墊上，其中該絕緣 反射層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的該第一電性電極墊與部分的該第二電性電極墊； 形成一第一電性接合墊于部分的該絕緣反射層上，其中該第一電性接合墊經過該至少一第一貫穿孔而與該第一電性電極墊電連接；以及 形成一第二電性接合墊于另一部分的該絕緣反射層上，其中該第二電性接合墊與該第一電性接合墊分離，且該第二電性接合墊經過該至少一第二貫穿孔而與該第二電性電極墊電連接。
11.如權利要求10所述的發光二極管結構的制造方法，在形成該些第一隔離溝槽與該些第二隔離溝槽于該外延結構中之后，還包含形成多個介電層分別覆蓋在該些外延層上，其中每一該些發光二極管芯片具有第一電性接觸孔與第二電性接觸孔貫穿該介電層，且該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間。
12.如權利要求11所述的發光二極管結構的制造方法，在形成該些介電層前，還包含: 形成多個透明導電層分別介于該些介電層與該些外延層之間；以及 形成多個電流阻障層分別位于該些外延層與該些透明導電層之間， 其中在每一該些發光二極管芯片中，該第一電性接觸孔的一底部暴露出該第一電性半導體層，且該第二電性接觸孔的一底部暴露出該透明導電層，且該些電流阻障層的位置對應的設置于該些第二電性接觸孔的該些底部下。
13.一種發光二極管結構，包含: 絕緣基板；多個發光二極管芯片，其中每一該些發光二極管芯片包含一外延層，該外延層包含依序堆疊在該絕緣基板的一表面上的第一電性半導體層、主動層以及第二電性半導體層，且每一該些發光二極管芯片包含鄰接的一平臺結構與一第一電性半導體層暴露部分、以及一第一隔離溝槽，該第一隔離溝槽設于該平臺結構中； 多個內連線層，分別連接該些發光二極管芯片的相鄰二者； 第一電性電極墊及一第二電性電極墊分別設于該些發光二極管芯片的一第一者與一第二者上，且分別與該第一者的該第一電性半導體層暴露部分及該第二者的該第二電性半導體層電連接； 絕緣層，覆蓋在該些內連線層、該些平臺結構、該第一電性電極墊與該第二電性電極墊上，其中該絕緣層具有至少一第一貫穿孔與至少一第二貫穿孔分別暴露出部分的該第一電性電極墊與該第二電性電極墊； 第一電性接合墊，位于部分的該絕緣層上，且經過該至少一第一貫穿孔而與該第一電性電極墊電連接；以及 第二電性接合墊，位于另一部分的該絕緣層上，并與該第一電性接合墊分離，且經過該至少一第二貫穿孔而與該第二電性電極墊電連接。
14.如權利要求13所述的發光二極管結構，其中該絕緣層是一布拉格反射鏡(DBR)。
15.如權利要求13所述的發光二極管結構，還包含一絕緣反射層，其中每一該些發光二極管芯片還包含一介電層，設于該外延層上，且每一該些發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿該介電層，該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰`的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間，該絕緣反射層覆蓋在每一該些發光二極管芯片的該第一電性接觸孔的一側壁、該第二電性接觸孔的一側壁、與該介電層的一上表面上，以及 每一該些內連線層由每一該些發光二極管芯片的該第二電性接觸孔中經由該第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔中。
16.如權利要求13所述的發光二極管結構，還包含一絕緣反射層，其中 每一該些發光二極管芯片還包含一介電層，設于該外延層上，且每一該些發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿該介電層，該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間，該外延層具有一凹槽，該凹槽的一底部暴露出該第一電性半導體層暴露部分，該第一電性接觸孔暴露出該凹槽的該底部的一部分， 該絕緣反射層覆蓋在每一該些凹槽的一側壁、與每一該些外延層的一上表面上，以及每一該些內連線層由每一該些發光二極管芯片的該第二電性接觸孔中經由該第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔中。
17.如權利要求13所述的發光二極管結構，還包含一絕緣反射層，其中 每一該些發光二極管芯片還包含一介電層，設于該外延層上，且每一該些發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿該介電層，該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間，該外延層具有一凹槽，該凹槽的一底部暴露出該第一電性半導體層暴露部分，該第一電性接觸孔暴露出該凹槽的該底部的一部分，且該介電層覆蓋在該凹槽的一側壁上，該絕緣反射層覆蓋在每一該些外延層的一上表面上，以及 每一該些內連線層由每一該些發光二極管芯片的該第二電性接觸孔中經由該第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔中。
18.如權利要求13所述的發光二極管結構，還包含一絕緣反射層，其中 每一該些發光二極管芯片還包含一介電層，設于該外延層上，且每一該些發光二極管芯片設有一第一電性接觸孔與一第二電性接觸孔貫穿該介電層，該第一隔離溝槽介于該發光二極管芯片的該第二電性接觸孔與相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔之間，該外延層具有一凹槽，該凹槽的一底部暴露出該第一電性半導體層暴露部分，該第一電性接觸孔暴露出該凹槽的該底部的一部分，且該介電層覆蓋在該凹槽的一側壁上， 該絕緣反射層覆蓋在每一該些介電層的一上表面上，以及 每一該些內連線層由每一該些發光二極管芯片的該第二電性接觸孔中經由該第一隔離溝槽上方而延伸至相鄰的該發光二極管芯片的該第一電性接觸孔中。
【文檔編號】H01L23/522GK103700682SQ201310159667
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年5月3日 優先權日:2012年5月4日
【發明者】李學麟, 朱長信, 陳源澤, 徐智魁 申請人:奇力光電科技股份有限公司, 佛山市奇明光電有限公司