非揮發性存儲器及其制作方法

非揮發性存儲器及其制作方法
【專利摘要】本發明公開一種非揮發性存儲器及其制作方法。此非揮發性存儲器包括基底、多個字符線、多個選擇線以及摻雜區。基底具有存儲單元區與二個選擇線區。選擇線區分別位于存儲單元區的相對兩側。字符線設置于存儲單元區中。選擇線設置于選擇線區中。每一字符線的線寬與每一選擇線的線寬相同。相鄰的字符線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字符線之間的間距相同。摻雜區位于每一字符線兩側以及每一選擇線區的兩側的基底中。
【專利說明】非揮發性存儲器及其制作方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種半導體元件及其制作方法，且特別是涉及一種非揮發性存儲器及 其制作方法。

【背景技術】
[0002] 非揮發性存儲器由于具有可多次進行數據的存入、讀取、抹除等動作，且存入的數 據在斷電后也不會消失的優點，所以已成為個人電腦和電子設備所廣泛采用的一種存儲器 元件。
[0003] 在典型的非揮發性存儲器中，多個存儲單元配置于存儲單元區中，且同一行的存 儲單元的柵極結構串聯連接而形成字符線。此外，在存儲單元區的相對兩側具有選擇線區， 且在存儲單元區中配置有字符線，而選擇線區中配置有選擇線。
[0004] 一般來說，選擇線的線寬大于字符線的線寬。因此，在制作過程中，在使用光掩 模定義選擇線以及字符線的圖案時，光掩模的設計困難度較高且光學鄰近效應（optical proximity effect)不易控制，而可能需要進行多次的光學鄰近修正（optical proximity correction, 0PC)才能得到精確的圖案線寬以及圖案間隙。


【發明內容】

[0005] 本發明的目的在于提供一種非揮發性存儲器，其選擇線的線寬與字符線的線寬相 同，且相鄰的字符線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字符線之 間的間距相同。
[0006] 本發明的再一目的在于提供一種非揮發性存儲器的制造方法，其不需要進行多次 的光學鄰近修正就能得到精確的圖案線寬以及圖案間隙。
[0007] 為達上述目的，本發明提出一種非揮發性存儲器的制造方法。此方法是先提供基 底，此基底具有存儲單元區與二個選擇線區。選擇線區分別位于存儲單元區的相對兩側。然 后，于基底上依序形成第一介電層、電荷存儲層（charge storage layer)以及第二介電層。 接著，至少移除于選擇線區中的第二介電層。接著，于基底上形成導體層。而后，進行圖案 化制作工藝以圖案化第一介電層、電荷存儲層、第二介電層以及導體層，以于存儲單元區中 定義出多個字符線，以及于選擇線區中定義出多個選擇線。每一個字符線的線寬與每一個 選擇線的線寬相同。相鄰的字符線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇 線與字符線之間的間距相同。繼之，于每一個字符線兩側以及于每一選擇線區兩側的基底 中形成多個摻雜區。
[0008] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中圖案化制作工藝例如 是二次圖案化（double patterning)制作工藝。
[0009] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中至少移除選擇線區中 的第二介電層的步驟包括移除選擇線區中的第二介電層以及部分電荷存儲層。
[0010] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中至少移除選擇線區中 的第二介電層的步驟包括移除選擇線區中的第二介電層以及電荷存儲層。
[0011] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中基底還具有源極區以 及漏極區，源極區與漏極區分別鄰近對應的選擇線區，在圖案化制作工藝之后，所述的非揮 發性存儲器的制造方法還包括于源極區以及漏極區中形成摻雜區。接著，分別于源極區形 成至少一源極線接點以及于漏極區中形成至少一位線接點。摻雜區位于每一源極線接點的 下方以及兩側的基底中且源極線接點與源極區中的摻雜區連接。摻雜區位于每一位線接點 的下方以及兩側的基底中且位線接點與漏極區中的摻雜區連接。
[0012] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中基底還具有源極區以 及漏極區，源極區與漏極區分別鄰近對應的選擇線區，在進行圖案化制作工藝時，所述的非 揮發性存儲器的制造方法還包括于源極區中定義出至少一條狀的第一堆疊結構。每一第一 堆疊結構的線寬與每一字符線的線寬相同，且相鄰的第一堆疊結構之間的間距以及相鄰的 第一堆疊結構與選擇線之間的間距與相鄰的選擇線之間的間距相同。
[0013] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中在圖案化制作工藝之 后，還包括于每一個第一堆疊結構兩側的基底中形成摻雜區，且于漏極區中形成摻雜區。接 著，于漏極區中形成至少一位線接點，摻雜區位于每一位線接點的下方以及兩側的基底中 且且位線接點與漏極區中的摻雜區連接。
[0014] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中電荷存儲層例如是導 體層或氮化物層。
[0015] 本發明另提出一種非揮發性存儲器，包括基底、多個字符線、多個選擇線以及多個 摻雜區。基底具有存儲單元區與二個選擇線區，且選擇線區分別位于存儲單元區的相對兩 偵k字符線設置于存儲單元區中。選擇線設置于選擇線區中。每一個字符線的線寬與每一 個選擇線的線寬相同。相鄰的字符線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選 擇線與字符線之間的間距相同。摻雜區位于每一個字符線兩側以及每一個選擇線區兩側的 基底中。
[0016] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器，其中源極區鄰近其中一個選擇線區且 位于選擇線區遠離存儲單元區的一側，漏極區鄰近另一個選擇線區且位于選擇線區遠離存 儲單元區的一側，摻雜區還位于源極區以及漏極區中。
[0017] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器，還包括位于源極區中的至少一源極線 接點以及位于漏極區中的至少一位線接點，摻雜區位于每一源極線接點的下方以及兩側的 基底中且源極線接點與源極區中的摻雜區連接，摻雜區位于每一位線接點的下方以及兩側 的基底中且位線接點與漏極區中的摻雜區連接。
[0018] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器，還包括位于源極區中的至少一條狀的 第一堆疊結構以及位于漏極區中的至少一位線接點，其中摻雜區位于每一第一堆疊結構的 兩側的基底中，摻雜區位于每一位線接點的下方以及兩側的基底中且位線接點連接漏極區 中的摻雜區。
[0019] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器，其中每一第一堆疊結構的線寬與每一 字符線的線寬相同。
[0020] 依照本發明實施例所述的非揮發性存儲器，其中相鄰的第一堆疊結構之間的間 距、相鄰的第一堆疊結構與選擇線之間的間距與相鄰的選擇線之間的間距相同。
[0021] 基于上述，在本發明的非揮發性存儲器中，選擇線的線寬與字符線的線寬相同，且 相鄰的字符線之間的間距、相鄰的選擇線之間的間距以及相鄰的選擇線與字符線之間的間 距相同。換言之，選擇線與字符線的圖案密度的均勻性高，因此用來定義這些圖案的光掩模 的設計簡單，進而降低制作困難度并節省制作成本，且易于形成精確的圖案。
[0022] 為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 圖1A至圖1F為依照本發明的實施例所繪示的非揮發性存儲器的制作流程剖面示 意圖；
[0024] 圖2A至圖2B為依照本發明的實施例所繪示的非揮發性存儲器的制作流程剖面示 意圖；
[0025] 圖3繪示本發明的實例1的非揮發性存儲器的選擇線為非等電位的運作情形；
[0026] 圖4繪示本發明的實例1的非揮發性存儲器的選擇線為等電位的運作情形。
[0027] 符號說明
[0028] 100、100a:非揮發性存儲器
[0029] 110:基底
[0030] 112:存儲單元區
[0031] 114:選擇線區
[0032] 116:源極區
[0033] 118 :漏極區
[0034] 120:第一介電層
[0035] 130:電荷存儲層
[0036] 140:第二介電層
[0037] 142:開口
[0038] 150 :導體層
[0039] 160a :字符線
[0040] 160b :選擇線
[0041] 160c :第一堆疊結構
[0042] 160s :堆疊結構
[0043] 170 :摻雜區
[0044] 180:第三介電層
[0045] 190 :源極線接點
[0046] 200 :位線接點
[0047] L1、L2、L3、L4 :線寬
[0048] S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7 :間距

【具體實施方式】
[0049] 圖1A至圖1F為依照本發明一實施例所繪示的非揮發性存儲器的制作流程剖面示 意圖。首先，請參照圖1A，提供基底110。基底110具有存儲單元區112、二個選擇線區114、 源極區116以及漏極區118,其中選擇線區114分別位于存儲單元區112的相對兩側。源 極區116鄰近其中一個選擇線區114,且源極區116位于選擇線區114遠離存儲單元區112 的一側。漏極區118鄰近另一個選擇線區114,且漏極區118位于選擇線區114遠離存儲單 元區112的一側。
[0050] 然后，于基底110上依序形成第一介電層120、電荷存儲層130以及第二介電層 140。第一介電層120例如是氧化物層。電荷存儲層130例如是導體層。第二介電層140 例如是氧化物層。第一介電層120、電荷存儲層130以及第二介電層140的形成方法為本領 域具有通常知識者所熟知，因此不再贅述。
[0051] 接著，請參照圖1B，移除選擇線區114中的第二介電層140以及部分電荷存儲層 130而形成開口 142。開口 142的形成方法例如是進行各向異性蝕刻制作工藝。在本實施 例中，由于電荷存儲層130為導體層且其可與后續形成的另一導體層共同作為選擇線中的 柵極，因此僅移除了第二介電層140以及部分電荷存儲層130。當然，在其他實施例中，也可 以僅移除第二介電層140,或是移除第二介電層140以及其下方的全部電荷存儲層130。
[0052] 之后，請參照圖1C，于整個基底110上形成導體層150,且導體層150填滿開口 142。
[0053] 特別一提的是，在本實施例中，電荷存儲層130為導體層，但本發明不限于此。在 其他未繪示的實施例中，電荷存儲層130也可以是氮化物層。在電荷存儲層130為氮化物 層的實施例中，由于后續必須于選擇線區114中的第一介電層120上形成導體層來作為柵 極，因此所形成的開口 142必須貫穿第二介電層140與電荷存儲層130以暴露出第一介電 層 120。
[0054] 而后，請參照圖1D，進行圖案化制作工藝，以圖案化第一介電層120、電荷存儲層 130、第二介電層140以及導體層150。由此，同時于存儲單元區112中定義出多個字符線 160a，于選擇線區114中定義出多個選擇線160b。
[0055] 在本實施例中，以圖案化制作工藝定義出字符線160a以及選擇線160b時，就一 并移除位于源極區116以及位于漏極區118上的堆疊層(包括第一介電極120、電荷存儲層 130以及第二介電層140)。詳細而言，可先以第一道曝光以及顯影程序在所有區域(包括存 儲單元區112、選擇線區114、源極區116以及漏極區118)中形成圖案規律的圖案化光致抗 蝕劑。接著，再以第二道曝光以及顯影程序移除位于源極區116以及漏極區118中的圖案 化光致抗蝕劑。再來，通過各向異性蝕刻制作工藝移除部分堆疊層后形成字符線160a以及 選擇線160b，以形成如圖1D所示的結構。
[0056] 在本發明的另一實施例中，也可以是以圖案化制作工藝定義出字符線160a以及 選擇線160b時，同時于源極區116以及漏極區118中定義出多個與字符線160a以及選擇 線160b的線寬相同的至少一個堆疊結構160s，如圖1D'所示。接著，再另外通過移除制作 工藝移除上述位于源極區116以及漏極區118的堆疊結構160s，以形成如圖1D所示的結 構。詳細而言，可先以第一道曝光以及顯影程序在所有區域(包括存儲單元區112、選擇線 區114、源極區116以及漏極區118)中形成圖案規律的圖案化光致抗蝕劑。接著，以第一道 各向異性蝕刻制作工藝移除部分堆疊層后，形成字符線160a、選擇線160b以及位于源極區 116以及漏極區118中的多個堆疊結構160s。接著，再進行第二道曝光以及顯影程序，移除 位于源極區116以及漏極區118的圖案化光致抗蝕劑，并進行第二道各向異性蝕刻制作工 藝以移除位于源極區116以及漏極區118中的該些堆疊結構160s，以形成如圖1D所示的結 構。
[0057] 請同時參照圖1C以及圖1D，在字符線160a中，第一介電層120作為穿隧介電層， 電荷存儲層130 (導體層)作為浮置柵極，第二介電層140作為柵間介電層，且導體層150作 為控制柵極。在選擇線160b中，第一介電層120作為選擇晶體管的柵介電層，且電荷存儲 層130 (導體層）與導體層150共同作為選擇晶體管的柵極。
[0058] 圖1D中僅繪示4個字符線160a以作說明。然而，本發明不限于此。在其他實施 例中，字符線160a的個數可以是32個、64個、96個或128個等，此領域具有通常知識者可 依其需求自行設計字符線160a的個數。
[0059] 選擇線160b與字符線160a之間例如是未設置虛擬字符線。不過，在其他實施例 中，也可以于選擇線160b與字符線160a之間設置至少一虛擬字符線（dummy word line)。
[0060] 在本實施例中，每一個字符線160a的線寬L1以及每一個選擇線160b的線寬L2 皆相同，且相鄰的字符線160a之間的間距S1、相鄰的選擇線160b之間的間距S2以及相鄰 的選擇線160b與字符線160a之間的間距S3皆相同。在本實施例中，圖案化制作工藝例如 為二次圖案化制作工藝，其可以容易地定義出線寬相同以及間距相同的圖案，但本實施例 并不限于此，只要是可以定義出線寬相同且間距相同的圖案的圖案化制作工藝都可以作為 本發明的圖案化制作工藝。
[0061] 對于現有的非揮發性存儲器來說，通常是于選擇線區中制作一個選擇線，且選擇 線的線寬大于字符線的線寬。如此一來，圖案并不規律因而不易形成，且所形成的圖案的 精確度較差。在本實施例中，圖案的線寬皆相同，且圖案之間的間距也皆相同，因此圖案規 律。據此，在圖案化制作工藝中用來定義這些圖案的光掩模的設計簡單，而且也不需要進 行多次的光學鄰近修正就可以得到精確的圖案。以另一方面來看，由于字符線160a與選 擇線160b具有規律的圖案，因此位于邊緣的字符線160a的不易有嚴重的關鍵尺寸的偏差 (critical dimension variation,⑶variation)且能夠減少位于邊緣的字符線160a的線 寬粗糙度（line width roughness)以及線邊緣粗糙度（line edge roughness)。
[0062] 繼之，請參照圖1E，進行離子注入制作工藝，以于存儲單元區112、選擇線區114、 源極區116以及漏極區118中形成多個摻雜區170。具體而言，摻雜區170形成于存儲單 元區112中的每一個字符線160a兩側的基底110中。此外，摻雜區170也形成于選擇線區 114兩側的基底110中，且摻雜區170例如是形成于最外側的兩個選擇線160b的外側的基 底110中，如圖1E所示。換言之，摻雜區170形成于最左側的選擇線160b的左側的基底中 以及形成于最右側的選擇線160b的右側的基底110中。而且，相鄰的選擇線160b之間的 基底110中則未形成有摻雜區170。如此一來，在選擇線區114中，摻雜區170之間的通道 長度仍可維持與現有技術中線寬較大的單一選擇線的通道長度相同而具有相同的功效。
[0063] 值得一提的是，在本實施例中，選擇線區114中形成有三個選擇線160b，但本發明 并不限于此。在其他實施例中，也可以于選擇線區114中制作出兩個或四個以上的選擇線 160b。具體來說，本發明不限定選擇線區114中選擇線160b的個數。只要位于摻雜區170 之間的通道長度符合需求，就算是選擇線區114中具有多個選擇線160b也可以達到與現有 只具有單一個選擇線時相同的電性表現。
[0064] 在本發明的一實施例(未繪示）中，非揮發性存儲器選擇線區中具有三個選擇線， 其中每一個選擇線的寬度為28nm，且選擇線區的寬度為140nm。在本發明的另一實施例中 (未繪示)，非揮發性存儲器選擇線區中具有四個選擇線，其中每一個選擇線的寬度為20nm， 且選擇線區的寬度為140nm。比較例為選擇線區中只具有一個選擇線的非揮發性存儲器，其 中選擇線的寬度為140nm，且選擇線區的寬度為140nm。
[0065] 以另一方面來看，本實施例的選擇線區114包括三個寬度較窄的選擇線160b，其 中每一個寬度較窄的選擇線160b可以獨立地施加偏壓來驅動，因此可以增加存儲器的操 作窗（operation window)。當然，這些寬度較窄的選擇線160b也可以共同地施加偏壓來驅 動。換言之，本實施例可利用多個較細且等電位的選擇線160b取代現有單一個較寬的選擇 線，而且各選擇線160b的線寬L2與各字符線160a的線寬L1相同。
[0066] 再來，請參照圖1F，于基底110上形成第三介電層180。然后，分別于非揮發性存 儲器100的源極區116以及漏極區118的第三介電層180中形成多個源極線接點（source line contact) 190以及多個位線接點（bit line contact) 200,其中源極線接點190例如 是孔洞型接點（hole type contact)。后續制作工藝中所形成的源極線(未繪示）會通過該 些源極線接點190與源極區116的摻雜區170連接。后續制作工藝中所形成的位線(未繪 示）會通過該些位線接點200與漏極區118的摻雜區170連接。
[0067] 此外，本實施例是以形成多個孔洞型源極線接點190,再形成一條源極線與該些孔 洞型源極線接點連接為例說明。然而，本發明不限于此。在其他實施例中，也可以是形成單 一個線型源極線接點（line type source line contact),且此線型源極線接點即可作為源 極線使用。
[0068] 值得一提的是，本實施例的非揮發性存儲器100的各個選擇線160b彼此之間是并 聯的，因此各個選擇線160b彼此之間可以具有相同的電位，即等電位驅動。此外，本實施例 的各個選擇線160b也可以是具有不同的電位，S卩非等電位驅動。換言之，通過各個選擇線 160b的獨立驅動，可以調整各個選擇線160b的電位以使非揮發性存儲器100得到較大的操 作區間（operation window)。
[0069] 圖2A至圖2B為依照本發明另一實施例所繪示的非揮發性存儲器的制作流程剖面 示意圖。在本實施例中，與圖1A至圖1F相同的元件將標示相同的標號。
[0070] 首先，進行與圖1A至圖1D相似的步驟，其中不同的是，在圖1B所示的步驟中，移 除了選擇線區114中的第二介電層140以及部分電荷存儲層130,而在本實施例中，則是進 一步移除了源極區116中的第二介電層140以及部分電荷存儲層130。
[0071] 此外，在圖1D所示的步驟中，在定義字符線160a以及選擇線160b的同時，還于源 極區116中定義了至少一條狀的第一堆疊結構160c(繪示于圖2A中）。第一堆疊結構160c 的線寬可與字符線160a的線寬L1以及選擇線160b的線寬L2相同，且第一堆疊結構160c 與相鄰的選擇線160b之間的間距可與相鄰選擇線160b之間的間距S2相同。在本實施例 中，以圖案化制作工藝定義出字符線160a以及選擇線160b時，就一并移除位于漏極區118 上的堆疊層(包括第一介電極120、電荷存儲層130以及第二介電層140)。詳細而言，可先 以第一道曝光以及顯影程序在所有區域(包括存儲單元區112、選擇線區114、源極區116以 及漏極區118)中形成圖案規律的圖案化光致抗蝕劑。接著，再以第二道曝光以及顯影程序 移除位于漏極區118中的圖案化光致抗蝕劑。再來，通過各向異性蝕刻制作工藝移除部分 堆疊層后形成字符線160a、選擇線160b以及第一堆疊結構160c，以形成如圖2A所示的結 構。
[0072] 在本發明的另一實施例中，也可以是以圖案化制作工藝定義出字符線160a以及 選擇線160b時，同時于源極區116中定義出多個與字符線160a以及選擇線160b的線寬相 同的第一堆疊結構160c，并且于漏極區118中定義出多個與字符線160a以及選擇線160b 的線寬相同的堆疊結構(未繪示)，接著，再另外通過移除制作工藝移除上述位于漏極區118 的堆疊結構。詳細而言，可先以第一道曝光以及顯影程序在所有區域(包括存儲單元區112、 選擇線區114、源極區116以及漏極區118)中形成圖案規律的圖案化光致抗蝕劑。接著，以 第一道各向異性蝕刻制作工藝移除部分堆疊層后，形成字符線160a、選擇線160b、第一堆 疊結構160c以及位于漏極區118中的多個堆疊結構。接著，再進行第二道曝光以及顯影程 序，移除位于漏極區118的圖案化光致抗蝕劑，并進行第二道各向異性蝕刻制作工藝以移 除位于漏極區118中的該些堆疊結構，以形成如圖2A所示的結構。
[0073] 接著，請再參照圖2A，進行離子注入制作工藝，以于存儲單元區112、選擇線區 114、源極區116以及漏極區118中形成多個摻雜區170,其中存儲單元區112、選擇線區114 以及漏極區118中的摻雜區170的形成位置與圖1E相同，可參考圖1E的相關描述。在源 極區116中，摻雜區170則形成于每一個第一堆疊結構160c的兩側的基底110中。
[0074] 之后，請參照圖2B，進行類似圖1F所述的步驟，于基底110上形成第三介電層 180。然后，于揮發性存儲器100a的源極區116中的第三介電層180中形成與第一堆疊結 構160c連接的源極線接點及源極線（未繪示)，且源極線接點與源極區116中的摻雜區170 連接，以及于漏極區118的第三介電層180中形成位線接點200。第一堆疊結構160c可作 為源極線的一部分，換言之，后續于制作源極線(未繪示）時，可以先形成源極接點（source contact)，再使源極線與第一堆疊結構160c通過源極線接點連接，以由此降低源極線的阻 值。
[0075] < 實驗 >
[0076] 實例1的非揮發性存儲器包括多個選擇線，且實例1的非揮發性存儲器的各存儲 單元分別與其中一條字符線連接，這些字符線依序為WL-0至WL-63。圖3中的S⑶-0表示靠 近漏極區的第一選擇線，SGD-1表示靠近漏極區的第二選擇線，SGS-0表示靠近源極區的第 一選擇線，SGS-1表示靠近源極區的第二選擇線，BL表示位線，SOURCE表示源極線。圖3以 及圖4繪示抹除（ERASE)操作模式、抹除驗證（erase verify)操作模式、程式化（PROGRAM) 操作模式以及讀取（READ)操作模式的操作電壓（operation voltages)。
[0077] 圖3繪示本發明的實例1的非揮發性存儲器的選擇線為非等電位的運作情形。 在圖3的實例中，為增加操作時的操作區間，SGD1/SGD2/SGD3可分別具有不同的電位，且 SGS1/SGS2/SGS3可分別具有不同的電位。
[0078] 圖4繪示本發明的實例1的非揮發性存儲器的選擇線為等電位的運作情形。在 圖4的實例中，為避免電路設計及操作過于復雜，可以將S⑶1/S⑶2/S⑶3連接在一起，且將 SGS1/SGS2/SGS3連接在一起。因此，這樣的操作方式可以與現有只有單一個S⑶以及單一 個SGS的運作方式相同。此外，由圖4的程式化（PROGRAM)的操作模式可知，各個選擇線之 間可以具有相同的電位。由此，可以簡化電路設計及操作的復雜性。
【權利要求】
1. 一種非揮發性存儲器的制造方法，包括： 提供基底，所述基底具有存儲單元區與二個選擇線區，所述選擇線區分別位于所述存 儲單元區的相對兩側； 于所述基底上依序形成第一介電層、電荷存儲層以及第二介電層； 至少移除所述選擇線區中的所述第二介電層； 于所述基底上形成導體層； 進行圖案化制作工藝，圖案化所述第一介電層、所述電荷存儲層、所述第二介電層以及 所述導體層，以于所述存儲單元區中定義出多個字符線，以及于所述選擇線區中定義出多 個選擇線，其中每一所述字符線的線寬與每一所述選擇線的線寬相同，且相鄰的所述字符 線之間的間距、相鄰的所述選擇線之間的間距以及相鄰的所述選擇線與所述字符線之間的 間距相同；以及 于每一所述字符線的兩側以及于每一所述選擇線區的兩側的所述基底中形成多個摻 雜區。
2. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中所述圖案化制作工藝包括二 次圖案化制作工藝。
3. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中至少移除所述選擇線區中的 所述第二介電層的步驟包括移除所述選擇線區中的所述第二介電層以及部分所述電荷存 儲層。
4. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中至少移除所述選擇線區中的 所述第二介電層的步驟包括移除所述選擇線區中的所述第二介電層以及所述電荷存儲層。
5. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中所述基底還具有源極區以及 漏極區，所述源極區與所述漏極區分別鄰近對應的所述選擇線區，在進行所述圖案化制作 工藝以定義出所述字符線以及所述選擇線時，還包括： 于所述源極區以及所述漏極區中分別形成至少一堆疊結構，每一所述堆疊結構的線寬 與每一所述字符線的線寬相同；以及 移除所述堆疊結構。
6. 如權利要求1或5所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中在所述圖案化制作工藝 之后，所述的非揮發性存儲器的制造方法還包括： 于所述源極區以及所述漏極區中形成所述摻雜區；以及 于所述源極區形成至少一源極線接點以及于所述漏極區中形成至少一位線接點，其中 所述摻雜區位于每一所述源極線接點的下方以及兩側的所述基底中且所述源極線接點與 所述源極區中的所述摻雜區連接，所述摻雜區位于每一所述位線接點的下方以及兩側的所 述基底中且所述位線接點與所述漏極區中的所述摻雜區連接。
7. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中所述基底還具有源極區以及 漏極區，所述源極區與所述漏極區分別鄰近對應的所述選擇線區，在進行所述圖案化制作 工藝時，所述的非揮發性存儲器的制造方法還包括： 于所述源極區中定義出至少一條狀的第一堆疊結構，每一所述第一堆疊結構的線寬與 每一所述字符線的線寬相同，且相鄰的所述第一堆疊結構之間的間距以及相鄰的所述第一 堆疊結構與所述選擇線之間的間距與相鄰的所述選擇線之間的間距相同。
8. 如權利要求7所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中在定義所述第一堆疊結構 時，還包括： 于所述漏極區中定義出至少一堆疊結構，每一所述堆疊結構的線寬與每一所述字符線 的線寬相同；以及 移除所述堆疊結構。
9. 如權利要求6或7所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中在所述圖案化制作工藝 之后，還包括： 于每一所述第一堆疊結構的兩側的所述基底中形成所述摻雜區，以及于所述漏極區中 形成所述摻雜區；以及 于所述漏極區中形成至少一位線接點，其中所述摻雜區位于每一所述位線接點的下方 以及兩側的所述基底中且所述位線接點與所述漏極區中的所述摻雜區連接。
10. 如權利要求1所述的非揮發性存儲器的制造方法，其中所述電荷存儲層包括導體 層或氮化物層。
11. 一種非揮發性存儲器，包括： 基底，具有存儲單元區與二個選擇線區，所述選擇線區分別位于所述存儲單元區的相 對兩側； 多個字符線，設置于所述存儲單元區中； 多個選擇線，設置于所述選擇線區中，其中每一所述選擇線的線寬與每一所述字符線 的線寬相同，且相鄰的所述選擇線之間的間距、相鄰的所述字符線之間的間距以及相鄰的 所述選擇線與所述字符線之間的間距相同；以及 多個摻雜區，位于每一所述字符線的兩側以及每一所述選擇線區的兩側的所述基底 中。
12. 如權利要求11所述的非揮發性存儲器，其中所述基底還具有源極區以及漏極區， 其中所述源極區鄰近其中一個所述選擇線區且位于所述選擇線區遠離所述存儲單元區的 一側，所述漏極區鄰近另一個所述選擇線區且位于所述選擇線區遠離所述存儲單元區的一 側，所述摻雜區還位于所述源極區以及所述漏極區中。
13. 如權利要求12所述的非揮發性存儲器，還包括位于所述源極區中的至少一源極線 接點以及位于所述漏極區中的至少一位線接點，所述摻雜區位于每一所述源極線接點的下 方以及兩側的所述基底中且所述源極線接點與所述源極區中的所述摻雜區連接，所述摻雜 區位于每一所述位線接點的下方以及兩側的所述基底中且所述位線接點與所述漏極區中 的所述摻雜區連接。
14. 如權利要求12所述的非揮發性存儲器，還包括位于所述源極區中的至少一條狀的 第一堆疊結構以及位于所述漏極區中的至少一位線接點，其中所述摻雜區位于每一所述第 一堆疊結構的兩側的所述基底中，所述摻雜區位于每一所述位線接點的下方以及兩側的所 述基底中且所述位線接點連接所述漏極區中的所述摻雜區。
15. 如權利要求14所述的非揮發性存儲器，其中每一所述第一堆疊結構的線寬與每一 所述字符線的線寬相同。
16. 如權利要求14所述的非揮發性存儲器，其中所述相鄰的所述第一堆疊結構之間的 間距、相鄰的所述第一堆疊結構與所述選擇線之間的間距與相鄰的所述選擇線之間的間距 相同。
17.如權利要求11所述的非揮發性存儲器，其中所述選擇線之間為并聯連接。
【文檔編號】H01L21/8247GK104064522SQ201310130836
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年4月16日 優先權日:2013年3月19日
【發明者】陳輝煌, 陳志遠, 王子嵩 申請人:力晶科技股份有限公司