固態成像裝置及其制造方法

專利名稱：固態成像裝置及其制造方法
技術領域：
本發明涉及固態成像裝置,特別是涉及具有全域快門(global shutter)功能的CMOS型固態成像裝置及其制造方法。另外，本發明涉及該固態成像裝置的驅動方法以及使用該固態成像裝置的電子設備。
背景技術：
近年來，攝像機和電子靜態照相機等一般被廣泛普及。在上述的相機中使用CXD(Charge Coupled Device，電荷耦合器件)型或放大型的固態成像裝置。在放大型的固態成像裝置中，將通過受光像素的光電轉換部生成并蓄積的信號電荷導向設置在像素上的放大部，并從像素輸出通過放大部放大的信號。并且，在放大型的固態成像裝置中，例如包括在放大部采用貼合型場效應晶體管的固態成像裝置以及在放大部采用CMOS (ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體)晶體管的CMOS型固態成像裝置等。以往，在一般的CMOS型固態成像裝置中，采用針對每一行依次讀出通過二維矩陣狀地排列的各個像素的光電轉換部生成并蓄積的信號電荷的方式。在該情況下，各個像素的光電轉換部中的曝光定時由于通過信號電荷的讀出開始以及讀出結束來確定，因此在每一個像素上的曝光的定時不同。因此，當使用上述CMOS型固態成像裝置來對高速運動的拍攝體進行圖像捕獲時，存在拍攝體在變形的狀態下被捕獲圖像的問題。為了解決上述問題，近年來提出了實現信號電荷的蓄積的同時刻性的成像功能(全域快門功能)，另外，具有全域快門功能的CMOS型固態成像裝置的用途也開始增多。在具有全域快門功能的CMOS型固態成像裝置中，通常為了將通過光電轉換部生成的信號電荷蓄積至讀出時，而需要具有遮光性的蓄積電容部(例如，參考專利文獻I)。在上述以往的CMOS型固態成像裝置中，在同時曝光全部像素之后，將通過各個光電轉換部生成的信號電荷在全部像素上同時地傳輸給各個蓄積電容部并由該蓄積電容部暫時蓄積，并在預定的讀出定時將該信號電荷依次轉換為像素信號。專利文獻1:日本專利文獻特開2004-111590號公報。

發明內容
然而，在以往的具有全域快門功能的CMOS型固態成像裝置中，需要將光電轉換部和蓄積電容部制成在襯底的同一平面上，芯片面積的增大將不可避免。此外，在逐年步入縮小化和多像素化的市場上，由于芯片面積的增大而引起成本增加的負擔正在變嚴重。另外，在將光電轉換部和蓄積電容部形成在襯底的同一平面的情況下，由于襯底的面積采用于蓄積電容部， 因而存在光電轉換部的受光面積變小的問題。
鑒于上述問題，本發明提供一種縮小了形成固態成像裝置的芯片面積并降低了單個芯片的成本的固態成像裝置。另外，提供一種通過使用該固態成像裝置而實現小型化的電子設備。為解決上述問題并達成本發明的目的，本發明的固態成像裝置通過將形成光電轉換部的第一襯底與形成多個MOS晶體管的第二襯底貼合而構成。另外，在第一襯底或者第二襯底形成電荷蓄積電容部。光電轉換部是生成并蓄積對應于入射光的信號電荷的區域。另外，電荷蓄積電容部是蓄積從光電轉換部傳輸的信號電荷的區域。另外，多個MOS晶體管被構成為用于傳輸電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷。并且，通過這些光電轉換部、電荷蓄積電容部以及多個MOS晶體管形成像素。另外，在第一襯底和第二襯底分別形成連接電極，第一襯底和第二襯底通過連接電極電連接。在本發明的固態成像裝置中，第一襯底和第二襯底通過連接電極電連接，由此第一襯底和第二襯底被一體化。另外，由于在第一襯底形成光電轉換部，在第二襯底形成多個MOS晶體管， 因此能夠較大地確保形成在第一襯底的光電轉換部的面積。本發明的固態成像裝置的制造方法包括在第一襯底上形成生成并蓄積對應于入射光的信號電荷的光電轉換部以及形成被形成為從第一襯底表面露出的連接電極的步驟。另外，包括在第一襯底或者第二襯底形成蓄積從光電轉換部傳輸的信號電荷的電荷蓄積電容部的步驟。另外，包括在第二襯底上形成用于順序傳輸電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷的多個MOS晶體管和在第一襯底上形成被形成為從第二襯底表面露出的連接電極的步驟。另外，包括在第二襯底上部的光入射側貼合第一襯底使得在第二襯底表面露出的連接電極和在第一襯底表面露出的連接電極電連接的步驟。本發明的固態成像裝置的制造方法包括如下步驟:在上述的本發明的固態成像裝置中在全部像素上同時刻地開始光電轉換部中的信號電荷的蓄積；在全部像素上同時刻地將在光電轉換部中蓄積的信號電荷傳輸給電荷蓄積電容部。并且，包括針對每個像素，經由MOS晶體管順序傳輸所述電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷的步驟。本發明的電子設備包括光學透鏡、上述的本發明的固態成像裝置以及處理從固態成像裝置輸出的輸出信號的信號處理電路。發明效果根據本發明，縮小了形成固態成像裝置的芯片面積，并且降低了單個芯片的成本。另外，通過使用本發明的固態成像裝置，獲得實現小型化的電子設備。


圖1是示出本發明的第一實施方式的固態成像裝置的整體的簡要構成圖；圖2是示出本發明的第一實施方式的固態成像裝置的一個像素的簡要截面構成圖；圖3是示出本發明的第一實施方式的固態成像裝置的制造過程中的簡要截面構成圖；圖4是第一襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖、以及第二襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖(之一);
圖5是第一襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖、以及第二襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖(之二);圖6是第一襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖、以及第二襯底中的第一連接電極和第二連接電極的制造工序圖(之三);圖7是第一襯底中的第一連接電極和第二連接電極與第二襯底中的第一連接電極和第二連接電極的貼合方法的示意圖；圖8是第一襯底中的第一連接電極和第二連接電極與第二襯底中的第一連接電極和第二連接電極的貼合方法的示意圖；圖9是本發明的第一實施方式中的固態成像裝置的一個像素的電路結構；圖10是本發明的第一實施方式中的固態成像裝置的鄰接的兩行兩列上的四個像素的電路結構；圖11是示出本發明的第一實施方式中的固態成像裝置的驅動方法的時間圖的一個例子； 圖12是本發明的第二實施方式的固態成像裝置的簡要截面構成圖；圖13是本發明的第三實施方式的電子設備的簡要構成圖。
具體實施例方式下面，參考圖1 13來說明本發明的實施方式的固態成像裝置及其制造方法以及電子設備的一個例子。根據以下順序來說明本發明的實施方式。本發明并不限定于以下例子。1.第一實施方式:固態成像裝置1.1固態成像裝置整體的構成1.2主要部分的構成1.3固態成像裝置的制造方法1.4固態成像裝置的電路構成1.5固態成像裝置的驅動方法2.第二實施方式:固態成像裝置3.第三實施方式:電子設備〈1.第一實施方式:固態成像裝置〉[1.1固態成像裝置整體的構成]圖1是示出本發明的第一實施方式的固態成像裝置I的整體的簡要構成圖。本實施方式例子的固態成像裝置I包括:由排列在襯底11上的多個像素2構成的像素部3，所述襯底11由硅形成；垂直驅動電路4 ;列信號處理電路5 ;水平驅動電路6 ;輸出電路7 ;以及控制電路8。像素2包括由光電二極管構成的光電轉換部、電荷蓄積電容部以及多個MOS晶體管，并且多個所述像素2 二維矩陣狀地規則排列在襯底11上。構成像素2的MOS晶體管可以是由傳輸晶體管、復位晶體管、選擇晶體管以及放大晶體管組成的四個MOS晶體管，另外也可以是去除選擇晶體管之后的三個MOS晶體管。像素部3由規則地排列成二維矩陣狀的多個像素2構成。像素部3由有效像素區域和黑基準像素區域(圖中沒有示出)構成，其中，有效像素區域實際接受光并將通過光電轉換生成的信號電荷放大后讀出至列信號處理電路5，黑基準像素區域用于輸出作為黑色電平的基準的光學黑色。黑基準像素區域通常形成在有效像素區域的周圍部。控制電路8基于垂直同步信號、水平同步信號以及主時鐘，生成作為垂直驅動電路4、列信號處理電路5以及水平驅動電路6等進行動作的基準的時鐘信號和控制信號等。然后，通過控制電路8生成的時鐘信號和控制信號等被輸入垂直驅動電路4、列信號處理電路5以及水平驅動電路6等。垂直驅動電路4例如由移位寄存器構成，并以行為單位依次沿垂直方向選擇性地掃描像素部3的各個像素2。并且，將基于信號電荷的像素信號通過垂直信號線提供給列信號處理電路5，其中信號電荷是在各個像素2的光電二極管中根據受光量而生成的。列信號處理電路5對應像素2的例如每一列而配置，其對于從一行像素2輸出的信號，按照每一像素列通過來自黑色基準像素區域(圖中雖未示出，但其形成在有效像素區域的周圍)的信號進行去噪或信號放大等信號處理。在列信號處理電路5的輸出級與水平信號線10之間設置有 水平選擇開關(圖中沒有示出)。水平驅動電路6例如由移位寄存器構成，其通過依次輸出水平掃描脈沖來順序選擇每一個列信號處理電路5,以從每一個列信號處理電路5向水平信號線10輸出像素信號。輸出電路7對從每一個列信號處理電路5通過水平信號線10依次提供而來的信號進行信號處理后將其輸出。[1-2主要部分的構成]接下來，使用圖2 3來說明本實施方式例子的固態成像裝置I的主要部分的簡要構成。圖2是本實施方式的固態成像裝置I的一個像素的簡要截面構成圖，圖3是圖2所示固態成像裝置的制造過程中的簡要截面構成圖。如圖1所示，本實施例的固態成像裝置I包括形成光電轉換部ro的第一襯底80、以及形成電荷蓄積電容部61和多個MOS晶體管的第二襯底81。并且，第一襯底80和第二襯底81被層疊貼合。另外，形成光電轉換部F1D的第一襯底80側被構成為入射光L的光入射面，在第一襯底80的光入射面上形成濾色器59以及片上透鏡60。使用圖3來詳細說明第一襯底80和第二襯底81的構成。首先說明第一襯底80。如圖3的A所示，第一襯底80包括:光電轉換部H);形成雜質區域16的半導體襯底12，所述雜質區域16被設置為第一傳輸晶體管Trl的漏極；以及形成在所述半導體襯底12上部的多層配線層17。半導體襯底12由N型的硅襯底形成，在該半導體襯底12上部形成P型阱層13。P型阱層13能夠通過在半導體襯底12上離子注入P型雜質來形成。光電轉換部H)包括N型阱層14、以及位于與N型阱層14鄰接的區域并形成在P型阱層13的表面側的P+型雜質區域15，所述N型阱層14形成在P型阱層13中。N型阱層14通過向P型阱層13的期望的區域離子注入N型雜質來形成。另外，P+型雜質區域15通過向P型阱層13的期望的區域高濃度地離子注入P型雜質來形成。在該光電轉換部H)中，通過P+型雜質區域15與N型阱層14的pn結以及N型阱層14與P型阱層13的pn結的效應，而構成HAD (Hole Accumulation Diode:注冊商標)構造。
在具有上述構造的光電轉換部F1D中，生成對應于入射的光L的光量的信號電荷，在形成于P+型雜質區域15與N型阱層14之間的耗盡層蓄積經光電轉換的信號電荷。雜質區域16形成在P型阱層13表面側與光電轉換部ro相距預定距離的區域上，其被設置為暫時地蓄積從光電轉換部ro傳輸過來的信號電荷的區域。該雜質區域16通過向P型阱層13的期望的區域高濃度地離子注入N型雜質來形成。在本實施方式例子中，光電轉換部ro與雜質區域16之間的區域被設置為第一傳輸晶體管Trl的溝槽部。多層配線層17形成在半導體襯底12的形成有光電轉換部H)或雜質區域16的P型阱層13上部。在多層配線層17中，經由層間絕緣膜18層疊著構成第一傳輸晶體管Trl的柵極電極19、形成在柵極電極19上部的第一配線層Ml、以及形成在第一配線層Ml上部的第二配線層M2。柵極電極19經由未圖示的柵極絕緣膜形成在光電轉換部H)和雜質區域16之間的溝槽部上部，所述光電轉換部ro形成于P型阱層13。在第一配線層Ml中， 分別構成第一連接配線23與第二連接配線22。第一連接配線23經由形成在層間絕緣膜18上的接觸部21與雜質區域16連接。另外，第二連接配線22經由形成在層間絕緣膜18的接觸部20與柵極電極19連接。在第二配線層M2中，分別構成第一連接電極27與第二連接電極26。第一連接電極27和第二連接電極26被形成為在多層配線層17表面上露出。第一連接電極27經由形成在層間絕緣膜18的接觸部24與由第一配線層Ml構成的第一連接配線23連接。另外，第二連接電極26經由形成在層間絕緣膜18的接觸部25與由第一配線層Ml構成的第二連接配線22連接。在具有以上構成的第一襯底80中，半導體襯底12的與形成第一連接電極27和第二連接電極26那側相反的一側為光入射側。另外，第一襯底中的半導體襯底12通過后面的工序而被去除至預定的厚度(后面會進行說明)。接下來，說明第二襯底81。如圖3的B所示，第二襯底81包括形成有作為多個MOS晶體管的源極/漏極的雜質區域30、31、32、34、35的半導體襯底28、以及形成在該半導體襯底28上部的多層配線層36。并且,在多層配線層36中形成電荷蓄積電容部61。在本實施方式例子中，形成在第一襯底81上的多個MOS晶體管為第二傳輸晶體管Tr2、復位晶體管Tr3、放大晶體管Tr4以及選擇晶體管Tr5。半導體襯底28由N型硅襯底形成，在該半導體襯底28上部形成P型阱層29。P型阱層29能夠通過在半導體襯底28上離子注入P型雜質來形成。構成第二傳輸晶體管Tr2、復位晶體管Tr3、放大晶體管Tr4以及選擇晶體管Tr5的各雜質區域30、31、32、34、35分別形成在P型阱層29表面側的期望的區域。上述的雜質區域30、31、32、34、35通過向P型阱層29的期望的區域高濃度地離子注入N型雜質來形成。雜質區域30被作為第二傳輸晶體管Tr2的源極。另外，雜質區域31被共享地作為第二傳輸晶體管Tr2的漏極和復位晶體管Tr3的源極，并作為讀出信號電荷的浮動擴散區域來使用。另外，雜質區域32被共享地作為復位晶體管Tr3的漏極和放大晶體管Tr4的源極。另外，雜質區域34被共享地作為放大晶體管Tr4的漏極和選擇晶體管Tr5的源極。另外，雜質區域35被作為選擇晶體管Tr5的漏極。并且，各雜質區域30、31、32、34、35之間的P型阱層29區域被作為構成各MOS晶體管的溝槽部。多層配線層36形成在半導體襯底28的、形成雜質區域30、31、32、34、35的P型阱層29上部。在多層配線層36中，經由層間絕緣膜37層疊著構成各個MOS晶體管的柵極電極38、39、40、41、第一配線層Ml’、第二配線層M2’以及第三配線層M3，。各個柵極電極38、39、40、41經由未圖示的柵極絕緣膜形成在構成各MOS晶體管的溝槽部上。形成在雜質區域30和雜質區域31之間的P型阱層29上部的柵極電極38被作為第二傳輸晶體管Tr2的柵極電極38。另外，形成在雜質區域31和雜質區域32之間的P型阱層29上部的柵極電極39被作為復位晶體管Tr3的柵極電極。另外，形成在雜質區域32和雜質區域34之間的P型阱層29上部的柵極電極40被作為放大晶體管Tr4的柵極電極。另外，形成在雜質區域34和雜質區域35之間的P型阱層29上部的柵極電極41被作為選擇晶體管Tr5的柵極電極。第一配線層Ml’經由層間絕緣膜37形成在柵極電極38、39、40、41上部，在該第一配線層Ml’中分別構成第一連接配線50、第二連接配線49、選擇配線48以及垂直信號配線9。第一連接配線50經由形成在層間絕緣膜37的接觸部42與作為第二傳輸晶體管Tr2的源極的雜質區域30連接。第二連接配線49經由形成在層間絕緣膜37的接觸部43、44分別與雜質區域31和放大晶體管Tr4的源極電極40連接。即，通過第二連接配線49，將作為浮動擴散區域的雜質區域31與放大晶體管Tr4的柵極電極40電連接。另外，選擇配線48經由形成在層間絕緣膜37的接觸部45與選擇晶體管Tr5的柵極電極41連接。并且，通過選擇配線48向選擇晶體管Tr5的柵極電極41供應選擇脈沖。另外，垂直信號線9經由形成在層間絕緣膜37上的接觸 部46與作為選擇晶體管Tr5的漏極的雜質區域35連接。在第二配線層M2’中，構成第三連接配線52和電荷保持用電極51。第三連接配線52經由形成在層間絕緣膜37的接觸部47與第一連接配線50連接。另外，電荷保持用電極51延伸地形成在預定的區域上。該電荷保持用電極51是構成電荷蓄積電容部61的電極(后面會進行說明)。因此，電荷保持用電極51被形成為可充分得到電荷蓄積電容部61的電容值的大小。另外，在該電荷保持用電極51上連接著形成在第二襯底81的多層配線層36的第一傳輸配線(圖中沒有示出)，從第一傳輸配線向電荷保持用電極51供應第一傳輸脈沖。并且，在第二配線層M2’的第三連接配線52和電荷保持用電極51上部形成介電體層53，第三配線層M3’經由介電體層53形成在第二配線層M2’上部。S卩，介電體層53夾在第二配線層M2’和第三配線層M3’之間。作為該介電體層53的材料，可以使用作為高介電體材料的TaO、HfO, AlO等。在第三配線層M3’中，分別構成第一連接電極56和第二連接電極57，第一連接電極56和第二連接電極57被形成為在多層配線層36表面上露出。第一連接電極56經由形成在介電體層53的接觸部55與由第二配線層M2’構成的第三連接配線52連接，并延伸地形成在通過第二配線層M2’構成的電荷保持用電極51上部。另外，第二連接電極57經由形成在介電體層53的接觸部54與由第二配線層M2’構成的電荷保持用電極51連接。在本實施方式例子中，通過電荷保持用電極51和經由介電體層53形成在其上部的第一連接電極56形成電荷蓄積電容部61。
在圖3的B中省略圖示，但在第二傳輸晶體管Tr2的柵極電極38上連接有用于供應第二傳輸脈沖的第二傳輸配線。同樣地，在復位晶體管Tr3的柵極電極39上也連接有用于供應復位脈沖的復位配線。并且，上述的第二傳輸配線和復位配線通過形成在多層配線層36的期望的配線層來形成。并且，在本實施方式例子的固態成像裝置I中，在第二襯底81上部層疊第一襯底80，以使得第一襯底80和第二襯底81相互的第一連接電極56、19以及第二連接電極57、26彼此連接。然后，通過將第一襯底80和第二襯底貼合，構成第一傳輸晶體管Trl的雜質區域16、電荷蓄積電容部61以及構成第二傳輸晶體管Tr2的雜質區域30電連接。另外，在本實施方式例子的固態成像裝置I中， 通過在層疊第一襯底80與第二襯底81后進行貼合，光電轉換部ro和電荷蓄積電容部61被立體地層疊。另外，在本實施方式例子的固態成像裝置I中，第一連接電極56兼用作遮光膜，作為第二傳輸晶體管Tr2的源極的雜質區域30被第一連接電極56遮光。因此，由于抑制光向雜質區域30入射而抑制產生不需要的信號電荷，因此降低了混色。并且，在該情況下，優選對除了光電轉換部H)的開口部位以外的所有區域進行遮光。接下來，說明層疊第一襯底80和第二襯底81而形成的本實施方式例子的固態成像裝置I的制造方法。[1.3固態成像裝置的制造方法]圖4的A、圖5的A、圖6的A是第一襯底80中的第一連接電極27和第二連接電極26的制造工序圖，圖4的B、圖5的B、圖6的B是第二襯底81中的第一連接電極56和第二連接電極57的制造工序圖。另外，圖7和圖8是示出了第一連接電極27、56以及第二連接電極26、57彼此之間的貼合方法的圖。由于形成第一襯底80中的第一連接電極27和第二連接電極26、以及形成第二襯底81中的第一連接電極56和第二連接電極57的前級的工序與一般的固態成像裝置的制造方法相同，因此省略說明。另外，在圖4 圖8中，對與圖2、圖3對應的部分標注相同的標號。如圖4的A所示，在第一襯底80上，在形成覆蓋第一配線層Ml的層間絕緣膜18之后，形成由第二配線層M2構成的第一連接電極27和第二連接電極26。第一連接電極27被形成為經由接觸部24與第一連接配線23連接，另外，第二連接電極26被形成為經由接觸部25與第二連接配線22連接。如圖4的B所示，同樣地，在第二襯底81上，在形成覆蓋第二配線層M2’的層間絕緣37之后，形成由第三配線層M3’構成的第一連接電極56和第二連接電極57。第一連接電極56被形成為經由接觸部55與第三連接配線52連接，另外，第二連接電極57被形成為經由接觸部54與電荷保持用電極51連接。并且，在本實施方式例子中，上述的第一連接電極27、56以及第二連接電極26、57各自通過鋁形成。然后，如圖5的A所示，在第一襯底80上形成由鋁構成的第一連接電極27和第二連接電極26之后，涂布粘結劑以使該粘結劑覆蓋第一連接電極27和第二連接電極26，從而形成粘結劑層18a。同樣地，如圖5的B所示，在第二襯底81上形成由鋁構成的第一連接電極56和第二連接電極57之后，涂布粘結劑以使該粘結劑覆蓋第一連接電極56和第二連接電極57，從而形成粘結劑層37a。該粘結劑層18a、37a兼用作層間絕緣膜18、37。然后，如圖6所示，通過氧化等離子蝕刻去除結劑層18a、37a，使第一襯底80和第二襯底81的第一連接電極27、56以及第二連接電極26、57的表面露出。然后，例如通過氬濺射將每一個電極表面激活，形成激活層18b、37b。然后，如圖7所示那樣地進行壓接，以使第一襯底80的激活層18b貼合在第二襯底81的激活層37b上。這樣一來，通過將激活的電極表面彼此之間壓接，第一襯底80和第二襯底81被一體化,并且各自的第一連接電極27與第一連接電極56以及第二連接電極26與第二連接電極57相互電貼合。通過如上述那樣地貼合，第一襯底80和第二襯底81被一體化并電連接。如圖8所示，在第一襯底80與第二襯底81連接之后，通過蝕刻去除第一襯底80的光入射側的半導體襯底12，為了實現光電轉換部ro的功能(為了通過光電轉換部ro來吸收光)弄薄至需要的厚度。如圖2所示， 然后，在第一襯底80上部的光入射面側依次形成濾色器59和片上透鏡60等，從而完成本實施方式例子的固態成像裝置I。濾色器59和片上透鏡60等是與一般的固態成像裝置的制造方法同樣地形成的。[1.4固態成像裝置的電路構成]接下來，使用圖9來說明本實施方式例子的固態成像裝置I的驅動方法。圖9是本實施方式例子的固態成像裝置I的一個像素的電路構成，圖10是相鄰的兩行以及兩列上的四個像素的電路構成。圖9的線a是形成在第一襯底80的第一連接電極27及第二連接電極26與形成在第二襯底81的第一連接電極56及第二連接電極57的電極連接面。作為光電轉換部ro的光電二極管的陽極側接地，陰極側連接在第一傳輸晶體管Trl的源極。另外，在圖2中省略圖示，但如圖9、圖10所示那樣地在第一襯底80上構成有光電轉換部用復位晶體管Tr6，光電轉換部用復位晶體管Tr6的漏極連接在光電轉換部H)的陰極側。在光電轉換部用復位晶體管Tr6的源極上連接用于施加電源電壓VDD的電源電壓配線85。另外，在光電轉換部用復位晶體管Tr6的柵極電極62上連接用于供應復位脈沖(pPDRST的復位配線75。第一傳輸晶體管Trl的漏極經由構成電荷蓄積電容部61的第一連接電極56與第二傳輸晶體管Tr2的源極連接。在第一傳輸晶體管Trl的柵極電極38上連接供應第一傳
輸脈沖(pTRG I的第一傳輸配線84。另外，第一傳輸配線84連接在構成電荷蓄積電容部61
的電荷保持用電極51。第二傳輸晶體管Tr2的漏極與復位晶體管Tr3的源極連接，并且與放大晶體管Tr4的柵極電極40連接。在第二傳輸晶體管Tr2的柵極電極38上連接用于供應第一傳輸脈沖cpTRG2的第二傳輸配線63。在復位晶體管Tr3的漏極上連接用于施加電源電壓VDD的電源電壓配線88，在復位晶體管Tr3的柵極電極39上連接用于供應復位脈沖tpRST的復位配線64。在放大晶體管Tr4的源極上連接用于施加電源電壓VDD的電源電壓配線88，放大晶體管Tr4的漏極連接在選擇晶體管Tr5的源極。在選擇晶體管Tr5的柵極電極41上連接用于供應選擇脈沖U)SEL的選擇配線48，選擇晶體管Tr5的漏極連接在垂直信號線9。并且，如圖10所示，在二維矩陣狀地排列像素2的固態成像裝置I中，各柵極電極38、39、41與針對每一行共享的第二傳輸配線63、復位配線64以及選擇配線48連接。并
且，從垂直驅動電路4供應輸入到各柵極電極38、39、41的第二傳輸脈沖(PTRG2、復位脈WtpRST以及選擇脈沖(pSEL。另外，從垂直驅動電路4供應復位脈沖(pPDRST和第一傳輸脈沖cpTRGl，所述復位脈沖tpPDRST被供應到光電轉換部用復位晶體管Tr6的柵極電極62，所述第一傳輸脈沖(pTRGl被供應到第一傳輸晶體管Trl的柵極電極19 (圖中沒有示出)。另外，選擇晶體管Tr5的漏極與每一列共享的垂直信號線9連接。在垂直信號線9的后級連接被設置在每一列的列信號處理電路5。并且，在列信號處理電路5的后級連接被 輸入來自水平驅動電路6的水平選擇脈沖的水平晶體管Tr7。[1.5固態成像裝置的驅動方法]接下來，使用圖11所示的時間圖以及圖10的電路構成來說明具有以上電路構成的固態成像裝置I的驅動方法。首先，通過將復位脈沖(pPDRST設為高并同時接通全部像素的光電轉換部用復
位晶體管Tr6，從而執行復位以使全部像素的光電轉換部ro的電位變為與電源電壓VDD相同的電位。即，通過上述動作，排出了蓄積在全部像素的光電轉換部ro中的無用電荷，并將光電轉換部H)的電位復位為固定值(VDD)。接著，將復位脈沖(pPDRST設為低并同時斷開全部像素的光電轉換部用復位晶
體管Tr6，在全部像素的光電轉換部H)中開始信號電荷的生成/蓄積。信號電荷根據入射到光電轉換部F1D的光的光量被生成,生成的信號電荷被蓄積在通過光電轉換部F1D中的pn結的效應產生的勢阱。此時，假定蓄積在電荷蓄積部61中的信號電荷在之前的讀出時依次被讀出，因而電荷蓄積部61變空，但也可以另外設置使電荷蓄積電容部61重置的定時。接著，在將復位脈沖cpPDRST設為低后且經過預定的蓄積時間之前，將第一傳輸
脈沖(pTRGl設為高，同時接通全部像素的第一傳輸晶體管Trl，將蓄積在光電轉換部ro中
的信號電荷傳輸到雜質區域16。于是，由于雜質區域16、雜質區域30以及電荷蓄積電容部61電連接，因此信號電荷暫時蓄積在形成在第一襯底80的雜質區域16、雜質區域30以及電荷蓄積電容部61。另外，在如上述地將第一傳輸脈沖(pTRCi I設為高的期間，信號電荷主要蓄積在電荷蓄積電容部61。
tons] 然后，通過將第一傳輸脈沖cpTRGl設為低而斷開全部像素的第一傳輸晶體管Trl,主要蓄積在電荷蓄積電容部61的信號電荷被傳輸到雜質區域16和雜質區域30的耗盡層。如圖1l所示，從將復位脈沖(pPDRST設為低至再次將第一傳輸脈沖CpTRGl設為低的時間為蓄積曝光時間(電子快門的時間)。在將第一傳輸脈沖cpTRGl設為高之后的從光電轉換部F1D向電荷蓄積電容部61傳輸信號電荷的期間,第一傳輸脈沖cpTRGl的電位為能夠完全傳輸來自光電轉換部ro的信號電荷的電位。接著，將復位脈沖qPDRST設為高，接通全部像素的光電轉換部用復位晶體管
Tr6而將光電轉換部F1D重置。由此,在讀出蓄積在電荷蓄積電容部61的信號電荷的期間，可防止蓄積在光電轉換部F1D中的超過光電轉換部F1D的最大蓄積電荷量那部分的信號電荷溢向電荷蓄積電容部61。或者,將光電轉換部F1D重置為與電源電壓VDD相同的電位，以備下一次的信號電荷的蓄積。在將信號電荷蓄積在電荷蓄積電容部61或雜質區域16、30的期間，作為第一傳輸脈沖ΦI R.G I，可以施加使得在電荷蓄積電容部61的表面形成反型層的電位。由此，能夠抑制在蓄積信號電荷過程中的暗電流的產生。然后，將選擇脈沖CpSEL (I)設為高，接通第一行的選擇晶體管Tr5而選擇第一行
的像素2。在上述的將第一行的(pSEL(l)設為高的狀態下，將復位脈沖(pRST (I)設為
高而接通第一行的復位晶 體管Tr3。由此，作為連接在放大晶體管Tr4的柵極電極40上的浮動擴散區域的雜質區域31的電位被重置為與電源電壓VDD相同的電位。此時，放大晶體管Tr4的重置時間輸出經由垂直信號線9保存在列信號處理電路5。 接著，將第二傳輸脈沖<pTRG2 (I)設為高，接通第一行的像素2的第二傳輸晶體
管Tr2，將位于第一行的像素2的雜質區域30和雜質區域16中的信號電荷傳輸到作為浮動
擴散區域的雜質區域31。此時，第二傳輸脈沖(RTRG2 (I)的電位為能夠將來自雜質區域
30和雜質區域16的電荷完全傳輸到雜質區域31的電位。信號電荷在雜質區域31被讀出，由此，作為浮動擴散區域的雜質區域31的電位變化，對應于該電位變化的信號電壓被施加到放大晶體管Tr4的柵極電極40。并且，通過放大晶體管Tr4放大的信號電壓被輸出到垂
直信號線9。并且，輸出到垂直信號線9的信號電壓被發送給列信號處理電路5。在列信號處理電路5中，輸出之前保存的復位時間輸出與放大的信號電壓之差來作為第一行的像素2的像素信號。并且，通過由水平驅動電路6來依次接通水平晶體管Tr7，所述第一行的像素2的像素信號經由輸出電路7從輸出端子Vout串行地被輸出。然后，在將選擇脈沖<pSEL (I)設為低之后，將選擇脈沖q)SEL(2)設為高，接通第二行的選擇晶體管Tr5，選擇第二行的像素2。在將該第二行的選擇晶體管Tr5的選擇脈沖cpSEL (2)設為高的狀態下，與第一行的第二傳輸脈沖(pTRG2 (I)、復位脈沖cpRST
(I)同樣地驅動第二傳輸脈沖(pTRG2 (2)、復位脈沖CpRST (2)的狀態。由此，關于第二行的像素2，執行與前面說明過的第一行同樣的讀出動作。通過上述說明可知，在本實施方式例子的固態成像裝置I中，在光電轉換部ro中生成/蓄積信號電荷的蓄積曝光時間被執行成在全部像素上為相同時刻。并且，在全部像素為相同時刻的情況下蓄積的信號電荷通過各自的電荷蓄積電容部61蓄積保存，并以行為順序被讀出到雜質區域31，對應于信號電荷的電位而放大的信號電壓經由垂直信號線9被輸出。根據本實施方式例子的固態成像裝置1，以往的具有全域快門功能的固態成像裝置和電路構成本身沒有很大變動，但是通過將光電轉換部ro和電路部分形成在不同的襯底，能夠增大光電轉換部ro的開口面積。即，在本實施方式例子中，由于能夠使用第一襯底80中的受光面的全部有效面積作為光電轉換部PD，因此能夠確保光電轉換部ro本身的面積并且能夠增大開口面積。由此，提高了受光靈敏度。另外，即使在以往的固態成像裝置I的制造方法中，形成在第一襯底80的光電轉換部ro和形成在第一襯底81的多個MOS晶體管也是分別通過獨立的工序形成的。因此，除了通過全部形成在一個襯底而能夠共享的工序以外,將本實施方式例子的形成第一襯底80的工序和形成第二襯底81的工序相加得到的工序數量接近于以往的固態成像裝置的制造中的工序數量。即，在制造工序數量上，以往在一個襯底上形成全部的構件的固態成像裝置和在第一襯底80、第二襯底81上形成各自需要的構件的本實施方式例子的固態成像裝置I沒有太大變化。另一方面，在本實施方式例子的固態成像裝置I中，由于分別單獨形成第一襯底80和第二襯底81，因此能夠減小單個的襯底面積，所述第一襯底80形成光電轉換部H)，所述第二襯底81形 成電荷蓄積電容部61和多個MOS晶體管。因此，縮小了形成固態成像裝置I的芯片面積，從而能夠增加從一個晶圓取得的芯片的數量。如上所述，在本實施方式例子中，能夠在工序數量不變的情況下增加從一片晶圓取得的芯片的數量，因此理論上能夠使單個芯片的成本減少。另外，在本實施方式例子的固態成像裝置I中，由于第一襯底80和第二襯底81電連接，因此可以將驅動多個MOS晶體管的電路構成全部形成在第二襯底81，電路不會變復雜。如上所述，根據本實施方式例子的固態成像裝置1，由于像素2具有電荷蓄積電容部61，由此能夠在全部像素上同時執行電子快門動作(全域快門動作)。另外，通過立體地層疊電荷蓄積電容部61和光電轉換部ro來最大限度地活用光電轉換部ro的受光面積，由此能夠在小面積上獲得最大的受光靈敏度。由于能夠通過遠小于以往的固態成像裝置的面積實現相同性能的元件，因此能夠降低單個芯片的成本，同時獲得適用于放映設備等電子設備的小型化的固態成像裝置。〈2.第二實施方式:固態成像裝置〉接著，說明本發明的第二實施方式的固態成像裝置。圖12是示出本發明的第二實施方式的固態成像裝置90的整體的簡要構成圖。本實施方式例子的固態成像裝置90的電荷蓄積電容部的構成與第一實施方式中的固態成像裝置I不同。另外，由于在本實施方式例子的固態成像裝置90的整體構成與圖1是一樣的，因此省略重復說明。在圖12中，對與圖2對應的部分標注相同的標號，并省略重復說明。如圖12所示，本實施方式例子的第二襯底91包括半導體襯底28和形成期望的配線和電極的多層配線層76，所述半導體襯底28形成有期望的雜質區域31、32、33、34、35和埋入型的電荷蓄積電容部74。形成在第二襯底91中的多個MOS晶體管是第二傳輸晶體管Tr2、復位晶體管Tr3、放大晶體管Tr4以及選擇晶體管Tr5。半導體襯底78由N型的硅襯底形成，在半導體襯底78上部的形成MOS晶體管和電荷蓄積電容部74的區域形成P型阱層79。P型阱層79能夠通過向半導體襯底78離子注入P型雜質來形成。構成第二傳輸晶體管Tr2、復位晶體管Tr3、放大晶體管Tr4以及選擇晶體管Tr5的各雜質區域31、32、34、35分別形成在P型阱層表面側的期望的區域。上述的雜質區域31、32、34、35通過向P型阱層79的期望的區域高濃度地離子注入N型雜質來形成。雜質區域31被共享地作為第二傳輸晶體管Tr2的漏極和復位晶體管Tr3的源極，并作為讀出信號電荷的浮動擴散區域來使用。另外，雜質區域32被共享地作為復位晶體管Tr3的漏極和放大晶體管Tr4的源極。另外，雜質區域34被共享地作為放大晶體管Tr4的漏極和選擇晶體管Tr5的源極。另外，雜質區域35被作為選擇晶體管Tr5的漏極。電荷蓄積電容部74包括形成在半導體襯底78的溝槽部70的第一電極層72、介電體層71以及第二電極層73。即，本實施方式例子的電荷蓄積電容74構成溝道式電容器。溝槽部70通過以從P型阱層79表面到達半導體襯底78的N區域的深度開口而形成。并且，第一電極層72通過N型雜質區域構成，所述N型雜質區域被形成為在包圍溝槽部70底部的周圍區域的區域上與半導體襯底78的N區域相接。該第一電極層72通過向P型阱層79和構成半導體襯底78的N區域的界面上離子注入N型雜質而形成。介電體層71通過形成在溝槽部70內表面的氧化硅膜而形成。第二電極層73通過多晶硅形成，所述多晶硅被形成為經由介電體層71埋入溝槽部70內。優選的是，構成該第二電極層73的多晶硅被涂有N型雜質。并且，構成該電荷蓄積電容部74的第二電極層73被形成為，在半導體襯底78的表面側與作為形成在電荷蓄積電容部74和雜質區域31之間的第二傳輸晶體管Tr2的溝槽部的區域連接。 另外，在本實施方式例子中，在半導體襯底78的除了形成P型阱層78的區域的表面上高濃度地離子注入N型雜質來形成雜質區域33。并且，該雜質區域33與第一電極層72通過構成半導體襯底78的相同電位的N區域電連接。在如上述的構成的電荷蓄積電容部74中的第二電極層73被作為第二傳輸晶體管Tr2的源極。并且，電荷蓄積電容部74以及各雜質區域31、32、34、35之間的P型阱層79的區域被作為各個MOS晶體管的溝道部。多層配線層76形成在半導體襯底78上部。在多層配線層76中，構成MOS晶體管的柵極電極38、39、40、41、第一配線層Ml’、第二配線層M2’經由層間絕緣膜77層疊地被構成。柵極電極38、39、40、41在各個溝道部上部經由柵極絕緣膜(圖中沒有示出)而形成。形成在電荷蓄積電容部74和雜質區域31之間的P型阱層79上部的柵極電極38被作為第二傳輸晶體管Tr2的柵極電極。另外，形成在雜質區域31和雜質區域32之間的P型阱層79上部的柵極電極39被作為復位晶體管Tr3的柵極電極。另外，形成在雜質區域32和雜質區域34之間的P型阱層79上部的柵極電極40被作為放大晶體管Tr4的柵極電極。另外，形成在雜質區域34和雜質區域35之間的P型阱層79上部的柵極電極41被作為選擇晶體管Tr5的柵極電極。在第一配線層Ml’中分別構成第一連接配線50、第二連接配線49、選擇配線48以及垂直信號配線9。第一連接配線50經由形成在層間絕緣膜77的接觸部42與作為第二傳輸晶體管Tr2的源極的第二電極層73連接。第二連接配線49經由形成在層間絕緣膜77的接觸部43、44分別與雜質區域31和放大晶體管Tr4的源極電極40連接。S卩，通過第二連接配線49，將作為浮動擴散區域的雜質區域31與放大晶體管Tr4的柵極電極40電連接。另外，選擇配線48經由形成在層間絕緣膜77的接觸部45與選擇晶體管Tr5的柵極電極41連接。通過選擇配線48向選擇晶體管Tr5的柵極電極41供應選擇脈沖。另外，垂直信號線9經由形成在層間絕緣膜77上的接觸部46與作為選擇晶體管Tr5的漏極的雜質區域35連接。在第二配線層M2’中，分別構成第一連接電極86和第二連接電極87，第一連接電極86和第二連接電極87被形成為在多層配線層76表面上露出。第一連接電極86經由形成在層間絕緣膜77的接觸部82與由第一配線層Ml’構成的第一連接配線50連接。另外，第二連接電極87經由形成在層間絕緣膜77的接觸部83與形成在構成半導體襯底78的N區域的雜質區域33連接。另外，在該第二連接電極87上連接有形成在第二襯底91的多層配線層76的第一傳輸配線(圖中沒有示出)，從第一傳輸配線向第一傳輸晶體管Trl的柵極電極19和雜質區域33供應第一傳輸脈沖。在圖12中省略了圖示，但在第二傳輸晶體管Tr2的柵極電極38上連接有供應第二傳輸脈沖的第二傳輸配線。同樣地，在復位晶體管Tr3的柵極電極39上也連接有供應復位脈沖的復位配線。并且，上述的第二傳輸配線和復位配線通過多層配線層的期望的配線層來形成。并且，在本實施方式例子的固態成像裝置90中，在第二襯底91上部層疊第一襯底80，以使得第一襯底80和第二襯底81相互的第一連接電極27、86以及第二連接電極26、87彼此連接。 在本實施方式例子的固態成像裝置90中，通過與第一實施方式中的固態成像裝置I同樣的方法來貼合第一襯底80和第二襯底91。另外，在本實施方式例子的固態成像裝置90中，具有與第一實施方式中的固態成像裝置I同樣的電路構成。在本實施方式例子的固態成像裝置90中，通過將供應給第一傳輸晶體管Trl的柵極電極19的第一傳輸脈沖設為高，接通第一傳輸晶體管TrI，信號電荷從光電轉換部H)傳輸到雜質區域16。此時，由于在第二襯底91的第一電極層72上供應與柵極電極19相同的電位，因此信號電荷通過第一襯底80的雜質區域16、形成在第二襯底91的電荷蓄積電容部74暫時保存。此時，主要被蓄積在電荷蓄積電容部74。之后，信號電荷針對每一個像素被傳輸給作為浮動擴散區域的雜質區域31并針對每一個像素被讀出。其驅動方法與第一實施方式中的固態成像裝置I相同。根據本實施方式例子的固態成像裝置90，通過將電荷蓄積電容部74形成在形成在半導體襯底78上的溝槽部70，除了能夠減少構成電荷蓄積電容部的配線層，還能夠獲得與第一實施方式的固態成像裝置I相同的效果。在上述的第一實施方式、第二實施方式中，舉出了將電荷蓄積電容部形成在第二襯底側的例子，但也可以形成在第一襯底側。但是，從增大受光面積的目的來說，優選形成
在第一襯底。另外，在上述的第一實施方式和第二實施方式中，舉出了應用于行列狀地檢測根據入射光量的信號電荷作為物理量的單位像素而成的CMOS型固態成像裝置的情況而進行說明。然而，本發明不限于針對CMOS型固態成像裝置的應用。另外，本發明也不限于對應將像素形成為二維矩陣狀的像素部的每個像素列而配置列電路的列方式的一般的固態成
像裝置。另外，本發明不限于在檢測可見光的入射光量的分布后捕獲為圖像的固態成像裝置，也能夠應用在將紅外線、X線、或者粒子等的入射量的分布捕獲為圖像的固態成像裝置。另外，此外，從而廣義來說，本發明可應用于檢測壓力、靜電電容等其他物理量的分布并捕獲為圖像的如指紋檢測傳感器等這樣的一般的固態成像裝置(物理量分布檢測裝置)。此外，本發明不限于以行為單位順序掃描像素部的各個單位像素并從各個單位像素讀取像素信號的固態成像裝置。也可以應用于以像素為單位選擇任意像素并從該被選像素以像素單位讀取信號的X — Y地址型的固態成像裝置。固態成像裝置既可以形成為單一芯片的形式，也可以形成為將像素部、信號處理部或光學系統封裝在一起的、具有圖像捕獲功能的模塊形式。此外，本發明不限于應用在固態成像裝置，也可以應用于成像裝置。這里，成像裝置是指數字靜態照相機或攝像機等相機系統、便攜式電話機等具有圖像捕獲功能的電子設備。有時也會將安裝在電子 設備中的上述模塊形式、即相機模塊作為成像裝置。 <3.第三實施方式:電子設備>接著，對本發明第三實施方式涉及的電子設備進行說明。圖13是本發明第三實施方式涉及的電子設備200的簡要構成圖。本實施方式的電子設備200表示將上述本發明第一實施方式中的固態成像裝置I使用于電子設備(相機)的情況的實施方式。圖13示出了本實施方式例子的電子設備200的簡要截面構成。本實施方式的電子設備200舉例為可拍攝靜止圖像的數字照相機的例子。本實施方式涉及的電子設備200包括固態成像裝置1、光學鏡頭210、快門裝置211、驅動電路212、以及信號處理電路213。光學鏡頭210使來自被拍攝體的圖像光(入射光)成像于固態成像裝置I的圖像捕獲面上。由此，信號電荷在固態成像裝置I內被積累固定期間。快門裝置211對固態成像裝置I的光照射期間和遮光期間進行控制。驅動電路212提供用于控制固態成像裝置I的傳輸動作以及快門裝置211的快門動作的驅動信號。通過從驅動電路212提供的驅動信號(定時信號)來進行固態成像裝置I的信號傳輸。信號處理電路213進行各種信號處理。經信號處理的圖像信號被存儲到存儲器等存儲介質或被輸出到監視器。在本實施方式例子的電子設備200中，由于能夠縮小固態成像裝置1，因此能夠實現電子設備200整體的小型化。另外，由于降低了形成固態成像裝置I的成本，因此降低了電子設備200的制造成本。如上所述，能夠應用固態成像裝置I的電子設備200不限于相機，還可以應用于數字靜態照相機、以及面向便攜式電話機等移動設備的相機模塊等成像裝置。在本實施方式例子中，將固態成像裝置I使用于電子設備，但也可以使用第二實施方式中的固態成像裝置。
權利要求
1.一種固態成像裝置的制造方法，包括以下步驟: 在第一襯底上形成光電轉換部和被形成為從該第一襯底表面露出的連接電極，所述光電轉換部用于生成并蓄積對應于入射光的信號電荷， 在所述第一襯底或者第二襯底上形成用于蓄積從所述光電轉換部傳輸的信號電荷的電荷蓄積電容部； 在所述第二襯底上形成多個MOS晶體管和被形成為從該第二襯底表面露出的連接電極，所述MOS晶體管用于順序傳輸所述電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷；以及 在所述第二襯底上部的光入射側貼合所述第一襯底，使得在所述第二襯底表面上露出的所述連接電極和在所述第一襯底表面上露出的所述連接電極電連接。
2.根據權利要求1所述的固態成像裝置的制造方法，其中， 通過在形成連接電極之后，形成粘結劑層以使該粘結劑層覆蓋所述連接電極，對所述粘結劑層進行蝕刻，由此使得所述第一襯底和所述第二襯底的各自的連接電極從表面露出， 通過在對在所述 第一襯底和所述第二襯底表面露出的各自的連接配線表面進行激活之后進行壓接，來進行所述第一襯底和所述第二襯底的貼合。
3.根據權利要求2所述的固態成像裝置的制造方法，其中， 通過形成介電體層和夾持所述介電體層形成的兩個配線層，來形成所述電荷蓄積電容部。
4.根據權利要求2所述的固態成像裝置的制造方法，其中， 通過在構成所述第二襯底的半導體襯底形成溝槽部，在所述溝槽部內表面形成第一電極層，在形成所述第一電極層的溝槽部內經由介電體層形成第二電極層，形成所述電荷蓄積電容部。
5.一種固態成像裝置的驅動方法，其中， 所述固態成像裝置包括:多個像素，所述像素包括:形成在第一襯底的光電轉換部，該光電轉換部用于生成并蓄積對應于入射光的信號電荷；形成在所述第一襯底或者第二襯底的電荷蓄積電容部，該電荷蓄積電容部蓄積從所述光電轉換部傳輸的信號電荷；以及形成在所述第二基板的多個MOS晶體管，該MOS晶體管用于傳輸電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷； 形成在所述第一襯底的連接電極；以及 形成在所述第二襯底的連接電極，其與形成在所述第一襯底的連接電極電連接， 在該固態成像裝置的驅動方法中，包括以下步驟: 在全部像素上同時刻地開始所述光電轉換部中的信號電荷的蓄積； 在全部像素上同時刻地將在所述光電轉換部中蓄積的信號電荷傳輸給所述電荷蓄積電容部， 針對每個像素，經由MOS晶體管順序傳輸所述電荷蓄積電容部所蓄積的信號電荷。
全文摘要
本發明提供一種縮小了形成固態成像裝置的芯片面積并降低了單個芯片的成本的固態成像裝置及其制造方法。所述電子設備通過使用該固態成像裝置而實現小型化。本發明的固態成像裝置通過將形成光電轉換部PD的第一襯底(80)與形成電荷蓄積電容部(61)以及多個MOS晶體管的第二襯底81貼合而構成。另外，在第一襯底(80)和第二襯底(81)分別形成連接電極(26、27、56、57)，第一襯底(80)和第二襯底(81)通過連接電極電連接。由此，能夠在更小的面積上形成具有全域快門功能的固態成像裝置。
文檔編號H01L23/522GK103227182SQ201310074110
公開日2013年7月31日 申請日期2010年3月10日 優先權日2009年3月17日
發明者高橋洋 申請人:索尼公司