制冷器系統及具有該制冷器系統的超導磁體裝置的制作方法

專利名稱：制冷器系統及具有該制冷器系統的超導磁體裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種制冷器(cryocooler)系統及一種具有該制冷器系統的超導磁體
>J-U ρ α裝直。
背景技術：
在現有技術中，磁共振成像(MRI)設備使用超導磁體。由于超導磁體在諸如4.2Κ的超低溫下維持超導狀態，因此需要一種用于維持超低溫的冷卻系統。在現有技術中的冷卻系統中傳統上采用的兩級制冷器包括:第一級單元，在例如從40Κ到50Κ的范圍的溫度下操作；第二級單元，在例如4Κ的溫度下操作。第二級單元通過直接和間接地熱接觸超導主體(例如，超導線圈)來冷卻超導主體，第一級單元冷卻熱屏蔽單元，熱屏蔽單元減少室內溫度和超導主體之間的熱傳遞。在現有技術的MRI設備的冷卻系統中，當超導磁體斜升或斜降以產生磁場或關閉產生的磁場時，因電流引線的電阻而產生熱。因此，冷卻系統需要提供預防因電流引線產生的熱。在現有技術中，已經使用了浴冷系統來冷卻超導磁體。在浴冷系統中，通過將電流引線放置在從液氦供應器蒸發的氦蒸氣流中來冷卻當超導磁體斜升或斜降時產生的熱。然而，浴冷系統使用過量的氦。 在諸如熱虹吸方法或無致冷劑的方法的冷卻系統的情況下，氦蒸氣的冷卻沒有幫助并且當超導 磁體斜升或斜降時產生的熱由于冷卻器的冷卻能力有限而會導致冷卻不充分。

發明內容
本發明提供一種制冷器系統以及一種具有該制冷器系統的超導磁體裝置，該制冷器系統具有當在電流斜升或斜降的同時產生熱時降低電流引線的升溫速率的結構。根據本發明的一方面，提供了一種制冷器系統，該制冷器系統包括:熱屏蔽單元，熱屏蔽超導主體；制冷器，具有冷卻所述熱屏蔽單元的冷卻級；熱慣性構件，熱接觸所述制冷器的冷卻級并且具有高熱容。所述熱慣性構件可以由從由W、Pb、Cu和Al組成的組中選擇的至少一種金屬形成或者由從由水、冰、烴、蠟和固態氮組成的組中選擇的非金屬形成。諸如W、Pb、Cu和Al的金屬或者在室溫下為固態的非金屬可以熱接觸制冷器的第一級單元，諸如水、冰、烴、蠟和固態氮的非金屬可以熱接觸制冷器的第一級單元并且被儲存在儲存單元中。所述熱慣性構件可以設置成圍繞所述制冷器的冷卻級的外表面或者外周中的至少一部分。所述熱慣性構件可以設置得靠近于熱屏蔽單元的接觸所述制冷器的冷卻級的區域。所述熱慣性構件可以通過在熱屏蔽單元接觸所述制冷器的冷卻級的區域處增加熱屏蔽單元的厚度來形成。所述制冷器可以是具有冷卻超導主體的超導主體冷卻級單元的兩級冷卻器。此夕卜，制冷器可以另外地包括用于冷卻超導主體的超導主體冷卻器。所述制冷器可以通過使用熱虹吸方法冷卻超導主體。例如，所述制冷器系統還可以包括:密封容器，超導主體冷卻級單元插入到密封容器中，并且密封容器包括冷卻劑；熱交換管，連接到所述密封容器，從而冷卻劑流入和流出所述密封容器，并且熱交換管經由熱對流通過熱接觸超導主體來冷卻超導主體。所述制冷器可以通過使用無致冷劑的方法冷卻超導主體。例如，所述制冷器的超導主體冷卻級單元可以直接地熱連接到超導主體或者通過具有高導熱率的導熱構件熱連接到超導主體。所述制冷器系統還可以包括熱接觸制冷器的冷卻級并且向超導主體供應電流的電流引線。當電流引線的溫度由于流過電流引線的電流產生的熱而升高時，熱慣性構件可以通過熱接觸電流引線而降低電流引線的升溫速率。電流引線可以包括圍繞熱屏蔽單元設置的第一電流弓I線和設置在熱屏蔽單元內的第二電流引線，熱屏蔽單元將超導主體和第二電流引線真空密封在其中。根據本發明的另一方面，提供了一種超導磁體裝置，該超導磁體裝置包括:超導線圈；熱屏蔽單元，屏蔽超導線圈；制冷器，具有用于冷卻熱屏蔽單元的冷卻級；電流引線，熱接觸所述制冷器的冷卻級并且將電流供應到超導線圈；熱慣性構件，熱接觸制冷器的冷卻級并且具有聞的熱容。制冷器系統和超導磁體裝置可以降低由于在電流斜升或斜降至超導線圈時產生的熱導致的溫度升高。 因此，制冷器系統可以在當電流斜升或斜降至超導線圈時產生熱的同時降低制冷器的冷卻級的升溫速率，而不使用在利用熱虹吸方法或無致冷劑的方法的冷卻系統中難以使用的氦蒸氣，因此，保護制冷器系統以免電流引線的過熱。


通過參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例，本發明的以上和其他特點和優點將變得更加清楚，在附圖中:圖1是示出根據本發明的示例性實施例的制冷器系統的示意圖；圖2是示出根據本發明的示例性實施例的超導磁體裝置的示意圖；圖3是示出根據本發明的另一示例性實施例的超導磁體裝置的示意圖；圖4是示出根據本發明的又一示例性實施例的超導磁體裝置的示意圖；圖5是示出根據本發明的其它示例性實施例的超導磁體裝置的示意圖。
具體實施例方式在下文中，將參照附圖更加全面地描述本發明的優選實施例，本發明的示例性實施例在附圖中示出。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層和區域的厚度。在附圖中，相同的標號指示相同的元件。在下面的描述中，會省略已知的相關功能和構造的詳細描述，以避免不必要地模糊本發明的主題。然而，本發明可以以許多不同方式實施，并且不應該被解釋為局限于在此闡述的示例性實施例。此外，在此描述的考慮到本發明的功能而限定的術語可以根據用戶和操作者的意圖和實踐而不同地應用。因此，術語應該以全部說明書的公開內容為基礎來理解。在不脫離本發明的范圍的情況下，本發明的原理和特征可以應用在改變的和許多的實施例中。此外，雖然附圖表述了發明的示例性實施例，但是附圖未必是按比例繪出的，并且為了更加清楚地示出并解釋本發明，可以夸大或省略某些特征。圖1是示出根據本發明的示例性實施例的制冷器系統100的示意圖。參照圖1，制冷器系統100包括制冷器110、熱慣性構件120和熱屏蔽單元130。熱屏蔽單元130圍繞超導主體并且屏蔽來自周圍的熱。熱屏蔽單元130可以由例如鋁形成，并且防止來自外部的熱傳遞到超導主體。制冷器110包括冷卻級111，冷卻級111通過熱接觸熱屏蔽單元130來冷卻熱屏蔽單元130。制冷器110可以是具有第一級單元和例如如圖2中所示的第二級單元212的兩級冷卻器，第一級單元冷卻熱屏蔽單元130，第二級單元212冷卻圖2中示出的超導主體。兩級冷卻器的第一級單元和第二級單元212在不同的溫度下操作。例如，第一級單元可以在從40K到50K的范圍的溫度下操作，第二級單元212可以在4K的溫度下操作。在圖1中示出的示例性實施例中，冷卻級111可以是兩級冷卻器的第一級單元。制冷器110的冷卻級111，即，兩級冷卻器的第一級單元，可以通過熱接觸熱屏蔽單元130來冷卻熱屏蔽單元130，第二冷卻級單元212通過直接和/或間接熱接觸超導主體來冷卻超導主體。制冷器110可以是三級或更多級的冷卻器，冷卻級111可以是熱接觸熱屏蔽單元130的級中的一級。另外，制冷器110可以僅冷卻熱屏蔽單元130，可以另外地設置例如在圖5中所示的用于冷卻超導主體的超導主體冷卻器520。制冷器110可以是在現有技術中公知的冷卻器，諸如吉福特-麥克馬洪(Gifford-McMahon，GM)冷卻器或者脈沖管(Pulse Tube)冷卻器。熱慣性構件120可以由高熱容材料(HHCM)形成，并且熱連接到制冷器110的冷卻級111。熱慣性構件120可以是 另外附接到冷卻級111的構件，并且可以是位于相對靠近冷卻級111的現有組成元件。用于形成熱慣性構件120的HHCM可以由從由W、Pb、Cu和Al組成的組中選擇的金屬形成或者由從由水、冰、烴、蠟和固態氮組成的組中選擇的非金屬形成。用于形成熱慣性構件120的材料的選擇可以根據技術性能、成本、溶解度和可加工性而變化。熱慣性構件120降低制冷器110的冷卻級111以及熱接觸冷卻級111的熱屏蔽單元130的快速升溫。當根據圖1的示例性實施例的制冷器系統100應用于超導磁體裝置時，制冷器系統100還可以包括電流引線140，電流引線140使電流斜升或斜降至作為超導主體的超導線圈。電流引線140電連接到超導線圈,從而從熱屏蔽單元130的外部穿過熱屏蔽單元130。電流引線140的一部分設置為熱接觸制冷器110的冷卻級111和熱慣性構件120。在電流斜升或斜降至超導線圈的同時，會因電流引線140的電阻而產生熱。因此，制冷器110的冷卻級111可以冷卻電流引線140的熱端。另外，熱慣性構件120執行防止電流引線140由于熱而在溫度上快速升高的功能。接下來，將描述根據本發明的示例性實施例的制冷器系統100的操作。在正常操作中，電流未在電流引線140中流動，并且制冷器110的冷卻級111、熱慣性構件120、熱屏蔽單元130和電流引線140處于熱平衡狀態。即，在正常操作中，熱屏蔽單元130將每小時的屏蔽熱Qsh的熱負荷傳遞到制冷器110的冷卻級111，電流引線140將每小時的電流引線熱Qd的熱負荷傳遞到制冷器110的冷卻級111。這時候，傳遞到制冷器110的冷卻級111的熱滿足下面的等式1，以與制冷器110的冷卻能力Q。。建立熱平衡。Qcc = Qsh+Qcl (I)此外，當制冷器110的冷卻級111的溫度為Tl，熱慣性構件120的溫度為T2，熱屏蔽單元130的溫度為T3，電流引線140的溫度(其可以是熱接觸制冷器110的冷卻級111的電流引線140的溫度)為T4時，在正常操作中，熱慣性構件120和制冷器110的冷卻級111可以具有相等的溫度，因此，在熱慣性構件120和制冷器110的冷卻級111之間基本上沒有熱傳遞。即，在正常操作中，滿足等式2和等式3。T3 = Tl (2)Qti = O (3)其中，Qti是傳遞到制冷器110的冷卻級111的熱或者從制冷器110的冷卻級111傳遞來的熱。電流引線140的有電流流動的一部分產生熱。從電流引線140的所述一部分產生的熱傳遞到制冷器110的冷卻級111。當電流斜升或斜降至超導線圈時，電流在電流引線140中流動。即使位于熱屏蔽單元130中的電流引線140的一部分由超導主體(其可以是高溫超導主體)形成，電流引線140在熱屏蔽單元130外部的部分以及接觸熱屏蔽單元130的部分仍具有電阻。因此，當電流斜升或斜降至超導 線圈時，因電流引線140的電阻產生熱。熱以每單位小時從電流引線140傳遞到制冷器110的AQ而增加。S卩，當供應電流時，制冷器系統100是處于如下面的等式4限定的狀態。Qcc < Qsh+Qcl+ Δ Q (4)如等式4所示，傳遞到制冷器110的冷卻級111的熱大于制冷器110的冷卻容量。因此，制冷器110的冷卻級111的溫度升高。然而，傳遞到制冷器110的冷卻級111的一部分熱傳遞到熱慣性構件120，因此，制冷器110的冷卻級111的升溫速率通過熱慣性構件120降低。即，當將電流供應到超導線圈時，制冷器110的冷卻級111的升溫速率滿足下面的等式5。
dl\ M).c,-T = TTfTT O)
J/C11其中，Mti表示熱慣性構件120的質量，Cti表示熱慣性構件120的比熱容。等式5的右側示出，由于熱慣性構件120的熱容足夠大，因此忽略制冷器110的冷卻級111的熱容的近似值。等式5示出了:熱慣性構件120的熱容越大，制冷器110的冷卻級111的升溫速率降低。因此，制冷器110的冷卻級111的升溫速率可以通過適當地選擇熱慣性構件120的材料和尺寸來減小，從而在電流引線140沒有過度升溫的情況下，電流斜升或斜降至超導線圈。圖2是示出根據本發明的示例性實施例的超導磁體裝置200的示意圖。參照圖2,根據示例性實施例的超導磁體裝置200包括:超導線圈250,超導線圈250是超導主體；熱屏蔽單元230，將超導線圈250與熱熱屏蔽；制冷器系統，冷卻超導線圈250 ;電流引線240，使電流斜升或斜降至超導線圈250。制冷器系統包括制冷器210和熱慣性構件220。熱屏蔽單元230可以是在真空狀態下屏蔽超導線圈250的真空容器。制冷器210、熱慣性構件220和電流引線240可以通過殼體260密封。殼體260可以屏蔽由制冷器210冷卻的熱屏蔽單元230免受室溫或者超導磁體裝置200所位于的設備中的其他環境溫度的影響。殼體260還可以是真空容器。超導線圈250可以由低溫超導主體或者高溫超導主體形成。當將電流例如從電流引線240供應到超導線圈250時，超導線圈250變成超導磁體。制冷器210可以是包括第一級單元211和第二級單元212的兩級制冷器。制冷器210的第一級單元211通過熱接觸熱屏蔽單元230來冷卻熱屏蔽單元230。制冷器210通過使用本領域中已知的熱虹吸方法來冷卻超導線圈250。作為示例，制冷器210的第二級單元212設置在密封容器215的內部。密封容器215連接到熱交換管216使得冷卻劑214流入和流出。熱交換管216設置為圍繞超導線圈250的至少一部分。冷卻劑214可以是氦、氖或氮，并且可以根據冷卻溫度來選擇。熱慣性構件220可以由HHCM形成，另外物理地附接到制冷器210的第一級單元211，并且熱連接到制冷器210的第一級單元211。例如，熱慣性構件220可以設置為在制冷器210的第一級單元211的冷卻熱屏蔽單元230的區域上圍繞第一級單元211的周界或者外表面的至少一部分。熱慣性構件220可以是由從由W、Pb、Cu和Al組成的組中選擇的金屬或者由從由水、冰、烴、蠟和固態氮組成的組中選擇的非金屬而形成的儲存單元或者容器。熱慣性構件220可以減小制冷器210的第一級單元211的快速升溫。電流引線240可以包括設置在殼體260和熱屏蔽單元230之間的第一電流引線241和位于熱屏蔽單元230內的電連接到超導線圈250的第二電流引線242。電流引線240的第一電流引線241的至少一部分設置成熱接觸熱慣性構件220和制冷器210的第一級單元211。第一電流引線241可以由例如具有高導電率的金屬(諸如銅或黃銅)形成。第二電流引線242可以由例如具有高導電率的金屬(諸如銅或黃銅)形成或者由高溫度超導主體形成。在第一電流引線241的情況下，即使使用具有高導電率的材料，第一電流引線241仍具有電阻。因此，當電流流過第一電流引線241時，在第一電流引線241中產生熱。在第二電流引線242的情況下，如果第二電流引線242由超導主體形成，則可以忽略熱。然而，當第二電流引線242由銅或黃銅形成時，會由于其電阻產生熱。接下來，描述根據示例性實施例的超導磁體裝置200的操作。在正常操作中，由制冷器210的第一級單元211冷卻的冷卻劑214利用通過自然熱對流或者直接接觸的熱傳遞來冷卻超導線圈250。因此，超導線圈250仍處于超導狀態。在電流在超導線圈250中流動的持久模式下，超導線圈250變成超導磁體。由通過冷卻超導線圈250而獲得的熱而加熱的冷卻劑214通過熱對流而流到密封容器215中并且通過制冷器210的第二級單元212冷卻。制冷器210的第一級單元211通過冷卻熱屏蔽單元230而熱阻擋外側和內側。這時候，由于電流沒有徑流電流引線240，因此電流引線240未產生熱，并且制冷器210的第一級單元211和外圍構 件(例如，熱慣性構件220、熱屏蔽單元230和電流引線240)處于熱平衡狀態。
當電流斜升或斜降至超導線圈250時，電流流過電流引線240并且因電流引線240的電阻而產生熱。在如根據圖2的示例性實施例的制冷器系統的熱虹吸方法中，冷卻超導線圈250的冷卻劑經過密封的熱交換管216移動。因此，在浴冷方法中使用的蒸氣冷卻對于冷卻電流引線240所產生的熱是沒有用的。因此，根據圖2的示例性實施例的超導磁體裝置200在電流斜升或斜降的同時通過使用熱慣性構件220來降低制冷器210的第一級單元211的升溫速率。因此，可以通過本發明減少由于在電流斜升或斜降時產生的熱導致的已知熱問題，諸如粹滅(quenching)。圖3是示出根據本發明的另一示例性實施例的超導磁體裝置300的示意圖。參照圖3，根據本示例性實施例的超導磁體裝置300包括制冷器系統，該制冷器系統包括制冷器210、熱慣性構件320、熱屏蔽單元330、電流引線240、超導線圈250和殼體260。除了熱慣性構件320和熱屏蔽單元330形成為一體外，超導磁體裝置300與參照圖2描述的超導磁體裝置200基本上相同。即，根據圖3的示例性實施例的熱慣性構件320通過將熱屏蔽單元330的與熱屏蔽單元330熱接觸制冷器210的第一級單元211的區域靠近的厚度增加T而形成，從而靠近接觸區域的熱屏蔽單元330的厚度相對厚。材料的熱容與對應于材料物理屬性的材料的比熱以及材料的尺寸成比例。因此，相應部分的熱容可通過將熱屏蔽單元330的與熱屏蔽單元330熱接觸制冷器210的第一級單元211的區域靠近的厚度增加T來增大。在這種情況下，用于形成熱屏蔽單元330的材料可以具有相對高的比熱。圖4是示出根據本發明的又一示例性實施例的超導磁體裝置400的示意圖。參照圖4，根據本示例性實施例的超導磁體裝置400包括制冷器系統，該制冷器系統包括制冷器410、熱慣性構件220、熱屏蔽單元230、電流引線240、超導線圈250和殼體260。
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除了制冷器410是無致冷劑的冷卻器外，超導磁體裝置400與參照圖2描述的超導磁體裝置200基本上相同。S卩，圖4中的示例性實施例的制冷器410的第二級單元412設置成通過具有高熱導率的熱傳遞構件415而直接熱接觸超導線圈250。在一些情況下，制冷器410的第二級單元412可以在沒有熱傳遞構件415的情況下直接熱接觸超導線圈250。超導磁體裝置400與圖3中的示例性實施例基本上相同之處在于:制冷器410的第一級單元411冷卻熱屏蔽單元230并且熱接觸熱慣性構件220。因此，即使超導線圈250通過無致冷劑的方法冷卻，熱慣性構件220的功能仍與上面描述的功能相同。因此，根據本示例性實施例的超導磁體裝置400也在電流斜升或斜降時通過使用熱慣性構件220來降低制冷器410的第一級單元411的升溫速率。因此，可以減少由于在電流斜升或斜降時產生的熱導致的諸如猝滅的已知熱問題。在上述實施例中，描述了使用熱虹吸方法或者無致冷劑的方法的制冷器系統。然而，根據本發明的冷卻系統不限于此。例如，在浴冷系統中，熱慣性構件可以與制冷器的第一級單元熱連接。圖5是示出根據本發明的其它示例性實施例的超導磁體裝置500的示意圖。參照圖5，超導磁體裝置500包括制冷器系統，該制冷器系統包括熱屏蔽單元冷卻器510、熱慣性構件220、超導主體冷卻器520、熱屏蔽單元230、電流引線240、超導線圈250和殼體260。除了熱屏蔽單元冷卻器510和超導主體冷卻器520彼此分開外，超導磁體裝置500與參照圖2描述的超導磁體裝置200基本上相同。S卩，在圖5中的示例性實施例中，熱屏蔽單元冷卻器510冷卻熱屏蔽單元230，超導主體冷卻器520在結構上與熱屏蔽單元冷卻器510分開并且冷卻超導線圈250。熱屏蔽單元冷卻器510的冷卻級511熱接觸熱慣性構件220和熱屏蔽單元230，并且可以對應于如在前面的示例性實施例中所描述的兩級冷卻器的第一級單元。超導主體冷卻器520的超導主體冷卻器級單元521可以對應于兩級冷卻器的第二級單元。作為超導主體冷卻器520的冷卻方法，可以采用如參照圖2和圖4描述的熱虹吸方法或者無致冷劑的方法，還可以采用浴冷方法。超導磁體裝置500與在前面的示例性實施例基本上相同之處在于:熱屏蔽單元冷卻器510的冷卻級511冷卻熱屏蔽單元230并且熱接觸熱慣性構件220，熱慣性構件220的功能也與上面所描述的功能相同。因此，根據圖5中的示例性實施例的超導磁體裝置500也在電流斜升或斜降時通過使用熱慣性構件220來降低熱屏蔽單元冷卻器510的冷卻級511的升溫速率。因此，可以減少由于在電流斜升或斜降時產生的熱導致的諸如猝滅的已知熱問題。根據本發明示例性實施例的超導磁體裝置200、300、400和500可以是磁共振成像(MRI)設備或者用于磁懸浮列車的超導磁體裝置。例如，如果超導磁體裝置200、300、400和500是MRI設備，則超導磁體裝置200、300、400和500還可以包括梯度線圈和/或射頻(RF)線圈。雖然已經參照本發明的示例性實施例具體示出并描述了根據本發明的制冷器系統和超導磁體裝置，但是本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離由權利要求限定的本發明的精神和范圍的情況下，可以在此 進行形式和細節上的各種改變。
權利要求
1.一種制冷器系統，包括: 熱屏蔽單元，熱屏蔽超導主體； 制冷器，具有冷卻所述熱屏蔽單元的冷卻級；以及 熱慣性構件，熱接觸所述制冷器的冷卻級并且具有相對高的熱容。
2.如權利要求1所述的制冷器系統，其中，所述熱慣性構件由從由W、Pb、Cu和Al組成的組中選擇的至少一種金屬形成或者由從由水、冰、烴、蠟和固態氮組成的組中選擇的非金屬形成。
3.如權利要求1所述的制冷器系統，其中，所述熱慣性構件設置成圍繞所述制冷器的冷卻級的外表面的至少一部分。
4.如權利要求1所述的制冷器系統，其中，所述熱慣性構件設置得相對靠近于熱屏蔽單元的與所述制冷器的冷卻級接觸的區域。
5.如權利要求1所述的制冷器系統，其中，所述熱慣性構件在熱屏蔽單元的在熱屏蔽單元接觸所述制冷器的冷卻級的區域處具有相對厚的厚度。
6.如權利要求1所述的制冷器系統，其中，所述制冷器是具有冷卻超導主體的超導主體冷卻級單元的兩級冷卻器。
7.如權利要求6所述的制 冷器系統，其中，所述制冷器通過使用熱虹吸方法冷卻超導主體。
8.如權利要求7所述的制冷器系統，所述制冷器系統還包括: 密封容器，超導主體冷卻級單元位于密封容器中，并且密封容器包括冷卻劑；以及 熱交換管，連接到所述密封容器，從而冷卻劑流入和流出所述密封容器，熱交換管經由熱對流通過熱接觸超導主體來冷卻超導主體。
9.如權利要求6所述的制冷器系統，其中，所述制冷器通過使用無致冷劑的方法來冷卻超導主體。
10.如權利要求9所述的制冷器系統，其中，所述制冷器的超導主體冷卻級單元直接地熱連接到超導主體或者通過具有相對高導熱率的導熱構件熱連接到超導主體。
11.如權利要求1所述的制冷器系統，所述制冷器系統還包括冷卻超導主體的超導主體冷卻器。
12.一種超導磁體裝置，包括: 超導線圈； 如權利要求1至權利要求11中的任一項權利要求所述的制冷器系統，所述制冷器系統的熱屏蔽單元熱屏蔽導電線圈；以及 電流引線，熱接觸所述制冷器系統的冷卻器的冷卻級并且將電流供應到超導線圈。
13.如權利要求12所述的超導磁體裝置，其中，當由于流過電流引線的電流產生的熱導致電流引線的溫度升高時，所述制冷器系統的熱慣性構件通過熱接觸所述電流引線來降低電流引線的升溫速率。
14.如權利要求12所述的超導磁體裝置，其中，所述電流引線包括設置在熱屏蔽單元外部的第一電流引線和設置在熱屏蔽單元內部的第二電流引線，熱屏蔽單元將超導主體和第二電流引線真空密封在其中。
15.如權利要求12所述的超導磁體裝置，其中，所述超導磁體裝置是磁共振成像設備或者用于磁懸浮列車 的超導磁體裝置。
全文摘要
本發明提供了一種制冷器系統和一種具有該制冷器系統的超導磁體裝置，該制冷器系統包括具有冷卻熱屏蔽單元的冷卻級的制冷器以及熱接觸所述制冷器的冷卻級并且具有高熱容的熱慣性構件。當電流引線的溫度因當提供到超導線圈的電流斜升或斜降時產生的熱而升高時，所述制冷器系統通過利用熱慣性構件來降低電流引線的升溫速率。
文檔編號H01F6/00GK103247406SQ201310047240
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月6日 優先權日2012年2月6日
發明者斯蒂芬·M·哈里森 申請人:三星電子株式會社