專利名稱：有機電激發光元件的畫素結構的制作方法
技術領域：
本發明是有關于一種畫素結構，且特別是有關于一種有機電激發光元件的畫素結構。
背景技術：
作為一種發光元件，有機電激發光元件具有許多優點如無視角限制、低制造成本、高響應速度(較液晶的響應速度快約一百倍以上)、節省能源、適于在可攜式裝置中直接以電流驅動、使用溫度范圍廣泛、重量輕，且提供小型與薄型的設計。因此，有機電激發光元件具有高發展潛力且被預期是下一世代的平板顯示器。此外，電子產品，例如手機、手提式個人電腦、個人數字助理與智能手機流行于我們的日常生活中。為了符合現今的需求如便于攜帶、小型、對使用者友善的信息科技產品，觸控感測屏幕被用于輸入裝置而取代傳統的鍵盤與鼠標。在眾多觸控感測屏幕中，一種兼具觸控與顯示功能的觸控感測面板是現今最流行的產品。因此，需要發展具有觸控感測功能的有機電激發光元件。
發明內容
本發明提供一種有機電激發光元件的畫素結構，其具有觸控感測的功能。本發明提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括在基板上的一掃描線、一數據線、一偏壓線以及一讀出線，以及一第一開關元件、一電容器、一驅動元件、一有機發光元件、一第二開關元件以及一光感測元件。第一開關元件電性連接于掃描線以及數據線。電容器電性連接于第一 開關元件以及偏壓線。驅動元件電性連接于第一開關元件、電容器以及偏壓線。有機發光元件電性連接于驅動元件。第二開關元件電性連接于掃描線與讀出線。光感測元件電性連接于第二開關元件以及偏壓線。本發明提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一第三導體層、一第三絕緣層、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置在第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極。第一柵極、第一通道層、第一源極以及第一漏極形成一第一開關元件。第二柵極、第二通道層、第二源極以及第二漏極形成一驅動元件。第三柵極、第三通道層、第三源極以及第三漏極形成一第二開關元件。第一電極與及第二電極形成一電容器。第二絕緣層覆蓋第二導體層。第三導體層配置在第二絕緣層上且包括一第四柵極以及一下部電極。第四柵極、第四通道層、第四源極以及第四極漏極形成一光感測元件。下部電極電性連接于第二漏極。第三絕緣層配置在第三導體層上且暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。
本發明提供的有機電激發光元件的畫素結構，包括一基板、一第一導體層、一第一絕緣層、一半導體層、一第二導體層、一第二絕緣層、一下部電極、一有機發光層以及一上部電極。第一導體層配置在基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極、一第四柵極以及一第一電極。第一絕緣層覆蓋第一導體層。半導體層配置于第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層。第二導體層配置在半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極。第一柵極、第一通道層、第一源極以及第一漏極形成一第一開關元件。第二柵極、第二通道層、第二源極、第二漏極形成一驅動元件。第三柵極、第三通道層、第三源極以及第三漏極形成一第二開關元件。第四柵極、第四通道層、第四源極以及第四漏極形成一光感測元件。第一電極以及第二電極形成一電容器。第二絕緣層覆蓋第二導體層。下部電極配置在第二絕緣層上且電性連接于驅動元件的該第二漏極。第三絕緣層配置在第二絕緣層上暴露下部電極。有機發光層配置在暴露的下部電極上。上部電極配置在有機發光層上。基于上述，由于畫素結構中具有有機發光元件與光感測元件，因此有機電激發光元件具有觸控感測功能。為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所示附圖作詳細說明如下。
圖1為本發明一實施例的畫素結構的等效電路圖；圖2為本發明一實施例的畫素結構的剖面圖；圖3為本發明一實施例的畫素結構的仰視圖；圖4與圖5為本發明其他的實施例的畫素結構的等效電路圖；圖6為本發明另一實施例的畫素結構的仰視圖；圖7為本發明另一實施例的畫素結構的剖面圖；圖8至圖11為本發明的數個實施例的畫素結構的剖面圖；圖12至圖13為本發明的數個實施例的畫素結構的仰視圖。附圖標記說明:100:基板；102:第一絕緣層；104:第二絕緣層；106:第三絕緣層；120:下部電極；122:連接圖案；130:有機發光層；140:上部電極；SL:掃描線；DL:數據線；BLl:第一偏壓線；
BL2:第二偏壓線；RL:讀出線；C:電容器；O:有機發光元件；Ml:第一導體層；M2:第二導體層；M3:第三導體層；Gl:第一柵極；G2:第二柵極；G3:第二棚極；G4:第四柵極；CH:半導體層；CHl:第一通道層；CH2:第二通道層；CH3:第三通 道層；CH4:第四通道層；S1:第一源極；S2:第二源極；S3:第三源極；S4:第四源極；Dl:第一漏極；D2:第二漏極；D3:第三漏極；D4:第四漏極；El:第一電極；E2:第二電極；Tl:第一開關元件；T2:驅動元件；T3:第二開關元件；T4:光感測元件；V1、V2、V3:接觸窗；SH、B:遮光圖案。
具體實施例方式圖1為本發明一實施例的畫素結構的等效電路圖。請參照圖1，畫素結構包括一掃描線SL、一數據線DL、一第一偏壓線BL1、一第二偏壓線BL2、一讀出線RL、一第一開關兀件Tl、一電容器C、一驅動兀件T2、一有機發光兀件O、一第二開關兀件T3以及一光感測兀件T4。第一開關元件Tl電性連接于掃描線SL與數據線DL。電容器C電性連接于第一開關兀件Tl與第一偏壓線BLl。驅動兀件T2電性連接于第一開關兀件Tl、電容器C與第一偏壓線BL1。有機發光元件O電性連接于驅動元件T2。第二開關元件Τ3電性連接于掃描線SL與讀出線RL。光感測元件Τ4電性連接于第二開關元件Τ3與第二偏壓線BL2。第一開關元件Tl、驅動元件Τ2、第二開關元件Τ3與光感測元件Τ4可分別為一頂柵極式薄膜晶體管或一底柵極式薄膜晶體管。第一開關元件Tl、驅動元件Τ2、第二開關元件Τ3與光感測元件Τ4可分別為一非晶娃薄膜晶體管或一低溫多晶娃(loff temperaturepoly-silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管。有機發光元件O可以是一向下發光式有機發光元件、一向上發光式有機發光兀件或是一雙重發光式有機發光兀件。為了清楚地不出本發明的畫素結構，本實施例中描述一個具有有機發光元件O (向下發光式)、第一開關元件Tl (底柵極式薄膜晶體管)、驅動元件T2 (底柵極式薄膜晶體管)，第二開關元件T3 (底柵極式薄膜晶體管)與光感測元件T4(頂柵極式薄膜晶體管)，但并非用于限定本發明。圖2為本發明一實施例的畫素結構的剖面圖。圖3為本發明一實施例的畫素結構的仰視圖，但并未示出畫素結構的有機發光層與上部電極層。請參照圖1、圖2與圖3，畫素結構包括一基板100、一第一導體層Ml、一第一絕緣層102、一半導體層CH、一第二導體層M2、一第二絕緣層104、一第三導體層M3、一有機發光層130與一上部電極140。基板100可以是一剛性基板,例如一玻璃基板或一娃基板。或者基板100可以是一可撓性基板，例如一聚合物基板或一塑膠基板。第一導體層Ml配置在基板100上且包括一第一柵極G1、一第二柵極G2、一第三柵極G3與一第一電極E1。第一導體層Ml包 括一金屬材料或其他適合的導體材料。在本實施例中，第一導體層Ml還包括一掃描線SL(示出于圖1)電性連接于第一柵極G1。第一絕緣層102覆蓋第一導體層Ml。第一絕緣層102包括一無機絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或者其他有機絕緣材料。半導體層CH配置第一絕緣層102上且包括一第一通道層CHl、一第二通道層CH2、一第三通道層CH3與一第四通道層CH4。第一通道層CHl在第一柵極Gl上方，第二通道層CH2在第二柵極G2上方，且第三通道層CH3在第三柵極G3上方。在本實施例中，第一通道層CHl直接配置在第一柵極Gl上方，第二通道層CH2直接配置在第二柵極G2上方，第三通道層CH3直接配置在第三柵極G3上方。此外，半導體層CH包括一非晶硅、多晶硅、微晶硅或其他適合的半導體材料。第二導體層M2配置在半導體層CH上且包括一第一源極S1、一第一漏極D1、一第二源極S2、一第二漏極D2、一第三源極S3、一第三漏極D3、一第四源極S4、一第四漏極D4與一第二電極E2。第一源極SI與第一漏極Dl配置在第一通道層CHl上。第二源極S2與第二漏極D2配置在第二通道層CH2上。第三源極S3與第三漏極D3配置在第三通道層CH3上。第四源極S4與第四漏極D4配置在第四通道層CH4上。第二電極E2配置在第一電極El上方。因此，第一柵極G1、第一通道層CH1、第一源極SI與第一漏極Dl形成一第一開關元件Tl。第二柵極G2、第二通道層CH2、第二源極S2與第二漏極D2形成一驅動元件T2。第三柵極G3、第三通道層CH3、第三源極S3與第三漏極D3形成一第二開關元件T3。第一電極El與第二電極E2形成一電容器C。在本實施例中，第一開關兀件Tl的第一漏極Dl電性連接于電容器C的第一電極El與驅動元件T2的第二源極S2。第二開關元件T3的第三漏極D3電性連接于第四源極S4。
此外，第二導體層M2還包括一數據線DL、一讀出線RL與一第一偏壓線BLl。數據線DL電性連接于第一開關元件Tl的第一源極SI。讀出線RL電性連接于第二開關元件T3的第三源極S3。第一偏壓線BLl電性連接于電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2。數據線DL、讀出線RL與第一偏壓線BLl交錯地配置于掃描線SL。在本實施例中，數據線DL、讀出線RL與第一偏壓線BLl彼此平行。換言之，數據線DL、讀出線RL與第一偏壓線BLl的延伸方向不平行于掃描線SL的延伸方向。在本實施例中，數據線DL、讀出線RL以及第一偏壓線BLl的延伸方向垂直于掃描線SL的延伸方向,但并非用于限定本發明。此外，如圖3所示，讀出線RL配置在第一偏壓線BLl與光感測元件T4之間(以及第二開關元件T3)。換言之，光感測元件T4(以及第二開關元件T3)配置在讀出線RL與一鄰近的畫素結構的數據線(未示出)之間。第二絕緣層104覆蓋第二導體層M2。第二絕緣層104包括一無機絕緣材料，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，或者其他有機絕緣材料。第三導體層M3配置在第二絕緣層104上且包括一第四柵極G4與一下部電極120。第四柵極G4配置在第四通道層CH4的上方，且第四柵極G4電性連接于第四漏極D4。第四柵極G4、第四通道層CH4、第四源極S4與第四漏極D4形成一光感測元件Τ4。下部電極120經由第二絕緣層104的接觸窗Vl電性連接于驅動元件Τ2的第二漏極D2。在本實施例中，第三導體層M3還包括一連接圖案122以電性連接于第一開關元件Tl的第一漏極Dl與電容器C的第一電極Ε1。詳細而言，連接圖案122配置在第二絕緣層104上且一接觸窗V2與一接觸窗V3形成于第二絕緣層104。第一開關元件Tl的第一漏極Dl與電容器C的第一電極El經由連接圖案122、接觸窗V2與接觸窗V3彼此電性連接。此外，第三導體層 M3還包括一第二偏壓線BL2，電性連接于第四柵極G4與第四漏極D4(如圖1與圖3中所示)。第二偏壓線BL2交錯地配置于數據線DL、讀出線RL以及第一偏壓線BL1。在本實施例中，第二偏壓線BL2平行于掃描線SL且垂直于數據線DL、讀出線RL與第一偏壓線BLl。第三導體層M3是一透明導體層包括例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。由于第三導體層M3是一透明導體層，下部電極120是一透明電極。第三絕緣層106配置在第三導體層M3上，且暴露出下部電極120。第三絕緣層106包括一無機絕緣材料，例如氧化娃、氮化娃或氮氧化娃，或者其他有機絕緣材料。有機發光層130配置在暴露的下部電極120上，有機發光層130可包括一紅色有機發光材料、一綠色有機發光材料或一藍色有機發光材料。有機發光層130可包括一電子注入層、一電子傳輸層、一空穴注入層、一空穴傳輸層或其上述的組合。在本發明的其他實施例中，觸控感測光源(未示出)可以被設計在有機發光層130內，或形成于一獨立的膜層。觸控感測光源的波長不同于其中一個有機發光材料的可見光，例如其可以是紅外光或其他不可見光。上部電極140配置在有機發光層130上，且上部電極140、有機發光層130與下部電極120形成一有機發光兀件O。上部電極140包括一反射電極材料或一透明電極材料。若上部電極140為反射電極，由有機發光層130發出的光線L可通過下部電極120與基板100,以使有機發光兀件O是一向下發光式有機發光兀件。如果上部電極140是一透明電極，由有機發光層130發出的光線可通過下部電極120與基板100，且也可通過上部電極140，以使有機發光兀件O是一雙重發光式有機發光兀件。因此，第一開關元件Tl、驅動元件T2與有機發光元件O由掃描線SL、數據線DL與第一偏壓線BLl所控制，如此，畫素結構可被驅動以發射光線L或不發射光線L。此外，第二開關元件T3與光感測元件T4電性連接于讀出線RL與第二偏壓線BL2。當一光感測信號由畫素結構的底部發出而通過基板100，其可被光感測元件T4感測或接收，并傳送至讀出線RL以使畫素結構具有觸控感測功能。在此需說明的是，在圖2的實施例中，因為有機發光元件O是一向下發光式有機發光兀件或一雙重發光式有機發光兀件，由有機發光兀件O發射的光線L可發射至光感測兀件T4的第四通道層CH4。在本實施例中，第一導體層Ml還可包括一遮光圖案SH，例如一黑矩陣，配置在光感測元件T4的下方。遮光圖案SH配置在光感測元件T4的下方可遮蔽光線L發射進入光感測元件T4的第四通道層CH4 (主動層)，以避免光線L干擾光感測元件T4的光感測功能。在本實施例中，遮光圖案SH配置在相應的光感測元件T4的第四通道層CH4，以僅允許由外部光源的瞄準光線，例如光筆的光感測信號進入第四通道層CH4。因此，來自畫素結構底部且穿過基板100的光感測信號仍然可被光感測元件T4的第四通道層CH4感測或接收。圖4為本發明其他的實施例的畫素結構的等效電路圖。請參照圖4，本實施例實質上與圖1的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖4的實施例與圖1的實施例的差別在于，圖4的畫素結構僅具有一條第一偏壓線BL1。第一偏壓線BLl平行地配置于數據線DL與讀出線RL。電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2電性連接于第一偏壓線BLl，且第四柵極G4與第四漏極D4也電性連接于第一偏壓線 BL1。圖5為本發明其它的實施例的畫素結構的等效電路圖。請參照圖5，本實施例實質上與圖1的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖5的實施例與圖1的實施例的差別在于，圖5的畫素結構僅具有一條第二偏壓線BL2。第二偏壓線BL2平行地配置于掃描線SL。電容器C的第二電極E2與驅動元件T2的第二源極S2電性連接于第二偏壓線BL2，且第四柵極G4與第四漏極D4也電性連接于第二偏壓線BL2。圖6為本發明另一實施例的畫素結構的仰視圖。請參照圖6，本實施例實質上與圖3的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖6的實施例與圖3的實施例的差別在于，光感測元件T4(與第二開關元件T3)配置在第一偏壓線BLl與讀出線RL之間。圖7為本發明另一實施例的畫素結構的剖面圖。請參照圖7，本實施例實質上與圖2的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。請參照圖7，有機發光兀件O為一向上發光式有機發光兀件(或雙重發光式有機發光兀件)，且光感測兀件Τ4為一底柵極式薄膜晶體管。詳細而言，有機發光元件O的上部電極140包括一透明電極材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)，且下部電極120包括一反射電極材料或一透明電極材料。若下部電極120是一反射電 極，由有機發光層130發射的光線L可穿過上部電極140，以使有機發光兀件O為一向上發光式有機發光兀件。若下部電極120是一透明電極，由有機發光層130發射的光線L可穿過上部電極140，且也可穿過下部電極120與基板100，以使有機發光兀件O為一雙重發光式有機發光兀件。此外，光感測元件T4是一底柵極式薄膜晶體管結構。也就是說，第四柵極G4是第一導體層Ml在基板100上的一部分，第四通道層CH4配置在第四柵極G4的上方，且第四源極S4與第四漏極D4配置在第四通道層CH4上。由于第四柵極G4屬于第一導體層Ml，電性連接于第四柵極G4與第四漏極D4的偏壓線也屬于第一導體層Ml。當光感測信號由畫素結構的上方穿過上部電極140與第三絕緣層106，其會被光感測元件T4的第四通道層CH4感測或接收。在本實施例中，遮光圖案可以被省略，因為第四柵極G4是配置在第四通道層CH4的下方以遮蔽由有機發光層130而來的光線L。圖8至圖11為本發明的數個實施例的畫素結構的剖面圖。如圖8中所示，本實施例與圖2的實施例相似。因此，相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖8的實施例與圖2的實施例的差別在于，遮光圖案B配置在基板100的一外表面。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100的外表面，且此外表面在光感測元件T4的下方。遮光圖案B可以例如是彩色濾光圖案或是一黑色樹脂。遮光圖案B被用于允許特定波長的光穿過且加強光感測元件T4的感光度。如圖9所示,本實施例與圖8的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖9的實施例與圖8的實施例的差別在于，遮光圖案B配置在基板100的一內表面上。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100與光感測元件T4之間。遮光圖案B可以是一彩色濾光圖案，且遮蔽光感測元件T4由環境而來的反射光與有機發光元件O的光線L，以允許特定波長穿過且防止反射光的干擾。如圖10所示,本實施例與圖9的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。在此需說明的是，除了三原色的有機發光二極管之外，有機發光元件O包括觸控感測光源，例如紅外光或其他不可見光，且圖10的實施例與圖9的實施例的差別在于，遮光圖案B配置在光感測元件T4上。詳細而言，遮光圖案B覆蓋第四柵極G4與光感測元件T4。遮光圖案B可以是黑色樹脂，且遮蔽光感測元件T4由有機發光元件O的反射光線L，此反射光線L包括三原色光與不可見光。如圖11所示，本實施例與圖10的實施例相似。因此相同的元件會以相同的標號示意且不再贅述。圖11的實施例與圖10的實施例的差別在于，遮光圖案B配在基板100的一內表面，且在光感測元件T4上。詳細而言，遮光圖案B配置在基板100與光感測元件T4之間，且覆蓋光感測元件T4的第四柵極G4。遮光圖案B可遮蔽光感測元件T4由環境而來的反射光與有機發光兀件O的光線L。圖12至圖13為本發明的數個實施例的畫素結構的仰視圖。圖8、圖9、圖10或圖11中所示的遮光圖案B配置于相應的光感測元件T4，如圖12與圖13中所示。也就是說，遮光圖案B主要覆蓋光感測元件T4且暴露畫素結構的其他元件。綜上所述，由于畫素結構中具有有機發光元件與光感測元件，有機電激發光元件具有觸控感測功能。此外，觸控感測元素的處理(包括光感測元件、第二開關元件、讀出線與偏壓線)可以以有機發光元素(包括第一開關元件、驅動元件、有機發光元件、掃描線與數據線)的處理完成，因此在畫素結構的處理中不需要額外的處理。最后應說明的是 :以上各實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的范圍 。
權利要求
1.一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括: 一掃描線，一數據線，一偏壓線以及一讀出線，配置在一基板上； 一第一開關元件，電性連接于該掃描線與該數據線； 一電容器，電性連接于該第一開關兀件與該偏壓線； 一驅動元件，電性連接于該第一開關元件、該電容器與該偏壓線； 一有機發光元件，電性連接于該驅動元件； 一第二開關元件，電性連接于該掃描線與該讀出線；以及 一光感測元件，電性連接于該第二開關元件與該偏壓線。
2.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線包括: 一第一偏壓線，平行地配置于該數據線且電性連接于該電容器與該驅動元件；以及 一第二偏壓線，平行地配置于該掃描線且電性連接于該光感測元件。
3.根據權利要求2所述的畫素結構，其特征在于，該光感測元件配置在該第一偏壓線與該讀出線之間。
4.根據權利要求2所述的畫素結構，其特征在于，該讀出線配置在該第一偏壓線與該光感測元件之間。
5.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線平行地配置于該數據線且電性連接于該電容器、該驅動元件與該光感測元件。
6.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該偏壓線平行地配置于該掃描線且電性連接于該電容器、該驅動元件與該光感測元件。
7.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一頂柵極式薄膜晶體管。
8.根據權利要求7所述的畫素結構，其特征在于，還包括一遮光圖案，覆蓋該光感測元件。
9.根據權利要求8所述的畫素結構，其特征在于，該遮光圖案配置在該基板的一外表面，且該遮光圖案介于該基板與該光感測元件之間，或該遮光圖案在該光感測元件上，或上述的組合。
10.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光兀件為一向上發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底柵極式薄膜晶體管。
11.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一開關元件、該驅動元件與該第二開關元件分別為一底柵極式薄膜晶體管。
12.根據權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該有機發光元件為一向下發光式有機發光元件，且該光感測元件為一底柵極式薄膜晶體管。
13.一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括: 一基板； 一第一導體層，配置在該基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極以及一第一電極; 一第一絕緣層,覆蓋該第一導體層； 一半導體層，配置在該第一絕緣層上且包括一第一通道層、第二通道層、一第三通道層以及一第四通道 層；一第二導體層，配置在該半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極，其中該第一柵極、該第一通道層、該第一源極以及該第一漏極形成一第一開關元件，該第二柵極、該第二通道層、第二源極以及該第二漏極形成一驅動元件，該第三柵極、第三通道層、第三源極以及該第三漏極形成一第二開關元件，且該第一電極以及該第二電極形成一電容器； 一第二絕緣層，覆蓋該第二導體層； 一第三導體層，配置在該第二絕緣層上且包括一第四柵極以及一下部電極，該第四柵極、該第四通道層、該第四源極以及該第四漏極形成一光感測元件，且該下部電極電性連接于該驅動元件的該第二漏極； 一第三絕緣層，配置在該第三導體層上且暴露該下部電極； 一有機發光層，配置在該下部電極上；以及 一上部電極，配置在該有機發光層上。
14.根據權利要求13所述的畫素結構，其特征在于，該下部電極包括一透明電極材料。
15.根據權利要求13所述的畫素結構，其特征在于，該上部電極包括一反射電極材料或一透明電極材料。
16.根據權利要求13所述的畫素結構,其特征在于,該第一導體層還包括一掃描線以及一遮光圖案，該掃描線電性連接于該第一柵極，且該遮光圖案配置在該第四通道層的下方。
17.根據權利要求13所述的畫素結構，其特征在于，該第二導體層還包括一數據線、一讀出線以及一偏壓線，該數據線電性連接于該第一源極，該讀出線電性連接于該第三源極，且該偏壓線電性連接于該第二電 極以及該第二源極。
18.根據權利要求13所述的畫素結構，其特征在于，該第三導體層還包括一偏壓線，該偏壓線電性連接于該第四柵極以及該第四漏極。
19.根據權利要求13所述的畫素結構，其特征在于，還包括一遮光圖案，配置在該基板的一外表面上，且該遮光圖案介于該基板以及該光感測元件之間，或該遮光圖案在該光感測元件上，或上述的組合。
20.一種有機電激發光元件的畫素結構，其特征在于，包括: 一基板； 一第一導體層，配置在該基板上且包括一第一柵極、一第二柵極、一第三柵極、一第四柵極以及一第一電極； 一第一絕緣層,覆蓋該第一導體層； 一半導體層，配置在該第一絕緣層上且包括一第一通道層、一第二通道層、一第三通道層以及一第四通道層； 一第二導體層，配置在該半導體層上且包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極、一第三源極、一第三漏極、一第四源極、一第四漏極以及一第二電極，其中該第一柵極、該第一通道層、該第一源極以及該第一漏極形成一第一開關元件，該第二柵極、該第二通道層、該第二源極以及該第二漏極形成一驅動元件，該第三柵極、該第三通道層、該第三源極以及該第三漏極形成一第二開關元件，該第四柵極、該第四通道層、該第四源極以及該第四漏極形成一光感測元件，且該第一電極以及該第二電極形成一電容器；一第二絕緣層，覆蓋該第二導體層； 一下部電極，配置在該第二絕緣層上且電性連接于該驅動元件的該第二漏極； 一第三絕緣層，配置在該第二絕緣層上且暴露該下部電極； 一有機發光層，配置在該暴露的下部電極上；以及 一上部電極，配置在該有機發光層上。
21.根據權利要求20所述的畫素結構，其特征在于，該上部電極包括一透明電極材料。
22.根據權利要求20所述的畫素結構，其特征在于，該下部電極包括一反射電極材料或一透明電極材料。
23.根據權利要求20所述的畫素結構，其特征在于，該第一導體層還包括一掃描線以及一偏壓線，該掃描線電性連接于該第一柵極，且該偏壓線電性連接于該第四柵極以及該第四漏極。
24.根據權利要求20所述的畫素結構，其特征在于，該第二導體層還包括一數據線、一讀出線以及一偏壓線，該數據線電性連接于該第一源極，該讀出線電性連接于該第三源極，且該偏壓線電性連接于該第二電極以及 該第二源極。
全文摘要
本發明提供一種有機電激發光元件的畫素結構，包括在基板上的一掃描線、一數據線、一偏壓線以及一讀出線，以及一第一開關元件、一電容器、一驅動元件、一有機發光元件、一第二開關元件以及一光感測元件。第一開關元件電性連接于掃描線以及數據線。電容器電性連接于第一開關元件以及偏壓線。驅動元件電性連接于第一開關元件、電容器以及偏壓線。有機發光元件電性連接于驅動元件。第二開關元件電性連接于掃描線與讀出線。光感測元件電性連接于第二開關元件以及偏壓線。
文檔編號H01L27/32GK103247664SQ20131004404
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月4日 優先權日2012年2月4日
發明者張營輝, 黃乃杰, 廖勝泰 申請人:劍揚股份有限公司