專利名稱:超低方阻金屬化鋁膜的制作方法
技術領域:
本發明涉及電容器技術領域,具體涉及一種超低方阻金屬化鋁膜。
背景技術:
將高純度鋁在高真空狀態下熔化、蒸發、沉淀到基膜上,在基膜表面形成一層極薄的金屬層后的塑料薄膜就是金屬化鋁膜。金屬化薄膜上的金屬層在單位正方形面積的電阻值稱為方塊電阻,用Ω/ □表示,因為金屬化膜上金屬化層的厚度很小極難測量,通常用方塊電阻來表示金屬鍍層的厚度。金屬化層的厚度和方阻值成反比,即方阻越低,金屬化層厚度越大。目前,常規金屬化鋁膜的方阻為2 4Ω/口。在地面一般大氣條件下,此種金屬化鋁膜使用不會出現問題,但在極端環境如太空中,溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件下,無法保證其制成的電容器的可靠性。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種超低方阻金屬化鋁膜,可以在在極端環境如太空中,溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件下使用,并有很高的可靠性。本發明所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現:一種超低方阻金屬化鋁膜,由基膜和金屬化鋁膜層組成,其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25、.65 Ω / 口,而常規金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口,即金屬化鋁膜層的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右,金屬化鋁膜層大幅度增厚,意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時,要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。所述的基膜為有機薄膜。所述的基膜為聚酯膜或聚丙烯膜。所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜,需要改善鋁的融化和蒸發速度,提高沉淀到基膜上的鋁量,以及及時散發大幅度增加的熱量,因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。所述真空蒸鍍的條件為,真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒,鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C,蒸發舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟。使用比現有的氮化硼蒸發舟性能更好的蒸發舟,二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟,改善鋁的融化和蒸發速度,其蒸發率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘;提高同時間內鋁在基膜上的沉淀量,可以降低膜的蒸鍍速度,即膜卷的轉動線速度,普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒,應降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜,也帶來更多的熱量,如果散熱不好,會燙傷有機基膜,影響金屬化鋁膜的性能,需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。所述真空鍍膜機的蒸鍍速度優選為2米/秒。所述鍍膜機冷卻主鼓的溫度優選為_25°C。
本發明制備的低方阻金屬化鋁膜在電容器中的應用。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜,經中國航天科工集團8511研究所使用確認,可以應用于太空環境,承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。本發明的有益效果是:該超低方阻金屬化鋁膜性能穩定,長期存放不會變質,可耐受大電流沖擊,能在極端環境下如太空中使用,承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。
圖1為本發明結構示意圖。
具體實施例方式為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解,下面結合具體圖示,進一步闡述本發明。如圖1所示,一種超低方阻金屬化鋁膜,由基膜I和金屬化鋁膜層2組成,金屬化鋁膜層2的方阻為0.25、.65 Ω / 口,而常規金屬化鋁膜層的方阻為2 4 Ω / 口,即金屬化鋁膜層2的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右,金屬化鋁膜層2大幅度增厚,意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時,要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。其中基膜I為有機薄膜,可以選用為聚酯膜或聚丙烯膜,其中金屬化鋁膜層2的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。為了獲得超低方阻金屬化鋁膜,需要改善鋁的融化和蒸發速度,提高沉淀到基膜上的鋁量,以及及時散發大幅度增加的熱量,因此金屬化鋁膜層采用真空蒸鍍制成。真空蒸鍍的條件為,真空鍍膜機的蒸鍍速度為f 3米/秒,優選為2米/秒,鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C,優選為_25°C,蒸發舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟。使用比現有的氮化硼蒸發舟性能更好的蒸發舟,二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟,改善鋁的融化和蒸發速度,其蒸發率可以從5克/分鐘以下提高到9.11克/分鐘;提高同時間內鋁在基膜上的沉淀量,可以降低膜的蒸鍍速度,即膜卷的轉動線速度,普通方阻金屬化鋁膜的蒸鍍速度為7米/秒,應降低到2米/秒左右。更多的鋁沉淀在基膜,也帶來更多的熱量,如果散熱不好,會燙傷有機基膜,影響金屬化鋁膜的性能,需要將鍍膜機主鼓的冷卻溫度從通常的_5°C降低到-25°C附近。以上述方法蒸鍍獲得的超低方阻金屬化鋁膜,經中國航天科工集團8511研究所使用確認,可以應用于太空環境,承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征和本發明的優點。本行業的技術人員應該了解,本發明不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理,在不脫離本發明精神和范圍的前提下,本發明還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內。本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
權利要求
1.一種超低方阻金屬化鋁膜,由基膜和金屬化鋁膜層組成,其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25 0.65Ω / 口。
2.根據權利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的基膜為有機薄膜。
3.根據權利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的基膜為聚酯膜。
4.根據權利要求2所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的基膜為聚丙烯膜。
5.根據權利要求1所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的金屬化鋁膜層的金屬層為金屬鋁附著在有機薄膜上形成。
6.根據權利要求5所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的金屬化鋁膜采用真空蒸鍍制成。
7.根據權利要求6所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述真空蒸鍍的條件為,真空鍍膜機的蒸鍍速度為廣3米/秒,鍍膜機冷卻主鼓的溫度為-2(T-30°C,蒸發舟為二硼化鈦、氮化硼雙組分蒸發舟。
8.根據權利要求7所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述真空鍍膜機的蒸鍍速度優選為2米/秒。
9.根據權利要求7所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述鍍膜機冷卻主鼓的溫度優選為-25 °C。
10.根據權利要求1-9任一項所述的超低方阻金屬化鋁膜,其特征在于:所述的低方阻金屬化鋁膜在電容器中的應用。
全文摘要
一種超低方阻金屬化鋁膜,涉及電容器技術領域,由基膜和金屬化鋁膜層組成,所述的金屬化鋁膜層的方阻為0.25~0.65Ω/□,而常規金屬化鋁膜層的方阻為2~4Ω/□,即金屬化鋁膜層的厚度是常規金屬化鋁膜的7倍左右,金屬化鋁膜層大幅度增厚,意味著在真空蒸鍍金屬化鋁膜時,要在同樣的時間內在基膜上沉淀更多的鋁。本發明的超低方阻金屬化鋁膜性能穩定,長期存放不會變質,可耐受大電流沖擊,能在極端環境下如太空中使用,承受溫度急劇變化、高溫、強振動和超重、高輻射環境、失重和微重力等條件。
文檔編號H01G4/14GK103077821SQ20131000793
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月9日 優先權日2013年1月9日
發明者湯澤波, 羅健 申請人:銅陵市東市電子有限責任公司