存儲具有負微分電阻材料的存儲器的制造方法
【專利摘要】一種存儲器單元包括：晶體管，具有第一源極/漏極端子，所述第一源極/漏極端子利用半導體材料與第二源極/漏極端子分隔開；柵極端子，被放置在所述半導體材料附近使得柵極端子電壓的增加會增加所述半導體材料的導電率；并且所述第一源極/漏極端子串聯連接到負微分電阻材料。
【專利說明】存儲具有負微分電阻材料的存儲器
【背景技術】
[0001]許多計算機產品使用靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。這些類型的存儲器中的每個具有不同的優點。例如，SRAM與互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術兼容并且可被合并到處理器模中。而且，DRAM具有占用小封裝(footprint)的電路，并且DRAM通常用于存儲器的存儲。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0002]附圖圖示出在此所述原理的多個示例并且是說明書的一部分。所圖示的示例僅是示例并且不限制權利要求的范圍。
[0003]圖1是根據在此所述原理的說明性晶體管的圖。
[0004]圖2是根據在此所述原理的說明性晶體管的圖。
[0005]圖3是根據在此所述原理的示意性表示負載線的說明性曲線圖的圖。
[0006]圖4是根據在此所述原理的說明性信號分布的圖。
[0007]圖5是根據在此所述原理的說明性信號分布的圖。
[0008]圖6是根據在此所述原理的說明性信號分布的圖。
[0009]圖7是根據在此所述原理的說明性信號分布的圖。
[0010]圖8是根據在此所述原理的存儲器裝置的說明性電路的圖。
[0011]圖9是根據在此所述原理的用于存儲存儲器的說明性方法的圖。
[0012]圖10是根據在此所述原理的用于操作存儲器裝置的過程的說明性流程圖的圖。
【具體實施方式】
[0013]DRAM和SRAM都具有缺點。例如，DRAM不與CMOS兼容，結果，DRAM在商業上不用于以CMOS技術構建的處理器或其它芯片中。此外，SRAM具有比DRAM的封裝可能大5至10倍的封裝。
[0014]在此所述的原理包括存儲器單元，該存儲器單元具有串聯連接到晶體管的源極/漏極端子的負微分電阻(NDR)材料。NDR材料可以是呈現以下特性的材料，即對于特定電流范圍，該材料隨著電流的增加而經歷電壓降。這種存儲器單元是CMOS兼容的并具有小封裝。因此，根據在此所述原理構建的存儲器單元可以產生具有DRAM和SRAM兩者的優點的存儲器單元。存儲具有NDR材料的存儲器可以包括:在雙穩態存儲器單元的第一穩定區域中保持電壓在第一值，在該第一穩定區域中存儲器單元具有串聯連接到晶體管的第一源極/漏極端子的NDR材料；并將電壓改變到第二值以切換雙穩態存儲器單元的電阻狀態。
[0015]在下面的描述中，為了解釋的目的，陳述了許多具體的細節以便提供對本系統和方法的詳盡理解。然而，對于本領域技術人員顯而易見的是，本設備、系統和方法可以不具有這些具體細節而實施。說明書中對“示例”的引用或類似語言意味著所描述的特定特征、結構或特性至少包括在該一個示例中，但不必包括在其它示例中。
[0016]圖1是根據在此所述原理的說明性晶體管(100)的圖。在本示例中，晶體管(100)具有與第二源極/漏極端子(104)分隔開的第一源極/漏極端子(102)。第一和第二源極/漏極端子(102，104)可以由η型半導體材料制成。P型半導體材料(106)可以分離第一和第二源極/漏極端子(102，104)。而且，柵極端子(110)可以被放置在P型半導體材料(106)附近。在所示示例中，P型半導體材料(106)利用柵極絕緣體(108)與柵極端子
(110)分離。在一些示例中，柵極絕緣體由金屬氧化物材料制成。此外，第一源極/漏極端子(102)連接到第一垂直連接器(112)，并且第二源極/漏極端子(104)連接到第二垂直連接器(114)。第一和第二垂直連接器(112，114)可以是形成在垂直互連存取通道中的接觸件，該通道形成在其它層中。在本示例中，NDR材料(116)集成到第一垂直連接器(112)中。另一導電材料(118)沉積到NDR材料(116)上以幫助建立與晶體管的電連接。
[0017]在一些示例中，P型半導體材料(106)由摻雜了與P型半導體材料(106)中的弱結合電子結合的材料的硅制成。在一些示例中，硼、鋁、銦、鎵、別的摻雜物、或其組合摻雜到硅中。這種摻雜的總效果導致P型半導體材料(106)具有能夠接受電子的正電荷。
[0018]第一和第二源極/漏極端子(102，104)的η型半導體材料可以是摻雜了提供端子中電子剩余的材料的硅。在一些示例中，摻雜到端子中的材料是砷、磷、鉍、銻、別的摻雜物、或其組合。
[0019]在一些示例中，響應于施加到柵極端子的正電壓，產生將電子吸引到P型半導體材料(106)中使得P型半導體材料(106)導電的場效應。在一些不例中，電子從存儲電子剩余的η型半導體材料中被拉出。在一些示例中，晶體管呈現如下關系:施加到柵極端子的較大的正電壓將吸引較大量的電子進入P型半導體材料(106)中。
[0020]P型半導體材料(106)和由η型半導體材料制成的端子的這種布置可以根據CMOS技術被構造。在一些示例中，第一源極/漏極端子電連接到電壓源以將電壓提供給晶體管。然而，在施加到柵極端子(110)的電壓不存在時，電流將不流過P型半導體材料(106)，這是因為P型半導體材料(106)在沒有場效應時作為絕緣體運行，該場效應在電壓施加到柵極端子時提供。
[0021]NDR材料(116)可以是雙穩態材料，其具有呈現低電阻特性的第一穩態和呈現高電阻特性的第二穩態。例如，當NDR材料(116)呈現高電阻狀態時，NDR材料(116)充當絕緣體，其防止大部分電流從導電材料(118)通到與第一源極/漏極端子(102)接觸的第一垂直連接器(112)。當電壓施加到柵極端子(110)并且NDR材料(116)呈現高電阻特性時，少量的電流可以通過晶體管(100)。在這種示例中，NDR材料(116)限制可以通過晶體管
(100)的電流量。
[0022]另一方面，當NDR材料(116)呈現低電阻特性并且正電壓施加到柵極端子(110)時，顯著地較大量的電流可以通過晶體管(100)。在這種示例中，P型半導體材料(106)可以在電路中呈現最高電阻，結果，P型半導體材料(106)可以限制通過晶體管(100)的電流量。在一些示例中，當NDR材料(116)呈現低電阻特性時，NDR材料(116)允許大量的電流通過導電材料(118)至第一垂直連接器(112)。從而，施加到柵極端子(110)的電壓的量可以用于控制允許通過晶體管(100)的電流量。例如，當沒有電壓施加到柵極端子(110)時，無論NDR材料(116)呈現高或低電阻特性，都沒有電流將通過晶體管。然而，當小電壓施加到柵極端子(110)并且NDR材料(116)呈現低電阻特性時，因為施加到柵極端子的低電壓，因此僅僅少量電流可以通過晶體管。因此，隨著施加到柵極端子(110)的電壓增加，同時NDR材料(116)呈現低電阻特性，更多的電流被允許通過晶體管(100)。
[0023]第二源極/漏極端子(104)可以連接到能夠測量通過晶體管(100)的電流量的電流傳感器。例如，當沒有電壓施加到柵極端子(110)時，電流傳感器可以測量出沒有電流。進一步，當電壓施加到柵極端子(110)且NDR材料(116)呈現高電阻特性時，電流傳感器可以測量出少量電流。而且，當電壓施加到柵極端子(110)且NDR材料呈現低電阻特性時，電流傳感器可以測量出顯著地較大量的電流。
[0024]這種具有串聯連接到源極/漏極端子的NDR材料的晶體管可以用作存儲器單元。為了寫入存儲器單元，NDR材料(116)的電阻狀態可以被改變。為了讀取存儲在存儲器單元中的信息，電壓可以暫時施加到柵極端子(110)并且電流可以利用電流傳感器進行測量。如果電流傳感器測量出少量的電流，例如當NDR材料呈現高電阻時，存儲器單元可以存儲(storing) 二進制信息中的“O”。另一方面，如果電流傳感器測量出顯著地較大量的電流，例如當NDR材料(116)呈現低電阻特性時，存儲器單元可以存儲二進制信息中的“I”。
[0025]在一些示例中，NDR材料是從由鈮、鈦、鎢、錳、鐵、釩、其氧化物、其氮化物、其摻雜合金、和其組合構成的組中選出的金屬。在一些示例中，NDR材料包括鉻摻雜的釩氧化物。在一些示例中，NDR材料是金屬至絕緣體轉變(MIT)材料。MIT材料可以具有兩個獨立的穩定電阻狀態或相位，其相應于MIT材料的內部溫度是高于或是低于轉變溫度。一個電阻相位是金屬或導電相位，其中MIT材料呈現類似于金屬的低電阻，從而具有高導電性。另一電阻相位是絕緣體相位，其中MIT材料呈現類似于絕緣體的電阻。
[0026]圖2是根據在此所述原理的說明性晶體管(200)的圖。這里，晶體管(200)和NDR材料(202)被示意性表示。在一些示例中，第一源極/漏極端子(204)電連接到NDR材料(202)，NDR材料(202)可以依次電連接到寫入線(206)。而且，第二源極/漏極端子(208)可以電連接到用于選擇存儲器陣列中晶體管的位線(209)。同樣，柵極端子(210)可以電連接到讀取使能線(212)。
[0027]NDR材料可以垂直布置在基底上方，由此允許存儲器單元在基底上的小的總封裝。因此，在此所述的原理可以用于其中電路空間被限制的應用，例如在處理器模上。
[0028]圖3是根據在此所述原理的示意性表示存儲器單元負載線的說明性曲線圖(300)的圖。在本示例中，y軸(302)示意性表示任意單位的電流,并且X軸(304)示意性表示任意單位的電壓。圖例(306)指示每條線示意性表示的內容。
[0029]例如，線(308)表示NDR材料的電流-電壓關系。在本示例中，NDR材料是電流控制的NDR材料。線(308)示意性表示NDR材料具有穩定的高電阻區域(310)、不穩定的負區域(312)和穩定的低電阻區域(314)。
[0030]在圖3的示例中，在高電阻區域(310)中，NDR材料呈現高電阻特性，其中電壓的增量增加伴隨著電流的不成比例地少量增加。然而，在低電阻區域(314)中，NDR材料呈現低電阻特性，其中電壓的增量增加伴隨著電流的不成比例地大幅增力口。在負電阻區域(312)中，NDR材料呈現其中電壓下降時電流增加的特性。在此區域(312)中，NDR材料是不穩定的。結果，NDR材料將很可能呈現與高電阻區域(310)或低電阻區域(314)相關的特性。
[0031]在一些示例中，為了將NDR材料保持在其現有狀態下，電壓保持在該狀態相關的穩定區域內。例如，為了將在曲線圖(300)中示意性表示的NDR材料保持在高電阻狀態，電壓可以保持在零和約1.1任意單位電壓之間，以保持在高電阻區域(310)中。另一方面，為了將在曲線圖(300)中示意性表示的NDR材料保持在低電阻狀態，電壓可以保持在0.5任意單位電壓以上，以保持在低電阻區域(310)中。
[0032]為了將NDR材料切換到不同的電阻狀態，電壓可以在低和高電阻區域(310，314)之間的交疊之外移動。例如，為了將NDR材料從高電阻狀態切換到低電阻狀態，電壓可以在1.1任意單位以上移動。在這種情況下，因為電壓值在高電阻區域(310)之外，因此NDR材料，例如曲線圖(300)中繪出的NDR材料，將切換到低電阻狀態。類似地，為了將NDR材料切換到高電阻狀態，電壓可以下降到0.5任意單位電壓以下。在這種情況下，因為電壓值在低電阻區域(310)之外，因此NDR材料，例如曲線圖(300)中繪出的NDR材料，將切換到高電阻狀態。
[0033]在NDR材料的高電阻和低電阻狀態之間的切換可以在晶體管之外實現。然而，晶體管可以限制允許通過NDR材料的電流量。例如，線(316)可以示意性表示將“I”寫入具有晶體管和NDR材料的存儲器單元的負載。在圖3的示例中，線(316)的電流最大化在15任意單位電流處，其描繪了晶體管的P型半導體材料正在限制電流流動。
[0034]根據圖3的示例，線(318)示意性表示了可以用于將“O”寫入存儲器單元的值。進一步，線(320)可以示意性表示負載值，該負載值可以用于將NDR材料保持在高電阻或低電阻狀態。保持電壓值可以是將NDR材料保持在低電阻狀態或高電阻狀態的相同的電壓值。這種保持電壓值可以在高電阻區域電壓范圍(322)和低電阻區域電壓范圍(324)之間的交疊(321)內。當保持值可以位于這些范圍(322，324)的交疊(321)內時，只要電壓不移動超過與現有電阻狀態相關的電壓范圍，則NDR材料將在其現有區域內保持穩定。在一些示例中，即使保持值與多于一個的電阻狀態兼容，只要電壓保持在所展示的電壓范圍(322，324)內，則滯后現象防止NDR材料切換電阻狀態。
[0035]圖3的線(326)示意性表示可以用于施加電壓到柵極端子以使電流能夠通過晶體管以便電流傳感器可以測量電流的負載。基于利用電流傳感器測量的電流值，存儲器單元可以將二進制信息的“ I”或“O”報告至讀取存儲器單元的源。
[0036]圖4是根據在此所述原理的說明性信號分布(400)的圖。在本示例中，信號分布(400)示意性表示將NDR材料保持在其現有電阻狀態內。在本示例中，寫入線(402)可以連接到晶體管的源極/漏極端子，位線(404)可以連接到晶體管的另一源極/漏極端子，以及讀取使能線(406)可以連接到柵極端子。電壓可以施加到這些線(402，404，406)中的每一條線。在圖4的示例中，所施加的每個電壓保持在恒定電平。
[0037]圖5是根據在此所述原理的說明性信號分布(500)的圖。在本示例中，信號分布(500)示意性表示將NDR材料設置到低電阻狀態。在本示例中，施加到寫入線(502)的電壓暫時增加，而施加到位線(504)的電壓暫時降低。這種布置使得總電壓差暫時較大，結果，NDR材料被切換到低電阻狀態。在切換電阻狀態后，寫入線(502)和位線(504)的電壓可以恢復到圖4中示意性描繪的保持電平，以將NDR材料保持在低電阻狀態。讀取使能線(506)維持施加到柵極端子的電壓的保持量。
[0038]圖6是根據在此所述原理的說明性信號分布￠00)的圖。在本示例中，信號分布(600)示意性表示將NDR材料重新設置到高電阻狀態。在本示例中，施加到寫入線(602)的電壓暫時降低，而施加到位線￠04)的電壓暫時增加。這種布置使得總電壓差較低，結果，NDR材料被切換到高電阻狀態。在切換電阻狀態后，寫入線(602)和位線(604)的電壓可以恢復到圖4中示意性描繪的保持電平，以將NDR材料保持在高電阻狀態。讀取使能線(606)保持施加到柵極端子的電壓的保持量。
[0039]圖7是根據在此所述原理的說明性信號分布(700)的圖。在本示例中，信號分布(700)示意性表示讀取NDR材料的電阻狀態。在本示例中，位線(702)電連接到電流傳感器。寫入線(704)保持其電壓，而讀取使能線(706)具有暫時的電壓增加。這種施加到讀取使能線(706)的電壓的暫時增加可以允許足夠的電流通過晶體管，以使得電流傳感器能夠確定NDR材料的電阻狀態，其中讀取使能線(706)連接到晶體管的柵極端子。
[0040]圖8是根據在此所述原理的存儲器裝置(802)的說明性電路(800)的圖。在本示例中，電路(800)被合并到處理器模(804)中。在圖8中，電路包括以行和列的陣列布置的多個存儲器單元(806)。每個存儲器單元可以包括串聯連接到NDR材料(810)的晶體管(808)。每個存儲器單元可以存儲單個的位信息，如二進制信息的“I”或“O”。在一些示例中，多個存儲器單元(806)被合并到具有多個處理器模塊的集成電路中。
[0041]每隔一行(812)可以是電連接到每個存儲器單元(806)的NDR材料(810)的寫入線。每個NDR材料(810)可以連接到晶體管(808)的源極/漏極端子(814)。其余行(816)可以是電連接到每個存儲器單元(806)的另一源極/漏極端子(818)的讀取使能線。寫入線和讀取使能線可以與電壓源電通信以便向每行施加電壓。
[0042]此外，每列可以是用于選擇所需存儲器單元的位線。每條位線還連接到電壓源。當需要將存儲器寫入特定存儲器單元時，各條寫入線可以暫時施加正電壓并且各條位線可以暫時施加負電壓，使得總體電壓的改變引起NDR材料(810)切換電阻狀態。為了將NDR材料(810)保持在現有的電阻狀態，寫入線和位線都可以復原以施加預定的保持電壓值。
[0043]為了讀取存儲器單元(806)中的位信息，讀取使能線可以暫時施加增加量的電壓，該電壓將對柵極端子通電并允許電流通過晶體管(808)。盡管存儲器電連接到位線，但是電流釋放可以利用被放置為遠離存儲器的電流傳感器(820)來讀取。開關邏輯可以暫時地將位線電連接至電流傳感器(820)。在一些示例中，相同的開關邏輯將位線連接至電壓源。
[0044]存儲器裝置可以是使用存儲器的任意裝置。例如，存儲器裝置的非詳盡列表可以包括有形的存儲器存儲、計算機、電氣路牌、膝上型電腦、手表、電話、服務器、路由器、處理器、其他存儲器裝置、或其組合。
[0045]圖9是根據在此所述原理的用于存儲存儲器的說明性方法(900)的圖。在本示例中，方法(900)包括在雙穩態存儲器單元的穩定區域中將電壓保持(902)在第一值，在該穩定區域中存儲器單元具有串聯連接到晶體管的第一源極/漏極端子的NDR材料，以及將電壓改變(904)到第二值以切換雙穩態存儲器單元的電阻狀態。
[0046]在一些示例中，該方法還包括利用電連接到晶體管的第二源極/漏極端子的電流傳感器測量電阻狀態。利用連接到第二源極/漏極端子的電流傳感器測量電阻狀態可以包括改變第一和第二源極/漏極與晶體管的柵極端子之間的導電率。
[0047]此外，該方法可以包括暫時降低電壓以將存儲器單元切換成高電阻狀態或暫時增加電壓以將存儲器單元切換成低電阻狀態。在降低或增加電壓之后，電壓電平可以恢復到保持電壓電平以將NDR材料保持在其現有的電阻狀態內。
[0048]圖10是根據在此所述原理的用于操作存儲器裝置的過程的說明性流程圖(1000)的圖。在本示例中，該過程可以包括確定(1002)是否已經指令存儲器裝置寫存儲器。
[0049]如果已經指令存儲器裝置將信息寫入存儲器，那么存儲器裝置可以首先確定(1004)哪個存儲器單元將寫入信息。隨后，存儲器裝置可以改變(1006)施加到串聯連接至NDR材料的源極/漏極端子的電壓，以切換存儲器單元的電阻狀態。另一方面，如果還未指令存儲器裝置寫存儲器，那么存儲器裝置可以將施加到NDR材料的電壓保持(1008)在NDR材料的現有電阻狀態的穩定范圍內。
[0050]該過程還可以包括確定(1010)是否已經指令存儲器裝置讀取存儲器單元。如果否，那么存儲器裝置可以繼續將電壓保持(1008)在NDR材料的現有電阻狀態的穩定范圍內。如果已經指令存儲器裝置讀取存儲器單元，那么存儲器裝置可以暫時增加(1012)存儲器單元的讀取使能線上的電壓。存儲器裝置可以測量(1014)在讀取使能線的暫時電壓增加期間通過晶體管的電流。隨后，該過程可以包括確定(1016)電流測量值是否在“I”閾值之上。如果電流在“I”閾值之上，那么存儲器裝置可以報告(1018) 二進制信息的“I”。如果測量的電流低于“ I ”閾值，那么存儲器裝置可以報告二進制信息的“O”。在一些示例中，如果NDR材料處于高電阻狀態，那么電流傳感器測量特定的安培水平，如I安培。在一些示例中，如果NDR材料處于低電阻狀態，那么電流傳感器測量特定的安培水平，如15安培。
[0051]雖然以上示例已經利用特定類型的晶體管進行了描述，但是根據在此所述的原理可以使用任意類型的晶體管。而且，雖然存儲器單元的布置已經利用特定布置進行了描述，但根據在此所述的原理可以使用任意布置的存儲器單元。雖然以上示例已經具體參考了NDR材料關于源極/漏極端子、P型半導體材料和柵極端子的特定位置而進行了描述，但是NDR材料關于與在此所述的原理相兼容的源極/漏極端子、P型半導體材料和柵極端子的位置的任意位置或布置可以使用。雖然以上示例已經參考晶體管的第一和第二源極/漏極端子之間的特定類型的半導體溝道在上面進行了描述，但是與在此所述原理兼容的任意類型的溝道可以使用。
[0052]雖然以上示例已經具體參考了特定類型的NDR材料進行了描述，但表現出與在此所述原理兼容的NDR特性的任意材料可以使用。雖然以上示例已經具體參考了特定NDR特性和/或負載線進行了描述，但根據在此所述原理可以使用表現出不同NDR特性和/或負載線的材料。此外，雖然以上示例已經參考特定方法和過程進行了描述，但與在此所述原理兼容的任意方法或過程可以使用。
[0053]雖然以上示例已經參考寫入存儲器和讀取存儲器的特定方法進行了描述，但與在此所述原理兼容的讀取和寫入存儲器的任意方法可以使用。此外，雖然測量電流已經具體參考特定示例進行了描述，但根據在此所述原理可以使用用于測量電流的任意方法或機制。而且，雖然存儲器裝置已經關于存儲器單元的特定布置進行了描述，但與在此所述原理兼容的任意存儲器單元布置可以使用。
[0054]在前描述僅被提供用于說明和描述在此所述的原理的示例。本描述不旨在是詳盡的或將這些原理限制于所公開的任意精確形式。根據以上教導，許多修改和變化是可能的。
【權利要求】
1.一種存儲器單元，包括: 晶體管，具有第一源極/漏極端子，所述第一源極/漏極端子利用半導體材料與第二源極/漏極端子分隔開； 柵極端子，被放置在所述半導體材料附近使得柵極端子電壓的增加會增加所述半導體材料的導電率；并且 所述第一源極/漏極端子串聯連接到負微分電阻材料。
2.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述負微分電阻材料是電流控制的負微分電阻材料。
3.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述第二源極/漏極端子電連接到電流傳感器。
4.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述負微分電阻材料被合并到連接至所述第一源極/漏極端子的垂直連接器中。
5.根據權利要求1所述的存儲器單元，其中所述第一源極/漏極端子連接到寫入線，所述第二源極/漏極端子連接到位線，并且所述柵極端子連接到讀取使能線。
6.一種存儲器裝置，包括: 以多行和多列布置的多個存儲器單元； 每個存儲器單元包括:晶體管，具有第一源極/漏極端子，所述第一源極/漏極端子利用半導體材料與第二源極/漏極端子分隔開；和被放置在所述半導體材料附近的柵極端子；并且 所述第一源極/漏極端子串聯連接到負微分電阻材料。
7.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述存儲器單元包括互補金屬氧化物半導體電路。
8.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述多行連接到電流傳感器。
9.根據權利要求6所述的存儲器裝置，其中所述第一源極/漏極端子連接到寫入線，所述第二源極/漏極端子連接到位線，并且所述柵極端子連接到讀取使能線。
10.根據權利要求6的存儲器裝置，其中所述多個存儲器單元被合并到包括多個處理器模塊的集成電路中。
11.一種用于存儲具有負微分電阻材料的存儲器的方法，包括: 在雙穩態存儲器單元的第一穩定區域內保持電壓在第一值，在所述第一穩定區域中所述雙穩態存儲器單元包括串聯連接到晶體管的第一源極/漏極端子的負微分電阻材料；和 將所述電壓改變到第二值以切換所述雙穩態存儲器單元的電阻狀態。
12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括:利用電連接到所述晶體管的第二源極/漏極端子的電流傳感器測量所述電阻狀態。
13.根據權利要求12所述的方法，其中利用連接到第二源極/漏極端子的電流傳感器測量所述電阻狀態包括:改變所述第一源極/漏極端子和所述第二源極/漏極端子與所述晶體管的柵極端子之間的導電率。
14.根據權利要求11所述的方法，將所述電壓改變到第二值以切換所述雙穩態存儲器單元的電阻狀態包括:暫時降低所述電壓以將所述雙穩態存儲器單元切換至高電阻狀態。
15.根據權利要求11所述的方法，將所述電壓改變到第二值以切換所述雙穩態存儲器單元的電阻狀態包括:暫時增加所述電壓以將所述雙穩態存儲器單元切換至低電阻狀態。
【文檔編號】H01L21/8246GK104396013SQ201280074223
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2012年7月27日 優先權日:2012年7月27日
【發明者】馬修·D·皮克特 申請人:惠普發展公司，有限責任合伙企業