半導體裝置用的切割加工用粘結帶的制作方法

半導體裝置用的切割加工用粘結帶的制作方法
【專利摘要】本發明的半導體裝置切割用粘結帶100是通過在基材膜10上形成放射線固化型粘結劑層20而得到的，其中，上述基材膜10由2層以上的基材樹脂膜層構成，鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層2的熔點為100℃～120℃，與該粘結劑層側的基材樹脂膜層在與上述粘結劑層相反側鄰接的基材樹脂膜層1的熔點為140℃～150℃。
【專利說明】半導體裝置用的切割加工用粘結帶
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于將半導體裝置切割分離為小片的半導體裝置切割工序所使用的半導體裝置切割用粘結帶、及使用該粘結帶的半導體裝置芯片的制造方法。
【背景技術】
[0002]在將形成有電路圖案的半導體裝置晶片分離為芯片狀、即進行所謂的晶片切割加工時，進行將半導體裝置晶片固定于切割用粘結帶上并拾取的方式。在該方式中，半導體裝置晶片在移至安裝工序前于貼合、固定于晶片切割用粘結帶的狀態下被晶片切割成芯片狀。其后，將所獲得的半導體裝置晶片芯片清洗、干燥后進行拾取，并通過利用固化樹脂的密封而封裝化，由此得到半導體裝置封裝件。
[0003]以往所使用的方法中，在利用上述工序制作半導體裝置晶片芯片后進行個別密封。近年來，進行有整體模具密封封裝切割(一括*一> F封止V[廠")，其中，對利用固化樹脂接合在一片基板上的復數個半導體裝置晶片芯片一并進行密封而成的封裝件進行封裝切割，從而獲得各個半導體裝置。
[0004]另外，在切割中，形成有IC等特定電路圖案的半導體晶片或利用樹脂整體密封的封裝件在其背面貼合半導體晶片加工用粘結帶后，經由分散有金屬顆粒的刀片高速旋轉等的旋轉刀而切割處理成特定的芯片尺寸。該處理時，通常采用有進行達到半導體晶片加工用粘結帶的一部分的切割而將晶片分割的方法。
[0005]切割工序所使用的刀片通常利用自磨損而使自銳功能活化并產生切削性能。該自銳功能受到切削的半導體裝置及同時被切削的粘結帶影響，因此即便在對相同半導體裝置進行處理的情況下，若使用不同的粘結帶，則刀片的自磨損量變動，不易由刀片切割的膠帶會相應地使刀片磨損。
[0006]為了提高切削性，若應用自磨損量較多、例如熔點較高的粘結帶，則在切割中刀片的直徑變小，因此在每個切割線或同一切割線中切入深度發生變化，有可能對分割后的半導體裝置的品質造成影響。另外，因刀片的壽命變短，因此需要增加更換頻率，在作業性的惡化及刀片的成本方面也有改良的余地。
[0007]因此，例如在專利文獻I中，提出有通過切割裝置而持續監控刀片直徑，提高加工穩定性的方法。在該方法中，若判定為達到在切割刀片的前端產生偏磨損而無法以標準尺寸對作為切入對象的封裝基板準確地進行全面切割的磨損狀態，則發出警報督促更換切割刀片，因此刀片的更換頻率變高，在作業性及成本方面還存在改良的余地。
[0008]為了降低刀片的磨損量，例如在專利文獻2中提出有使刀片傾斜而使其局部磨損的方法，但為了進行全面切割，需要使用兩種刀片或變更切割刀片的角度，作業性無法說是十分良好的。
[0009]另外，在專利文獻3中，提出有為了獲得在切割面上不產生線狀毛邊的切割加工性，將縱向的拉伸彈性模量與橫向的拉伸彈性模量及它們的比設定為特定范圍內，但關于切割工序中的刀片的磨損量則未作記載。[0010]現有技術文獻
[0011]專利文獻
[0012]專利文獻1:日本特開2008-166546號公報
[0013]專利文獻2:日本特開2004-47602號公報
[0014]專利文獻3:日本特開2005-68420號公報

【發明內容】

[0015]發明要解決的問題
[0016]本發明提供一種降低切割工序中刀片的磨損量、并且提高作業性的半導體裝置用的切割加工用粘結帶、及使用該粘結帶的半導體裝置芯片的制造方法。
[0017]用于解決問題的手段
[0018]本發明人為了達成上述目的而反復進行深入研究，結果發現:通過將構成粘結帶的基材樹脂膜層設為2層以上構成，并使該2層以上構成的樹脂的熔點有差異，從而可降低刀片磨損量。本發明是基于該見解而完成的。
[0019]本發明的課題是通過以下方法而達成的。
[0020]即本發明提供下述方案。
[0021]< I >一種半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其是在基材膜上形成放射線固化型粘結劑層而成的半導體裝置切割用粘結帶，其特征在于，所述基材膜由2層以上的基材樹脂膜層構成，鄰接于該粘結劑層側的基材樹脂膜層的熔點為100°C?120°C，與該粘結劑層側的基材樹脂膜層在與所述粘結劑層相反側鄰接的基材樹脂膜層的熔點為140°C?150。。；
[0022]< 2 >如上述< I >的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層含有低密度聚乙烯或直鏈狀低密度聚乙烯，鄰接于與粘結劑層相反側的基材樹脂膜層含有聚丙烯；
[0023]< 3 >如上述< I >或< 2 >的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，上述基材膜的鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層的熔點為108°C?117°C，且與該粘結劑層側的基材樹脂膜層在與上述粘結劑層相反側鄰接的基材樹脂膜層的熔點為146°C?150。。；
[0024]< 4 >如上述< I >至< 3 >中任一項的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層的厚度相對于基材樹脂膜整體厚度為20% ?40% ；
[0025]< 5 >如上述< I >至< 4 >中任一項的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層的厚度相對于基材樹脂膜整體厚度為64/3 ?40% ；
[0026]< 6 >如上述< I >至< 5 >中任一項的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，放射線固化前的基于JIS K7128-1的撕裂強度為70N/_?95N/_ ；
[0027]< 7 >一種半導體裝置的加工方法，其是將上述< I >至< 6 >中任一項的半導體裝置用的切割加工用粘結帶貼合在半導體裝置、然后對該進行了貼合的半導體裝置進行切割加工的半導體裝置的加工方法，其特征在于，對上述基材膜的鄰接于上述粘結劑層側的基材樹脂膜層進行全面切割(full cut)。
[0028]發明效果
[0029]在本發明的半導體裝置用的切割加工用粘結帶中，通過將基材膜所使用的樹脂層的構成設為特定的層積體，可不增加成本而降低切割刀片的磨損量，并且實現半導體裝置加工后的品質的提升。
[0030]本發明的上述及其它特征及優點可適當參照附圖、并根據下述記載而更為明確。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是示意性表示本發明的半導體裝置切割用粘結帶的一實施方式的截面圖。
[0032]圖2是示意性表示本發明的半導體裝置切割用粘結帶的其它實施方式的截面圖。
【具體實施方式】
[0033]以下，適當參照附圖對本發明的優選實施方式進行詳細說明。
[0034]需要說明的是，在本說明書中，所謂的半導體裝置包含半導體裝置晶片或半導體裝置整體模具密封封裝件這兩者。
[0035]圖1是示意性表示本發明的半導體裝置切割用粘結帶的優選的一實施方式的圖。
[0036]圖1中，半導體裝置切割用粘結帶100由基材膜10與粘結劑層20構成，該基材膜10由位于其最外層的樹脂膜層I及與粘結劑層接觸的樹脂膜層2構成，在基材膜10的樹脂膜層2側形成有粘結劑層20。
[0037]本發明的半導體裝置切割用粘結帶100由如下樹脂組合物構成:在基材膜10中，構成樹脂膜層2的樹脂組合物的熔點為100°C?120°C、更優選為超過100°C且為120°C以下、進一步優選為108°C?117°C ;構成樹脂膜層I的樹脂組合物的熔點為140°C?150°C、更優選為超過140°C且為150°C以下、進一步優選為141°C?150°C、特別優選為146°C?150。。。
[0038]需要說明的是，構成樹脂膜層2的樹脂組合物的熔點的上限雖為120°C以下，但該上限優選為117°C以下、更優選為110°C以下，因此，在將上述優選的范圍的各上限自120°C設為117°C、110°C時，成為進一步優于上述范圍的范圍。另一方面，構成樹脂膜層I的樹脂組合物的熔點的上限雖為150°C以下，但該上限優選為148°C以下，因此，優選為將上述優選的范圍中的各上限設為148°C以下。例如，在上述的進一步優選的范圍、即141°C?150°C中，141 °C?148°C的范圍優于141 °C?150°C的范圍。
[0039]此處，樹脂膜層I與2的樹脂組合物的熔點的差可通過差示掃描熱量測定(DSC)而求出。熔點是通過JIS K7121所規定的試驗方法而獲得的值。
[0040]在利用切割刀片的切削中，利用刀片的高速旋轉而將被粘結體及粘結帶的一部分削去。此時，半導體裝置切割用粘結帶的劃線周邊因與刀片的摩擦而成為高溫。通常在利用刀片進行切割時，使15°C?25°C的冷卻水流至該接觸部分而抑制發熱，但對于刀片前端部，該冷卻效果并不充分，會使粘結帶的與劃線接觸的部位熔融。另外，粘結帶的構成物質包含高分子量物質，因此若接近各構成樹脂的熔點或玻璃化轉變溫度(Tg)，則有粘結帶作為粘性體的特性變強，因該粘性而使刀片的自銳功能降低，同時刀片的磨損量降低的傾向。其結果，刀片的自銳功能降低，同時刀片的切割性能降低，因此有可能引起被粘結體的品質惡化。
[0041]針對于此，在本發明中，使構成樹脂膜的樹脂的熔點存在差異，在具有相對較低的熔點的樹脂膜層2中，更強地表現粘性體的性能而抑制刀片的自銳功能，在具有相對較高的熔點的樹脂膜層I中，表現所必需的最低限度的自銳功能，從而降低、抑制刀片的磨損量。其結果，可長期使用刀片而不會伴隨著品質惡化。
[0042]若樹脂膜層I的熔點未達140°C，尤其是為140°C以下時，則樹脂膜層I在切割時暫時接近熔融狀態，因此具有較強的粘性，其結果無法使刀片磨損，有可能產生半導體裝置的缺損等。另一方面，若超過150°C，則在切割時強烈地發揮作為彈性體的作用，因此有刀片的磨損量增加的傾向。
[0043]另外，若樹脂膜層2的熔點小于100°C，尤其是為100°C以下時，則樹脂膜層2在切割時具有更強的粘性，因此有可能因該粘性而使刀片的自銳功能明顯降低，同時產生半導體裝置的毛邊等。另一方面，若超過120°C，則在樹脂膜層2的切割時，作為粘性體的性能缺乏，因此有刀片磨損量增加的傾向。
[0044]構成基材膜10的樹脂只要在上述熔點的范圍內，則并無特別限制，也可合用其它樹脂或橡膠等可成型為片狀的材料。
[0045]例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯(polyurethane)、聚酰胺、離子聚合物、丁腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改性物等。其中，最外層的樹脂膜層I特別優選為聚丙烯，另外，與粘結劑層接觸的樹脂膜層2特別優選為低密度聚乙烯(LDPE)或直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)。
[0046]對于構成與粘結劑層接觸的基材樹脂膜層2的層，為了進一步提高密合性，也可實施電暈處理或實施底涂等處理。
[0047]然而，因為切割加工時所使用的刀片外周部截面具有R形狀，因此為了使作為半導體裝置側面的切割刀片切削面平滑，所使用的刀片的厚度越厚，則越需要較深地切入切割帶中。因此，所使用的刀片的厚度越厚，則越需要增加基材樹脂膜層的厚度。由此，優選為將基材樹脂膜層的厚度設為最少為切割所使用的刀片厚度的30%以上的厚度。另一方面，若基材樹脂膜層變得過厚，則有時半導體裝置切割用粘結帶的剛性提高，作業性惡化。
[0048]作為切割用的刀片，使用刀厚50 ii m?400 ii m左右的刀片，因此半導體裝置切割用粘結帶的基材膜10的厚度優選為30 ii m?300 ii m、進一步優選為50 y m?250 y m。
[0049]關于各樹脂膜層的厚度，本發明的效果是通過將與粘結劑層接觸的樹脂膜層2完全切割斷裂而發揮的，因此與粘結劑層接觸的樹脂膜層2的厚度相對于基材膜10整體的厚度優選為20%?40%、更優選為21%?40%、進一步優選為64/3?40%、特別優選為25%?35%。
[0050]只要滿足上述關系性，則基材樹脂膜層數并不限定于2層，也可設為3層以上。
[0051]圖2是示意性表示本發明的半導體裝置切割用粘結帶的優選的其它實施方式的圖。[0052]在該情況下，半導體裝置切割用粘結帶200的基材膜30由最外層的樹脂膜層31、與粘結劑層接觸的樹脂膜層33、上述兩層所夾持的中間樹脂膜層32這3層構成。優選按照該樹脂膜層32的熔點高于構成與粘結劑層接觸的樹脂膜層33的樹脂的熔點的方式來構成。進而，在由3層構成的情況下，優選為構成樹脂膜層32的樹脂的熔點高于構成樹脂膜31的樹脂的熔點。樹脂膜層32的熔點優選為140°C?150°C、更優選為146°C?150°C。
[0053]最外層的樹脂膜層31只要在膜層彼此的密合性上不產生問題，則并無特別限制，樹脂膜層31優選為應用與樹脂膜層32或樹脂膜層33相同的樹脂。樹脂膜層31特別優選為應用與樹脂膜層33相同的樹脂。
[0054]優選的是，與粘結劑層接觸的樹脂膜層33的厚度為基材樹脂膜30的20%?40%(特別優選為64/3?40%)即可。
[0055]作為構成粘結劑層20的放射線固化型粘結劑，例如可優選地使用日本特公平1-56112號公報、日本特開平7-135189號公報等所記載的物質，但并不限定于它們。只要具有通過放射線而固化并立體網狀化的性質即可，例如可使用對通常的橡膠是或(甲基)丙烯酸系的壓敏性基質樹脂(聚合物)混配分子中具有至少2個光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合引發劑而得到的物質。
[0056]此處，所謂放射線是指紫外線之類的光線或電子束之類的電離性放射線。所謂“(甲基)丙烯酸”是指“丙烯酸”或“甲基丙烯酸”中的任一者或兩者。
[0057]上述橡膠是或丙烯酸系的基質樹脂可使用天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物；或聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與可與其共聚的其它不飽和單體的共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物。
[0058]對于(甲基)丙烯酸系聚合物并無特別限制，可將重均分子量設為10萬?100萬、將玻璃化轉變溫度設為-50?0°C的范圍。
[0059]另外，可通過在上述粘結劑中混合異氰酸酯系固化劑而將初期的粘接力設定為任意值。作為這種固化劑，具體而言，使用有多元異氰酸酯化合物，例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-苯二甲基二異氰酸酯、1，4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4，4’ - 二異氰酸酯、二苯基甲烷_2，4’ - 二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷_4，4’ - 二異氰酸酯、二環己基甲烷-2，4’ - 二異氰酸酯、賴氨酸異氰酸酯等。
[0060]固化劑的含量只要根據所期望的粘結力進行適當調整即可，且相對于粘結劑的上述基質樹脂共聚物100質量份,優選為0.01質量份?10質量份、進一步優選為0.1質量份?5質量份。
[0061]放射線固化型粘結劑可通過將光聚合引發劑混入粘結劑中而減少基于放射線照射的聚合固化時間以及放射線照射量。
[0062]作為這種光聚合引發劑，具體而言，可列舉:安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、芐基二苯硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮雙異丁腈、1，2-二苯乙烷、二乙酰、
氯蒽醌等。
[0063]粘結劑層20的厚度可根據想要應用的被粘結體、即基材而適當設定，并無特別限制，優選為5 ii m?30 ii m、進一步優選為10 y m?25 y m。
[0064]另外，通過在如上所述的粘結劑層中含有光聚合性化合物及光聚合引發劑，可通過照射放射線而進行固化，使粘結劑的粘結力降低而使粘結劑層容易自被粘結體剝離。
[0065]粘結劑層20的形成可與通常的切割帶同樣地在基材上涂布粘結劑而制造。
[0066]另外，優選的是，上述半導體裝置切割用粘結帶的撕裂強度基于JIS K7128-1所規定的試驗方法為70N/mm?95N/mm(更優選為74N/mm?95N/mm)。
[0067]若為該范圍，則不會在半導體裝置的貼合時或拉伸時斷裂，并可降低刀片的磨損量。
[0068]S卩，通過將撕裂強度設為95N/mm以下，從而可減小切割時對刀片的負荷且不增加磨損量。另一方面，通過設為70N/_以上，可避免在半導體裝置的貼合時或操作時的拉伸時斷裂。
[0069]使切割用粘結帶的粘結劑層貼合在整體模具密封封裝件及環形框架的下面，將以上述方式形成的半導體裝置切割用粘結帶固定于整體模具密封封裝件或環形框架。切割用粘結帶也可預先貼合在環形框架的下面，其后，使整體模具密封封裝件貼合在切割用粘結帶。并且，進行固定后的半導體裝置的切割時，對作為基材膜的第I片的與粘結劑層接觸的樹脂膜層2、33進行全面切割。
[0070]由此，可抑制切割刀片的磨損量并且制作品質良好的半導體芯片。
[0071]實施例
[0072]以下，基于實施例進一步詳細地說明本發明，但本發明并不限定于此。
[0073]<構成粘結劑層的樹脂組合物>
[0074]使用以下A、B作為構成粘結劑層的樹脂組合物。
[0075](構成粘結劑層的樹脂組合物A)
[0076]相對于丙烯酸系基質聚合物(由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯所構成的共聚物，重均分子量30萬，玻璃化轉變溫度=-350C ) 100質量份，添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司制造,商品名Coronate L) 2質量份、作為具有光聚合性碳-碳雙鍵的化合物的四羥甲基甲烷四丙烯酸酯50質量份、及作為光聚合引發劑的日本Ciba-Geigy公司制造的Irgacurel84(商品名)0.5質量份并加以混合,制備放射線固化性的粘結劑樹脂組合物A。
[0077](構成粘結劑的樹脂組合物B)
[0078]使由丙烯酸丁酯(79質量％)、甲基丙烯酸(I質量％)、丙烯酸2-羥基乙酯(20質量％)構成的丙烯酸系共聚物100質量份、與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能團的化合物的異氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯(昭和電工公司制造,商品名Karenz M0I)0.2質量份反應，獲得在主鏈的重復單元時鍵合有具有下述丙烯酸系單體部的殘基的聚合物，該丙烯酸系單體部具有含有放射線固化性碳-碳雙鍵的基團。該聚合物的重均分子量為60萬。此處，重均分子量是通過下述方法算出的:利用凝膠滲透色譜儀(Waters公司制造，商品名150-C ALC/GPC)對溶解于四氫呋喃中的1%溶液進行測定，將所得的值進行聚苯乙烯換算，由此計算得到重均分子量。相對于上述聚合物100質量份，添加聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane公司制造,商品名Coronate L)0.5質量份、及作為光聚合引發劑的日本Ciba-Geigy公司制造的Irgacurel84(商品名)0.5質量份并加以混合,制備放射線固化性的粘結劑樹脂組合物B。
[0079]<構成基材膜的樹脂組合物>[0080]使用以下樹脂C?J作為構成基材膜的樹脂組合物。
[0081](樹脂C)聚丙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“F724NP”，熔點146°C
[0082](樹脂D)聚丙烯，SunAllomer公司制造，制品名“PF724S”，熔點150°C
[0083](樹脂E)聚丙烯，SunAllomer公司制造，制品名“PC412A”，熔點158°C
[0084](樹脂F)聚丙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“F327”，熔點138°C
[0085](樹脂G)低密度聚乙烯，NipponUnicar公司制造，制品名“NUC-8007”，熔點108°C
[0086](樹脂H)直鏈狀低密度聚乙烯，PrimePolymer公司制造，制品名“0434N”，熔點117。。
[0087](樹脂I)乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，NipponUnicar公司制造，制品名“NUC-3758”，熔點 930C
[0088](樹脂J)乙烯-甲基丙烯酸共聚物,Dupont-MitsuiPolychemicals公司制造,制品名 “N0908C”，熔點 99°C
[0089]將樹脂C?樹脂J調整為表I的構成，并利用雙軸混煉機以約200°C進行膜擠出成型，以厚度總計為150 制造各基材樹脂膜層。接著，如表I所示，以干燥后的厚度為20 um的方式對各基材樹脂膜層的與粘結劑層接觸的層涂布上述粘結劑，從而形成粘結劑層，制造如圖2的結構的實施例1?5、比較例I?8，如圖1的結構的實施例6?8、比較例
9、10的半導體裝置切割用粘結帶。
[0090](撕裂強度)
[0091]使用實施例1?8及比較例I?10的半導體裝置用粘結片，依據JIS K7128-1制作試片，并測定撕裂強度。試片是分別在MD、TD方向制成n = 5，并將其最大值與最小值作為試驗結果示于表I。
【權利要求】
1.一種半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其是在基材膜上形成放射線固化型粘結劑層而成的半導體裝置切割用粘結帶，其特征在于， 所述基材膜由2層以上的基材樹脂膜層構成，鄰接于該粘結劑層側的基材樹脂膜層的熔點為100°C?120°C，與該粘結劑層側的基材樹脂膜層在與所述粘結劑層相反側鄰接的基材樹脂膜層的熔點為140°C?150°C。
2.如權利要求1所述的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于所述粘結劑層側的基材樹脂膜層含有低密度聚乙烯或直鏈狀低密度聚乙烯，鄰接于與粘結劑層相反側的基材樹脂膜層含有聚丙烯。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，所述基材膜的鄰接于所述粘結劑層側的基材樹脂膜層的熔點為108°C?117°C，并且與該粘結劑層側的基材樹脂膜層在與所述粘結劑層相反側鄰接的基材樹脂膜層的熔點為146°C?150。。。
4.如權利要求1?3任一項所述的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于所述粘結劑層側的基材樹脂膜層的厚度相對于基材樹脂膜整體厚度為20%?40%。
5.如權利要求1?4任一項所述的半導體裝置用的切割加工用粘結帶，其特征在于，鄰接于所述粘結劑層側的基材樹脂膜層的厚度相對于基材樹脂膜整體厚度為64/3?40%。
6.如權利要求1?5任一項所述的半導體裝置用的切割用加工用粘結帶，其特征在于，放射線固化前的基于JIS K7128-1的撕裂強度為70N/mm?95N/mm。
7.一種半導體裝置的加工方法，其是將權利要求1?6任一項所述的半導體裝置切割用粘結帶貼合在半導體裝置、然后對該進行了貼合的半導體裝置進行切割加工的半導體裝置的加工方法，其特征在于， 對所述基材膜的鄰接于所述粘結劑層側的基材樹脂膜層進行全面切割。
【文檔編號】H01L21/301GK103608901SQ201280029289
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2012年10月17日 優先權日:2011年10月21日
【發明者】大田鄉史, 岡本和幸 申請人:古河電氣工業株式會社