導電結構、包含導電結構的系統及裝置，及相關方法

導電結構、包含導電結構的系統及裝置，及相關方法
【專利摘要】導電結構包含多個導電臺階及至少部分地延伸穿過所述多個導電臺階的觸點，所述觸點與所述多個導電臺階中的至少一者連通且與所述導電臺階中的至少另一者絕緣。裝置可包含此些導電結構。系統可包含半導體裝置及階梯狀導電結構，所述階梯狀導電結構具有延伸穿過所述階梯狀導電結構的臺階的多個觸點。形成導電結構的方法包含在穿過導電結構的至少一個導電臺階形成的接觸孔中形成觸點。在階梯狀導電結構中形成電連接的方法包含在穿過所述階梯狀導電結構的每一臺階形成的接觸孔中形成觸點。
【專利說明】導電結構、包含導電結構的系統及裝置，及相關方法
[0001]優先權主張
[0002]本申請案主張針對“導電結構、包含導電結構的系統及裝置，及相關方法(CONDUCTIVE STRUCTURES,SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES ANDRELATED METHODS)”于2011年6月2日提出申請的第13/151,945號美國專利申請案的 申請日期:的權益。
【技術領域】
[0003]本發明的實施例涉及具有延伸穿過導電結構的至少一部分的觸點的導電結構、包含此些導電結構的裝置、包含此些裝置的系統、形成此些導電結構的方法及形成階梯狀導電結構的電連接的方法。
【背景技術】
[0004]存儲器裝置通常作為內部半導體集成電路而提供于計算機或其它電子裝置中。存在許多不同類型的存儲器裝置，包含隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)及非易失性存儲器。隨著電子系統的性能及復雜度增加，對存儲器系統中的額外存儲器的要求也增加。半導體工業中的趨勢是朝向可用于在單個芯片上制作高密度電路的較小存儲器裝置。晶體管裝置及電路的小型化可通過減小所有裝置特征的大小使得所得裝置占據晶片的較小表面積來實現。
[0005]為降低制作此些高密度存儲器陣列的成本，必須使部件計數保持在最小值。此意指能夠實現單個芯片上的較高存儲器密度而不是堆疊單獨存儲器芯片。然而，隨著存儲器裝置的大小減小同時增加存儲器陣列中的存儲器單元的數目，操作每一存儲器裝置所需的連接的數目也增加。
[0006]舉例來說，在非易失性(例如，NAND快閃存儲器)中，一種用以增加存儲器密度的方式是通過使用還稱作三維(3-D)陣列的垂直存儲器陣列。舉例來說，頒予Kito等人的第2007/0252201號美國專利申請公開案中揭示此些垂直存儲器陣列。常規垂直存儲器陣列需要導電板與存取線(例如，字線)之間的電連接，使得可針對寫入或讀取功能唯一地選擇所述陣列中的存儲器單元。一種類型的垂直存儲器陣列包含延伸穿過分層導電板(還稱作字線板或控制柵極板)中的孔的半導體柱，在所述柱與所述導電板的每一結處具有電介質材料。因此，可沿每一柱形成多個晶體管。此結構使得較大數目個晶體管能夠通過在裸片上向上(垂直地)構建陣列而位于單位裸片面積上。然而，在此裝置中，每一存儲器單元必須包含多個導電連接(例如，字線、位線、選擇柵極等)以便讀取、寫入及擦除每一個別存儲器單元或多個存儲器單元。在具有存儲器單元的高密度的此存儲器陣列中，可能難以按有效及高效方式給每一存儲器單元提供所述連接。

【發明內容】
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是根據本發明的實施例的包含導電結構及半導體裝置的電子系統的實施例的示意性框圖；
[0008]圖2是根據本發明的實施例的導電結構的一部分的簡化橫截面側視圖；
[0009]圖3到11是工件的一部分的橫截面側視圖且圖解說明本發明的可用于形成如圖2中所展示的導電結構的導電結構的方法的實施例；
[0010]圖12到14是工件的一部分的橫截面側視圖且圖解說明本發明的可用于形成如圖2中所展示的導電結構的導電結構的方法的另一實施例；且
[0011]圖15及16是工件的一部分的橫截面側視圖且圖解說明本發明的可用于形成如圖2中所展示的導電結構的導電結構的方法的又一實施例。
【具體實施方式】
[0012]如本文中所使用，例如“第一”、“第二”、“在…上方”、“在…下方”、“在…上”、“下
伏”、“上覆”等任何關系術語是出于清楚及方便理解本發明及圖式的目的而使用且不暗示或取決于任何具體偏好、定向或次序。
[0013]如本文中所使用，術語“遠端的”及“近端的”描述導電結構的元件相對于所述導電結構形成于其上的襯底的位置。舉例來說，術語“遠端的”是指距所述襯底相對較遠的位置，且術語“近端的”是指相對較接近于所述襯底的位置。
[0014]如本文中所使用，術語“橫向”及“縱向”描述導電結構的元件相對于所述導電結構形成于其上的襯底及相對于在圖中如何繪示所述導電結構的方向。舉例來說，術語“橫向”是指垂直于從所述導電結構的近端到遠端終結的軸的方向(例如，跨越(即，側對側)所述各圖延伸的方向)。術語“縱向”是指平行于從所述導電結構的近端到遠端終結的軸延伸的方向(例如，沿所述各圖上下延伸的方向)。
[0015]下文說明提供例如材料類型及處理條件的具體細節以便提供對本發明的實施例的透徹說明。然而，所屬領域的技術人員將理解，本發明的實施例可在不采用這些具體細節的情況下實踐。實際上，本發明的實施例可連同業內所采用的常規半導體制作技術一起實踐。另外，下文提供的說明可不形成用于制造半導體裝置的完整工藝流程。下文所描述的結構不形成完整半導體裝置。下文僅詳細描述理解本發明的實施例所需的那些工藝動作及結構。可通過常規制作技術來執行用以形成完整導電結構及半導體裝置的額外動作。
[0016]在下文詳細說明中，參考形成其一部分且其中以圖解說明方式展示其中可實踐本發明的具體實施例的附圖。充分詳細地描述這些實施例以使得所屬領域的技術人員能夠實踐本發明。然而，可利用其它實施例，且可在不背離本發明的范圍的情況下做出結構、邏輯及電改變。本文中所呈現的圖解說明并非打算為任一特定系統、裝置、結構或存儲器單元的實際視圖，而僅是經采用以描述本發明的實施例的理想化表示。本文中所呈現的圖式未必按比例繪制。另外，圖式之間共同的元件可保持相同數字標號。
[0017]圖1是例如(舉例來說)包含一個或一個以上導電結構100及一個或一個以上半導體裝置102 (例如，多個存儲器單元、CMOS裝置等)的非易失性存儲器裝置(例如，例如三維NAND存儲器裝置的垂直存儲器裝置)的電子系統的示意性框圖。舉例來說，所述電子系統可包含直接或間接連接到一個或一個以上半導體裝置102且與其連通(例如，與其電連通、與其直接接觸或間接接觸)的一個或一個以上導電結構100。應注意，雖然本文中所描述的導電結構可具體提及與NAND裝置一起使用，但本發明并不限于此且可應用于其它半導體及存儲器裝置。
[0018]圖1中所展示的電子系統可包括(舉例來說)計算機或計算機硬件組件、服務器或其它聯網硬件組件、蜂窩式電話、數碼相機、個人數字助理(PDA)、便攜式媒體(例如，音樂)播放器等。所述電子系統進一步可包含至少一個電子信號處理器裝置(通常稱作“微處理器”)。所述電子系統可任選地進一步包含用于由用戶將信息輸入到所述電子系統中的一個或一個以上輸入裝置(例如(舉例來說)鼠標或其它定位裝置、鍵盤、觸摸板、按鈕或控制面板)及用于將信息(例如，視頻或音頻輸出)輸出到用戶的一個或一個以上輸出裝置(例如(舉例來說)監視器、顯示器、打印機、揚聲器等)。
[0019]圖2是可連同可在襯底104上包含導電材料(例如，互連件103)的半導體裝置102(圖1) 一起使用的導電結構100的簡化圖解。互連件103可由例如(舉例來說)金屬(例如，W、N1、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢(WN)、Au、氮化鈦(TiN)或氮化鈦鋁(TiAlN))、多晶硅、其它導電材料或其組合的材料形成。在一些實施例中，襯底104可包含包含半導體型材料(包含(舉例來說)硅、鍺、砷化鎵、磷化銦及其它II1-V或I1-VI型半導體材料)的任一結構。舉例來說，襯底104可不僅包含常規襯底而且還包含其它塊狀半導體襯底，例如(以實例方式而非限制方式)絕緣體上硅(SOI)型襯底、藍寶石上硅(SOS)型襯底及由另一材料支撐的硅外延層。此外，當在下文說明中提及“襯底”時，可能已利用先前工藝步驟而在所述襯底的表面中或上方至少部分地形成電路或裝置的元件或組件。在一些實施例中，襯底104可包含可在其上方(例如，在其上)形成導電結構100的任一結構，包含(舉例來說)電子系統或半導體裝置102 (圖1)的其它部分。
[0020]導電結構100的一個或一個以上部分可形成為包含多個臺階106 (例如，臺階107、
108、109、110)的所謂的“階梯狀”結構，每臺階107、108、109、110至少由導電材料112 (例如，多晶硅)形成。舉例來說，導電材料112可在互連件103及襯底104上方形成階梯狀結構。每一導電臺階107、108、109、110可通過絕緣材料114(例如，例如電介質材料的電絕緣材料)與一個或一個以上鄰近臺階106絕緣(例如，與一個或一個以上鄰近臺階106電絕緣、分離或隔離)。在一些實施例中，一個或一個以上臺階106可由一個以上導電材料112形成，其中導電臺階106中的每一者借助一種或一種以上絕緣材料114至少部分地彼此絕緣。最接近于互連件103及襯底104的臺階(例如，臺階110)的導電材料112可通過絕緣材料115與互連103分離。也可在臺階106中的每一者的遠端部分上安置絕緣材料117。以實例方式而非限制方式，本文中所論述的絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)可包含任何適合的至少部分地電絕緣的材料，例如氧化物材料(例如，Si02、Al203等)、氮化物材料(例如，Si3N4、AlN等)或氧化物材料與氮化物材料的組合(例如(舉例來說)氮氧化物材料、再氧化氮氧化物材料或所謂的“氧化物-氮化物-氧化物”(ONO)結構)。在一些實施例中，絕緣材料114、115、117可各自包括類似材料、不同材料或其組合。
[0021]在一些實施例中，臺階106中的每一者的導電材料112可形成用于將電信號供應到例如(舉例來說)多個存儲器單元的半導體裝置102(圖1)的導電板(例如，字線板)。
[0022]所述階梯狀結構的臺階106中的每一者可包含接觸部分105以促進形成與個別臺階106中的每一者的一個或一個以上連接(例如，電連接)，如下文進一步詳細論述。在一些實施例中，每一臺階106可包含從一個或一個以上鄰近臺階106橫向偏移的接觸部分105。舉例來說，臺階108包含橫向延伸超出鄰近臺階(例如，臺階107)的接觸部分105 (例如，導電材料112的橫向端部分)。換句話說，臺階108不橫向延伸與臺階107相同的距離。
[0023]仍參考圖2，例如(舉例來說)接觸孔116 (例如，通孔)的開口可于臺階106的接觸部分105處延伸穿過臺階106中的每一者以使得能夠個別地接觸臺階106中的每一者以便給臺階106中的每一者提供連接。舉例來說，臺階106中的每一者可包含形成于延伸穿過其的接觸孔116中的觸點118。觸點118可延伸穿過臺階106中的每一者的導電材料112。觸點118可由例如(舉例來說)金屬(例如，W、N1、氮化鉭(TaN)、Pt、氮化鎢(WN)、Au、氮化鈦(TiN)或氮化鈦鋁(TiAlN))、多晶硅或其它導電材料的導電材料形成。在一些實施例中，觸點118可包含形成于其中的一種或一種以上導電材料。舉例來說，如下文較詳細論述，觸點118可包含由不同材料形成的外部分(例如,例如由金屬氮化物形成的導電襯里的襯里132(圖7))以促進觸點118的內部分(例如，由純鎢形成)與臺階106中的每一者的導電材料112之間的電接觸。在一些實施例中，接觸孔116的遠端部分128可經形成以具有相對大于接觸孔116的近端部分130的寬度的橫向寬度(例如，直徑)。這些實施例可使得觸點118能夠接觸臺階106的導電材料112的橫向側表面(例如，沿接觸孔116延伸的表面)及臺階106的導電材料112的遠端表面兩者(且與其連通)。
[0024]觸點118可使得臺階106中的相應一者能夠與互連件103連通(例如，導電互連件與例如字線驅動器的CMOS裝置連通)。接觸孔116及形成于其中的觸點118可延伸穿過第一臺階107及下伏(例如，沿朝向襯底104延伸的方向定位于下方)的每一臺階108、
109、110。換句話說，接觸孔116及形成于其中的觸點118可沿從導電結構100的遠端部分延伸到導電結構100的近端部分的方向延伸穿過一個或一個以上臺階106。舉例來說，接觸孔116及形成于其中的觸點118可延伸穿過臺階107及臺階107形成于其上的每一臺階(例如，臺階 108、109、110)。
[0025]接觸孔116及觸點118可經定位使得每一接觸孔116及觸點118延伸穿過形成階梯狀結構的臺階106的相異遠端部分(例如，接觸部分105)。舉例來說，形成于接觸孔116中的觸點119可經定位使得觸點119延伸穿過臺階107的遠端部分(例如，臺階107的導電材料112)。觸點120可經定位以延伸穿過臺階108的遠端部分(例如，臺階108的導電材料112)而不延伸穿過臺階107的遠端部分。換句話說，每一觸點118可經定位使得觸點(例如，觸點119)延伸穿過經定位比鄰近臺階(例如，臺階108)的導電材料112距互連件103遠(B卩，距互連件103較大距離)的臺階(例如，臺階107)的導電材料112。
[0026]如圖2中進一步展示，一個或一個以上臺階106可與延伸穿過導電臺階106的觸點118至少部分地絕緣，而一個或一個以上其它導電臺階106可與觸點118相連。舉例來說，下伏于臺階107下的每一臺階108、109及110可通過包括沿形成接觸孔116的導電結構的一部分延伸的絕緣材料的襯里122而隔離為不與接觸孔116中的觸點118電連通，而臺階107與觸點118接觸。換句話說，襯里122形成于觸點118與臺階108、109及110的導電材料112之間，使得臺階108、109及110的導電材料112與觸點118絕緣。然而，襯里122經形成使得觸點118的至少一部分與臺階107的導電材料112連通(例如，接觸以使得電信號能夠在觸點118與臺階107的導電材料112之間傳遞)。每一觸點118可與臺階106中的相應至少一者電連通。舉例來說，觸點119可與導電臺階107電連通，觸點120可與導電臺階108電連通，等等。在一些實施例中，襯里122可由例如上文所列出的那些絕緣材料的絕緣材料形成。
[0027]在一些實施例中且如圖2中所展示，導電結構100可具有使得觸點118(例如，觸點119、120、121)能夠形成為列的階梯狀結構。觸點118中的一者或一者以上可延伸穿過不同數目個臺階106且與臺階106中的選定(例如，特定)一者連通。舉例來說，觸點118可各自與觸點118延伸穿過的臺階106的最遠端(例如,距互連件103最遠的臺階106)接觸。如圖2中所展示，觸點119可形成穿過導電結構100的階梯狀結構的第一列且可與臺階107連通而通過襯里122與臺階108、109及110隔離。類似地，觸點120可形成穿過導電結構100的階梯狀結構的第二列且可與臺階108連通而通過襯里122與臺階109及110隔離，以此類推。此圖案或類似圖案可以類似方式繼續直到觸點121與臺階106的最近端(例如，臺階110)連通為止。應注意，雖然出于描述本發明的實施例的目的，圖2的實施例圖解說明四個臺階106，但導電結構100可經形成具有包含任何數目種導電材料及絕緣材料的任何數目個臺階。應進一步注意，雖然圖2的實施例圖解說明臺階106中的每一者具有由絕緣材料114分離的一種導電材料112，但在其它實施例中，臺階106可包含一種或一種以上導電材料(例如，各自由絕緣材料分離的一種或一種以上導電材料)。也應注意，雖然圖2的實施例圖解說明形成于絕緣材料114上方(例如，上)的導電材料112，但在其它實施例中，可顛倒導電材料112及絕緣材料114的次序。此外，在又其它實施例中，延伸穿過所述臺階的觸點可與每一臺階中或總體導電結構中的任何數目種導電材料連通或與其隔離。
[0028]在一些實施例中，襯里122可經形成以實現導電材料112的橫向表面(例如，側表面)及所述導電材料的遠端表面上的臺階106的導電材料112與觸點118之間的接口。可利用此配置以增強臺階106的導電材料112與觸點118之間的連接。
[0029]仍參考圖2，襯里122可經形成以隔離導電臺階106中的一者或一者以上，同時實現與剩余導電臺階106中的一者或一者以上的連通，同時還實現與形成于觸點118的近端處的互連件103的連通。在一些實施例中，導電結構100的元件(例如，接觸孔116、觸點118、襯里122等)可經形成以實現經由觸點118的遠端與其它半導體元件的連通。
[0030]應注意，為方便及清晰起見，本發明的實施例在圖式中展示為具有大致定位于相同橫截面平面中的接觸孔及觸點。預期，所述接觸孔及觸點可形成于相同橫截面平面、相異橫截面平面或其組合中。
[0031]下文描述用于形成根據本發明的實施例的導電結構(例如圖2中所展示的導電結構)的各種方法。為促進說明，在一些例子中，參考所述導電結構的一部分來描述所述方法(例如，圖解說明一個接觸孔及安置于其中的觸點延伸穿過形成(舉例來說)階梯狀結構的一部分的導電材料的一部分)。然而，實際上，多個接觸孔及觸點可大致同時形成于一個或一個以上導電結構中。
[0032]在下文所論述的實施例中的每一者中，形成所述導電結構的材料可通過(舉例來說)生長、擴散、沉積或以其它方式提供于其上來形成。所述各種材料可使用(舉例來說)集成電路制作技術中已知的沉積技術(例如，化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、原子層沉積(ALD)、濺鍍、熱蒸鍍或電鍍)、氧化工藝(例如，熱氧化、ISSG氧化)及圖案化技術(例如，遮蔽及蝕刻)來形成。所述絕緣材料可通過化學氣相沉積、通過分解原硅酸四乙酯或通過集成電路制作技術中已知的任何其它工藝來形成。
[0033]另外，可使用(舉例來說)磨蝕或拋光工藝(例如，化學機械平面化(CMP)工藝、化學拋光工藝、機械平面化工藝)、蝕刻工藝、剝離工藝或其組合來移除所述材料或其部分。蝕刻工藝可包含(舉例來說)例如使用掩模及各向異性蝕刻工藝(例如，例如使用等離子的反應離子蝕刻工藝)來移除材料的部分或使用掩模及各向同性工藝(例如，化學蝕刻工藝)來移除材料的部分的濕法蝕刻或干法蝕刻。應注意，用于產生所述反應離子的氣體的特定組成、化學蝕刻劑的特定組成及蝕刻工藝的操作參數可基于掩模、將蝕刻的材料及周圍材料的組成來選擇。
[0034]參考圖3到12來描述可用于形成(舉例來說)圖2中所展示的導電結構100的方法的實施例。參考圖3，可通過以下方式使導電結構100(圖2)形成(舉例來說)為階梯狀結構:形成由絕緣材料114至少部分地分離的包含導電材料112的多個臺階106 (例如，臺階107、108、109、110);移除導電材料112及絕緣材料114的一部分以形成臺階106 ；在臺階106上方形成絕緣材料(例如,絕緣材料117);及使所述結構平面化,例如經由磨蝕工藝。舉例來說，針對包含階梯狀結構的設備及形成階梯狀結構的方法(APPARATUSESINCLUDING STAIR-STEP STRUCTURES AND METHODS OF FORMING THE SAME)(代理人檔案號
碼2269-10469US (2010-0786.00/US))與本案同一日提出申請的第_號美國專利申
請案中描述形成階梯狀結構的此些方法。
[0035]可在工件(例如，階梯狀結構)中形成(例如，經由例如各向異性蝕刻的蝕刻工藝)延伸穿過絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)且穿過一個或一個以上導電臺階106的一個或一個以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103。如圖3中所展示，接觸孔116可經定位使得每一接觸孔116延伸穿過每一臺階106的遠端部分(例如，接觸部分105(圖2))。換句話說，接觸孔116從導電結構100的遠端部分(例如，絕緣材料117的表面)延伸到導電結構100的近端部分(例如，互連件103)。每一接觸孔116經定位以首先沿從導電結構100的遠端部分到近端部分的方向延伸穿過相異臺階106。舉例來說，第一接觸孔116(例如，接觸孔124)首先沿從導電結構100的遠端部分到近端部分的方向延伸穿過臺階107。第二接觸孔116(例如，接觸孔126)首先沿從導電結構100的遠端部分到近端部分的方向延伸穿過臺階108，以此類推。
[0036]如圖4中所展示，接觸孔116的遠端部分128可經形成以具有大于接觸孔116的近端部分130的寬度的寬度(例如，直徑)。舉例來說，絕緣材料114、117可經蝕刻以形成從臺階106中的每一者的最遠端導電材料112延伸到絕緣材料117的遠端的接觸孔116的較寬遠端部分128。接觸孔116的較寬遠端部分128可通過蝕刻(例如，包含對絕緣材料
114、117具有選擇性的蝕刻劑的等距蝕刻)來形成。換句話說，所述蝕刻劑的化學性質可經配置以按與其它材料的移除速率相比較快的速率移除絕緣材料114、117。
[0037]圖5到11圖解說明圖3及4中所展示的工件的一部分的單個接觸孔116及觸點118。應注意，如上文所論述，可與圖5中所展示的接觸孔116大致同時或在單獨工藝中以類似方式處理一個或一個以上接觸孔。如圖5中所展示，在一些實施例中，絕緣材料114、
115、117的蝕刻(例如，等距蝕刻)還可在于臺階106之間延伸的絕緣材料114中及在絕緣材料115、117中形成凹部。如果存在，那么所述凹部可增加接觸孔116的寬度的部分。在其它實施例中，在絕緣材料114、115、117中形成接觸孔116可不大致在于導電臺階106之間延伸的絕緣材料114中或在絕緣材料115、117中形成例如圖12到16中所展示的接觸孔的凹部。
[0038]如圖5中進一步所展示，襯里122可形成于接觸孔116中。當形成時，襯里112可至少大致覆蓋暴露于接觸孔116中的臺階106中的每一者的導電材料112。襯里122可形成(例如，保形沉積)于接觸孔116中使得接觸孔116的一部分保持未經填充。
[0039]如圖6中所展示，襯里122的一部分可經移除以暴露導電臺階106中的一者或一者以上。襯里122的另一部分可經移除以暴露互連件103。可使用例如(舉例來說)一個或一個以上各向異性蝕刻工藝的一個或一個以上蝕刻工藝來移除襯里112的部分。換句話說，對形成襯里122的絕緣材料具有選擇性的蝕刻劑可在與垂直表面(例如，沿縱向方向延伸的表面)相比較快地移除水平表面(沿橫向方向延伸的襯里122的表面)的各向異性蝕刻工藝中施加到所述工件。相同蝕刻工藝或不同蝕刻工藝還可移除上覆于臺階106的最遠端(例如，臺階107)上的襯里122的垂直部分。如圖6中所展示，此工藝可暴露臺階106的最遠端(例如，臺階107)的導電材料112的橫向及縱向表面，而臺階108、109及110的導電材料112可保持大致由襯里122覆蓋。應注意，選定用于襯里122的材料及絕緣材料114、115、117(例如，氧化物、氮化物或其組合)可在已移除襯里112的部分之后影響襯里122的結構。舉例來說，如果襯里122及絕緣材料117由相同材料(例如，氧化物)形成，那么襯里122的遠端部分可不以圖6中所展示的方式凹入。盡管如此，可利用任何適合材料及移除工藝來至少部分地暴露一個或一個以上選定導電臺階106的一部分以便在觸點118與一個或一個以上選定導電臺階106之間建立連接。
[0040]如圖7中所展示，可在接觸孔116中形成導電襯里132以實現一個或一個以上選定導電臺階106、互連件103及形成于接觸孔116中的觸點118 (圖8)之間的連通。舉例來說，導電襯里132 (或用于制備導電襯里132的工件的工藝)可用以清潔導電材料112及互連件103的表面以便實現導電材料112、互連件103及觸點118 (圖8)之間的連通。在一些實施例中，導電襯里132可包括導電材料且可與導電材料112及互連件103連通。在此實施例中，觸點118(圖8)可經由導電襯里132與導電材料112及互連件103連通。
[0041]圖8圖解說明根據本發明的實施例在接觸孔116中形成導電材料。可保形沉積所述導電材料。如圖8所展示，在一些實施例中，所述導電材料可大致填充接觸孔116，從而形成觸點118。在其中保形沉積導電材料的一些實施例中，接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有使得觸點118的導電材料能夠夾緊于接觸孔116的近端部分130內的寬度(例如，直徑)。換句話說，接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有使得能夠在接觸孔116的近端部分130處借助觸點118的導電材料來實質封閉接觸孔116的寬度。舉例來說，接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有足以使得觸點118能夠夾緊于接觸孔116的近端部分130中而不是接觸孔116的遠端部分128中的寬度。應注意，使得所述材料能夠夾緊于其中的接觸孔116的遠端部分128的寬度將至少部分地基于用于填充接觸孔116的材料及用于沉積所述材料的技術而變化。所述導電材料還可延伸于絕緣材料117上方。形成觸點118的導電材料可經沉積使得觸點118與導電臺階106中的一者或一者以上及互連件103連通。如上文所論述，在一些實施例中，沉積于圖8中所展示的動作中的導電材料及襯里132 (圖7)兩者可形成觸點118。
[0042]圖9圖解說明根據本發明的另一實施例在接觸孔116中形成導電材料。所述導電材料還可延伸于絕緣材料117上方。如圖9中所展示,在一些實施例中,接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有使得沉積于接觸孔116中以形成觸點118的導電材料能夠夾緊于接觸孔116的遠端部分128內的寬度(例如，直徑)。換句話說，接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有使得能夠在接觸孔116的遠端部分128處借助觸點118的導電材料來實質封閉接觸孔116的寬度。舉例來說，接觸孔116的遠端部分128可經定大小以具有足以使得觸點118能夠夾緊于接觸孔116的遠端部分128中的寬度而不是觸點118的導電材料將至少部分地不夾緊于接觸孔116的遠端部分128中的寬度(參見，例如，圖8)。應注意，使得所述材料能夠夾緊于其中的接觸孔116的遠端部分128的寬度將至少部分地基于用于填充接觸孔116的材料及用于沉積所述材料的技術而變化。
[0043]圖10及11圖解說明根據本發明的實施例例如(舉例來說)通過如圖10中所展示的蝕刻及通過如圖11中所展示的磨蝕工藝來部分地移除所述工件的材料(例如，上覆于絕緣材料117上的觸點118的導電材料及接觸孔116中的導電材料的部分)。參考圖10，在一些實施例中，可使用例如(舉例來說)各向同性干法蝕刻的蝕刻工藝來移除觸點118的材料。觸點118的材料可經移除使得觸點118的一部分與一個或一個以上導電臺階106連通。所述蝕刻工藝可移除上覆于絕緣材料117上的觸點118的材料及遠端部分128內的材料的一部分。舉例來說，如圖10中所展示，觸點118的材料可經蝕刻使得觸點118不延伸超過絕緣材料117的遠端。在一些實施例中，觸點118的材料可至少部分地與接觸孔116的遠端部分128—起凹入。
[0044]參考圖11，在一些實施例中，可使用例如(舉例來說)拋光工藝(例如，化學機械平面化(CMP)工藝)的磨蝕工藝來移除觸點118的材料。觸點118的材料可經移除使得觸點118的一部分與一個或一個以上導電臺階106連通。舉例來說，如圖11中所展示，觸點118的材料可經蝕刻使得觸點118不延伸超過絕緣材料117的遠端。在一些實施例中，觸點118的材料可大致與接觸孔116的遠端部分128共平面(例如，大致與絕緣材料117的遠端在共平面)。應注意，上文參考圖10及11所描述的實施例還可包含移除所述工件的其它材料的至少一部分，例如(舉例來說)絕緣材料117的一部分。
[0045]參考圖12到14來描述可用于形成(舉例來說)圖2中所展示的導電結構100的方法的另一實施例。參考圖12，可在所述工件中形成延伸穿過絕緣材料(例如，絕緣材料114、115、117)且穿過一個或一個以上導電臺階106的類似于參考圖3所展示及所描述的接觸孔116的一個或一個以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103。
[0046]如圖12中所展示，接觸孔116可通過在所述工件的遠端(例如，絕緣材料117的遠端)上形成掩模134 (例如，硬掩模(非晶碳或透明碳)、光致抗蝕劑等)并經由所述工件蝕刻(例如，各向異性蝕刻)掩模134的圖案而形成。舉例來說，掩模134中的一個或一個以上開口(例如，孔口 136)可界定接觸孔116中的每一者的第一寬度(例如，接觸孔116的近端部分130的寬度)。
[0047]如圖13中所展示，可移除(例如，修整)掩模134的一部分以增加掩模134的孔口 136的寬度。如圖14中所展示，可使用包含相對較寬孔口 136'的掩模134來蝕刻所述工件的另一部分。舉例來說，絕緣材料117可經蝕刻(例如，各向異性蝕刻)以形成接觸孔116的遠端部分128。如上文所論述，接觸孔116的遠端部分128可經形成以具有大于接觸孔116的近端部分130的寬度的寬度(例如，直徑)。接觸孔116的相對較寬遠端部分128可從所述工件的遠端(例如，絕緣材料117的遠端)延伸到絕緣臺階106的遠端表面(例如，臺階106的最遠端的導電材料112)。
[0048]可通過經由例如(舉例來說)上文參考圖5到11所描述的那些工藝的工藝在所述接觸孔中形成襯里及觸點來使所述工件形成為導電結構(例如，如圖2中所展示的導電結構100)。在一些實施例中，還可從所述工件移除掩模134。舉例來說，可經由例如上文參考圖11及12所描述的那些蝕刻或磨蝕工藝的蝕刻或磨蝕工藝來(例如，與移除觸點118的材料同時)移除掩模134。
[0049]參考圖15及16來描述可用于形成(舉例來說)圖2中所展示的導電結構100的方法的又一實施例。返回參考圖12,可在所述工件中形成延伸穿過絕緣材料(例如,絕緣材料114、115、117)且穿過一個或一個以上導電臺階106的類似于參考圖3所展示及所描述的接觸孔116的一個或一個以上接觸孔116。接觸孔116可大致延伸到互連件103。可在所述工件的遠端(例如，絕緣材料117的遠端)處形成掩模134 (例如，硬掩模、光致抗蝕劑
坐')
寸/ ο
[0050]如圖15中所展示，掩模134中的一個或一個以上孔口 136可界定接觸孔116中的每一者的第一寬度(例如，接觸孔116的遠端部分128的寬度)。可使用通過掩模134形成的孔口 136來蝕刻(例如，各向異性蝕刻)絕緣材料117以形成接觸孔118的一部分(例如，接觸孔118的遠端部分128)。接觸孔116的遠端部分128可從所述工件的遠端(例如，絕緣材料117的遠端)延伸到導電臺階106 (例如，臺階106的最遠端的導電材料112)。
[0051]如圖16中所展示，可至少部分地在接觸孔116的遠端部分132內，于掩模134及絕緣材料117的垂直側壁上形成間隔件138。間隔件138可減小(例如，縮窄)孔口 136'的第一寬度。間隔件138可由可相對于導電材料112及絕緣材料114選擇性地蝕刻的材料形成。間隔件138可用于界定接觸孔116中的每一者的寬度(例如，接觸孔116的近端部分130的寬度)。可使用經由相對較窄孔口 136'的蝕刻工藝(例如，對導電材料112及絕緣材料114、115具有選擇性的各向異性蝕刻)來使接觸孔116的剩余部分(例如，接觸孔116的近端部分130)形成為具有小于接觸孔116的遠端部分128的寬度的寬度。
[0052]可(例如，經由蝕刻工藝、磨蝕工藝或其組合)移除形成于絕緣材料117的遠端上之間隔件138及掩模134。
[0053]可通過經由例如(舉例來說)上文參考圖5到11所描述的那些工藝的工藝在所述接觸孔中沉積襯里及觸點來使所述工件形成為導電結構(例如，如圖2中所展示的導電結構100)。
[0054]本發明的實施例可特別適用于形成實現利用至少部分地延伸穿過導電結構的觸點與一個或一個以上半導體裝置(例如，例如字線驅動器、存儲器單元等的CMOS裝置)的連通的導電結構(例如，階梯狀結構)。此些配置可實現與其中觸點從所述階梯狀導電結構向上延伸且延伸于所述階梯狀導電結構上方的常規導電結構相比經由所述導電結構的相對較直接的連接路線。此外，具有延伸穿過所述導電結構的觸點的此配置可因實現到定位于所述導電結構下方的導電元件的相對簡化及縮短的連接路線而減少對在所述階梯狀導電結構上方形成緊密間距布線的需要。
[0055]結論
[0056]在一實施例中，一種導電結構包含沿所述導電結構橫向延伸的多個導電臺階，其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階通過絕緣材料而與所述多個導電臺階中的鄰近導電臺階至少部分地分離。所述導電結構進一步包含至少部分地延伸穿過所述多個導電臺階中的至少兩個導電臺階的觸點，其中所述觸點與所述導電臺階中的至少一者連通且與所述導電臺階中的至少另一者絕緣。
[0057]在另一實施例中，一種裝置包含多個存儲器單元及導電結構。所述導電結構包含多個導電臺階，其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階與所述多個存儲器單元中的相應至少一個存儲器單元電連通。所述導電結構進一步包含各自延伸穿過所述多個導電臺階中的至少一個導電臺階的多個觸點，所述多個觸點中的每一觸點與所述多個導電臺階中的相應至少一者電連通且借助至少部分地位于所述觸點與所述另一導電臺階之間的絕緣材料與所述多個導電臺階中的另一導電臺階絕緣。
[0058]在另一實施例中，一種系統包含半導體裝置及與所述半導體裝置電連通的導電結構。所述導電結構包含階梯狀結構，所述階梯狀結構包括各自具有從鄰近臺階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個臺階。每一臺階包括至少部分地將所述多個臺階中的相應臺階與所述多個臺階中的鄰近臺階分離的導電材料及絕緣材料。所述導電結構進一步包含多個觸點，所述多個觸點中的每一觸點延伸穿過所述多個臺階中的至少一個臺階且與所述多個臺階中的至少一個相應臺階連通。
[0059]在另一實施例中，一種形成導電結構的方法包含:穿過多種導電材料中的至少一者形成多個開口，每一導電材料由多種絕緣材料中的相應絕緣材料至少部分地分離；在所述多個開口中的每一開口中形成襯里；在所述多個開口中的每一開口中暴露所述多種導電材料中的相應至少一種導電材料的一部分；及在所述多個開口中的每一開口中形成與所述多種導電材料中的所述相應至少一種導電材料的所述暴露部分連通的相應觸點。
[0060]在另一實施例中，一種形成階梯狀導電結構的電連接的方法包含:在互連件上方形成各自具有從鄰近臺階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個臺階；穿過所述多個臺階中的每一臺階形成穿過所述多個臺階延伸到所述互連件的開口 ；及在所述開口中形成與所述多個臺階中的至少一者及所述互連件電連通的觸點。
[0061]下文描述另一非限制性實例實施例。
[0062]實施例1:一種導電結構，其包括:多個導電臺階，其沿所述導電結構橫向延伸，所述多個導電臺階中的每一導電臺階通過絕緣材料而與所述多個導電臺階中的鄰近導電臺階至少部分地分離；及觸點，其至少部分地延伸穿過所述多個導電臺階中的至少兩個導電臺階，其中所述觸點與所述導電臺階中的至少一者連通且與所述導電臺階中的至少另一者絕緣。
[0063]實施例2:根據實施例1所述的導電結構，其中所述觸點包括多個觸點中的一者，所述多個觸點中的每一觸點延伸穿過所述多個導電臺階中的至少一個導電臺階。
[0064]實施例3:根據實施例2所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述導電臺階中的至少相應一者連通且與剩余導電臺階絕緣。
[0065]實施例4:根據實施例3所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述多個導電臺階中的不同導電臺階連通。
[0066]實施例5:根據實施例2到4中任一實施例所述的導電結構,其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階包括從所述多個導電臺階中的鄰近導電臺階的接觸部分橫向偏移的接觸部分。
[0067]實施例6:根據實施例2到5中任一實施例所述的導電結構,其中所述多個觸點中的每一觸點包括具有第一寬度的近端部分及具有大于所述第一寬度的第二寬度的遠端部分。
[0068]實施例7:根據實施例6所述的導電結構，其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階的遠端表面形成與所述觸點中的相應一者連通的所述導電臺階的表面。
[0069]實施例8:根據實施例2到7中任一實施例所述的導電結構，其進一步包括互連件，所述多個觸點中的每一觸點與所述互連件連通。
[0070]實施例9:根據實施例8所述的導電結構，其中所述導電結構上覆于所述互連件上。
[0071]實施例10:根據實施例8所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述觸點延伸穿過的所述多個導電臺階中距所述互連件最遠定位的相應一者連通。
[0072]實施例11:根據實施例1到10中任一實施例所述的導電結構，其中所述觸點借助形成于所述觸點與所述多個導電臺階中的所述至少另一導電臺階之間的絕緣材料而與所述多個導電臺階中的所述至少另一導電臺階隔離。
[0073]實施例12:—種裝置，其包括:多個存儲器單元；及導電結構，其包括:多個導電臺階，所述多個導電臺階中的每一導電臺階與所述多個存儲器單元中的相應至少一個存儲器單元電連通；及多個觸點，每一觸點延伸穿過所述多個導電臺階中的至少一個導電臺階，所述多個觸點中的每一觸點與所述多個導電臺階中的相應至少一者電連通且借助至少部分地位于所述觸點與所述另一導電臺階之間的絕緣材料而與所述多個導電臺階中的另一導電臺階絕緣。
[0074]實施例13:根據實施例12所述的裝置，其中所述多個導電臺階包括多個字線板。
[0075]實施例14:根據實施例13所述的裝置，其中所述多個字線板中的每一字線板包括從所述多個字線板中的鄰近字線板的接觸部分橫向偏移的接觸部分，且其中所述多個觸點中的每一觸點與所述多個字線板中的相應一者連通且與所述多個字線板中的其它字線板隔離。
[0076]實施例15:根據實施例14所述的裝置，其進一步包括互連件，所述導電結構至少部分地上覆于所述互連件上且其中所述多個觸點中的每一觸點從所述多個字線板中的其相應字線板穿過所述導電結構延伸到所述互連件。
[0077]實施例16:—種系統，其包括:半導體裝置；及導電結構，其與所述半導體裝置電連通，所述導電結構包括:階梯狀結構，其包括:多個臺階，每一臺階具有從鄰近臺階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分，每一臺階包括至少部分地將所述多個臺階中的相應臺階與所述多個臺階中的鄰近臺階分離的導電材料及絕緣材料；及多個觸點，所述多個觸點中的每一觸點延伸穿過所述多個臺階中的至少一個臺階且與所述多個臺階中的至少一個相應臺階連通。
[0078]實施例17:根據實施例16所述的系統，其中所述多個觸點中的每一觸點安置于至少部分地延伸穿過所述導電結構的多個開口中的相應開口中，且進一步包括安置于所述多個開口中的至少一個開口中的襯里，所述多個觸點中的至少一個觸點至少部分地安置于所述襯里內，且其中所述襯里至少部分地將所述至少一個觸點與所述多個臺階中的至少一個臺階隔離。
[0079]實施例18:根據實施例17所述的系統，其進一步包括安置于所述多個開口中的至少一個開口中的導電襯里，所述導電襯里安置于所述多個臺階中的至少一個臺階與安置于所述多個開口中的所述至少一個開口中的所述多個觸點中的至少一個觸點之間，且其中所述多個觸點中的所述至少一個觸點至少部分地安置于所述絕緣襯里內且至少部分地安置于所述導電襯里內。
[0080]實施例19:一種形成導電結構的方法，所述方法包括:穿過多種導電材料中的至少一者形成多個開口，每一導電材料由多種絕緣材料中的相應絕緣材料至少部分地分離；在所述多個開口中的每一開口中形成襯里；在所述多個開口中的每一開口中暴露所述多種導電材料中的相應至少一種導電材料的一部分；及在所述多個開口中的每一開口中形成與所述多種導電材料中的所述相應至少一種導電材料的所述暴露部分連通的相應觸點。
[0081]實施例20:根據實施例19所述的方法，其中形成多個開口包括形成其中所述開口中的每一者具有寬度大于所述相應開口的另一部分的寬度的相應部分的多個開口。
[0082]實施例21:根據實施例19或20所述的方法，其中在所述多個開口中的每一開口中暴露所述多種導電材料中的相應至少一種導電材料的一部分包括移除所述襯里的一部分以暴露所述多種導電材料中的所述相應至少一種導電材料的橫向側表面及遠端表面。
[0083]實施例22:根據實施例19到21中任一實施例所述的方法，其進一步包括在所述多個開口中的每一開口中形成所述相應觸點之前在所述多個開口中的每一開口中形成導電襯里。
[0084]實施例23:根據實施例19到22中任一實施例所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一者形成多個開口包括:形成多個接觸孔以穿過所述多種導電材料中的所述至少一種導電材料及所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料延伸到下伏于所述多種導電材料及所述多種絕緣材料下的互連件。
[0085]實施例24:根據實施例19到23中任一實施例所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一種導電材料形成多個開口包括:在所述多種導電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個孔口的掩模；及經由所述多個孔口移除所述多種導電材料及所述多種絕緣材料的一部分以形成多個接觸孔。
[0086]實施例25:根據實施例24所述的方法，其中形成多個接觸孔包括:在所述多個孔口處移除所述掩模的一部分以增加形成于所述掩模中的所述多個孔口的尺寸以在所述掩模中形成多個經擴大孔口 ；及經由所述多個經擴大孔口移除所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料。
[0087]實施例26:根據實施例19到25中任一實施例所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一種導電材料形成多個開口包括:在所述多種導電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個孔口的掩模；經由所述多個孔口移除所述多個絕緣材料中的至少一種絕緣材料以形成所述多個開口的經擴大遠端部分；形成至少部分地位于所述多個開口中的每一者的所述經擴大遠端部分內的材料以在所述掩模中形成具有小于所述多個孔口的寬度的寬度的多個經縮窄孔口 ；及經由形成于所述掩模中的所述多個經縮窄孔口移除所述多種導電材料及所述多種絕緣材料。
[0088]實施例27:根據實施例19到26中任一實施例所述的方法，其進一步包括形成所述多種導電材料以各自具有相同材料組成。
[0089]實施例28:根據實施例19到27中任一實施例所述的方法，其進一步包括形成所述多種絕緣材料以各自具有相同材料組成。
[0090]實施例29:—種形成階梯狀導電結構的電連接的方法，所述方法包括:在互連件上方形成各自具有從鄰近臺階的橫向端部分橫向偏移的橫向端部分的多個臺階；穿過所述多個臺階中的每一臺階形成穿過所述多個臺階延伸到所述互連件的開口 ；及在所述開口中形成與所述多個臺階中的至少一者及所述互連件電連通的觸點。
[0091]實施例30:根據實施例29所述的方法，其中穿過所述多個臺階中的每一臺階形成開口包括形成接觸孔以延伸穿過各自由絕緣材料分離的多種導電材料，且進一步包括在所述接觸孔中形成絕緣材料以使所述觸點與所述接觸孔延伸穿過的所述多種導電材料中的
至少一者絕緣。
[0092]雖然易于對本發明做出各種修改及替代形式，但已在圖式中以實例方式展示且已在本文中詳細描述具體實施例。然而，本發明并非打算限于所揭示的特定形式。而是，本發明將涵蓋歸屬于由所附權利要求書及其合法等效形式界定的本發明的范圍內的所有修改、組合、等效及替代形式。
【權利要求】
1.一種導電結構，其包括: 多個導電臺階，其沿所述導電結構橫向延伸，所述多個導電臺階中的每一導電臺階通過絕緣材料與所述多個導電臺階中的鄰近導電臺階至少部分地分離；及 觸點，其至少部分地延伸穿過所述多個導電臺階中的至少兩個導電臺階，其中所述觸點與所述導電臺階中的至少一者連通且與所述導電臺階中的至少另一者絕緣。
2.根據權利要求1所述的導電結構，其中所述觸點包括多個觸點中的一者，所述多個觸點中的每一觸點延伸穿過所述多個導電臺階中的至少一個導電臺階。
3.根據權利要求2所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述導電臺階中的至少相應一者連通且與剩余導電臺階絕緣。
4.根據權利要求3所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述多個導電臺階中的不同導電臺階連通。
5.根據權利要求2所述的導電結構，其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階包括從所述多個導電臺階中的鄰近導電臺階的接觸部分橫向偏移的接觸部分。
6.根據權利要求2所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點包括具有第一寬度的近端部分及具有大于所述第一寬度的第二寬度的遠端部分。
7.根據權利要求6所述的導電結構，其中所述多個導電臺階中的每一導電臺階的遠端表面形成與所述觸點中的相應一者連通的所述導電臺階的表面。
8.根據權利要求2所述的導電結構，其進一步包括互連件，所述多個觸點中的每一觸點與所述互連件連通。
9.根據權利要求8所述的導電結構，其中所述多個觸點中的每一觸點與所述觸點延伸穿過的所述多個導電臺階中距所述互連件最遠定位的相應一者連通。
10.根據權利要求1所述的導電結構，其中所述觸點借助形成于所述觸點與所述多個導電臺階中的所述至少另一導電臺階之間的絕緣材料而與所述多個導電臺階中的所述至少另一導電臺階隔離。
11.一種裝置，其包括: 多個存儲器單元 '及 根據權利要求1到10中任一權利要求所述的導電結構。
12.—種系統,其包括: 半導體裝置；及 與所述半導體裝置電連通的根據權利要求1到10中任一權利要求所述的導電結構。
13.—種形成導電結構的方法，所述方法包括: 穿過多種導電材料中的至少一者形成多個開口，每一導電材料由多種絕緣材料中的相應絕緣材料至少部分地分離； 在所述多個開口中的每一開口中形成襯里； 在所述多個開口中的每一開口中暴露所述多種導電材料中的相應至少一種導電材料的一部分；及 在所述多個開口中的每一開口中形成與所述多種導電材料中的所述相應至少一種導電材料的所述暴露部分連通的相應觸點。
14.根據權利要求13所述的方法，其中形成多個開口包括形成其中所述開口中的每一者具有寬度大于所述相應開口的另一部分的寬度的相應部分的多個開口。
15.根據權利要求13所述的方法，其中在所述多個開口中的每一開口中暴露所述多種導電材料中的相應至少一種導電材料的一部分包括:移除所述襯里的一部分以暴露所述多種導電材料中的所述相應至少一種導電材料的橫向側表面及遠端表面。
16.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括在所述多個開口中的每一開口中形成所述相應觸點之前在所述多個開口中的每一開口中形成導電襯里。
17.根據權利要求13到16中任一權利要求所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一者形成多個開口包括:形成多個接觸孔以穿過所述多種導電材料中的所述至少一種導電材料及所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料延伸到下伏于所述多種導電材料及所述多種絕緣材料下的互連件。
18.根據權利要求13所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一種導電材料形成多個開口包括: 在所述多種導電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個孔口的掩模；及 經由所述多個孔口移除所述多種導電材料及所述多種絕緣材料的一部分以形成多個接觸孔。
19.根據權利要求18所述的方法，其中形成多個接觸孔包括: 在所述多個孔口處移除所述掩模的一部分以增加形成于所述掩模中的所述多個孔口的尺寸以在所述掩模中形成多個經擴大孔口 ；及 經由所述多個經擴大孔口移除所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料。
20.根據權利要求13所述的方法，其中穿過多種導電材料中的至少一種導電材料形成多個開口包括: 在所述多種導電材料及所述多種絕緣材料上方形成包含多個孔口的掩模； 經由所述多個孔口移除所述多種絕緣材料中的至少一種絕緣材料以形成所述多個開口的經擴大遠端部分； 形成至少部分地位于所述多個開口中的每一者的所述經擴大遠端部分內的材料以在所述掩模中形成具有小于所述多個孔口的寬度的寬度的多個經縮窄孔口 ；及 經由形成于所述掩模中的所述多個經縮窄孔口移除所述多種導電材料及所述多種絕緣材料。
【文檔編號】H01L21/8247GK103582944SQ201280026880
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年5月23日 優先權日:2011年6月2日
【發明者】邁克爾·A·史密斯, 艾瑞克·H·福瑞曼 申請人:美光科技公司