有機el器件的制造方法及制造裝置制造方法

有機el器件的制造方法及制造裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供能夠制造抑制了質量降低的有機EL器件的有機EL器件的制造方法和制造裝置。有機EL器件的制造方法是在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時、通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層的有機EL器件的制造方法，其中，包括如下結構層形成工序：在使上述基材沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材的移動方向設置的朝上蒸鍍部和橫向蒸鍍部，從蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進行蒸鍍，該結構層形成工序包括朝上蒸鍍工序、橫向蒸鍍工序、以及方向改變工序。
【專利說明】有機EL器件的制造方法及制造裝置
【技術領域】
[0001]本申請主張日本國特愿2011 — 233066號、特愿2011 — 245836號、特愿2012 —020884號、特愿2012 — 113290號、特愿2012 — 020887號的優先權，通過引用其內容而編入到本申請說明書的記載中。
[0002]本發明涉及有機EL器件的制造方法及制造裝置。
【背景技術】
[0003]近年來，作為下一代的低消耗電力的發光顯示裝置所采用的器件，有機EU電致發光)器件受到關注。有機EL器件基本上由基材和具有設置在基材上的有機EL層和一對電極層的有機EL兀件構成。有機EL層由包含發光層的至少I層構成,該發光層由有機發光材料構成。該有機EL器件源自有機發光材料，能夠得到多彩顏色的發光。此外，由于有機EL器件是自發光器件，因此作為電視機(TV)等顯示器用途受到關注。
[0004]更具體地講，有機EL器件通過在基材上按順序層疊成為有機EL元件的結構層的陽極層、有機EL層以及陰極層而形成。
[0005]在該有機EL器件的制造方法中，作為在基材上形成(成膜)有機EL元件的結構層(以下有時僅簡稱作結構層。)的方法，一般公知有真空蒸鍍法、涂布法。由于能夠提高這些材料中的、特別是結構層形成材料的純度，易于獲得高壽命，因此，主要采用真空蒸鍍法。
[0006]在上述的真空蒸鍍法中，通過利用在真空室內設置在與基材相對的位置的蒸鍍源進行蒸鍍來形成結構層。具體地講，利用配置在各蒸鍍源的加熱部對結構層形成材料加熱而使其氣化。然后，自蒸鍍源噴出氣化了的結構層形成材料(氣化材料)。通過使該結構層形成材料在基材上蒸鍍成結構層而形成該結構層。
[0007]在該真空蒸鍍法中，從低成本化等的方面考慮采用卷工藝。卷工藝是指這樣的工藝:連續地放出卷成卷狀的帶狀的基材，在使放出來的基材移動的同時、在基材上連續地蒸鍍結構層，將蒸鍍有該結構層的基材卷成卷狀(參照專利文獻I)。
[0008]專利文獻1:日本國特開2008 - 287996號公報
[0009]但是，在上述卷工藝中，在基材的上方配置蒸鍍源，自該蒸鍍源向下方地朝向基材噴出氣化材料而形成結構層時，有時灰塵等異物自蒸鍍源落下而附著于基材，從而混入到有機EL元件中。若產生該異物混入到有機EL元件中的狀況，則會對其發光產生不良影響。
[0010]因此，為了抑制該異物混入，一般考慮在基材的下方配置蒸鍍源，自該蒸鍍源向上方地朝向基材噴出上述氣化材料而形成結構層。
[0011]但是，像上述那樣，由于有機EL器件是通過將多個結構層層疊起來而形成的，因此，在欲通過從下方蒸鍍而依次形成所有結構層時，需要將蒸鍍源依次排列在基材的下方，使基材以在所有蒸鍍源的上方通過的方式移動。
[0012]在這種情況下，由于基材的通過蒸鍍源的區域變長，因此，難以對基材付與充分的張力，基材易于產生撓曲或者振動。于是，若因基材的撓曲、振動導致基材的蒸鍍面和蒸鍍源接觸，則有可能損傷基材、形成在基材上的結構層。此外，若基材和蒸鍍源之間的距離產生變化，則有可能難以適當地控制結構層的厚度，無法得到具有期望的發光特性的結構層。
[0013]另一方面，若為了防止基材的撓曲、振動而利用輥構件等從下方支承基材，則輥構件和基材的蒸鍍面接觸，有可能損傷形成后的結構層。
[0014]這樣，若因異物混入或難以控制厚度導致的發光不良、因與蒸鍍源或輥構件等的接觸導致基材的蒸鍍面損傷，則有可能降低有機EL器件的質量。

【發明內容】

[0015]本發明鑒于上述問題點，其課題在于，提供能夠制造抑制了質量降低的有機EL器件的有機EL器件的制造方法和制造裝置。
[0016]本發明的有機EL器件的制造方法，其中，在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時，通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于，
[0017]該有機EL器件的制造方法包括結構層形成工序，在該結構層形成工序中，在使上述基材沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材的移動方向配置的至少朝上蒸鍍部和橫向蒸鍍部，從蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進行蒸鍍，
[0018]上述結構層形成工序包括以下工序:
[0019]朝上蒸鍍工序，在上述朝上蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從配置在該基材的下方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；
[0020]橫向蒸鍍工序，在上述橫向蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從配置在該基材的側方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及
[0021]方向改變工序，利用設置在上述朝上蒸鍍部和上述橫向蒸鍍部之間的引導機構，將從上述朝上蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從下方變為側方，將該基材引導到上述橫向蒸鍍部。
[0022]此外，本發明的有機EL器件的制造方法，其中，在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時，通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于，
[0023]該有機EL器件的制造方法包括結構層形成工序，在該結構層形成工序中，在使上述基材沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材的移動方向配置的至少橫向蒸鍍部和朝上蒸鍍部，從蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進行蒸鍍，
[0024]上述結構層形成工序包括以下工序:
[0025]橫向蒸鍍工序，在上述橫向蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從配置在該基材的側方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；
[0026]朝上蒸鍍工序，在上述朝上蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從配置在該基材的下方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及
[0027]方向改變工序，利用設置在上述橫向蒸鍍部和上述朝上蒸鍍部之間的引導機構，將從上述橫向蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從側方變為下方，將該基材引導到上述朝上蒸鍍部。[0028]此外，上述制造方法優選的是，上述引導機構具有用于支承上述非蒸鍍面的多個輥構件，該輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于上述基材的寬度方向傾斜的方向配置。
[0029]此外，上述制造方法優選的是，上述輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于上述寬度方向傾斜45°的方向配置。
[0030]本發明的有機EL器件的制造裝置，其用于在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于，
[0031]該有機EL器件的制造裝置包括:
[0032]朝上蒸鍍部，其在移動的上述基材的下方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；
[0033]橫向蒸鍍部，其在移動的上述基材的側方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及
[0034]方向改變部，其設置在上述朝上蒸鍍部和上述橫向蒸鍍部之間，包括引導機構，該引導機構將從上述朝上蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從下方變為側方，將該基材引導到上述橫向蒸鍍部。
[0035]此外，本發明的有機EL器件的制造裝置，其用于在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于，
[0036]該有機EL器件的制造裝置包括:
[0037]橫向蒸鍍部，其在移動的上述基材的側方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；
[0038]朝上蒸鍍部，其在移動的上述基材的下方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及
[0039]方向改變部，其設置在上述橫向蒸鍍部和上述朝上蒸鍍部之間，包括引導機構，該引導機構將從上述橫向蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從側方變為下方，將該基材引導到上述朝上蒸鍍部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1是示意地表示本發明的一實施方式的有機EL器件的制造裝置的概略立體圖。
[0041]圖2是示意地表示本發明的一實施方式的有機EL器件的制造裝置的概略俯視圖。
[0042]圖3是從圖1中的右側看圖1中的右側的引導機構的上部周邊的概略俯視圖。
[0043]圖4是示意地表示在圖1中的左側的引導機構中移動的基材的非蒸鍍面中的與輥構件抵接的抵接位置的概略俯視圖。
[0044]圖5是示意地表示在圖1中的右側的引導機構中移動的基材的非蒸鍍面中的與輥構件抵接的抵接位置的概略俯視圖。[0045]圖6A是示意地表示有機EL元件的層結構的概略剖視圖。
[0046]圖6B是示意地表示有機EL元件的層結構的概略剖視圖。
[0047]圖6C是示意地表示有機EL元件的層結構的概略剖視圖。
[0048]圖7是示意地表示在比較例中采用的制造裝置的概略側視圖。
[0049]圖8是表示實施例和比較例的試驗樣品的施加電壓和發光亮度之間的關系的圖表。
[0050]圖9是從有機EL元件側看實施例和比較例的試驗樣品的照片。
[0051]圖10是表示輥構件的一實施方式的概略側視圖。
[0052]圖11是圖10中的XI — XI線剖視圖。
[0053]圖12是表示輥構件的一實施方式的概略側視圖。
[0054]圖13是表示輥構件的一實施方式的概略側視圖。
[0055]圖14是圖13中的XIV —XIV線剖視圖。
[0056]圖15是表不引導機構的一實施方式的概略側視圖。
[0057]圖16是圖15中的引導機構的概略仰視圖。
[0058]圖17是說明圖15中的引導機構的動作的概略側視圖。
[0059]圖18是本發明的一實施方式的有機EL器件的制造裝置的整體立體圖。
[0060]圖19是本發明的一實施方式的引導構件的整體圖，是繞掛有基材的狀態的主視圖。
[0061]圖20是本發明的一實施方式的引導構件的整體主視圖。
[0062]圖21表示本發明的一實施方式的引導構件的圖20中的XXI — XXI線的剖視圖。
【具體實施方式】
[0063]下面，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發明的有機EL器件的制造方法和制造裝置的實施方式。
[0064]首先，說明本發明的有機EL器件的制造裝置的實施方式。
[0065]有機EL器件的制造裝置I在使帶狀的基材21沿著長度方向移動的同時、通過蒸鍍在該基材21上形成機EL元件19。如圖1所示,制造裝置I包括成為朝上蒸鍍部的蒸鍍部A、C、成為橫向蒸鍍部的蒸鍍部B、以及具有引導機構31a、31b的方向改變部30a、30b。
[0066]上述蒸鍍部A、C在移動的基材21的下方具有蒸鍍源9a、9b、91、9h?9k。蒸鍍部A、C構成為在使基材21以蒸鍍面21a朝向下方的狀態移動的同時、自上述蒸鍍源向蒸鍍面21a噴出氣化材料來進行蒸鍍的朝上的蒸鍍部。
[0067]此外，上述蒸鍍部B在移動的基材21的側方具有蒸鍍源9c?9g。蒸鍍部B構成為使基材21以蒸鍍面21a朝向側方的方式移動，自上述蒸鍍源向蒸鍍面21a噴出氣化材料來進行蒸鍍的橫向的蒸鍍部。
[0068]蒸鍍部A?C沿著基材21的移動方向(參照空心箭頭)配置。該蒸鍍部A?C從基材21的移動方向上游側朝向下游側依次配置蒸鍍部A、B、C。
[0069]此外，如圖1和圖2所示，方向改變部30a配置在蒸鍍部A (朝上蒸鍍部)和蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)之間。方向改變部30b配置在蒸鍍部B和蒸鍍部C (朝上蒸鍍部)之間。方向改變部30a、30b的詳細情況之后說明。
[0070]此外，制造裝置I包括基材供給部5，該基材供給部5包括用于供給基材21的基材供給裝置。自基材供給部5供給來的基材21依次被供給到蒸鍍部A?C，以通過這些蒸鍍部的方式移動。此外，制造裝置I包括基材回收部6，該基材回收部6包括用于回收基材21的基材回收裝置。通過了蒸鍍部C后的基材21能夠被基材回收部6回收。
[0071]此外，如圖2所示，制造裝置I包括多個真空室3。在各真空室3內分別配置有基材供給部5、蒸鍍部A、蒸鍍部B、蒸鍍部C、方向改變部30a、方向改變部30b、以及基材回收部6 (參照圖1)。另外，在上述圖1中省略真空室3地表示制造裝置I。
[0072]各真空室3利用未圖示的真空產生裝置使其內部成為減壓狀態，在其內部形成真空區域。此外，相鄰的真空室3相互間保持著真空狀態并經由未圖示的開口部相連通。并且，基材21能夠從基材供給部5經由這些開口部依次向下游側移動到基材回收部6。具體地講，從基材供給部5放出來的基材21在蒸鍍部A、方向改變部30a、蒸鍍部B、方向改變部30b、蒸鍍部C中移動了之后能夠被基材回收部6回收。
[0073]基材供給部5放出卷成卷狀的帶狀的基材21并將其供給到蒸鍍部A?C。此外，基材回收部6將從基材供給部5放出的、在蒸鍍部A?C中移動后的基材21卷成卷狀并進行回收。即，利用基材供給部5和基材回收部6能夠放出且卷取基材21。
[0074]作為基材21的形成材料，可以采用像后述那樣被引導機構31a、31b引導時不會損傷那樣的具有撓性的材料。作為該材料，例如能夠列舉出金屬材料、非金屬無機材料、樹脂材料。
[0075]作為該金屬材料，例如能夠列舉出不銹鋼、鐵一鎳合金等合金、銅、鎳、鐵、鋁、鈦等。此外，作為上述的鐵一鎳合金，例如能夠列舉出36合金、42合金等。其中，從易于應用于卷工藝這樣的方面考慮，上述金屬材料優選為不銹鋼、銅、鋁或者鈦。
[0076]作為上述非金屬無機材料，例如能夠列舉出玻璃。在這種情況下，作為由非金屬無機材料形成的基材，可以采用具有撓性的薄膜玻璃。
[0077]作為上述樹脂材料，能夠列舉出熱固性樹脂或者熱塑性樹脂等合成樹脂。作為該合成樹脂，例如能夠列舉出聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、聚苯乙烯樹月旨、聚乙烯樹脂、聚酰胺樹脂、丙烯腈一丁二烯一苯乙烯(ABS)共聚物樹脂、聚碳酸酯樹脂、硅樹脂、氟樹脂等。此外，作為由該樹脂材料形成的基材，例如可以采用上述合成樹脂的薄膜。
[0078]基材21的寬度、厚度、長度能夠根據形成于該基材21的有機EL元件19的大小、弓丨導機構31a、31b的輥構件結構等適當地設定，并沒有特別的限定。另外，像后述那樣使后述的輥構件相對于基材21的寬度方向傾斜時，從能夠抑制輥構件的縱長化這樣的方面考慮，優選基材21的寬度較窄。
[0079]蒸鍍部A、C所包括的蒸鍍源9a、9b、91、9h?9k配置在基材21的下方。更詳細地講，在蒸鍍部A、C中，基材21將其蒸鍍面21a朝向下方地沿著大致水平方向移動。此外，配置在蒸鍍部A、C的上述蒸鍍源以各蒸鍍源的開口在真空室3內與基材21的蒸鍍面21a相對的方式配置。
[0080]蒸鍍部B所包括的蒸鍍源9c?9g配置在基材21的側方。更詳細地講，在蒸鍍部B中，基材21卷繞于在鉛垂方向上具有旋轉軸(未圖示)的輥筒7而支承在輥筒7上。基材21隨著輥筒7的移動以使蒸鍍面21a上朝向側方的方式移動。配置在蒸鍍部B的上述蒸鍍源以各蒸鍍源的開口在真空室3內與基材21的蒸鍍面21a相對的方式配置。[0081 ] 并且，各蒸鍍源9a?91各自具有加熱部(未圖示)，各加熱部對收容在各蒸鍍源中的上述材料加熱而使其氣化，將各氣化后的材料(氣化材料)從開口朝向上方噴出。
[0082]在各蒸鍍部A?C中，蒸鍍源與應形成的層相應地設置I個以上即可。在本實施方式中，在蒸鍍部A配置有蒸鍍源9a、9b、91，在蒸鍍部B配置有蒸鍍源9c?9g，在蒸鍍部C配置有蒸鍍源9h?9k。此外，蒸鍍源9a?91配置在接近基材21的位置。S卩，配置在蒸鍍源9a?91的開口端(噴嘴)和基材21之間的距離(最短距離)為IOmm以下這樣的位置。
[0083]配置在蒸鍍部A的蒸鍍源9a通過使陽極層形成材料氣化并將其噴出，在基材21上的蒸鍍面21a上形成陽極層23 (參照圖6A?圖6C)。此外，配置在該蒸鍍部A的蒸鍍源9b通過使端覆蓋層形成材料氣化并將其噴出，形成用于覆蓋陽極層23的周緣的端覆蓋層24 (參照圖6A?圖6C)。通過由該端覆蓋層覆蓋陽極層23的周圍，能夠防止陽極層23和陰極層27接觸。
[0084]此外，配置在蒸鍍部B的蒸鍍源9c?9g形成用于構成有機EL層25的5層有機EL層結構層(參照圖6A?圖6C)。
[0085]并且，配置在蒸鍍部C的蒸鍍源9h?9 j形成構成陰極層27的3個陰極層結構層，配置在該蒸鍍部C的蒸鍍源9k形成密封層29(參照圖6A?圖6C)。通過由該密封層29覆蓋陽極層23、有機EL層25以及陰極層27，能夠防止上述各層與空氣接觸。
[0086]另外，在本實施方式中，配置在蒸鍍部A的蒸鍍源91作為預備蒸鍍源而配置，但也可以利用該蒸鍍源形成其他的結構層。
[0087]陽極層23由I個以上陽極層結構層形成即可，作為用于形成該陽極層結構層的材料，能夠列舉出金、銀、鋁等。在圖1所示的裝置結構中，例如陽極層23形成為I個Al層。
[0088]有機EL層25由I個以上的有機EL層結構層構成即可。在圖1所示的裝置結構中，有機EL層25形成為由5個有機EL層結構層構成的5層層疊體。作為這些有機EL層結構層，例如，如圖6A所示，能夠列舉出從陽極層23側按順序層疊的空穴注入層25a、正孔輸送層25b、發光層25c、電子輸送層25d以及電子注入層25e。另外,有機EL層25只要作為有機EL層結構層具有至少發光層25c，其層結構就沒有特別的限定。此外，例如圖6C所示，有機EL層也可以是空穴注入層25a、發光層25c以及電子注入層25e按照該順序層疊而成的3層層疊體。此外，也可以是其它的根據需要自上述圖6A的5層去除了正孔輸送層25b或電子輸送層25d而成的4層層疊體。并且，如圖6B所不,有機EL層也可以僅由發光層25c這I層構成。
[0089]作為用于形成空穴注入層25a的材料，例如，可以使用銅酞菁(CuPc)、4，4’ -雙[N-4- (N，N- 二間甲苯氨基)苯基]-N-苯基氨基]聯苯(DNTH))、HAT-CN等。
[0090]作為用于形成空穴傳輸層25b的材料，例如，可以使用4，4’ -雙[N- (1-萘基)-N-苯基-氨基]聯苯(a-NPD )、N，N’ - 二苯基-N，N’ 一雙(3-甲基苯基)-1，I’ -聯苯基-4，4，-二胺(TPD)等。
[0091]作為用于形成發光層25c的材料，例如，可以使用摻雜有三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、銥絡合物(Ir (ppy) 3)的 4，4’ -N，N，-二咔唑聯苯(CBP)等。
[0092]作為用于形成電子注入層25d的材料，例如，可以使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)等。
[0093]作為用于形成電子傳輸層25e的材料，例如，可以使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚-鋁(BAlq)、0XD-7 (1，3_雙[5-(對叔丁基苯基)-1, 3,4-惡二唑_2_基])苯、氣化裡(LiF)等。
[0094]陰極層27由I個以上的陰極層結構層形成即可。作為用于形成陰極層結構層的材料，可以采用氟化鋰(LiF)、或者采用含有鎂(Mg)、銀(Ag)等的合金等。在圖1所示的裝置結構中，例如陰極層27作為LiF層、Mg層、和Ag層、Mg — Ag合金層等的3層層疊體形成在有機EL層上。
[0095]作為形成端覆蓋層24的材料，能夠列舉出氧化硅(SiOx)、三氧化鑰(Mo03)、五氧化二釩(V2O5)等。作為形成密封層29的材料，能夠列舉出三氧化鑰(Mo03)、氧氮化硅(SiN0x)、含氧碳化硅(SiOC)等。作為SiOx，例如能夠列舉出SiO2等，作為SiNOx，例如能夠列舉出SiNO 等。
[0096]分別構成上述陽極層23、有機EL層25以及陰極層27等的各層的厚度通常被設計為幾nm?幾十nm左右，但該厚度根據采用的結構層形成材料、發光特性等適當設計，并沒有特別的限定。此外，上述端覆蓋層24的厚度、密封層29的厚度也沒有特別的限定，只要適當地設定為能夠達到這些目的，不會妨礙上述陽極層23、有機EL層25以及陰極層27的形成、有機EL器件的發光即可。
[0097]方向改變部30a、30b包括引導機構31a、31b。
[0098]引導機構31a構成為，將從蒸鍍部A輸送來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承并使蒸鍍面21a的朝向從下方變為側方，將該基材21引導到蒸鍍部B。
[0099]此外，引導機構31b構成為，將從蒸鍍部B輸送來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承并使蒸鍍面21a的朝向從側方變為下方，將該基材21引導到蒸鍍部C。
[0100]在這些引導機構31a、31b中，首先更詳細地說明引導機構31a。
[0101]如圖1、圖2、圖4所示，引導機構31a具有多個輥構件33a、33b。該輥構件33a、33b是用于將基材21向預定的方向引導的引導構件。輥構件33a沿著大致水平方向、且基材21的寬度方向(與長度方向垂直的方向)配置。輥構件33b相對于基材21的移動方向傾斜角度0 (在此是45° )地配置。
[0102]在此，輥構件相對于基材21的寬度方向的角度0是指基材21的非蒸鍍面21b朝向基材21的寬度方向(圖4中的左右方向)上的該基材21的上游側(圖4中的下方向)傾斜的角度0。
[0103]此外，輥構件33a在引導機構31a中配置在下方。輥構件33b在輥構件33a的上方相對于水平方向向上方傾斜45°地配置。
[0104]從蒸鍍部A輸送來的基材21以其非蒸鍍面21b與輥構件33a和輥構件33b抵接的方式架設在這些輥構件上。基材21的非蒸鍍面21b支承在這些輥構件上并被向下游側引導。
[0105]具體地講，首先，基材21將輥構件33a作為支承軸向上方大致垂直地彎曲而向輥構件33b移動。接著，基材21將輥構件33b作為支承軸向側方(圖1中的進深方向)大致垂直地彎曲而向蒸鍍部B移動。通過將這些輥構件33a、33b作為支承軸而進行彎曲動作，基材21的蒸鍍面21a的朝向會從被輥構件33a支承之前的下方變為側方。[0106]這樣，利用引導機構31a，基材21以基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從非蒸鍍面21b側支承并以蒸鍍面21a的朝向從下方變為側方的方式彎曲。基材21以改變了蒸鍍面21a的朝向的狀態被輸送到蒸鍍部B。
[0107]接著，更詳細地說明引導機構31b。
[0108]如圖1?圖3、圖5所示，引導機構31b具有與引導機構31a同樣的輥構件結構。即，引導機構31b具有輥構件33c、33d。這些輥構件33c、33d分別與引導機構31a的輥構件33b、33a相對應。此外，在引導機構31b中，與引導機構31a同樣，基材21架設在輥構件33c、33d上，但基材21的通過輥構件33c、33d的移動方向是基材21的通過引導機構31a的移動方向的相反方向。其他的結構與引導機構31a同樣，因此省略說明。
[0109]在該引導機構31b中，從蒸鍍部B輸送來的基材21的非蒸鍍面21b被輥構件33c、輥構件33d從該非蒸鍍面21b側支承并被向下游側引導。
[0110]具體地講，首先，基材21將輥構件33c作為支承軸向下方大致垂直地彎曲而向輥構件33d移動。接著，基材21將輥構件33d作為支承軸向側方(圖1中的右方)大致垂直地彎曲而向蒸鍍部C移動。通過將這些輥構件33c、33d作為支承軸而進行彎曲動作，基材21的蒸鍍面21a的朝向會從被輥構件33c支承之前的側方變為下方。
[0111]另外，上述引導機構只要能夠將從朝上蒸鍍部輸送來的基材21以從蒸鍍面21a朝向下方的狀態變為朝向側方的狀態的方式彎曲，通過使基材21的移動方向變為相反方向，就能夠與上述相反地以從橫向蒸鍍部輸送來的基材21的蒸鍍面21a朝向側方的狀態變為朝向下方的狀態的方式彎曲。即，通過利用相同結構的引導機構使基材21的移動方向成為相反方向，既能夠使蒸鍍面21a的朝向從側方變為下方，也能夠從下方變為側方。
[0112]另外，如圖10?圖17所示，輥構件33b和33c優選包括圓柱狀的輥構件主體36、和以能夠旋轉的方式支承在該輥構件主體36的外表面部且能夠以用周面支承基材21的方式突出到該輥構件主體36的外側的多個旋轉構件37。即，優選具有包括輥構件主體36和旋轉構件37的軸承結構。
[0113]通過使輥構件33b和33c具有這樣的軸承結構，在基材21將該輥構件作為支承軸彎曲并移動時，能夠降低在該輥構件和基材21之間產生的摩擦。由此，能夠防止基材21所接觸的區域(接觸區域)相對于該輥構件在該輥構件的長度方向上錯位，因此較為有效。并且，因為能夠像這樣防止接觸區域的錯位，也可以采用充分地加長該輥構件、使該基材21以螺旋狀卷繞于該輥構件的狀態移動的結構。通過這樣做，該輥構件中的與基材21的接觸區域增加，因此，存在能夠更穩定地進行基材的移動(輸送)這樣的優點。
[0114]在圖10和圖11中，旋轉構件37是圓柱狀的滾針，輥構件33b和33c具有包括輥構件主體36和成為滾針的旋轉構件37的滾針軸承結構。
[0115]更具體地講，圖10和圖11所示的多個以供基材21跨過和接觸的方式在引導構件33c (33b)的外周部沿著周向排列。因而,在基材21沿著周向繞掛在引導構件33c (33b)的外周部時，引導構件33c (33b)的旋轉方向和基材21的輸送方向一致。另外，如圖16所示，該引導構件33c (33d)包括具有與上述實施方式(參照圖10)的引導構件33c (33b)同樣的功能的引導構件主體36、支承構件38、轉軸39、固定構件40以及軸承部41。
[0116]在圖12中，與圖10同樣具有成為滾針的旋轉構件37。旋轉構件37以螺旋狀配置于輥構件主體36。[0117]更具體地講，圖12所示的多個滾動構件37以供基材21跨過和接觸的方式在引導構件33c (33b)的外周部沿著螺旋方向排列。因而，在基材21沿著螺旋方向繞掛在引導構件33c (33b)的外周部時，引導構件33c (33b)的旋轉方向和基材21的輸送方向一致。另夕卜，該引導構件33c (33d)包括引導構件主體36，并且，雖未圖示，但還包括具有與上述實施方式(參照圖10)的引導構件33c (33b)同樣的功能的支承構件38、轉軸39、固定構件40以及軸承部41。
[0118]此外，在圖13?圖17中，旋轉構件37是球狀的滾珠。輥構件33b和33c具有包括輥構件主體36和成為滾珠的旋轉構件37的滾珠軸承結構。
[0119]更具體地講，如圖13和圖14所示，各旋轉構件37在引導構件主體36的徑向外方以其一部分自引導構件主體36突出的方式配置，并且，在引導構件主體36的徑向內方以其一部分自引導構件主體36突出的方式配置。因而，該各引導構件33b、33c的外周面形成為凹凸狀。
[0120]而且，多個滾動構件37以基材21與自引導構件主體36向徑向外方突出的部位接觸的方式排列。由此，基材21以跨多個滾動構件37的方式接觸多個滾動構件37。換言之，基材21以抵接于多個滾動構件37且與引導構件主體36分開的方式繞掛在引導構件33b、33c的外周部。此外，各滾動構件37以其自引導構件主體36向徑內方突出的部位與支承構件38的外周部接觸的方式配置。在本實施方式中，各滾動構件37是以3個自由度旋轉自由的球狀體。
[0121]支承構件38用其外周部支承各滾動構件37。由此，各滾動構件37雖自接觸的基材21朝向引導構件主體36的徑向內方受力，但能夠防止該滾動構件37自引導構件主體36脫離、或者相對于引導構件主體36向徑向內方錯位。
[0122]此外，支承構件38構成為能夠利用軸承部41、41以軸線方向(轉軸39)為中心旋轉。因而，支承構件38利用與隨著輸送基材21而滾動的各滾動構件37之間的摩擦力而旋轉，能夠使各滾動構件37的旋轉速度穩定(成為大致相同的旋轉速度)。
[0123]此外，如圖15和圖16所示，各引導機構31a (31b)包括用于檢測沿著螺旋方向繞掛在引導構件33b (33c)的外周部的基材21的位置的基材位置檢測部43、用于使引導構件33b (33c)以與引導構件33b (33c)的軸線方向交叉的方向為中心旋轉的旋轉機構44、以及用于根據基材位置檢測部43檢測出的基材21的位置控制旋轉機構44的控制部45。
[0124]基材位置檢測部43配置在引導構件33b (33c)的下游側。而且，基材位置檢測部43用于檢測基材21的寬度方向上的位置。在本實施方式中，基材位置檢測部43設為CCD照相機。另外，基材位置檢測部43也可以是配置在基材21的寬度方向上的兩側的一對光電傳感器。總而言之，基材位置檢測部43只要是能夠檢測出基材21位置的結構即可。
[0125]旋轉機構44包括用于固定引導構件33b (33c)的轉軸39的兩端部的旋轉機構主體46、用于使旋轉機構主體46旋轉位移的驅動機構47、以及用于將驅動機構47以能夠旋轉的方式連結于旋轉機構主體46的連結部48。在本實施方式中，驅動機構47構成為通過驅動而使缸體伸縮。另外，驅動機構47只要是能夠使旋轉機構主體46旋轉位移的結構即可。
[0126]而且，旋轉機構44包括用于將旋轉機構主體46以能夠相對于真空室3旋轉的方式固定于該真空室3的主體固定部49、和用于將驅動機構47以能夠相對于真空室3旋轉的方式固定于該真空室3的驅動固定部50。另外，主體固定部49以引導構件33b (33c)能夠以軸線方向上的一側(圖15中的右側)為中心地相對于后述的基材21旋轉的方式，將旋轉機構主體46的一側固定于真空室3 ;前述的基材21從引導構件33b (33c)的軸線方向上的一側(圖15中的右側)沿著螺旋方向繞掛在引導構件33b (33c)上。
[0127]控制部45根據由基材位置檢測部43檢測出的基材21的位置信息判定基材21是否錯位。于是，控制部45在判定為基材21相對于所期望的位置錯位的情況下，如圖17所示，通過驅動驅動機構47,來使旋轉機構主體46、具體地講是使引導構件33b (33c)旋轉預定角度。
[0128]采用本實施方式的制造方法，基材位置檢測部43用于檢測沿著螺旋方向繞掛在引導構件33b (33c)的外周部的基材21的寬度方向上的位置。于是，控制部45通過根據基材位置檢測部43檢測出的基材21的位置控制旋轉機構44，來使引導構件33b (33c)以與引導構件33b (33c)的軸線方向交叉的方向為中心旋轉。
[0129]由此，在基材21的位置脫離了所期望的位置之后，控制部45利用旋轉機構44使引導構件33b (33c)旋轉，而能夠調整基材21的位置。因而，能夠防止基材21進行蛇行運動。
[0130]根據以上的說明，本發明的特征如下。
[0131]為了支承并引導帶狀的基材，在外周部繞掛有該基材的引導構件中包括多個以與上述基材接觸的方式排列在外周部且滾動自由的滾動構件(旋轉構件)。
[0132]采用本發明的引導構件，在外周部排列有多個滾動構件，被輸送的基材與多個滾動構件接觸。因而，例如與外周面平滑的圓柱體的輥構件相比較，能夠減小與基材接觸的面積，因此,能夠抑制與基材之間產生的摩擦力。
[0133]并且，由于滾動構件滾動自由，因此,滾動構件也能夠隨著輸送基材而滾動。因而，能夠更有效地抑制與基材之間產生的摩擦力。
[0134]各滾動構件是以3個自由度旋轉自由的球狀體。因而，由于各滾動構件能夠在任一個方向上旋轉，因此，無論基材在哪一個方向上繞掛在引導構件的外周部，滾動構件都能夠在基材的輸送方向上旋轉。
[0135]上述多個滾動構件分別是以軸線方向為中心旋轉自由的圓柱狀體，它們沿著螺旋方向排列在上述引導構件的外周部。或者，上述多個滾動構件分別是以軸線方向為中心旋轉自由的圓柱狀體，它們沿著周向排列在上述引導構件的外周部。
[0136]由此，由于能夠減小繞掛在引導構件的外周部的基材和引導構件之間的接觸面積，因此，能夠抑制在引導構件和基材之間產生摩擦力。
[0137]引導機構包括引導構件、用于檢測沿著螺旋方向繞掛在上述引導構件外周部的上述基材的寬度方向上的位置的基材位置檢測部、用于使上述引導構件以與上述引導構件的軸線方向交叉的方向為中心旋轉的旋轉機構、以及用于根據上述基材位置檢測部檢測出的基材的位置控制上述旋轉機構的控制部。
[0138]采用本發明的引導機構，基材位置檢測部用于檢測沿著螺旋方向繞掛在引導構件的外周部的基材的寬度方向上的位置。而且，控制部通過根據基材位置檢測部檢測出的基材的位置控制旋轉機構，來使引導構件以與引導構件的軸線方向交叉的方向為中心地旋轉。由此，在基材的位置脫離了所期望的位置之后，控制部利用旋轉機構使引導構件旋轉，而能夠調整基材的位置。因而，能夠防止基材進行蛇行運動。
[0139]一種有機EL器件的制造方法，其中，通過在被輸送的帶狀的基材上蒸鍍氣化材料，在作為該基材的一側的面的蒸鍍面上形成機EL元件的結構層，其中，包括利用引導構件改變上述基材的上述蒸鍍面的朝向的方向改變工序。
[0140]接著，說明利用上述制造裝置進行的有機EL器件的制造方法的實施方式。
[0141 ] 本實施方式的有機EL器件的制造方法在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時通過蒸鍍在該基材21上形成機EL元件19的結構層。
[0142]該制造方法包括結構層形成工序，在該結構層形成工序中，在使基材21沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材21的移動方向配置的蒸鍍部A?C (至少朝上蒸鍍部和橫向蒸鍍部)從蒸鍍源9a?9k向基材21的一個面噴出氣化材料而依次進行蒸鍍。
[0143]此外，上述結構層形成工序包括以下工序:朝上蒸鍍工序，利用蒸鍍部A(朝上蒸鍍部)，在使基材21以蒸鍍面21a朝向下方的狀態移動的同時從配置在該基材21的下方的蒸鍍源9a、9b向蒸鍍面21a噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；橫向蒸鍍工序，利用蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)，在使基材21以蒸鍍面21a朝向側方的狀態移動的同時從配置在該基材21的側方的蒸鍍源9c?9g向蒸鍍面21a噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及方向改變工序，利用設置在蒸鍍部A和蒸鍍部B之間的引導機構30a，將從蒸鍍部A輸送來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承并使蒸鍍面21a的朝向從下方變為側方，將該基材21引導到蒸鍍部B。
[0144]并且，上述結構層形成工序還包括以下工序:橫向蒸鍍工序，利用蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)，在使基材21以蒸鍍面21a朝向側方的狀態移動的同時從配置在該基材21的側方的蒸鍍源9c?9g向蒸鍍面21a噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；朝上蒸鍍工序，利用蒸鍍部C (朝上蒸鍍部)，在使基材21以蒸鍍面21a朝向下方的狀態移動的同時從配置在該基材21的下方的蒸鍍源9h?9k向蒸鍍面21a噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及方向改變工序，利用設置在蒸鍍部B和蒸鍍部C之間的引導機構30b，將從蒸鍍部B輸送來的基材21以該基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承并使蒸鍍面21a的朝向從側方變為下方，將該基材21引導到蒸鍍部C。
[0145]在本實施方式中，具體地講，例如首先將卷成卷狀的基材21從基材供給部5放出。
[0146]接著，在蒸鍍部A中，在使放出來的基材21移動的同時，從蒸鍍源9a朝向上方地向該基材21的下表面(蒸鍍面)噴出陽極層形成材料而形成陽極層23 (例如Al層)，從蒸鍍源％噴出端覆蓋層形成材料，以覆蓋陽極層23的周緣的方式形成端覆蓋層24 (朝上蒸鍍工序)。
[0147]接著，利用引導機構31a，將從上游側的蒸鍍部A (朝上蒸鍍部)輸送來的蒸鍍面21a的朝向朝向下方的基材21以基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承，并以蒸鍍面21a的朝向變為側方的方式彎曲，將該基材21以蒸鍍面21a朝向側方的狀態引導到下游側的蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)(方向改變工序)。
[0148]在蒸鍍部B中，在使從引導機構31a輸送來的基材21移動的同時，從配置在基材21的側方的蒸鍍源9c?9g向該基材21的蒸鍍面21a噴出有機EL層結構層形成材料,形成5層有機EL層結構層(例如空穴注入層、正孔輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層)(橫向蒸鍍工序)。[0149]接著，利用引導機構31b，將從上游側的蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)輸送來的蒸鍍面21a的朝向朝向側方的基材21以基材21的非蒸鍍面21b成為內周面的方式從該非蒸鍍面21b側支承，并以蒸鍍面21a的朝向變為下方的方式彎曲，將該基材21以蒸鍍面21a朝向下方的狀態引導到下游側的蒸鍍部C (朝上蒸鍍部)(方向改變工序)。
[0150]在蒸鍍部C中，在使從引導機構31b輸送來的基材21移動的同時，從配置在基材21的下方的蒸鍍源9h?9 j朝向上方地向該基材21的蒸鍍面21a噴出陰極層形成材料，形成由3層陰極層結構層構成的陰極層27 (例如LiF層、Mg層、Ag層)，從蒸鍍源9k向上方噴出密封層形成材料而形成密封層(例如MoO3層)29 (朝上蒸鍍工序)。
[0151]能夠像以上這樣地在基材21上形成有機EL元件19。此外，在這樣地在基材21上形成有機EL元件19的同時，利用基材卷取部6卷取形成有該有機EL元件19的基材21。
[0152]能夠這樣地制造有機EL器件20。另外，在本實施方式中，有機EL器件20包括基材21、有機EL元件19、端覆蓋層24以及密封層29。有機EL元件19包括陽極層23、有機EL層25以及陰極層27。
[0153]采用該制造方法，在上游側的蒸鍍部是蒸鍍部A (朝上蒸鍍部)的情況下，在從蒸鍍源9a、9b朝向上方地向基材21的朝向下方的蒸鍍面21a噴出氣化材料而形成了結構層之后，能夠利用引導機構31a將形成有該結構層的基材21的蒸鍍面21a的朝向從下方變為側方，以蒸鍍面21a朝向側方的狀態將基材21引導到下游側的蒸鍍部B。而且，在該下游側的蒸鍍部B (橫向蒸鍍部)中，能夠利用蒸鍍源9c?9g從側方向基材21的朝向側方的蒸鍍面21a噴出氣化材料而繼續形成結構層。
[0154]另一方面，在上游側的蒸鍍部是蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)的情況下，在從蒸鍍源9c?9g朝向側方地向基材21的朝向側方的蒸鍍面2Ia噴出氣化材料而形成了結構層之后，能夠利用引導機構31b將形成有該結構層的基材21的蒸鍍面21a的朝向從側方變為下方，以蒸鍍面21a朝向下方的狀態將基材21引導到下游側的蒸鍍部C (朝上蒸鍍部)。而且，在蒸鍍部C中，能夠利用蒸鍍源9h?9k從下方向基材21的朝向下方的蒸鍍面21a噴出氣化材料而繼續形成結構層。
[0155]這樣，在各蒸鍍部A?C中，通過從蒸鍍源9a?9k (或者9a?91，以下同樣。)朝向下方和側方噴出氣化材料，能夠防止從蒸鍍源9a?9 j落下來的異物混入，因此，能夠防止因該異物的混入導致的發光不良。
[0156]此外，通過在蒸鍍部A?C之間(朝上蒸鍍部和橫向蒸鍍部之間)支承基材21，能夠對基材21施加期望的張力，能夠抑制基材21的撓曲、振動。由此，能夠抑制因與蒸鍍源9a?9k的接觸導致基材21的蒸鍍面21a損傷。并且，能夠抑制基材21和蒸鍍源9a?9k之間的距離變化而適當地控制結構層的厚度。由此，能夠抑制發光特性降低。
[0157]而且，通過支承基材21的非蒸鍍面21b，能夠抑制基材的蒸鍍面21a損傷。
[0158]因而，能夠制造被抑制了質量降低的有機EL器件20。
[0159]并且，在各蒸鍍部A?C之間配置有引導機構31a、31b，能夠利用引導機構31a、31b改變在被引導機構31a、31b引導之前和引導之后從上方看時的基材21的移動方向。由此，能夠將各蒸鍍部A?C配置在所期望的位置。因而，能夠提高蒸鍍部A?C的布局的自由度。此外，也能夠有效利用制造場所的空間。
[0160]此外，在本實施方式中，引導機構3la、3Ib具有用于支承非蒸鍍面21b的多個輥構件33a?33d。各引導機構的輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于基材的寬度方向傾斜的方向配置。由此，能夠利用將輥構件組合起來這樣的簡單的結構像上述那樣地易于改變基材21的蒸鍍面21a的朝向，因此更為高效。
[0161]此外，在本實施方式中，上述輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于基材21的寬度方向傾斜45°的方向配置。由此，能夠防止輥構件組合的復雜化，而且能夠防止裝置的大型化。
[0162]本發明的有機EL器件的制造方法和制造裝置如上所述，但本發明并不限定于上述實施方式，能夠在本發明所謀求的范圍內適當地進行設計變更。例如，引導機構的結構并不特別限定于上述實施方式，只要能夠將從上游側的蒸鍍部輸送來的基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并使蒸鍍面的朝向從下方變為側方或者從側方變為下方，以蒸鍍面的朝向改變了的狀態將基材引導到下游側的蒸鍍部，就也可以采用其他輥構件的配置、數量以及它們的組合。此外，在上述實施方式中，卷取了蒸鍍工序結束后的基材，但也可以不卷取該基材而將其供給到裁切等工序。
[0163]接著，列舉實施例來更詳細地說明本發明，但本發明并不限定于這些。
[0164]實施例
[0165]使用與圖1所示的制造裝置I同樣的制造裝置做成陽極層由I層構成、有機EL層由5層構成、陰極層由I層構成的有機EL器件。此外，將各蒸鍍源和基材之間的最短距離設定為2mm。通過使用該制造裝置在基材(SUS) 21上按順序蒸鍍陽極層(Al)、端覆蓋層(Si02)、空穴注入層(HAT - CN)、正孔輸送層(a - NPD)、發光層(Alq3)、電子輸送層(LiF)、電子注入層(LiF)、陰極層(Mg — Ai合金)、密封層(MoO3)，制作了有機EL器件。
[0166]將得到的有機EL器件切割成30cm (基材的移動方向)X 3.8cm (基材的寬度方向)制作試驗樣品，對得到的試驗樣品的陽極層和陰極層施加電壓，調查了施加電壓(V)和發光亮度(cd / m2)之間的關系。發光亮度是利用有機EL發光效率測定裝置(EL — 1003，精密壓力表公司制)測定的。此外，利用數字顯微鏡(VHX — 1000，基恩士公司制)拍攝了從有機EL元件側看施加電壓后的試驗樣品的照片。將得到的施加電壓和發光亮度之間的關系表示在圖8中，將施加電壓后的試驗樣品的照片表不在圖9中。
[0167]如圖8所示，即使對得到的有機EL器件的陽極層和陰極層施加電壓，也看不到漏電，如圖9所示，在施加電壓之后，并未看到由漏電引起的有機EL元件的破壞。
[0168]比較例
[0169]采用與圖7所示的制造裝置100同樣的制造裝置。即，作為制造裝置包括以直線狀配置的蒸鍍部A?C，除了在蒸鍍部A?C之間未設置引導機構之外，采用與圖1同樣的裝置。另外，在圖7中，以省略真空室的方式表示了制造裝置。
[0170]而且，在使用該制造裝置與實施例同樣地制作了有機EL器件之后，發現基材撓曲，基材的蒸鍍面和蒸鍍源接觸而在基材的蒸鍍面產生了擦傷。此外，對來自與實施例同樣地得到的有機EL器件的試驗樣品進行了評價。將得到的施加電壓和發光亮度之間的關系表不在圖8中，將施加電壓后的試驗樣品的照片表不在圖9中。如圖8所不，在比較例中，因在基材的蒸鍍面產生了上述擦傷而確認到了漏電。此外，由于產生了該漏電，因此，在施加電壓之后如圖9所示那樣看到了有機EL元件的破壞。
[0171]基于以上的結果，可知利用本發明的有機EL器件的制造方法和制造裝置能夠制造被抑制了質量降低的有機EL器件。
[0172]本發明雖如上所述，但本發明并不限定于上述實施方式，能夠在本發明所謀求的范圍內適當地進行設計變更。
[0173]此外，在上述實施方式的引導構件33b、33c中，說明了支承構件38能夠相對于轉軸39旋轉的結構，但并不限定于該結構。例如，也可以是如下的結構:支承構件38固定于轉軸39，即使滾動構件37旋轉，該支承構件38也不會相對于轉軸39旋轉。
[0174]此外，在上述實施方式的引導構件33b、33c中，說明了如下的結構:引導構件主體36固定于轉軸39,即使輸送基材21,該引導構件主體36也不會相對于轉軸39旋轉,但并不限定于該結構。例如，也可以是引導構件主體36是能夠相對于轉軸39旋轉的結構，是隨著輸送基材21而該引導構件主體36相對于轉軸39旋轉的結構。
[0175]此外，在上述實施方式的引導構件33b、33c中，說明了多個滾動構件37以遍及引導構件主體36的周向上的整個區域和軸線方向(長度方向)上的整個區域的方式排列的結構，但并不限定于該結構。滾動構件37至少在引導構件33b、33c的與基材21接觸的區域中排列即可。
[0176]此外，引導機構的結構也可以采用變更了引導構件的配置、數量以及它們的組合而成的結構。并且，在上述實施方式中，卷取了蒸鍍工序結束后的基材，但也可以不卷取該基材而將其供給到裁切等工序。
[0177]圖18?圖21表示本發明的有機EL器件的制造裝置的另一實施方式。
[0178]如圖17所示，本實施方式的有機EL器件的制造裝置(以下也簡稱作“制造裝置”)I包括用于將帶狀的基材81在長度方向上輸送的輸送裝置2、用于對基材81進行加熱的加熱裝置3、以及用于在被輸送的基材81的一側的面即蒸鍍面81a上蒸鍍氣化材料的蒸鍍裝置4。此外，制造裝置I還包括用于將各裝置2?4以真空狀態收容的真空室5。
[0179]輸送裝置2包括用于放出并供給卷成卷狀的帶狀的基材81的基材供給部21、和用于使基材81沿著螺旋方向在引導構件(以下也稱作“螺旋引導構件”)221,231的外周部卷繞一圈以上(在本實施方式中是兩圈)的一對螺旋輸送部22、23。
[0180]而且，輸送裝置2還包括用于改變基材81的蒸鍍面81a的朝向的一對方向改變部24、25、利用沿著鉛垂方向延伸的旋轉軸旋轉且用于在外周部卷繞并支承基材81的輥筒(引導構件)26、以及用于將基材81卷成卷狀并進行回收的基材回收部27。
[0181]另外，輸送裝置2從上游側開始按順序配置有基材供給部21、第I螺旋輸送部22、第I方向改變部24、輥筒26、第2方向改變部25、第2螺旋輸送部23、基材回收部27。此夕卜，基材81以將蒸鍍面81a朝向下方的狀態自基材供給部21被輸送,利用第I方向改變部24變為將蒸鍍面81a朝向側方的狀態，之后，利用第2方向改變部25再次變為將蒸鍍面81a朝向下方的狀態，被輸送到基材回收部27。
[0182]第I螺旋輸送部22將第I螺旋引導構件221沿著水平方向配置。而且，第I螺旋引導構件221從外周部的下方側接觸從基材供給部21輸送來的基材81，該基材81在外周部卷繞兩圈(兩周)并從外周部的下方側離開，朝向第I方向改變部24輸送。因而，基材81在第I螺旋引導構件221的下方側通過三次。
[0183]第2螺旋輸送部23將第2螺旋引導構件231沿著水平方向配置。而且，第2螺旋引導構件231從外周部的下方側接觸從第2方向改變部25輸送來的基材81，該基材81在外周部卷繞兩圈(兩周)并從外周部的下方側離開，朝向基材回收部27輸送。因而，基材81在第2螺旋引導構件231的下方側通過三次。
[0184]如圖19?圖21所示，各螺旋引導構件221(231)包括構成外周部的圓筒狀的引導構件主體221a (231a)。而且，各螺旋引導構件221 (231)還包括收容在引導構件主體221a(231a)中的滾動自由的多個滾動構件221b (231b)、和配置在引導構件主體221a (231a)的內部且用于從徑向內方支承各滾動構件221b (231b)的筒狀的支承構件221c (231c)。
[0185]此外，各螺旋引導構件221 (231)還包括端部固定在基座構件222 (232)上的轉軸221d (231d)，該基座構件222 (232)固定在真空室5中。并且，為了防止在輸送基材81時引導構件主體221a (231a)旋轉，各螺旋引導構件221 (231)還包括用于在轉軸221d(231d)上固定引導構件主體36的固定構件221e (231e)。各螺旋引導構件221 (231)包括用于將支承構件221c (231c)以能夠旋轉的方式支承的軸承構件221f (231f)。
[0186]各滾動構件221b (231b)在引導構件主體221a (231a)的徑向外方以其一部分自引導構件主體221a (231a)突出的方式配置。各滾動構件221b (231b)在引導構件主體221a (231a)的徑向內方以其一部分自引導構件主體221a (231a)突出的方式配置。因而，各螺旋引導構件221 (231)的外周面形成為凹凸狀。
[0187]而且，多個滾動構件221b (231b)以基材81與自引導構件主體221a (231a)向徑向外方突出的部位接觸的方式排列。由此，基材81跨多個滾動構件221b (231b)并與其接觸。換言之，基材81以抵接于多個滾動構件221b (231b)且與引導構件主體221a (231a)分開的方式繞掛在各螺旋引導構件221 (231)的外周部。
[0188]此外，各滾動構件221b (231b)以其自引導構件主體221a (231a)向徑向內方突出的部位與支承構件221c (231c)的外周部接觸的方式配置。在本實施方式中，各滾動構件221b (231b)是以3個自由度旋轉自由的球狀體。
[0189]支承構件221c (231c)用其外周部支承各滾動構件221b (231b)。由此，各滾動構件221b (231b)雖自接觸的基材81朝向引導構件主體221a (231a)的徑向內方受力，但能夠防止該滾動構件221b (231b)自引導構件主體221a (231a)脫離、或者相對于引導構件主體221a (231a)向徑向內方錯位。
[0190]此外，支承構件221c (231c)構成為利用軸承構件221f (231f)能夠以軸線方向(轉軸221d (231d))為中心旋轉。因而，支承構件221c (231c)利用與隨著輸送基材81而滾動的各滾動構件221b (231b)之間的摩擦力而旋轉，能夠使各滾動構件221b (231b)的旋轉速度穩定(成為大致相同的旋轉速度)。
[0191]返回到圖1，第I方向改變部24包括沿著水平方向配置的引導構件(以下也稱作“水平引導構件”)241。此外，第I方向改變部24在水平引導構件的下游側包括沿著相對于水平方向和鉛垂方向傾斜的方向配置的引導構件(以下也稱作“傾斜引導構件”)242。
[0192]而且，第I方向改變部24在一對引導構件241、242上架設基材81。另外，基材81沿著周向接觸(繞掛)于水平引導構件241的外周部約I / 4圈，并且沿著螺旋方向接觸(繞掛)于傾斜引導部242的外周部約I / 2圈。
[0193]于是,第I方向改變部24構成為,將從第I螺旋輸送部22輸送來的基材81以非蒸鍍面81b成為內周面的方式從非蒸鍍面81b側支承并使蒸鍍面81a的朝向從下方變為側方，將該基材81引導到棍筒26。[0194]具體地講，首先，基材81將水平引導構件241作為支承軸以從側方向上方輸送的方式彎曲，被輸送到傾斜弓I導構件242。之后，基材81將傾斜弓I導構件242作為支承軸以從上方向側方輸送的方式彎曲，被輸送到棍筒26。
[0195]水平引導構件241沿著水平方向且基材81的寬度方向(與長度方向垂直的方向)配置。而且，水平引導構件241是形成為圓柱狀且以軸線方向為中心旋轉自由的輥構件，并隨著輸送基材81而整體旋轉。此外，水平引導構件241的外周面形成為平滑的。
[0196]傾斜引導構件242配置在水平引導構件241的上方。而且，傾斜引導構件242以相對于水平方向向上方傾斜預定角度(在本實施方式中是45° )的方式配置。傾斜引導構件242以相對于基材81的寬度方向傾斜預定角度(在本實施方式中是45° )的方式配置。
[0197]另外，為了防止隨著輸送基材81而錯位，傾斜引導構件242包括以與基材81接觸的方式排列在外周部且滾動自由的多個滾動構件(未圖示和編號)。即，傾斜引導構件242是與螺旋引導構件221 (231)相同的結構。
[0198]第2方向改變部25包括沿著相對于水平方向和鉛垂方向傾斜的方向配置的引導構件(以下也稱作“傾斜引導構件”)251。此外，第2方向改變部25在傾斜引導構件251的下游側包括沿著水平方向配置的引導構件(以下也稱作“水平引導構件”)252。
[0199]而且，第2方向改變部25在一對引導構件251、252上架設基材81。另外，基材81沿著螺旋方向接觸(繞掛)于傾斜引導構件251的外周部約I / 2圈。基材81沿著周向接觸(繞掛)于水平引導構件252的外周部約I / 4圈。
[0200]于是，第2方向改變部25構成為，將從輥筒26輸送來的基材81以非蒸鍍面81b成為內周面的方式從非蒸鍍面81b側支承并將蒸鍍面81a的朝向從側方變為下方，將該基材81引導到第2螺旋輸送部23。
[0201]具體地講，首先，基材81將傾斜引導構件251作為支承軸以從側方向下方輸送的方式彎曲，被輸送到水平引導構件252之后，將水平引導構件252作為支承軸以從下方向側方輸送的方式彎曲，被輸送到第2螺旋輸送部23。
[0202]傾斜引導構件251以相對于水平方向向上方傾斜預定角度(在本實施方式中是45° )的方式配置，并且以相對于基材81的寬度方向傾斜預定角度(在本實施方式中是45° )的方式配置。另外，為了防止隨著輸送基材81而錯位，傾斜引導構件251構成為包括以與基材81接觸的方式排列在外周部且滾動自由的多個滾動構件(未圖示和編號)、即與螺旋引導構件221 (231)相同的結構。
[0203]水平引導構件252配置在傾斜引導構件251的下方。而且，水平引導構件252沿著水平方向且基材81的寬度方向(與長度方向垂直的方向)配置。此外，水平引導構件252是形成為圓柱狀且以軸線方向為中心旋轉自由的輥構件，并隨著輸送基材81而整體旋轉。另外，水平引導構件252的外周面形成為平滑的。
[0204]為了對基材81加熱，加熱裝置3包括朝向第I螺旋引導構件221的外周部釋放熱量的熱源31。而且，熱源31在螺旋引導構件221的下方且沿著螺旋引導構件221的軸線方向配置。具體地講，熱源31配置在與基材81的距離為300mm以下的位置。在本實施方式中，熱源31設為鹵素加熱器。
[0205]蒸鍍裝置4包括配置在第I螺旋輸送部22和第I方向改變部24之間的成為朝上蒸鍍部的第I蒸鍍部41、和配置在輥筒26的側方的成為橫向蒸鍍部的第2蒸鍍部42。此夕卜，蒸鍍裝置4還包括配置在第2方向改變部25和第2螺旋輸送部23之間的成為朝上蒸鍍部的第3蒸鍍部43、和配置在第2螺旋輸送部23的下方的成為朝上蒸鍍部的第4蒸鍍部44。
[0206]第I蒸鍍部41包括陽極層蒸鍍源41a，該陽極層蒸鍍源41a通過使氣化材料氣化并將其噴出而在基材81的蒸鍍面81a上形成陽極層。第I蒸鍍部41包括端覆蓋層蒸鍍源41b，該端覆蓋層蒸鍍源41b配置在陽極層蒸鍍源41a的下游，通過使氣化材料氣化并將其噴出而形成用于覆蓋陽極層的周緣的端覆蓋層。
[0207]此外，第I蒸鍍部41在被輸送的基材81的下方配置有各蒸鍍源41a、41b。于是，第I蒸鍍部41構成為從各蒸鍍源41a、41b向以蒸鍍面81a朝向下方的狀態輸送的基材81的蒸鍍面81a噴出氣化材料來進行蒸鍍的朝上的蒸鍍部。
[0208]為了朝向上方噴出氣化材料，各蒸鍍源41a、41b以其開口配置在上部且與基材81的蒸鍍面81a相對的方式配置。此外，各蒸鍍源41a、41b配置在接近基材81的位置。具體地講，配置在各蒸鍍源41a、41b的開口端(噴嘴)和基材81之間的距離(最短距離)為IOmm以下的位置。
[0209]此外，第2蒸鍍部42在被輸送的基材81的側方配置有各蒸鍍源42a?42e。于是，第2蒸鍍部42構成為從各蒸鍍源42a?42e向以蒸鍍面81a朝向側方的狀態輸送的基材81的蒸鍍面81a噴出氣化材料來進行蒸鍍的橫向的蒸鍍部。
[0210]為了朝向橫向噴出氣化材料，各蒸鍍源42a?42e以其開口配置在側部且與基材81的蒸鍍面81a相對的方式配置。此外，各蒸鍍源42a?42e配置在接近基材81的位置。具體地講，配置在各蒸鍍源42a?42e的開口端(噴嘴)和基材81之間的距離(最短距離)為IOmm以下的位置。
[0211]第3蒸鍍部43為了使氣化材料氣化并將其噴出而在基材81的蒸鍍面81a上形成陰極層而包括三個陰極層蒸鍍源43a、43b、43c。此外，第3蒸鍍部43在被輸送的基材81的下方配置有各蒸鍍源43a?43c。于是，第3蒸鍍部43構成為從各蒸鍍源43a?43c向以蒸鍍面81a朝向下方的狀態輸送的基材81的蒸鍍面81a噴出氣化材料來進行蒸鍍的朝上的蒸鍍部。
[0212]為了朝向上方噴出氣化材料，各蒸鍍源43a?43c以其開口配置在上部且與基材81的蒸鍍面81a相對的方式配置。此外，各蒸鍍源43a?43c配置在接近基材81的位置。具體地講，配置在各蒸鍍源43a?43c的開口端(噴嘴)和基材81之間的距離(最短距離)為IOmm以下的位置。
[0213]第4蒸鍍部44為了使氣化材料氣化并將其噴出而在基材81的蒸鍍面81a形成防止各層與空氣接觸的密封層，從而包括密封層蒸鍍源44a。此外，第4蒸鍍部44在第2螺旋引導構件231的下方且沿著第2螺旋引導構件231的軸線方向配置。
[0214]于是，第4蒸鍍部44構成為從蒸鍍源44a向在第2螺旋引導構件231的下方側通過的基材81的部位、即處于蒸鍍面81a朝向下方的狀態的基材81的部位的蒸鍍面81a噴出氣化材料來進行蒸鍍的朝上的蒸鍍部。由此，由于基材81在第2螺旋引導構件231的下方通過三次，因此，通過蒸鍍源44a朝向第2螺旋引導構件231的下方側的外周部噴出氣化材料，能夠在基材81上蒸鍍三次氣化材料。
[0215]為了朝向上方噴出氣化材料，蒸鍍源44a以其開口配置在上部且與基材81的蒸鍍面81a相對的方式配置。此外，蒸鍍源44a配置在接近基材81的位置。具體地講，配置在蒸鍍源44a的開口端(噴嘴)和基材81之間的距離(最短距離)為IOmm以下的位置。
[0216]另外，各蒸鍍部41?44的各蒸鍍源41a?41b、42a?42e、43a?43c、44a構成為，利用加熱部(未圖示和編號)對收容在內部的材料加熱而使材料氣化，然后從開口朝向基材81的蒸鍍面81a噴出氣化后的材料(氣化材料)。
[0217]真空室5包括多個真空室(未圖示和編號)。而且，在各真空室中分別收容有基材供給部21、第I螺旋輸送部22和加熱裝置3、第I蒸鍍部41、第I方向改變部24、輥筒26和第2蒸鍍部42、第2方向改變部25、第3蒸鍍部43、第2螺旋輸送部23和第4蒸鍍部44、基材回收部27。
[0218]此外，各真空室利用真空產生裝置(未圖示和編號)對內部減壓，內部成為真空狀態。此外，相鄰的真空室相互間構成為，通過用于在各真空室內依次輸送基材81的連通部相連通，并且能夠保持各內部的真空狀態。
[0219]接著，說明采用本實施方式的制造裝置I進行的有機EL器件8的制造方法。
[0220]從基材供給部21放出卷成卷狀的基材81 (基材供給工序)。然后，將從基材供給部21放出來的基材81輸送到第I螺旋輸送部22，以沿著螺旋方向在第I螺旋引導構件221的外周部卷繞兩圈的方式進行輸送(第I螺旋輸送工序)。
[0221]在該第I螺旋輸送工序中，配置在第I螺旋引導構件的下方的加熱裝置3的熱源31朝向螺旋引導構件221的外周部釋放熱量。由此，將基材81加熱到預定的溫度(例如200?300°C)(基材加熱工序)。
[0222]具體地講，基材81在第I螺旋引導構件221的下方側通過三次時，通過直接傳導從熱源31釋放出來的熱量而基材81被加熱，并且在基材81與第I螺旋引導構件221的外周部接觸(轉兩圈)的期間里，通過從熱源31釋放出來的熱量經由具有導熱性(例如為金屬制)的第I螺旋引導構件221間接傳導到基材80而基材81也被加熱。
[0223]將加熱后的基材81以蒸鍍面81a朝向下方的狀態輸送到第I蒸鍍部41。然后，通過陽極層蒸鍍源41a朝向上方噴出氣化材料，在被輸送的基材81的下表面(蒸鍍面81a)形成陽極層。之后，通過端覆蓋層蒸鍍源41b朝向上方噴出氣化材料，以覆蓋陽極層的周緣的方式形成端覆蓋層(第I蒸鍍工序)。
[0224]將利用第I蒸鍍部41蒸鍍后的基材81輸送到第I方向改變部24。在該第I方向改變部24中，利用各引導構件241、242，將基材81以從蒸鍍面81a的朝向朝向下方的狀態變為朝向側方的狀態的方式引導到輥筒26 (第I方向改變工序)。此時，將基材81以非蒸鍍面81b成為內周面的方式從非蒸鍍面81b側支承于各引導構件241、242。
[0225]通過將被輸送到輥筒26的基材81繞掛在輥筒26的外周部，該基材81被輥筒26支承且引導(輥筒輸送工序)。在該輥筒輸送工序中，通過配置在基材81的側方的各蒸鍍源42a?42e朝向側方噴出氣化材料，形成由五層的有機EL層結構層(空穴注入層、正孔輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層)構成的有機EL層(第2蒸鍍工序)。
[0226]將利用第2蒸鍍部42蒸鍍后的基材81輸送到第2方向改變部25。在該第2方向改變部25中，利用各引導構件251、252將基材81以從蒸鍍面81a的朝向朝向側方的狀態變為朝向下方的狀態的方式引導到第3蒸鍍部43 (第2方向改變工序)。此時，將基材81以非蒸鍍面81b成為內周面的方式從非蒸鍍面81b側支承于各引導構件251、252。[0227]將方向改變后的基材81以蒸鍍面81a朝向下方的狀態輸送到第3蒸鍍部43。然后，在第3蒸鍍部43中，通過各陰極層蒸鍍源43a?43c朝向上方噴出氣化材料，在被輸送的基材81的下表面(蒸鍍面81a)形成由三層的陰極層結構層(LiF層、Mg層、Ag層)構成的陰極層。
[0228]將利用第3蒸鍍部43蒸鍍后的基材81輸送到第2螺旋輸送部23。然后，將被輸送到第2螺旋輸送部23的基材81以沿著螺旋方向在第2螺旋引導構件231的外周部卷繞兩圈的方式進行輸送(第2螺旋輸送工序)。
[0229]在該第2螺旋輸送工序中，通過配置在第2螺旋引導構件231的下方的第4蒸鍍部44的密封層蒸鍍源44a朝向第2螺旋引導構件231的外周部的下方側噴出氣化材料，形成密封層(第4蒸鍍工序)。具體地講，基材81在第2螺旋引導構件231的下方側通過三次時利用從密封層蒸鍍部44a噴出來的氣化材料被蒸鍍三次。
[0230]這樣，在基材81上形成具有陽極層、有機EL層以及陰極層的有機EL元件80。然后，利用基材回收部27將形成有有機EL元件80的基材81卷成卷狀(基材回收工序)。
[0231]另外，通過將基材81繞掛在多個引導構件221、231、241、242、251、252、26的外周部，以支承且引導該基材81的方式進行輸送(輸送工序)。即，在本實施方式中，輸送工序由第I螺旋輸送工序、第I方向改變工序、輥筒輸送工序、第2方向改變工序、第2螺旋輸送工序構成。
[0232]像以上這樣，采用本實施方式的有機EL器件的制造裝置I和制造方法，在輸送工序中，由于基材81繞掛在多個引導構件221、231、241、242、251、252、26的外周部，因此，引導構件221、231、241、242、251、252、26支承并引導基材81。由此，能夠輸送基材81。
[0233]而且，在輸送工序中的各螺旋輸送工序中，通過將基材81沿著螺旋方向在螺旋引導構件221、231的外周部卷繞一圈以上(具體地講是兩圈)，能夠輸送基材81。由此，能夠將基材81以在各螺旋引導構件221、231的下方側通過多次(具體地講是三次)的方式進行輸送。因而，能夠實現以往所沒有的靈活的設計。
[0234]此外，采用本實施方式的有機EL器件的制造裝置I和制造方法，在第2螺旋輸送工序中，將基材81以在第2螺旋引導構件231的下方側通過(具體地講是三次)的方式進行輸送。因而，在第2螺旋輸送工序中，通過密封層蒸鍍源44a朝向第2螺旋引導構件231的外周部的下方側噴出氣化材料，能夠在基材81上多次(具體地講是三次)蒸鍍氣化材料。
[0235]此外，由于也能夠加快基材81的輸送速度，因此，能夠提高生產率。具體地講，需要基材81的輸送速度適合于作為處理速度最慢的工序的第4蒸鍍工序(形成密封層的工序)。相對于此，采用本實施方式的制造裝置I和制造方法，通過在第2螺旋輸送工序中進行第4蒸鍍工序，能夠與以往相比加快基材81的輸送速度。
[0236]此外，采用本實施方式的有機EL器件的制造裝置和制造方法，在第I螺旋輸送工序中，將基材81以在第I螺旋引導構件221的下方側通過多次(具體地講是三次)的方式進行輸送。因而，在第I螺旋輸送工序中，熱源31朝向第I螺旋引導構件221的外周部的下方側釋放熱量時，能夠對基材81加熱多次(具體地講是三次)。
[0237]由此，每當基材81在第I螺旋引導構件221的下方側通過時，釋放出來的熱量都直接傳導到基材81，因此，與一般的(與基材的接觸小于I / 2圈的)輥構件相比較，能夠增多被直接加熱的次數。因而，能夠高效地加熱基材81。[0238]并且，在基材81與第I螺旋引導構件221接觸的期間里，釋放出來的熱量經由第I螺旋引導構件221也間接地傳導到基材81。由此，與一般的(與基材的接觸小于I / 2圈的)輥構件相比較，能夠延長基材81與第I螺旋引導構件221接觸的時間，因此，能夠延長被間接加熱的時間。因而，能夠更高效地加熱基材81。
[0239]此外，采用本實施方式的有機EL器件的制造裝置I和制造方法，多個滾動構件221b,231b在各螺旋引導構件221、231的外周部排列，被輸送的基材81跨多個滾動構件221b,231b并與其接觸。因而，與外周面平滑的一般的輥構件相比較，能夠減小各螺旋引導構件221、231與基材81接觸的面積，因此，能夠抑制在各螺旋引導構件221、231和基材81之間產生的摩擦力。
[0240]并且，由于滾動構件221b、231b滾動自由，因此,滾動構件221b、231b也能夠隨著輸送基材81而滾動。因而，由于能夠更有效地抑制在各螺旋引導構件221、231和基材81之間產生的摩擦力，因此，能夠抑制基材81相對于各螺旋引導構件221、231錯位(蛇行運動)。
[0241]此外，采用本實施方式的有機EL器件的制造裝置I和制造方法，由于滾動構件22lb、23Ib是以3個自由度旋轉自由的球狀體，因此，各滾動構件22lb、23Ib能夠在任一個方向上旋轉。因而，在基材81沿著螺旋方向繞掛在各螺旋引導構件221、231的外周部時，各滾動構件221b、231b向基材81的輸送方向旋轉。由此，能夠有效地抑制基材81相對于各螺旋引導構件221、231錯位。
[0242]在上述實施方式的引導構件221(231)中，說明了如下的結構:引導構件主體221a(231a)固定于轉軸221d (231d)，即使輸送基材81，該引導構件主體221a (231a)也不會相對于轉軸221d (231d)旋轉，但并不限定于該結構。例如，也可以是引導構件主體221a(231a)能夠相對于轉軸221d (231d)旋轉的結構，其隨著輸送基材81而相對于轉軸221d(231d)旋轉。
[0243]附圖標記說明
[0244]1、有機EL器件的制造裝置；3、真空室；9a?91、蒸鍍源；19、有機EL元件；21、基材；21a、蒸鍍面；21b、非蒸鍍面；23、陽極層；25、有機EL層；27、陰極層;30a、30b、方向改變部；3la、3lb、引導機構；33a?33d、棍構件。
【權利要求】
1.一種有機EL器件的制造方法，其中，在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時，通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于， 該有機EL器件的制造方法包括結構層形成工序，在該結構層形成工序中，在使上述基材沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材的移動方向配置的至少朝上蒸鍍部和橫向蒸鍍部，從蒸鍍源向上述基材的一個面噴出氣化材料而依次進行蒸鍍， 上述結構層形成工序包括以下工序: 朝上蒸鍍工序，在上述朝上蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從配置在該基材的下方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍； 橫向蒸鍍工序，在上述橫向蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從配置在該基材的側方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及 方向改變工序，利用設置在上述朝上蒸鍍部和上述橫向蒸鍍部之間的引導機構，將從上述朝上蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從下方變為側方，將該基材引導到上述橫向蒸鍍部。
2.一種有機EL器件的制造方法，其中，在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時，通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于， 該有機EL器件的制造方法包括結構層形成工序，在該結構層形成工序中，在使上述基材沿著長度方向移動的同時，利用沿著該基材的移動方向配置的至少橫向蒸鍍部和朝上蒸鍍部，從蒸鍍源向上述基材的 一個面噴出氣化材料，依次進行蒸鍍， 上述結構層形成工序包括以下工序: 橫向蒸鍍工序，在上述橫向蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從配置在該基材的側方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍； 朝上蒸鍍工序，在上述朝上蒸鍍部處，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從配置在該基材的下方的上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及 方向改變工序，利用設置在上述橫向蒸鍍部和上述朝上蒸鍍部之間的引導機構，將從上述橫向蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從側方變為下方，將該基材引導到上述朝上蒸鍍部。
3.根據權利要求1或2所述的有機EL器件的制造方法，其中， 上述引導機構具有用于支承上述非蒸鍍面的多個輥構件， 該輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于上述基材的寬度方向傾斜的方向配置。
4.根據權利要求3所述的有機EL器件的制造方法，其中， 上述輥構件中的至少I個輥構件沿著相對于上述寬度方向傾斜45°的方向配置。
5.一種有機EL器件的制造裝置，其用于在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于， 該有機EL器件的制造裝置包括: 朝上蒸鍍部，其在移動的上述基材的下方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍； 橫向蒸鍍部，其在移動的上述基材的側方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及 方向改變部，其設置在上述朝上蒸鍍部和上述橫向蒸鍍部之間，包括引導機構，該引導機構將從上述朝上蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從下方變為側方，將該基材引導到上述橫向蒸鍍部。
6.一種有機EL器件的制造裝置，其用于在使帶狀的基材沿著長度方向移動的同時通過蒸鍍在該基材上形成機EL元件的結構層，其特征在于， 該有機EL器件的制造裝置包括: 橫向蒸鍍部，其在移動的上述基材的側方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向側方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍； 朝上蒸鍍部，其在移動的上述基材的下方具有蒸鍍源，在使上述基材以上述蒸鍍面朝向下方的狀態移動的同時，從上述蒸鍍源向上述蒸鍍面噴出上述氣化材料來進行蒸鍍；以及 方向改變部，其設置在上述橫向蒸鍍部和上述朝上蒸鍍部之間，包括引導機構，該引導機構將從上述橫向蒸鍍部輸送來的上述基材以該基材的非蒸鍍面成為內周面的方式從該非蒸鍍面側支承并將上述蒸鍍面的朝向從側方變為下方，將該基材引導到上述朝上蒸鍍部。
【文檔編號】H01L51/50GK103503567SQ201280021507
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2012年10月17日 優先權日:2011年10月24日
【發明者】垣內良平, 山本悟, 肥田加奈子 申請人:日東電工株式會社