功率開關的晶片測試方法
【專利摘要】本發明涉及功率開關的晶片測試方法，能簡單與實際工作狀態同樣地測定主IGBT流過的主電流與電流檢測用IGBT流過的檢測電流的電流比。檢測主IGBT（1）的電流值的電流檢測用IGBT（2）在同一個半導體襯底上集成形成的功率開關的晶片測試方法中，設置使電流檢測用IGBT的發射極電流流過主IGBT的發射極端子（6）的電阻單元，使主IGBT和電流檢測用IGBT同時導通并對主IGBT和電流檢測用IGBT的共用集電極端子施加恒定電流，根據由電阻單元的兩端電壓求出的電流檢測用IGBT中流過的電流和恒定電流，計算主IGBT的主電流與電流檢測用IGBT的檢測電流的電流比（主電流/檢測電流）。
【專利說明】功率開關的晶片測試方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及在半導體襯底上集成形成的功率開關(power switch)的晶片測試(wafer test)方法。
【背景技術】
[0002]在半導體襯底上集成形成的功率開關，例如用于汽車的內燃機點火系統。圖4中表示出使用功率開關的內燃機點火系統的構成例。
[0003]圖4所示的內燃機點火系統，由功率開關11、發動機控制單元(以下稱為ECU(Electronic Control Unit)) 15、電池電源16、點火線圈17、火花塞18構成。通過利用功率開關11，對與電池電源16連接的點火線圈17的一次側線圈中流過的一次電流進行通(導通)/斷(切斷)控制，而在二次側線圈中感應生成高電壓，利用火花塞18產生火花放電。此夕卜，功率開關11的通/斷通過來自ECU15的通/斷信號而被控制。
[0004]圖4所示的功率開關11由功率開關部10和控制部14構成，其包括與點火線圈17的一次側線圈連接的集電極端子(以下稱為C端子)4、與E⑶15連接的柵極端子8、與接地電位(以下稱為GND)連接的發射極端子9。功率開關部10由IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor (絕緣柵雙極型晶體管))1、電流檢測用IGBT2、柵極電阻電路3構成，控制部14由電流檢測電路12、柵極驅動電路13構成。
[0005]此處，圖4所示的功率開關11，有功率開關部10和控制部14在同一個半導體襯底上集成形成的單芯片結構的情況，和分別在不同的半導體襯底上形成的雙芯片結構的情況。
[0006]在雙芯片結構的情況下，作為功率開關部10與控制部14的連接點的柵極端子(以下稱為G端子)5、主IGBTl的發射極端子(以下稱為El端子)6和電流檢測用IGBT2的發射極端子(以下稱為E2端子)7的連接場所，分別用導線接合等連接手段連接構成。此外，在單芯片結構的情況下，作為功率開關部10與控制部14的連接點的G端子5、E1端子6和E2端子7分別用作晶片測試時的測定用測試端子。
[0007]此外，圖4所示的功率開關11，以防止一次電流的過電流引起的點火線圈17的燒損、確保起動時的火花放電穩定性為目的，設置有限制一次電流的電流限制功能。電流限制功能通過用電流檢測用IGBT2和電流檢測電路12檢測一次電流的單元、與一次電流的檢測結果相應地用柵極驅動電路13和柵極電阻電路3控制主IGBTl和電流檢測用IGBT2的柵極電壓的單元實現。
[0008]此處，點火線圈17的一次側線圈中流過的一次電流，分為從功率開關部10的C端子4起在主IGBTl的El端子6、發射極端子9的通路中流過的主電流，和從功率開關部10的C端子4起在電流檢測用IGBT2的E2端子7、電流檢測電路12、發射極端子9的通路中流過的檢測電流而流動。然后，該電流比(主IGBTl中流過的主電流/電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流)通常設定為100以上。
[0009]在內燃機點火系統中，該功率開關11的功率開關部10中流過的一次電流的電流t匕(主電流/檢測電流)，對于一次電流的電流控制功能而言是重要特性，在功率開關11的特性試驗中被測定。在專利文獻I中，公開有為了使該作為重要特性的電流比(主電流/檢測電流)符合設計值，而基于主電流和檢測電流的測定結果，調整電流控制部的基準電壓的技術。
[0010]接著，對于圖4所示的功率開關11中的一次電流的電流比(主電流/檢測電流)的晶片測試方法，利用圖5和圖6說明現有技術的一般的試驗電路和試驗方法。此處，如上文中說明，功率開關11具有功率開關部10和控制部14，由單芯片或雙芯片構成，在以下的功率開關11的電流比(主電流/檢測電流)的晶片測試方法的說明中，功率開關11中省略控制部14 (是測定電流比時無關的功能)而僅表示功率開關部10進行說明。
[0011]圖5表示的是用于測定功率開關11中的功率開關部10的主IGBTl中流過的主電流的晶片測試電路，由功率開關部10、測試器(tester)20、測試探針(tester prober)21構成。測試探針21具有設置功率開關部10的測試晶片的測試探針臺22，和將測試器20的各測定端子與功率開關部10的測試晶片的各端子連接的探針卡23。
[0012]接著，說明圖5所示的晶片測試電路中的主IGBTl的主電流的測定方法。首先，將測試器20的E-V_t端子與探針卡23的E-V_p端子連接，用與探針卡23的E_V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的El端子(電極墊)6連接，將El端子6作為基準電位(通常為GND )。
[0013]接著，將測試器20的G_V_t端子與探針卡23的G_V_p端子連接，用與探針卡23的G-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的G端子(電極墊)5連接，施加使主IGBTl接通的恒定電壓No (V)。進而，將測試器20的C_I_t端子與測試探針臺22 (用C_I_s作為端子名)連接，來與功率開關部10的晶片背面的C端子4連接(晶片的背面電極相當于C端子4)，對主IGBTl施加恒定電流1 (A)0然后，將El端子6中流過的電流通過探針卡23的E-1_p端子而與測試器20的E-1_t端子連接來測定主IGBTl中流過的主電流Im(A)。
[0014]圖6表示的是用于測定功率開關11中的功率開關部10的電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流的晶片測試電路，與圖5同樣地，由功率開關部10、測試器20、測試探針21構成。測試探針21具有設置功率開關部10的測試晶片的測試探針臺22，和將測試器20的各測定端子與功率開關部10的測試晶片的各端子連接的探針卡23。
[0015]接著，說明圖6所示的晶片測試電路中的電流檢測用IGBT2的檢測電流的測定方法。首先，將測試器20的E-V_t端子與探針卡23的E-V_p端子連接，用與探針卡23的E_V_P端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的E2端子(電極墊)7連接，將E2端子7作為基準電位(通常為GND)。接著，將測試器20的G-V_t端子與探針卡23的G_V_p端子連接，用與探針卡23的G-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的G端子(電極墊)5連接，施加電流檢測用IGBT2接通的恒定電壓Vo (V)。進而，將測試器20的C-1_t端子通過測試探針臺22 (用C-1_s作為端子名)而與功率開關10的晶片背面的C端子4連接(晶片的背面電極相當于C端子4)，對電流檢測用IGBT2施加恒定電流1(A)。然后，將E2端子7中流過的電流通過探針卡23的E-1_p端子而與測試器20的E-1_t端子連接來測定電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流Is (A)0
[0016]然后，根據利用圖5的晶片測試電路測定的主IGBTl中流過的主電流Im(A)、和利用圖6的晶片測試電路測定的電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流Is (A)，計算主電流Im(A)/檢測電流Is CA),由此求出功率開關11中的功率開關10的電流比(主電流/檢測電流)。
[0017]專利文獻1:日本特開平9-233690號公報
【發明內容】
[0018]在利用圖5和圖6說明的功率開關11中的一次電流的電流比(主電流/檢測電流)的晶片測試方法中，因為分別測定主IGBTl中流過的電流和電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流，所以電流比(主電流/檢測電流)由半導體襯底上的布局面積比所決定。但是，在功率開關11為實際工作狀態的情況下，因為主IGBTl和電流檢測用IGBT2同時進行通/斷，所以主IGBTl和電流檢測用IGBT2在半導體襯底上的布局配置的位置關系(距離)中內部電子狀態不同，利用分別測定主IGBTl的主電流和電流檢測用IGBT2的檢測電流的現有的晶片測試方法不能夠正確測定電流比(主電流/檢測電流)。
[0019]此外，在圖4所示的功率開關11的電流檢測電路12中，內置有用于檢測電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流的傳感電阻Rsns (將電流變換為電壓進行檢測)。因此，在功率開關11的實際工作狀態下，功率開關部10的主IGBT和電流檢測用IGBT2的G端子5與El端子6和E2端子7之間的電壓、和C端子4與El端子6和E2端子7之間的電壓中，會發生相當于該傳感電阻Rsns中發生的電壓的電壓差。但是，該電壓差在用圖5和圖6說明的現有的晶片測試方法中沒有考慮，所以不能夠正確測定電流比(主電流/檢測電流)。
[0020]此外，為了實現考慮了該傳感電阻Rsns引起的電壓差的晶片測試，需要具備多電源/多通道的數百V耐壓的專用的測試器，晶片測試工序的成本會提高。
[0021]本發明鑒于上述問題，要解決的課題在于，在主IGBT、集電極端子和柵極端子分別與主IGBT的集電極端子和柵極端子連接的檢測主IGBT的電流值的電流檢測用IGBT在同一個半導體襯底上集成形成的功率開關中，提供一種能夠用簡單的方法與實際工作狀態同樣地對主IGBT中流過的主電流與電流檢測用IGBT中流過的檢測電流的電流比(主電流/檢測電流)進行試驗的功率開關的晶片測試方法。
[0022]為了解決上述課題，本發明的功率開關的晶片測試方法，在用于晶片測試的探針卡的主IGBT的發射極端子用針腳(pin)與電流檢測用IGBT的發射極端子用針腳之間連接電阻，在主IGBT的發射極端子與電流檢測用IGBT的發射極端子之間設置電壓差，在使主IGBT和電流檢測用IGBT同時接通的狀態下進行晶片測試，得到與實際工作狀態同樣的電流比(主電流/檢測電流)。
[0023]S卩，在本發明的功率開關的晶片測試方法中，該功率開關具有主IGBT和檢測上述主IGBT的電流值的電流檢測用IGBT，上述電流檢測用IGBT的集電極端子和柵極端子分別與上述主IGBT的集電極端子和柵極端子連接，上述主IGBT和上述電流檢測用IGBT集成形成于同一個半導體襯底上，其特征在于:設置使上述電流檢測用IGBT的發射極電流流過上述主IGBT的發射極端子的電阻單元，使上述主IGBT和上述電流檢測用IGBT同時導通并對上述主IGBT和上述電流檢測用IGBT的共用集電極端子施加恒定電流，根據由上述電阻單元的兩端電壓求出的上述電流檢測用IGBT中流過的電流和上述恒定電流，計算上述主IGBT的主電流與上述電流檢測用IGBT的檢測電流的電流比(主電流/檢測電流)。[0024]此外，在本發明的功率開關的晶片測試方法中，該功率開關具有主IGBT和檢測所述主IGBT的電流值的電流檢測用IGBT，上述電流檢測用IGBT的集電極端子和柵極端子分別與上述主IGBT的集電極端子和柵極端子連接，上述主IGBT和上述電流檢測用IGBT集成形成于同一個半導體襯底上，其特征在于:設置使上述電流檢測用IGBT的發射極電流流過上述主IGBT的發射極端子的電阻單元，使上述主IGBT和上述電流檢測用IGBT同時導通，檢測從上述主IGBT的發射極端子流出的上述主IGBT的主電流與上述電流檢測用IGBT的檢測電流的合計電流，并且根據上述電阻單元的兩端電壓檢測上述電流檢測用IGBT的檢測電流，計算上述主IGBT的主電流與上述電流檢測用IGBT的檢測電流的電流比(主電流/檢測電流)。
[0025]此外，本發明的功率開關的晶片測試方法的上述電阻單元，特征在于:在與上述主IGBT的發射極端子和上述電流檢測用IGBT的發射極端子對應的晶片測試用探針卡的端子間連接。
[0026]發明效果
[0027]本發明的功率開關的晶片測試方法，在晶片測定用的探針卡的主IGBT的發射極端子用針腳與電流檢測用IGBT的發射極端子用針腳之間連接電阻，在主IGBT的發射極端子與電流檢測用IGBT的發射極端子之間設置電壓差，在使主IGBT和電流檢測用IGBT同時接通的狀態下進行晶片測試，由此能夠簡單地在與實際工作相同的狀態下測定電流比(主電流/檢測電流)。
[0028]本發明的上述和其它目的、特征和優點將通過表示優選為本發明的例子的實施方式的附圖和相關的以下說明而說明。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1是表示本發明的功率開關的電流比的晶片測試方法中使用的晶片測試電路的構成例的圖。
[0030]圖2是表示與本發明的功率開關的晶片測試方法相關的第一晶片測試方法的流程的試驗流程圖。
[0031]圖3是表示與本發明的功率開關的晶片測試方法相關的第二晶片測試方法的流程的試驗流程圖。
[0032]圖4是表示使用了功率開關的內燃機點火系統的構成例的圖。
[0033]圖5是表示現有的功率開關的晶片測試方法中的用于測定主電流的晶片測試電路的圖。
[0034]圖6是表示現有的功率開關的晶片測試方法中的用于測定檢測電流的晶片測試電路的圖。
[0035]符號說明
[0036]I 主 IGBT
[0037]2電流檢測用IGBT
[0038]3柵極電阻電路
[0039]4集電極端子(C端子)
[0040]5柵極端子(G端子)[0041]6主IGBTl的發射極端子(El端子)
[0042]7電流檢測用IGBT2的發射極端子(E2端子)
[0043]8柵極端子
[0044]9發射極端子(GND端子)
[0045]10功率開關部
[0046]11功率開關
[0047]12電流檢測電路
[0048]13柵極驅動電路
[0049]14控制部
[0050]15發動機控制單元(ECU)
[0051]16電池電源
[0052]17點火線圈
[0053]18火花塞
[0054]20測試器
[0055]21測試探針
[0056]22測試探針臺
[0057]23探針卡
[0058]R電阻和電阻值
【具體實施方式】
[0059]以下，參照附圖對本發明的實施方式的功率開關的晶片測試方法進行說明。
[0060]實施例1
[0061]本發明的功率開關例如用于內燃機點火系統。該內燃機點火系統的構成例，與之前說明的圖4的結構相同，省略其詳細說明。
[0062]此外，本發明的功率開關的結構，也是與之前說明的圖4的結構相同。g卩，功率開關11由具備主IGBT1、電流檢測用IGBT2、柵極電阻電路3的功率開關部10，和具備電流檢測電路12、柵極驅動電路13的控制部14構成。此外，功率開關11具有與點火線圈17的一次側線圈連接的C端子4、與E⑶15連接的柵極端子8、與GND連接的發射極端子9。
[0063]此外，功率開關11與之前說明的圖4同樣，有功率開關部10和控制部14在同一個半導體襯底上集成形成的單芯片結構的情況，和分別在不同的半導體襯底上形成的雙芯片結構的情況。作為功率開關部10與控制部14的連接場所的G端子5、E1端子6和E2端子7，在雙芯片結構的情況下分別用導線接合等連接手段連接，在單芯片結構的情況下用作晶片測試時的測定用測試端子。
[0064]圖1是本發明的功率開關11的電流比(主IGBTl中流過的主電流/電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流)的晶片測試方法中使用的晶片測試電路的構成例。其中，功率開關11如之前說明的那樣，功率開關部10和控制部14用單芯片或雙芯片構成，但圖1所示的構成例中，功率開關11省略了控制部14(在測定電流比時無關的功能)，僅表示出功率開關部10。此外，對于與現有的功率開關的晶片測試方法中說明的圖5和圖6相同的部位標注相同的符號，并省略其詳細說明。[0065]圖1是用于測定功率開關11的電流比(主電流/檢測電流)的晶片測試電路，包括:功率開關部10、測試器20、測試探針21。測試探針21具備:設置功率開關部10的測試晶片的測試探針臺22，和將測試器20的各測定端子與功率開關部10的測試晶片的各端子連接的探針卡23，在探針卡23上設置有電阻R。
[0066]此處，測試器20具備施加或測定電流或電壓的C-1_t、C-V_t、G-V_t、E-1_t、E_V_t、s-v_t各端子。此外，探針卡23與測試器20的各端子對應地具備G-V_p、E-1_p、E-V_p、S-V_p各端子。對于該探針卡23的各端子，分別具有探針，并且與功率開關部10的晶片上的作為電極墊的G端子5、E1端子6、E2端子7連接。然后，在探針卡23上的E_V_p端子與S-V_p端子之間連接有電阻R。通過該電阻R，在主IGBTl的El端子6與電流檢測用IGBT2的E2端子7之間設定電壓差。此外，在測試探針臺22上，與測試器20的C-1_t端子、C_V_t端子對應地附加有C-1_s端子、C-V_s端子的符號，在功率開關部10的晶片背面與C端子
4(晶片的背面電極相當于C端子4)連接。
[0067]接著，說明用圖1所示的晶片測試電路對功率開關11的電流比(主電流/檢測電流)進行晶片測試的方法。圖2是表示與本發明的功率開關11的晶片測試方法相關的第一晶片測試方法的流程的試驗流程圖。
[0068]在圖2的試驗流程中，首先在步驟SOl中，將測試器20的E_V_t端子與探針卡23的E-V_p端子連接，用與探針卡23的E-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的El端子(電極墊)6連接,將El端子6設定為基準電位。
[0069]接著，在步驟S02中，將測試器20的G_V_t端子與探針卡23的G_V_p端子連接，用與探針卡23的G-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的G端子(電極墊)5連接，施加使主IGBTl和電流檢測用IGBT2同時接通的恒定電壓Vg (V)。
[0070]接著，在步驟S03中，將測試器20的C_I_t端子通過測試探針臺22 (C_I_s端子的符號)而與功率開關部10的晶片背面的C端子4連接，對主IGBTl和電流檢測用IGBT2施加恒定電流X (A)。
[0071]接著，在步驟S04中，將測試器20的S_V_t端子與探針卡23的S_V_p端子連接，用與探針卡23的S-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的E2端子(電極墊)7連接，測定電流檢測用IGBT2的E2端子7的電壓Z (V)。該電壓Z (V)是對C端子4施加的恒定電流X (A)分流為主IGBTl中流過的主電流和電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流、且該檢測電流在電阻R中流過而產生的電壓。即，電壓Z (V)相當于對C端子4施加的恒定電流X (A)所引起的因主IGBTl的El端子6與電流檢測用IGBT2的E2端子間的電阻R而產生的電壓差。
[0072]接著，在步驟S05中，根據在電阻R的兩端產生的電壓差即電壓Z(V)，通過計算式
Y(A)=Z (V)/R (Ω)(設電阻名與電阻值相同)計算電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流
Y(A)0
[0073]然后，在步驟S06中，根據對C端子4施加的恒定電流X (A)和計算出的電流檢測用IGBT2的檢測電流Y (A)求出IGBTl的主電流，通過計算式W= (X (A)-Y (A))/Y (A)計算出電流比W (主電流/檢測電流)。
[0074]如以上說明，本發明的功率開關11的晶片測試方法，是主IGBTl和電流檢測用IGBT2在同一個半導體襯底上集成形成的功率開關的晶片測試方法，在與主IGBTl的El端子6和電流檢測用IGBT2的E2端子7對應的晶片測定用的探針卡的E_V_p端子與S_V_p端子之間連接電阻R，通過該電阻R在主IGBTl的El端子6與電流檢測用IGBT2的E2端子之間設定電壓差，在使主IGBTl和電流檢測用IGBT2同時接通的狀態下進行晶片測試，由此能夠在與實際工作相同的狀態下簡單且正確地測定一次電流的電流比(主IGBTl中流過的主電流/電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流)。
[0075]實施例2
[0076]接著，說明利用圖1所示的晶片測試電路對功率開關11的電流比(主電流/檢測電流)進行晶片測試的其它方法。圖3是表示與本發明的功率開關11的晶片測試方法相關的第二晶片測試方法的流程的試驗流程圖。
[0077]在圖3的試驗流程中，首先在步驟Sll中，將測試器20的E_V_t端子與探針卡23的E-V_p端子連接，利用與探針卡23的E-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的El端子(電極墊)6連接，將El端子6設定為基準電位。
[0078]接著，在步驟S12中，將測試器20的G_V_t端子與探針卡23的G_V_p端子連接，利用與探針卡23的G-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的G端子(電極墊)
5的連接，施加使主IGBTl和電流檢測用IGBT2同時接通的恒定電壓Vg (V)。
[0079]接著，在步驟S13中，將測試器20的C_V_t端子通過測試探針臺22 (C_V_s端子的符號)而與功率開關部10的晶片背面的C端子4連接，對主IGBTl和電流檢測用IGBT2施加恒定電壓Vc (V)。
[0080]接著，在步驟S14中，將測試器20的S_V_t端子與探針卡23的S_V_p端子連接，利用與探針卡23的S-V_p端子連接的探針來與功率開關部10的晶片上的E2端子(電極墊)7連接，測定電流檢測用IGBT2的E2端子7的電壓Z (V)。該電壓Z (V)是因為對C端子4施加的恒定電壓Vc (V)而在主IGBTl中流過主電流、在電壓檢測用IGBT2中流過檢測電流、該檢測電流在電阻R中流過而產生的電壓。即，電壓Z (V)相當于對C端子4施加的恒定電壓Vc (V)引起的因為主IGBTl的El端子6與電流檢測用IGBT2的E2端子間的電阻R而產生的電壓差。
[0081]接著，在步驟S15中，將測試器20的E_I_t端子與探針卡23的E_I_p端子連接，測定因為對C端子4施加的恒定電壓Vc (V)而在主IGBTl中流過的主電流和在電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流相加的合計電流T (A)0
[0082]接著，在步驟S16中，根據在電阻R的兩端產生的電壓差即電壓Z (V)通過計算式
Y(A)=Z (V)/R (Ω)(設電阻名與電阻值相同)計算電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流
Y(A)0
[0083]然后，在步驟S17中，根據合計電流T (A)和計算出的電流檢測用IGBT2的檢測電流Y (A)求出IGBTl的主電流，通過計算式W= (T (A)-Y (A))/Y (A)計算電流比W (主電流/檢測電流)。
[0084]如以上說明，本發明的功率開關11的晶片測試方法，是主IGBTl和電流檢測用IGBT2在同一個半導體襯底上集成形成的功率開關的晶片測試方法，在與主IGBTl的El端子6和電流檢測用IGBT2的E2端子7對應的晶片測定用的探針卡的E_V_p端子與S_V_p端子之間連接電阻R，通過該電阻R在主IGBTl的El端子6與電流檢測用IGBT2的E2端子之間設定電壓差，在使主IGBTl和電流檢測用IGBT2同時接通的狀態下進行晶片測試，由此能夠在與實際工作相同的狀態下簡單且正確地測定一次電流的電流比(主IGBTl中流過的主電流/電流檢測用IGBT2中流過的檢測電流)。
[0085]此外，對于本發明的功率開關的晶片測試中的一次電流的電流比(主電流/檢測電流)，根據本發明的發明人的試驗測定結果，在圖5和圖6所示的現有的晶片測試方法中相對于封裝后的產品的測定值發生了約5倍的差異，但在圖1所示的本發明的晶片測試方法中可以得到與封裝后的產品的測定值相同的結果。
[0086]以上說明了本發明的實施方式，但本發明不限定于上述實施方式，能夠在不脫離本發明的主旨的范圍內進行各種改良和變更。
[0087]以上只表示了本發明的原理。對于本領域技術人員而言能夠進一步進行多種變形、變更，本發明并不限定于以上表示、說明的正確的結構和應用例，對應的所有變形例和對等物視為附加的權利要求及其對等物構成的本發明的范圍。
【權利要求】
1.一種功率開關的晶片測試方法，該功率開關具有主IGBT和檢測所述主IGBT的電流值的電流檢測用IGBT，所述電流檢測用IGBT的集電極端子和柵極端子分別與所述主IGBT的集電極端子和柵極端子連接，所述主IGBT和所述電流檢測用IGBT集成形成于同一個半導體襯底上，其特征在于: 設置使所述電流檢測用IGBT的發射極電流流過所述主IGBT的發射極端子的電阻單元， 使所述主IGBT和所述電流檢測用IGBT同時導通并對所述主IGBT和所述電流檢測用IGBT的共用集電極端子施加恒定電流， 根據由所述電阻單元的兩端電壓求出的所述電流檢測用IGBT中流過的電流和所述恒定電流，計算所述主IGBT的主電流與所述電流檢測用IGBT的檢測電流的電流比。
2.如權利要求1所述的功率開關的晶片測試方法，其特征在于: 將所述電阻單元連接在與所述主IGBT的發射極端子和所述電流檢測用IGBT的發射極端子對應的晶片測試用探針卡的端子間。
3.—種功率開關的晶片測試方法，該功率開關具有主IGBT和檢測所述主IGBT的電流值的電流檢測用IGBT，所述電流檢測用IGBT的集電極端子和柵極端子分別與所述主IGBT的集電極端子和柵極端子連接，所述主IGBT和所述電流檢測用IGBT集成形成于同一個半導體襯底上，其特征在于: 設置使所述電流檢測用IGBT的發射極電流流過所述主IGBT的發射極端子的電阻單元， 使所述主IGBT和所述電流檢測用IGBT同時導通， 檢測從所述主IGBT的發射極端子流出的所述主IGBT的主電流與所述電流檢測用IGBT的檢測電流的合計電流，并且根據所述電阻單元的兩端電壓檢測所述電流檢測用IGBT的檢測電流，計算所述主IGBT的主電流與所述電流檢測用IGBT的檢測電流的電流比。
4.如權利要求3所述的功率開關的晶片測試方法，其特征在于: 將所述電阻單元連接在與所述主IGBT的發射極端子和所述電流檢測用IGBT的發射極端子對應的晶片測試用探針卡的端子間。
【文檔編號】H01L29/78GK103460367SQ201280017290
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年2月17日 優先權日:2011年4月4日
【發明者】佐藤茂樹 申請人:富士電機株式會社