專利名稱：一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于集成電路封裝技術領域，具體是一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件。
背景技術：
微電子技術的迅猛發展，集成電路復雜度的增加，一個電子系統的大部分功能都可能集成在一個單芯片內(即片上系統)，這就相應地要求微電子封裝具有更高的性能、更多的引線、更密的內連線、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的熱耗散功能、更好的電性能、更高的可靠性、更低的單個引線成本等。芯片封裝工藝由逐個芯片封裝向圓片級封裝轉變，晶圓片級芯片封裝技術——WLCSP正好滿足了這些要求，形成了引人注目的WLCSP工藝。晶圓片級芯片規模封裝(WaferLevel Chip Scale Packaging,簡稱WLCSP),即晶圓級芯片封裝方式，不同于傳統的芯片封裝方式(先切割再封測，而封裝后至少增加原芯片20%的體積)，此種最新技術是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后才切割成一個個的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封裝方式，不僅明顯地縮小內存模塊尺寸，而符合行動裝置對于機體空間的高密度需求；另一方面在效能的表現上，更提升了數據傳輸的速度與穩定性。傳統的WLCSP工藝中，采用濺射、光刻、電鍍技術或絲網印刷在晶圓上進行電路的刻印。現有工藝在芯片PAD上刷錫膏，再在芯片載體上(框架或基板)鍍錫，然后回流焊形成有效連接。這種方法會產生較高的生產成本，并且制作周期較長。不利于產品量產的實現。
實用新型內容
·[0004]本實用新型是針對上述現有WLCSP的缺陷，提出的一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件，所述單芯片制作時使用錫，在芯片PAD上從而在芯片壓區金屬Al或Cu表面生成5 50um左右的高溫錫球，即金屬凸點層。不再采用傳統的濺射、光刻或絲網印刷，具有成本低、效率高的特點，同時在框架對應區域電鍍一層2 50um左右的錫層，上芯時，通過Flip-Chip (倒裝芯片)的工藝將芯片在框架上裝配好，這里不使用DAF膜或焊料連接，而是直接將芯片壓區各金屬凸點與框架管腳相連，在相對低溫回流焊的過程中，凸點局部融錫從而形成有效連接。本實用新型的技術方案是:一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件主要由框架內引腳、錫層、金屬凸點、芯片和塑封體組成；所述金屬凸點由芯片的壓區表面采用浸錫法形成，所述框架內引腳與金屬凸點的焊接區有一層電鍍的錫層，框架內引腳上是錫層，錫層上是金屬凸點、金屬凸點上是芯片、所述塑封體包圍了框架內引腳、錫層、金屬凸點、芯片，芯片、金屬凸點、錫層、框架內引腳構成了電路的電源和信號通道。一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件的制作工藝按照以下步驟進行:晶圓浸錫形成高溫錫球金屬凸點、晶圓減薄劃片、框架對應區域鍍錫層、上芯、回流焊、塑封、后固化、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝。[0007]說明書附圖
圖1 IC芯片俯視圖；圖2 IC芯片上單個PAD剖視圖；圖3 PAD鍍金屬凸點后剖視圖；圖4框架剖面圖；圖5框架正面PAD對應區域鍍錫層；圖6單芯片封裝上芯后產品剖面圖；圖7單芯片封裝塑封后產品剖面圖；圖中，I為框架內引腳、2和3為錫層、4為金屬凸點、5為芯片、6為塑封體、7為金屬Al或Cu、8為錫。
具體實施方式
如圖所示，一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件主要由框架內引腳1、錫層2、金屬凸點4、芯片5和塑封體6組成；所述金屬凸點4由芯片5的壓區表面采用浸錫法形成，所述框架內引腳I與金屬凸點4的焊接區有一層電鍍的錫層2，框架內引腳I上是錫層2，錫層2上是金屬凸點4，金屬凸點4上是芯片5，所述塑封體6包圍了框架內引腳1、錫層2、金屬凸點4、芯片5，并一起構成了電路的整體，塑封體6對芯片5起到了支撐和保護作用，芯片5、金屬凸點4、錫層2、框架內引腳I構成了電路的電源和信號通道。所述錫層2和錫層3等同。 如圖所示，一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件的制作工藝，按照如下步驟進行:第一步、浸錫形成高溫錫球金屬凸點:芯片PAD浸入錫8中，從而在芯片5壓區金屬Al或Cu7表面生成5 50um左右的金屬凸點4層，它取代了傳統的濺射、光刻或絲網印刷工藝，具有低成本、高效率的特點；第二步、減薄:減薄厚度到50 μ m 200 μ m,粗糙度為Ra 0.1Omm 0.05mm ;第三步、劃片:150 μ m以上晶圓同普通劃片工藝，但厚度在150 μ m以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝；第四步、框架對應區域鍍錫層:在框架內引腳I上PAD對應區域電鍍一層2 50um的錫層2，在芯片5壓區上金屬凸點4厚度足夠的情況下，可以選擇不在框架內引腳I上鍍錫；第五步、上芯:上芯時，把芯片5倒過來，采用Flip-Chip的工藝，將芯片5上的金屬凸點4焊在框架上，這里不使用DAF膜或焊料連接，而是直接將芯片5壓區各金屬凸點4與框架管腳相連；壓焊時，不用打線，在上芯中就已經完成了芯片4與管腳間的導通、互連；第六步、回流焊:融錫，目的是把芯片5壓區上的金屬凸點4很好的與框架內引腳I焊接在一起；第七步、塑封、后固化、打印、產品分離、檢驗、包裝等均與常規工藝相同。第八步、錫化，若為鎳鈀金框架則不用做錫化。
權利要求1.一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件，其特征在于:主要由框架內引腳(I)、錫層(2)、金屬凸點(4)、芯片(5)和塑封體(6)組成；所述金屬凸點(4)由芯片(5)的壓區表面采用浸錫法形成，所述框架內引腳(I)與金屬凸點(4)的焊接區有一層電鍍的錫層(2)，框架內引腳(I1)上是錫層(2)，錫層(2)上是金屬凸點(4)，金屬凸點(4)上是芯片(5)，所述塑封體(6)包圍了框架內引腳(1)、錫層(2)、金屬凸點(4)、芯片(5)，芯片(5)、金屬凸點(4)、錫層(2)、框架內引腳(1 )構成了電路的電源和信號通道。
專利摘要本實用新型公開了一種利用浸錫法制作的單芯片封裝件，所述封裝件主要由框架內引腳、錫層、金屬凸點、芯片和塑封體組成；所述金屬凸點由芯片的壓區表面采用浸錫法形成，所述框架內引腳與金屬凸點的焊接區有一層電鍍的錫層，框架內引腳上是錫層，錫層上是金屬凸點、金屬凸點上是芯片、所述塑封體包圍了框架內引腳、錫層、金屬凸點、芯片，芯片、金屬凸點、錫層、框架內引腳構成了電路的電源和信號通道。本實用新型具有成本低、效率高的特點。
文檔編號H01L23/488GK203103280SQ201220712408
公開日2013年7月31日 申請日期2012年12月21日 優先權日2012年12月21日
發明者郭小偉, 劉建軍, 崔夢, 劉衛東, 謝建友 申請人:華天科技(西安)有限公司