專利名稱：Igbt半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種IGBT半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體的涉及一種IGBT半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；M0SFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。因此亟需一種低正向壓降、較大的正向或反向安全工作區(qū)的IGBT半導(dǎo)體器件。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種低正向壓降、較大的正向或反向安全工作區(qū)的IGBT半導(dǎo)體器件。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為:提供一種IGBT半導(dǎo)體器件，所述IGBT半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括:依次連接的P+注入?yún)^(qū)、N+緩沖區(qū)、N-漂移區(qū)，在所述N-漂移區(qū)上成型有P-body區(qū)，在所述P-body區(qū)上部的兩端均間隔形成有N+深阱。所述P-body區(qū)位于所述N-漂移區(qū)上部的中央處。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部中央處連接有金屬層形成源極。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部兩側(cè)連接有二氧化硅層形成柵極。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的底部連接有所述金屬層形成漏極。所述金屬層的厚度為2 3微米之間。 所述N+深阱的深度為4 6微米之間。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型IGBT半導(dǎo)體器件中，由于依次連接的P+注入?yún)^(qū)、N+緩沖區(qū)、N-漂移區(qū)，在所述N-漂移區(qū)上成型有P-body區(qū)，在所述P-body區(qū)的上部兩端均間隔形成有N+深阱，因此，能夠有效的提高開啟速度和降低關(guān)斷速度，是一種低正向壓降、較大的正向或反向安全工作區(qū)的IGBT半導(dǎo)體器件。通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實(shí)用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實(shí)用新型的實(shí)施例。
圖1為本實(shí)用新型IGBT半導(dǎo)體器件的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在參考附圖描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，附圖中類似的元件標(biāo)號代表類似的元件。如上所述，如圖1所示的實(shí)施例中，提供的技術(shù)方案是:提供一種IGBT半導(dǎo)體器件100，所述IGBT半導(dǎo)體器件100的內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括:依次連接的P+注入?yún)^(qū)10、N+緩沖區(qū)20、N_漂移區(qū)30，在所述N-漂移區(qū)30上成型有P-body區(qū)40，在所述P-body區(qū)40上部的兩端均間隔形成有N+深阱50。所述P-body區(qū)40位于所述N-漂移區(qū)30上部的中央處。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部中央處連接有金屬層60形成源極。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部兩側(cè)連接有二氧化硅層70形成柵極。所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的底部連接有所述金屬層60形成漏極。所述金屬層60的厚度為2 3微米之間。 所述N+深阱50的深度為4 6微米之間。結(jié)合圖1，本實(shí)用新型IGBT半導(dǎo)體器件100，由于依次連接的P+注入?yún)^(qū)10、N+緩沖區(qū)20、N-漂移區(qū)30，在所述N-漂移區(qū)30上成型有P-body區(qū)40，在所述P-body區(qū)40上部的兩端均間隔形成有N+深阱50。因此，能夠有效的提高開啟速度和降低關(guān)斷速度，是一種低正向壓降、較大的正向或反向安全工作區(qū)的IGBT半導(dǎo)體器件。以上所揭露的 僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求1.一種IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述IGBT半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括:依次連接的P+注入?yún)^(qū)、N+緩沖區(qū)、N-漂移區(qū)，在所述N-漂移區(qū)上成型有P-body區(qū)，在所述P-body區(qū)上部的兩端均間隔形成有N+深阱。
2.如權(quán)利要求1所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述P-body區(qū)位于所述N-漂移區(qū)上部的中央處。
3.如權(quán)利要求1所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部中央處連接有金屬層形成源極。
4.如權(quán)利要求1所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的頂部兩側(cè)連接有二氧化硅層形成柵極。
5.如權(quán)利要求3所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述內(nèi)部結(jié)構(gòu)層的底部連接有所述金屬層形成漏極。
6.如權(quán)利要求3或5所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述金屬層的厚度為2 3微米之間。
7.如權(quán)利要求1所述的IGBT半導(dǎo)體器件，其特征在于:所述N+深阱的深度為4 6微米之間。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種IGBT半導(dǎo)體器件，所述IGBT半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)層包括依次連接的P+注入?yún)^(qū)、N+緩沖區(qū)、N-漂移區(qū)，在所述N-漂移區(qū)上成型有P-body區(qū)，在所述P-body區(qū)上部的兩端均間隔形成有N+深阱。本實(shí)用新型是一種低正向壓降、較大的正向或反向安全工作區(qū)的IGBT半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L29/739GK203103307SQ20122070051
公開日2013年7月31日 申請日期2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月17日
發(fā)明者王銳 申請人:深圳市可易亞半導(dǎo)體科技有限公司