專利名稱：陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術：
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diodes,0LED)以其制備工藝簡單、成本低、發光顏色可在可見光區內任意調節以及易于大面積和柔性彎曲等優點，被認為是未來最重要的顯示技術之一。尤其是白光OLED (WOLED)的功率效率已經超過了 601m/W，壽命達到了 2萬個小時以上，極大地推動了 WOLED的發展。如圖1所示,為現有的OLED陣列基板的結構,具體示出了一個像素單元的示意圖，由下至上包括:形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2丨及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6丨之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6'形成驅動薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管位于像素單元的非像素區域B，即薄膜晶體管結構對應的區域。第一源漏層6和第二源漏層6 '之上依次為鈍化層7、彩膜9、黑矩陣15、樹脂層10，有機發光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機發光層13及有機發光二極管的第一電極14。其中,第一電極11為透明電極，有機發光層發出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機發光二極管位于陣列基板的像素單元的像素區域A (除薄膜晶體管結構區域以外的顯示區域)。黑矩陣15具體位于薄膜晶體管結構對應區域，即區域B，且形成在彩膜9上的背離薄膜晶體管結構一側的表面，其作用是阻擋有機發光二極管發出的光線對氧化物薄膜晶體管的特性的影響，使顯示效果更好。如圖2所示(RGB彩膜各色光的波長及混合后的光clight的波長與透過率關系圖)，研究發現對于WOLED發出的光線中主要是波長較短的光，(如:藍光，尤其是在400nm以下的藍光)對氧化物薄膜晶體管的特性的影響，會產生光照漏電流，導致顯示效果不好。因此只需要避免波長較短的藍光對氧化物薄膜晶體管的影響即可。
實用新型內容(一)要解決的技術問題本實用新型要解決的技術問題是:如何避免波長較短的藍光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響。(二)技術方案為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括:形成在基板上的薄膜晶體管結構、由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管及位于所述薄膜晶體管結構和所述有機發光二極管之間的彩膜，所述有機發光二極管位于像素單元的像素區域，所述像素單元還包括:位于所述薄膜晶體管結構對應區域，且形成在所述薄膜晶體管結構上方的用于阻擋藍色光線的遮光層。其中，所述遮光層為紅色濾光片。其中，所述紅色濾光片的厚度為5000A 40000A。其中，所述遮光層為綠色濾光片。其中，所述綠色濾光片的厚度為5000A 40000人，其中，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。其中，所述紅綠濾光片疊層的厚度為5000人 80000A,,其中，所述薄膜晶體管結構包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅動薄膜晶體管；所述有機發光二極管位于所述像素單元的像素區域，包括透明的第一電極、發光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述任一項所述的陣列基板。(三)有益效果本實用新型通過彩膜上且位于薄膜晶體管結構對應區域形成用于阻擋藍光的遮光層，阻擋了藍光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長較短的光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導致的顯示效果不好的缺陷。
圖1是現有的一種陣列基板結構不意圖；圖2是RGB彩膜各色光的波長及混合后光的波長與透過率關系圖；圖3是本實用新型實施例的一種陣列基板結構示意圖；圖4是制作圖3的陣列基板的方法流程中在基板上形成薄膜晶體管及鈍化層結構的不意圖；圖5是在圖4的基板基礎上形成彩膜和遮光層圖形的結構示意圖；圖6在圖5的基板基礎上形成樹脂層及過孔圖形的結構示意圖；圖7在圖6的基板基礎上形成有機發光二極管的第一電極圖形的結構示意圖；圖8在圖7的基板基礎上形成像素定義層的圖形的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。如圖3所示，本實施例的陣列基板包括形成在基板I上的多條柵線、數據線及柵線和數據線交叉形成的像素單元。像素單元由下至上包括:形成在基板I上的第一柵極2、第二柵極2'及柵線(圖中未示出)，形成在第一柵極2、第二柵極2 '及柵線之上的柵絕緣層3，形成在柵絕緣層3上的第一有源層4和第二有源層4丨，形成在第一有源層4和第二有源層4丨之上的絕緣間隔層5，形成在絕緣間隔層5上的第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極)和第二源漏層6丨(包括第二源極和第二漏極)，形成在第一源漏層6和第二源漏層6'之上的鈍化層7。其中，第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣間隔層5及第一源漏層6形成開關薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)，第二柵極2丨、柵絕緣層3、第二有源層4'、絕緣間隔層5及第二源漏層6 '形成驅動薄膜晶體管(通常為氧化物薄膜晶體管)。開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管位于像素單元的非像素區域B，即薄膜晶體管結構對應的區域。第一源漏層6和第二源漏層6 '之上依次為鈍化層7、彩膜9、遮光層8、樹脂層10，有機發光二極管的第一電極11、像素定義層12、有機發光層13及有機發光二極管的第一電極14。其中，第一電極11為透明電極，有機發光層發出的光通過第一電極以及其下方的各層后出射。有機發光二極管為WOLED，位于陣列基板的像素單元的像素區域A。由于只是阻擋WOLED發出的光中波長較短的藍光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響，本實施例中，遮光層8用于阻擋藍光，尤其是波長為400nm以下的藍光透過，可以為所述遮光層8為和彩膜相同材料的厚度為5000人 40000A紅色濾光片、厚度為5000A 40000人綠色濾光片或厚度為5000A 80000A紅綠疊層濾光片，從而避免藍光通過。 遮光層8阻擋了 WOLED發出的光中波長為400nm以下的藍色光線對氧化物薄膜晶體管特性的影響，波長較長的光(如:紅光和綠光)仍能透過，同時增大了透過率。制作上述陣列基板的方法包括:步驟一:在基板I上形成包括薄膜晶體管結構及鈍化層7的圖形，以確定基板I上的多個像素單元。該步驟主要通過形成(可以是涂敷、濺射、沉積等多種方式)相應的膜層，然后通過構圖工藝(構圖工藝通常包括光刻膠涂敷、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝)形成相應層的圖形，該步驟與現有的制作陣列基板的步驟基本相同，此處不再贅述。該步驟形成后的基板如圖4所示，示出了一個像素單元的結構，薄膜晶體管結構所在的區域為非像素區域，像素區域為A。薄膜晶體管結構包括:開關薄膜晶體管和驅動薄膜晶體管，其中，由第一柵極2、柵絕緣層3、第一有源層4、絕緣層5及第一源漏層6 (包括第一源極和第一漏極層)形成開關薄膜晶體管；由第二柵極2'、柵絕緣層3、第二有源層4 '、絕緣層5及第二源漏層6'(包括第二源極和第二漏極層)形成驅動薄膜晶體管。薄膜晶體管結構之上為鈍化層7。步驟二:如圖5所示，形成彩膜9和遮光層8的圖形。該步驟具體包括:彩膜9的形成是分多次(RGB為3次)形成，每一次形成一種顏色濾光片的圖形，逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜9的圖形。具體方式為:在鈍化層上形成一種顏色的彩色濾光薄膜，通過構圖工藝形成該顏色濾光片的圖形，按該方式逐次形成其它顏色濾光片的圖形，從而形成彩膜的圖形。在通過構圖工藝形成彩膜的同時，在薄膜晶體管結構對應區域B形成遮光層8的圖形。具體形成遮光層8過程可以為:在通過上述構圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片的圖形時，在薄膜晶體管結構對應的區域B形成另一紅色濾光片的圖形，以形成遮光層8，即在鈍化層7上形成紅色濾光薄膜，通過一次構圖工藝，同時在像素單元的像素區域A和薄膜晶體管區域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍光的紅色濾光片的圖形。具體形成遮光層8過程還可以為:在通過上述構圖工藝形成彩膜9的綠色濾光片的圖形時，在薄膜晶體管結構對應的區域形成另一綠色濾光片的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構圖工藝，同時在像素單元的像素區域A和薄膜晶體管區域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍光的綠色濾光片的圖形。具體形成遮光層8過程還可以為:在通過構圖工藝形成彩膜9的紅色濾光片和綠色濾光片的圖形時，在薄膜晶體管結構對應的區域形成紅綠濾光片疊層的圖形，以形成遮光層8。即在鈍化層7上形成綠色濾光薄膜，通過一次構圖工藝，同時在像素單元的像素區域A和薄膜晶體管區域B分別形成彩膜的綠色濾光片和用于遮擋藍光的綠色濾光片的圖形；形成紅色濾光薄膜，通過一次構圖工藝，同時在像素單元的像素區域A和薄膜晶體管區域B分別形成彩膜的紅色濾光片和用于遮擋藍光的紅色濾光片的圖形，從而形成紅綠疊層的濾光片(形成紅綠疊層中的各層時不分先后)。步驟三:在像素單元的像素區域A形成有機發光二極管。該步驟具體包括:如圖6所示，通過構圖工藝在鈍化層7上刻蝕形成過孔。還可以在彩膜9及遮光層8上形成樹脂層10，過孔穿過鈍化層7和樹脂層10。如圖7所示，形成透明導電薄膜，通過構圖工藝形成有機發光二極管的第一電極11的圖形，使第一電極11通過過孔連接薄膜晶體管結構，具體連接驅動薄膜晶體管的漏極。如圖8所示，形成絕緣薄膜，通過構圖工藝形成像素定義層12的圖形，以將待形成的有機發光二極管的位置定義在像素區域A。形成有機發光層13及有機發光二極管的第二電極14，從而形成有機發光二極管，最終形成的陣列基板如圖3所示。本實用新型還提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為:電子紙、OLED面板、OLED顯示器、OLED電視、數碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或部件。以上實施方式僅用于說明本實用新型，而并非對本實用新型的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本實用新型的范疇，本實用新型的專利保護范圍應由權利要求限定。
權利要求1.一種陣列基板，包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括:形成在基板上的薄膜晶體管結構、由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管及位于所述薄膜晶體管結構和所述有機發光二極管之間的彩膜，所述有機發光二極管位于像素單元的像素區域，其特征在于，所述像素單元還包括:位于所述薄膜晶體管結構對應區域，且形成在所述薄膜晶體管結構上方的用于阻擋藍色光線的遮光層。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅色濾光片。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述紅色濾光片的厚度為5000A 40000人
4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為綠色濾光片。
5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述綠色濾光片的厚度為5000A 400001。
6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層為紅綠濾光片疊層形成。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述紅綠濾光片疊層的厚度為5000A 80000人。
8.如權利要求Γ7中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構包括:形成在基板上的第一柵極、第二柵極，形成在所述第一柵極和第二柵極之上的柵絕緣層，形成在所述柵絕緣層之上的第一有源層和第二有源層，形成在第一有源層之上的第一源極和第一漏極，形成在第二有源層之上的第二源極和第二漏極，所述第一漏極連接所述第二柵極，所述第一柵極、柵絕緣層、第一有源層、第一源極及第一漏極形成開關薄膜晶體管，所述第二柵極、柵絕緣層、第二有源層、第二源極及第二漏極形成驅動薄膜晶體管； 所述有機發光二極管位于所述像素單元的像素區域，包括透明的第一電極、發光層、第二電極，所述第一電極連接所述第二漏極。
9.一種顯示裝置，其特征在于， 包括如權利要求廣8中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括多個位于基板上的像素單元，所述像素單元包括形成在基板上的薄膜晶體管結構、由所述薄膜晶體管結構驅動的有機發光二極管及位于所述薄膜晶體管結構和所述有機發光二極管之間的彩膜，所述有機發光二極管位于像素單元的像素區域，所述像素單元還包括位于所述薄膜晶體管結構對應區域，且形成在所述薄膜晶體管結構上方的藍光遮光層。還公開了包括上述陣列基板的顯示裝置。本實用新型在陣列基板上形成藍光遮光層阻擋了藍光照射到氧化物薄膜晶體管上，避免波長較短的光對氧化物薄膜晶體管的特性的影響而導致的顯示效果不好的缺陷。
文檔編號H01L27/32GK202957246SQ20122068687
公開日2013年5月29日 申請日期2012年12月12日 優先權日2012年12月12日
發明者宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮, 金熙哲 申請人:京東方科技集團股份有限公司