專利名稱：一種高壓大功率手機充電控制芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種高壓大功率手機充電控制芯片。
背景技術：
手機上的大功率半導體充電芯片主要用于手機充電電路的電流控制，目前，國內的手機充電芯片的耐壓一般在7V左右，安全性差，容易過壓被燒毀，此外，國內手機芯片的充電效率不高，一般在70%左右，浪費大量能源。
實用新型內容為解決現有技術存在的問題，本實用新型提供一種能提高芯片耐壓能力、增大芯片功率的高壓大功率手機充電控制芯片。本實用新型所述高壓大功率手機充電控制芯片，其包括基區，所述基區進行擴散形成集電區和發射區，所述集電區為長方形，所述發射區環繞所述集電區的任意三邊。優選地，所述發射區環繞所述集電區的一條長邊和兩條短邊。優選地，所述發射區環繞所述集電區的一條短邊和兩條長邊。本實用新型所述高壓大功率手機充電控制芯片，其有益效果是:發射區環繞集電區的任意三邊，從而增加了有源區的接觸面積，提高了電流的通道能力，基區、集電區和發射區的擴散深度范圍為10微米至15微米，在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。
此附圖說明所提供的圖片用來輔助對實用新型的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本實用新型的不當限定，在附圖中:附圖1為本實用新型高壓大功率手機充電控制芯片結構示意圖。
具體實施方式
下面將以具體實施例來詳細說明本實用新型，在此本實用新型的示意性實施例以及說明用來解釋本實用新型，但并不作為對本實用新型的限定。實施例1:如附圖1所示，本實用新型所述高壓大功率手機充電控制芯片，其包括基區，基區進行擴散形成集電區和發射區，集電區為長方形，發射區環繞集電區的一條長邊和兩條短邊。基區、集電區和發射區的擴散深度范圍為10微米至15微米。在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。實施例2:如附圖1所示，本實用新型所述高壓大功率手機充電控制芯片，其包括基區，基區進行擴散形成集電區和發射區，集電區為長方形，發射區環繞集電區的一條短邊和兩條長邊。基區、集電區和發射區的擴散深度范圍為10微米至15微米。在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。以上對本實用新型實施例所提供的技術方案進行了詳細介紹，本文應用了具體個例對本實用新型實施例的原理以及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只適用于幫助理解本實用新型實施例的原理；同時，對于本領域的一般技術人員，依據本實用新型實施例，在具體實施方式
以及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本實用新型的限制。
權利要求1.一種高壓大功率手機充電控制芯片，其特征在于: 包括基區，所述基區進行擴散形成集電區和發射區，所述集電區為長方形，所述發射區環繞所述集電區的任意三邊。
2.如權利要求1所述高壓大功率手機充電控制芯片，其特征在于: 所述發射區環繞所述集電區的一條長邊和兩條短邊。
3.如權利要求1所述高壓大功率手機充電控制芯片，其特征在于: 所述發射區環繞所述集電區的一條短邊和兩條長邊。
專利摘要本實用新型涉及手機芯片領域，具體涉及一種高壓大功率手機充電控制芯片，其包括基區，所述基區進行擴散形成集電區和發射區，所述集電區為長方形，所述發射區環繞所述集電區的任意三邊，優選選擇為一條長邊、兩條短邊或一條短邊、兩條長邊。本實用新型所述高壓大功率手機充電控制芯片，在不改變芯片面積的前提下，增加了有源區的接觸面積，從而提高了電流的通道能力；在電壓增加的情況下，依靠增加有源區的面積而增大電流，不但提高了芯片的耐壓，也增大了芯片的功率。
文檔編號H01L29/08GK202917495SQ20122053877
公開日2013年5月1日 申請日期2012年10月19日 優先權日2012年10月19日
發明者余梅, 潘逸清 申請人:南京泊月科技有限公司