專利名稱：半導體裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型的實施方式涉及一種半導體裝置 。
背景技術：
已有將多個半導體元件(例如半導體發光元件)高密度地封裝的半導體裝置。例如，當為半導體發光元件的場合下，有時可能通電電流的7成左右會變成熱。因此，在半導體裝置中，確保具有能效率良好地散熱的散熱路徑是不可或缺的。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本專利第4846515號公報
實用新型內容本實用新型的實施方式提供一種提高了散熱性的半導體裝置。實施方式的半導體裝置包括散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽；接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的所述槽由所述接合構件全部埋入。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的全部的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的內側。所述的半導體裝置，其中，所述散熱構件的一部分的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的外側。 所述的半導體裝置，其中，所述槽包括多個第I槽部及與所述第I槽部交叉的多個第2槽部。所述的半導體裝置，其中，所述接合構件的側面形成有往所述散熱構件的一側擴開的錐形。
圖1(a) 圖1(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖2(a)及圖2(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖3(a) 圖3(e)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖4(a)及圖4(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。圖5是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的流程圖。圖6是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的圖表。圖7(a) 圖7(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖8(a) 圖8(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。[0021]圖9(a) 圖9(c)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖10(a)及圖10(b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖11 (a)及圖11 (b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。圖12(a) 圖12(c)是例示參考例的半導體裝置的示意剖視圖。圖13是例示第I實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。圖14(a) 圖14(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖15(a) 圖15(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖16是例示第2實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。圖17(a) 圖17(c)是例示第3實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖18(a) 圖18(c)是例示第3實施方式的其他半導體裝置的結構的示意圖。附圖標記I、2、3:半導體裝置la、2a:集合體11 :散熱構件Ila:上表面Ilb:外緣12 :接合構件12b :外緣12c :錐形12i:內側部分12o:外側分部12x :第I突條部12y :第2突條部13 :接合電極13b :外緣131 :下表面14 :配線基板14a 電路配線14b :外緣141 :下表面14u:上表面15 :發光部15a :半導體發光兀件15b :框15c :密封樹脂16 :連接器17 :槽17x :第 I 槽部17y :第 2 槽部[0060]18 :接合構件片材18b :外緣20 :腔室21 :載臺22 :加熱器23 :溫度計測器24 :冷卻板25 :非活性氣體26 :減壓環境27 :還原氣體28 :接合材料28b :外緣29 :氣泡31 :焊料32 :助焊劑32a :助焊劑殘渣33 :焊料片材34 :焊料34a :焊料球35 :突起101、102 :半導體裝置101a、101b、102a :集合體P :壓力T :溫度t0 t8:時間SO S8 :步驟X、Y、Z:方向
具體實施方式
以下，參照附圖來說明本實用新型的各實施方式。另外，附圖為示意性或概念性者，各部分的厚度與寬度的關系、部分間的大小比率等未必限于與現實相同。而且，即使在表示相同部分的情況下，也有時視附圖而以不同的相互尺寸或比率來表示。另外，在本案說明書與各圖中，對于與關于已述的圖而前述相同的要素標注相同的符號，并適當省略詳細的說明。(第I實施方式)圖1(a) 圖1(d)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖1(a)是立體圖。圖1(b)是平面圖。圖1(c)是圖1(b)的A-A'線剖視圖。圖1(d)是圖1(b)的B-B'線剖視圖。[0093]如圖I (a) 圖I (C)所示，在半導體裝置I (例如發光裝置)中設有散熱構件11、接合構件12、接合電極13、配線基板14、發光部15及連接器(connector) 16。在散熱構件11的上表面Ila形成有槽17。接合構件12設在散熱構件11上。接合構件12填埋槽17。配線基板14具有上表面14u與下表面141。配線基板14包括設在上表面14u的發光部15以及設在下表面141的接合電極13。接合電極13經由接合構件12而接合于散熱構件11。對于散熱構件11，使用導熱率高的材料(例如金屬)。散熱構件11例如包含銅(Cu)。散熱構件11例如包含從由銅、鋁(Al)、鐵(Fe)及鑰(Mo)構成的群中選擇的至少一種金屬。對于散熱構件11，也可使用單一的材料或復合材料(composite material)。對于散熱構件11，例如也可適用如以銅層夾著鑰層的結構般層疊有多個層的結構。在散熱構件11的表面，也可設有鍍敷層。鍍敷層既可設在散熱構件11的整個表面上，也可設在一部分表面上。當在表面的一部分設置鍍敷層時，例如在散熱構件11的表面中的與接合構件12接觸的部分設置鍍敷層。鍍敷層既可為I層也可為2層以上。當鍍敷層為I層時，鍍敷層例如包含從由鎳(Ni)、錫(Sn)、鈀(Pd)、銀(Ag)及金(Au)構成的群中選擇的至少一種金屬。例如，較為理想的是，鍍敷層抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。由此，在散熱構件11與接合構件12經由鍍敷層的接合部分，能夠抑制因材料的擴散造成的接合強度的劣化。因而，接合部分的長期可靠性提高。當鍍敷層為2層時，對于鍍敷層中所含的第I層，例如使用鎳。對于鍍敷層中所含的第2層，例如使用鎳與鈀(Pd)的層疊(Ni/Pd)體或合金、包含銀的層、及包含金的層中的任一者。此時，鍍敷層中的設在散熱構件11側的第I層較為理想的是抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。第2層較為理想的是確保與焊料材的潤濕性。當鍍敷層為3層時，例如第I層包含鎳，第2層包含鈀，第3層包含金。鍍敷層中的設在散熱構件11側的第I層較為理想的是抑制散熱構件11中所含的金屬的擴散。中間的第2層例如較為理想的是確保反光特性。第3層較為理想的是確保與焊料材的潤濕性。鍍敷的方法既可以是電解鍍敷，也可以是無電解鍍敷。散熱構件11的形狀例如為板狀。散熱構件11的上表面Ila例如為矩形。將相對于散熱構件11的上表面Ila而平行的I個方向設為X方向。將相對于上表面Ila而平行且相對于X方向而垂直的方向設為Y方向。將相對于上表面Ila而垂直的方向設為Z方向。散熱構件11的I個側面平行于X方向。散熱構件11的另一側面平行于Y方向。散熱構件11的X方向的長度及Y方向的長度例如各為50_。散熱構件11的厚度例如為0. 5mm 10mm。本例中，厚度例如為2mm。實施方式并不限于此,散熱構件11的尺寸為任
o如圖1(b) 圖1(d)所示，在散熱構件11的上表面Ila設有槽17。槽17包含多個第I槽部17x及與第I槽部17x交叉的多個第2槽部17y。本例中，第I槽部17x沿I個方向(X方向)延伸。并且，第2槽部17y沿另一個方向(Y方向)延伸。本例中，第I槽部17x及第2槽部17y呈直線狀延伸。但是，實施方式并不限于此，這些槽部的至少一部分也可呈曲線狀延伸。這些槽部也可具有曲線狀的部分。也可設置第I槽部17x而省略第2槽部 17y。[0104]多個第I槽部17x與多個第2槽部17y彼此交叉。從上方觀察槽17的形狀為格子狀。多個第I槽部17x沿Y方向排列。多個第I槽部17x彼此的間隔既可為固定也可并非固定。本例中，間隔為固定。即，第I槽部17x是周期性地設置。周期例如為50i!m以上2mm以下。本例中，周期為100 ii m。多個第2槽部17y沿X方向排列。多個第2槽部17y彼此的間隔既可為固定也可并非固定。本例中，間隔為固定。周期例如為50 ii m以上2mm以下。本例中，周期為100 u m。第I槽部17x及第2槽部17y的深度例如為5 ii m以上200 ii m以下。本例中為20 u m。第I槽部17x的與第I槽部17x所延伸的方向垂直的剖面形狀為V字型。第2槽部17y的與第2槽部17y所延伸的方向垂直的剖面形狀為V字型。形成V字的2個斜面之、間的角度例如為90度。另外，該角度也可并非90度。第I槽部17x及第2槽部17y的剖面形狀并不限于V字型。剖面形狀既可為半圓形，也可為四邊形。槽17也可包含沿3個以上的方向延伸的多個槽部。槽部的延伸方向相對于散熱構件11的配線基板14的側面既可平行，也可垂直，還可傾斜。在實施方式中，槽部的數量、槽部的形狀及槽部的配置為任意。本例中，在散熱構件11上設有多個突起35。突起35的數量例如為3個以上。突起35例如配置在后述的配線基板14的角部的正下方區域。突起35的高度例如為50iim以上200iim以下。本例中，高度為IOOii m。突起35的形狀為柱狀或錐狀。突起的底面的外徑例如為50 ii m以上200 ii m以下。突起35例如控制后述的接合構件12的厚度。突起35是視需要而設。例如，當在后述的焊料材(接合構件12)中混合金屬粒子以控制焊料的厚度時，突起35也可省略接合構件12配置在散熱構件11上。接合構件12埋入槽17內。接合構件12覆蓋槽17的正上方區域。在接合構件12的下表面，形成有沿著槽17的形狀的凸部。凸部包含沿X方向延伸的多個第I突條部12x及沿Y方向延伸的多個第2突條部12y。投影到X-Y平面(相對于散熱構件11的上表面Ila而平行的平面)上時的接合構件12的形狀為大致矩形。本例中，投影到X-Y平面上時，槽17位于接合構件12的外緣12b的內側。外緣12b是與槽17隔離。外緣12b不與槽17交叉。在接合構件12的側面，形成有往散熱構件11的一側擴開的錐形12c，在錐形12c中，越往下方，側面越向外側擴開。接合構件12的與上表面Ila接觸的面的外緣對應于接合構件12的外緣12b。接合構件12的側面的形狀并不限于錐形狀。例如，接合構件12的側面也可為“中窄狀”或“中寬狀”。在“中窄狀”中，與上部及下部相比，在中央部，接合構件12的寬度(平行于X-Y平面的長度)較窄。在“中寬狀”中，與上部及下部相比，在中央部，接合構件12的寬度較寬。接合構件12的側面也可為“垂直狀”。在“垂直狀”中，接合構件12的寬度在厚度方向上固定。接合構件12的厚度例如為20 iim以上200 iim以下。本例中為IOOy m。對于接合構件12,例如使用焊料材。接合構件12例如也可包含從由SnAgCu系焊料、SnAg系焊料、SnZn系焊料、SnNi系焊料及SnCu系焊料構成的群中選擇的至少一種。用于接合構件12的焊料材例如含有錫(Sn)。焊料材例如包含混合材料，該混合材料含有作為基礎材料(base)的錫(Sn)以及銀(Ag)、銅(Cu)、秘(Bi)、鎳(Ni)、銦(In)、鋅(Zn)、鋪(Sb)、磷(P)中的至少一者。在接合構件12中，例如在200°C 250°C的范圍內呈現出固相線溫度及液相線溫度。接合構件12的厚度例如可通過上述的散熱構件11上形成的突起35來控制。接合構件12的厚度也可通過分散在接合構件12中的粒子來控制。在接合構件12中，例如分散有粒子(例如金屬粒子)。在投影到X-Y平面上時，接合構件12中所含的金屬粒子的密度例如為，每I平方毫米為0. 2個以上10個以下(例如I個左右)。金屬粒子的平均粒徑例如為50 ii m 200 ii m。對于金屬粒子，例如使用銅 (Cu)、銀(Ag)及Ni中的至少任一種。而且，金屬粒子也可包含多種材料。金屬粒子例如可包含Cu的粒子和設在該粒子表面的Ni涂層。該Ni涂層具有擴散的抑制功能。這樣，作為金屬粒子，可使用包含2層以上的金屬層的粒子。作為金屬粒子，也可使用混合有2種以上的金屬的合金材料。進而，作為粒子，也可使用以金屬材料對樹脂或陶瓷(ceramic)的粒子進行表面涂布所得的粒子。配線基板14配置在接合構件12上。投影到X-Y平面上的配線基板14的形狀例如為矩形。本例中，投影到X-Y平面上時，配線基板14的外緣14b位于外緣12b的內側。槽17位于外緣14b的內偵彳。外緣14b是與槽17隔離。配線基板14的X方向的長度及Y方向的長度例如各為30mm。配線基板14的厚度例如為IOOiim以上2mm以下。本例中，厚度為1_。對于配線基板14，例如使用陶瓷。在配線基板14的下表面，設有接合電極13。投影到X-Y平面上的接合電極13的形狀例如為矩形。投影到X-Y平面上時，接合電極13的外緣13b位于外緣12b的內側。另夕卜，如后所述，視需要，接合電極13也可與外緣12b為同尺寸。槽17位于外緣13b的內側。外緣13b是與槽17隔離。接合電極13的X方向的長度及Y方向的長度例如各為29mm。本例中，第I槽部17x的X方向的長度短于配線基板14的X方向的長度，且短于接合電極13的X方向的長度。第I槽部17x的X方向的長度例如為28mm。而且，第2槽部17y的Y方向的長度短于配線基板14的Y方向的長度，且短于接合電極13的Y方向的長度。第2槽部17y的Y方向的長度例如為28mm。接合電極13的厚度例如為10 y m以上200 y m以下。本例中，接合電極13的厚度為50iim。對于接合電極13，使用導熱性高的材料。對于接合電極13，例如使用銅。在接合電極13的表面，也可設有鍍敷層。對于該鍍敷層，例如適用包括厚度為I U m 5 ii m的Ni層與厚度為0. 01 y m 0. 5 y m的金層的層疊結構。對于該鍍敷層的形成，使用電解鍍敷或無電解鍍敷。對于鍍敷層，也可適用包括含有Ni的層、含有Pd的層及含有Au的層的三層結構。對于該鍍敷層的形成，例如使用無電解鍍敷或電解鍍敷。作為鍍敷層，也可使用含有Ag的I層電解鍍敷層。圖2(a)及圖2(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖2(b)是例示發光部15的結構的平面圖。圖2(a)是圖2(b)的A-A'線剖視圖。如圖2(a)及圖2(b)所示，發光部15設在配線基板14的上表面14u上。發光部15例如包括多個半導體發光兀件15a,發出光；框15b,包圍半導體發光兀件15a的周圍；以及密封樹脂15c，填充在框15b中。半導體發光元件15a包含發光層(未圖示)。發光層例如形成在包含藍寶石(sapphire) (Al2O3)或娃(Si)或砷化鎵(GaAs)等的基材上。在形成發光層之后，也可去除基材。對于發光層，例如可使用各種材料，例如GaN等的氮化物半導體(氮化物系化合物半導體)或InGaAlP等的化合物半導體。在配線基板14的上表面14u設有電路配線14a。半導體發光元件15a接合于電路配線14a。對于該接合，例如使用導電材料。半導體發光元件15a的上表面例如為具有各Imm的邊的矩形。半導體發光元件15a的厚度例如為0. 2mm。多個半導體發光元件15a配置在配線基板14上。多個半導體發光元件15a例如是沿X方向及Y方向而配置。例如，半導體發光元件15a是在X方向上配置6個、在Y方向上配置6個，以Imm間隔而配置成矩陣(matrix)狀。半導體發光元件15a的尺寸、數量及配置為任意。框15b設在配線基板14上。由框15b圍成的區域從上方觀察呈例如矩形。半導體發光元件15a配置在由框15b圍成的區域內。由框15b圍成的區域的X方向的長度及Y 方向的長度例如為16mm以上18mm以下。本實施方式中，例如X方向的長度為16mm, Y方向的長度為18mm。框15b的高度高于半導體發光元件15a的高度，為0. 7mm以上I. 5mm以下(例如0. 8mm)。框15b的尺寸及配置為任意。由框15b圍成的區域(空間)由密封樹脂15c來填充。半導體發光元件15a由密封樹脂15c予以密封。密封樹脂15c例如包含波長轉換部。波長轉換部吸收從半導體發光元件15a放出的發光的一部分，放出具有與發光波長不同的波長的光。對于波長轉換部，例如使用熒光體。通過對波長進行轉換，從而獲得所需顏色的光。連接器16在配線基板14上，通過焊料材而與配線(電路配線14a)的一端連接。用于使半導體發光元件15a發光的電力是經由連接器16而供給。另外，也可不經由連接器16而將用于電力供給的電纜(cable)直接通過焊料連接于配線基板14。連接器16的形狀例如為矩形。連接器16的X方向的長度及Y方向的長度例如為4mm 5_。本例中，例如，X方向的長度為4mm, Y方向的長度為5_。連接器16的高度例如為1_。這些尺寸為任意。在圖2(a)及圖2(b)所示的例子中，作為發光部15，使用多個半導體發光元件15a,但實施方式并不限定于此。半導體發光兀件15a的數量也可為I。在發光部15中，設有I個以上的半導體發光元件15a。作為發光部15，例如也可使用在引線框架(lead frame)上安裝有半導體發光元件的半導體發光裝置。作為發光部15，也可使用在樹脂等的封裝(package)內存放有半導體發光元件的半導體發光裝置。在實施方式中，也可將此種半導體發光裝置搭載于配線基板14上。搭載于配線基板14上的半導體發光裝置的數量既可為I個也可為2個以上。對本實施方式的半導體裝置I的制造方法的例子進行說明。圖3(a) 圖3(e)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖3(a)及圖3(b)是側面圖。圖3(c)是例示槽、接合電極及接合構件片材(sheet)的透視平面圖。圖3(d)是圖3(c)的A-A'線剖視圖。圖3(e)是圖3(c)的B-B'線剖視圖。在圖3(a) (e)中，首先，形成集合體la，該集合體Ia集合有半導體裝置I中所含的各零件。首先，如圖3(a)所示，準備散熱構件11。在散熱構件11的上表面11a，形成有槽17(本圖中未圖示)。作為槽17，例如形成有多個第I槽部17x及多個第2槽部17y。在散熱構件11上，也可形成有多個突起35。接下來，如圖3(b)、圖3(d)及圖3(e)所示，在散熱構件11的槽17上配置接合構件片材18。作為接合構件片材18，例如使用焊料片材。接合構件片材18為片材狀。接合構件片材18包含接合材料。接合材料例如含有錫(Sn)。接合材料包含混合材料，該混合材料含有作為基礎材料的錫(Sn)以及銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、鎳(Ni)、銦(In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、磷(P)中的至少一者。接合材料的量為大于槽17的容積的量。接合材料的量例如為填埋槽17，且接合材料在散熱構件11與接合電極13之間一樣地展開的量。接合構件片材18的厚度例如為50 ii m 300 ii m。接合構件片材18也可包含多個金屬粒子(例如鎳(Ni)球(ball))。鎳(Ni)球的平均粒徑例如為50 ii m 200 ii m。投影到X-Y平面上時的鎳球的密度例如為每I平方毫米為I個左右。如圖3(c)所示，投影到X-Y平面上的接合構件片材18的形狀為矩形。投影到X-Y平面上時，接合構件片材18的外緣18b與槽17交叉。S卩，槽17包括位于外緣18b內側的部分以及位于外緣18b外側的部分。如圖3(b)、圖3(d)及圖3(e)所示，準備配線基板14。在配線基板14上，配置著包含半導體發光兀件15a的發光部15。在配線基板14上配置著連接器16。在配線基板14的下表面，形成有接合電極13。在接合構件片材18上載置配線基板14。如圖3(c)所示，投影到X-Y平面上的接合電極13的形狀例如為矩形。在投影到X-Y平面上時，使接合電極13的外緣13b位于接合構件片材18的外緣18b的外側。而且，使槽17位于外緣13b的內側。在投影到X-Y平面上時，外緣13b與槽17彼此隔離。投影到X-Y平面上的配線基板14的形狀例如為矩形。在投影到X-Y平面上時，使槽17位于配線基板14的外緣14b的內側。外緣14b與槽17彼此隔離。這樣，由散熱構件11、接合構件片材18、接合電極13、配線基板14及發光部15形成例如集合體la。集合體Ia成為半導體裝置I。半導體裝置I例如為板上芯片(Chip onboard, COB)型。圖4(a)及圖4(b)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的剖視圖。如圖4(a)所示,在腔室(chamber) 20的內部,設有多個載臺(carrier stage) 21 在腔室20內，在一部分載臺21的下方設有加熱器(heater) 22。而且，在其他載臺21的下方，設有冷卻板(plate) 24。如圖4(b)所示，將零件的集合體Ia導入腔室20內。將零件的集合體Ia配置于載臺21上。加熱器22可上下移動。使加熱器22靠近載臺21，或者使加熱器22接觸載臺21。由此，搭載于載臺21上的零件的集合體Ia受到加熱。在載臺21上設有溫度計測器23。作為溫度計測器23，例如使用熱電偶。通過使載臺21與加熱器22之間的距離發生變化，從而控制集合體Ia的溫度。當集合體la(或半導體裝置I)被配置于冷卻板24之上的載臺21上時將受到冷卻。圖5是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的流程圖。圖5例示使用還原氣體的減壓回流焊工藝(reflow process)。[0152]圖6是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的圖表。圖6是例示減壓回流焊工藝中的壓力分布(profile)及溫度分布的圖表。橫軸是時間，縱軸表示壓力或溫度。圖7 (a) 圖7(d)、圖8(a) 圖8(d)及圖9 (a) 圖9(c)是例示第I實施方式的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。如圖5的步驟(step) S0、圖6的時間t0及圖7(a)所示，在對腔室20的內部進行減壓之后填充非活性氣體25。減壓時的壓力例如為500帕斯卡(Pascal) (Pa)。作為非活性氣體25，例如可使用氮氣(N2)。通過填充非活性氣體25，從而使腔室20內部的壓力P為大氣壓以下，例如為90000帕斯卡(Pa)。重復減壓與填充兩次。在接合構件片材18、接合電極13及散熱構件11的表面形成有氧化膜。通過上述的處理，可抑制氧化膜的厚度因后 述的加熱而增加。接下來，如圖5的步驟SI及圖6的時間tl所示，將搭載有集合體Ia的載臺21搬送至加熱器22的上方即加熱區域(zone)。然后，如圖5的步驟S2、圖6的時間t2及圖7(b)所示，使集合體Ia的溫度上升至預備加熱溫度為止。使溫度T上升至用于還原的規定溫度為止。規定溫度例如為150°C以上，且為接合材料(例如焊料)的熔點以下。加熱例如是通過使加熱器22的上表面接觸載臺21的下表面而進行。當接合構件片材18含有錫(Sn)作為接合材料時，規定溫度為220°C以下。規定溫度優選為150°C 190°C之間的溫度。規定溫度例如為190°C。接下來，如圖5的步驟S3、圖6的時間t3及圖7 (C)所示，一方面維持溫度，一方面對腔室20的內部進行減壓。由此，去除腔室20內部的非活性氣體以形成減壓環境26。減壓時的壓力例如為500帕斯卡(Pa)。然后，如圖5的步驟S4、圖6的時間t4及圖7(d)所示，將包含還原氣體27的氣體導入腔室20的內部直至達到固定的壓力后，將此狀態保持固定時間。作為還原氣體27，例如使用甲酸(HCOOH)的氣體。包含甲酸氣體的氣體是通過向填充有液體甲酸的儲罐(tank)中使氮(N2)起泡(bubbling)而形成。由此，形成包含甲酸氣體及氮的氣體。該氣體例如以氣體體積比計含有5%以下(例如1%)的甲酸氣體。將包含甲酸氣體的氣體導入腔室20的內部。另外，還原氣體27并不限于甲酸氣體。作為還原氣體27，例如也可使用氫(H2)。如圖8(a)所示，通過導入還原氣體27，對接合構件片材18的接合材料的氧化物、接合電極13表面的氧化物及散熱構件11表面的氧化物引起還原反應。接合材料的氧化物例如為錫(Sn)的氧化物。接合材料的氧化物是混合物的氧化物，所述混合物含有作為基礎材料的錫(Sn)及銀(Ag)、銅(Cu)、秘(Bi)、鎳(Ni)、銦(In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、磷(P)中的至少任一者。甲酸(HCOOH)與接合材料28的氧化物(MO)的還原反應例如以下述數式(I)表示。HC00H+M0 — M+H20+C02 (I)。以規定的時間進行還原反應后，如圖5的步驟S5、圖6的時間t5及圖8(b)所示，進行加熱，并將該溫度保持規定的時間。加熱的溫度為接合構件片材18的接合材料28的熔點以上。加熱的溫度為接合材料28的液相線溫度以上。當接合構件片材18為焊料材時，加熱的溫度例如為比液相線溫度高20°C 30°C左右的溫度。考慮到加工點的溫度偏差，力口熱的溫度是設為焊料可確實地熔融的溫度。實例中，加熱的峰值(peak)溫度例如為250°C。由此，接合構件片材18的接合材料28 (例如焊料)熔融。熔融的接合材料28在散熱構件11與接合電極13之間潤濕展開。熔融的接合材料28填埋槽17，并覆蓋槽17的正上方區域。例如，在投影到X-Y平面上時，熔融的接合材料28的外緣28b為外緣14b的外側。也可視需要，通過夾具等來對配線基板14進行加壓，以將焊料(熔融的接合材料28)壓展至整個接合電極13。由此，接合材料28的厚度成為與形成在散熱構件11表面的突起35的高度對應的厚度。或者，接合材料28的厚度成為與混入焊料中的金屬粒子的尺寸對應的厚度。接合材料28的厚度的精度提高。在此狀態下，接合材料28的外緣28b是與槽17隔離。而且，在熔融的接合材料28的側面，形成散熱構件11側擴開的錐形。視接合材料28的特性、散熱構件11的材料和表面狀態、氣體環境或溫度等條件，接合材料28的側面也有時呈垂直形狀。而且，側面也有時 呈中窄狀或中寬狀。如圖8(c)所示，在熔融的接合材料28的內部必然產生氣泡29。氣泡29的產生原因例如包括以下三點。第I個原因是原本就存在于形成集合體Ia的材料的間隙內的氣體。該氣體被稱作“卷入空隙(void)”。第2個原因是被未完全還原的金屬表面氧化膜捕獲(trap)的氣體。在氧化膜的部分，焊料未潤濕至其他材料，因此即使進行減壓，氧化膜附近的氣泡也無法排除。第3個原因是因上述數式(I)的還原反應而產生的包含水蒸氣(H2O)及二氧化碳(CO2)的氣體。接下來，如圖5的步驟S6、圖6的時間t6及圖8(d)所示，一方面維持溫度，一方面對腔室20的內部進行減壓。腔室20的內部成為減壓環境26。減壓時的壓力例如為500帕斯卡(Pa)。如圖9(a)所示，通過對腔室20的內部進行減壓，使殘存在熔融的接合材料28內部的氣泡29排出到熔融的接合材料28的外部。這樣，能夠減小殘存在接合材料28中的氣泡29的體積。氣泡29的數量減少。接下來，如圖5的步驟S7、圖6的時間t7及圖9(b)所示，在維持溫度的狀態下，將非活性氣體25導入腔室20的內部。此時的腔室20內部的壓力為大氣壓以下，例如為90000 帕斯卡(Pa)。接下來，如圖5的步驟S8、圖6的時間t8及圖9 (C)所示，將載臺21載置于冷卻板24上。由此，對載臺21上的零件的集合體Ia進行冷卻。使熔融的接合材料28凝固，形成接合構件12。這樣，形成圖I所示的半導體裝置I。在本實施方式的半導體裝置I中，在散熱構件11的上表面Ila形成有槽17。因而,還原氣體27能夠經由槽17而到達接合構件片材18的表面。由此，能夠效率良好地進行接合構件片材18的表面氧化膜、接合電極13的表面氧化膜及散熱構件11的表面氧化膜的還原反應。因而，在接合構件12的熔融時，能夠抑制表面氧化膜造成的阻礙，以確實地進行接合構件12與接合電極13的接合以及接合構件12與散熱構件11的接合。當使用焊料材來作為接合構件12時，能夠抑制因表面氧化膜殘存造成的接合電極13與焊料的潤濕不良以及散熱構件11與焊料的潤濕不良。由此，能夠獲得接合不良得到抑制的接合部。[0176]—旦有表面氧化膜殘存，則在接合后的接合構件12中易殘存氣泡29。本實施方式中，能夠獲得氣泡29的殘存得到抑制的接合部。本實施方式中，殘存的氣泡29少。在殘存的氣泡29的內部，例如含有還原氣體。在氣泡29的內部，例如含有因還原氣體還原表面氧化膜而生成的反應物。在氣泡29的內部，例如含有還原氣體與非活性氣體的混合氣體(例如甲酸氣體與氮氣的混合氣體或者氫氣與氮氣的混合氣體等)。實施方式中，抑制接合不良(尤其是使用焊料材時的潤濕不良)，減少氣泡29的量。由此，能夠提高接合部的機械強度或導熱率。實施方式中，在減壓環境26中使接合材料28熔融。由此，能夠減少形成在熔融的接合材料28中的氣泡29的量。進而，能夠經由散熱構件11的上表面形成的槽17而效率
良好地將氣泡29排出至外部。由此，能夠抑制半導體裝置I的接合部中的氣泡29的殘存。因而，能夠提高接合部的機械強度或導熱率。這樣，通過提高接合部的機械強度或導熱率，能夠提高半導體裝置I的機械可靠性，也能提高散熱性。并且，動作可靠性也提高。當使用甲酸氣體作為還原氣體27時，是以比使用氫的情況低的溫度來進行還原反應。因而，例如能夠降低制造的運營成本(running cost)。而且,能夠使用熔點低的材料來作為接合構件12 (接合材料28)，能夠擴大用于接合材料28的材料的選擇范圍。進而，能夠以低的溫度來進行還原反應，因此能夠抑制半導體裝置I的污染。甲酸的危險性比有爆炸性的氫的危險性低，因此能夠降低設備耗費的成本。而且，在接合電極13含有銅(Cu)的情況，能夠利用甲酸來去除銅(Cu)表面的防銹劑。由此，能夠提高接合強度。接合材料28的量大于槽17的容積。接合材料28的量是填埋槽17，且在散熱構件11與接合電極13之間一樣地展開的量。如果焊料量不足，則會在接合構件12的突條部內殘存氣泡。通過將接合材料28的量設定為上述量，能夠抑制該氣泡的殘存。在還原反應中使用甲酸氣體,而不在還原反應中使用助焊劑(flux)。由此，無須在還原反應后進行助焊劑的去除、清洗。因而，能夠降低生產成本，并能降低污染。(第I參考例)第I參考例中，取代還原氣體而使用助焊劑，進行焊料的還原反應。圖10(a)及圖10(b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。如圖10(a)所示，在本參考例的零件的集合體IOla中，在散熱構件11的上表面Ila未形成槽。并且，在散熱構件11與配線基板14之間，取代接合構件片材而配置有焊料膏(paste)，該焊料膏是將粒狀的焊料31與助焊劑32混合而成。本參考例中，如圖10(b)所示，在零件的集合體IOlb中，也可在散熱構件11與配線基板14之間配置表面涂布有助焊劑32的焊料片材33。本參考例中，也與實施方式同樣地，如關于圖4(a)及圖7(a)所說明的，將零件的集合體IOla導入腔室20內。并且，在腔室20的內部填充非活性氣體25。圖11(a)及圖11(b)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。如圖11(a)所示，進行加熱。通過該加熱，利用助焊劑中的還原劑來還原接合構件的表面氧化膜。加熱的溫度例如為150°C以上，為所使用的焊料的熔點以下。通過助焊劑32，對焊料31中所含的接合材料的表面氧化物、接合電極的表面氧化膜及散熱構件的表面氧化膜進行還原。接下來，如圖11(b)所示，在進行規定時間的還原反應后，加熱至焊料31的熔點以上。由此，使焊料膏中的焊料31熔融。熔融的焊料31在散熱構件11與配線基板14之間展開。隨后，一方面維持溫度，一方面對腔室20的內部進行減壓。壓力例如為500帕斯卡(Pa)。然后，與本實施方式同樣地，如關于圖9(b)及圖9(c)所說明的，在維持溫度的狀態下，將非活性氣體25導入腔室的內部。由此，使腔室20內部的壓力成為90000帕斯卡(Pa)。將載臺21配置于冷卻板24上。使熔融的焊料34凝固。這樣，形成第I參考例的半導體裝置。圖12(a)及圖12(b)是例示參考例的半導體裝置的示意剖視圖。如圖12(a)及圖12(b)所示，在第I參考例的半導體裝置101及102中，通過助焊劑32來使焊料34還原。因而，助焊劑殘渣32a會附著于焊料34的側面。因此，需要清洗工序。因此,生產成本增加。發光部15中所用的硅酮(silicone)樹脂的表面的附著性高。在發光部15中，當利用硅酮樹脂來進行密封時，助焊劑的殘渣會再附著于密封部(密封樹脂15c)的表面。由此，半導體裝置的光學特性有時會下降。而且，例如，會有助焊劑殘渣等的雜質混入硅酮樹脂中。由此，半導體裝置的可靠性有時會下降。而且，當使焊料34熔融時，助焊劑32會崩沸。由此，含有焊料34的焊料球34a將飛散。如果焊料球34a飛散至螺固部等的固定部，則有時會變得無法固定。而且，也有時會引起電氣短路。進而，若助焊劑或使助焊劑溶解的溶劑飛散至腔室20的內部，將難以對腔室20的內部進行減壓。進而，會成為發光部15 (例如包括半導體發光元件15a)的污染原因。由此，可靠性下降。(第2參考例)第2參考例中，通過還原氣體來還原焊料片材33，且在散熱構件11的上表面Ila未形成槽17。圖12(c)是例示參考例的半導體裝置的制造方法的示意剖視圖。如圖12(c)所示，第2參考例中，在散熱構件11的上表面未形成槽17。與本實施方式同樣地，進行圖5中例示的處理。第2參考例中，在散熱構件11的上表面未形成槽17，因此接合電極13與接合構件12的界面以及接合構件12與散熱構件11的界面無間隙。因此，還原氣體難以浸透接合構件片材18的表面。因而，無法充分引起還原反應，例如無法充分去除接合構件12的表面氧化膜。因此，無法適當地進行接合構件12與接合電極13的接合以及接合構件12與散熱構件11的接合。進而，易捕獲氣泡29，難以減少接合構件12內的氣泡29的殘存量。第2參考例中，與在散熱構件11的上表面Ila形成有槽17的情況相比，無法確保氣泡29的通路。因而，難以去除熔融的接合材料28中的氣泡29。若殘存在接合構件12中的氣泡29多，則接合部的機械強度或導熱率將下降。由此，難以提高半導體裝置的散熱性。而且，若在接合部中包含大量的氣泡29，則配線基板14與散熱構件11之間的接合強度將下降。圖13是例示第I實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。如圖13所示，在本實施方式的其他半導體裝置中，投影到X-Y平面上時，接合構件12的外緣12b與接合電極13的外緣13b實質上重疊。接合電極13與外緣12b為同尺寸。例如，接合構件12的面積與接合電極13的面積實質上相同。除此以外，與半導體裝置I相同。在本例中，也能夠提高散熱性。(第2實施方式)本實施方式中，槽17的一部分還位于配線基板14的外緣14b的外側。圖14(a) 圖14(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖14(a)是立體圖。圖14(b)是平面圖。圖14(c)是圖14(b)的A-A'線剖視圖。圖14(d)是圖14(b)的B-B'線剖視圖。如圖14(a) 圖14(d)所示，在本實施方式的半導體裝置2中，也設有散熱構件11、接合構件12及配線基板14。在配線基板14上，設有接合電極13及發光部15。如圖14(a)所示，當投影到X-Y平面上時，接合電極13的外緣13b及配線基板14的外緣14b與槽17交叉。S卩，槽17包括位于外緣13b及外緣14b的內側的部分和位于外緣18b的外側的部分。除此以外的結構與半導體裝置I相同。對半導體裝置2的制造方法的例子進行說明。圖15(a) 圖15(d)是例示第2實施方式的半導體裝置的制造方法的示意圖。圖15(a)是透視槽17、接合電極13及接合構件片材18而觀察到的平面圖。圖15(b)是圖15(a)的A-A'線剖視圖，圖15(c)是圖15(a)的B-B'線剖視圖。圖15(d)是表示相當于圖15(a)的A-A'線的其他例子的剖視圖。如圖15(a)所示，將接合構件片材18及配線基板14配置于散熱構件11之上。本例中，使接合電極13的外緣13b位于接合構件片材18的外緣18b的外側。外緣13b位于外緣14b的內側。使外緣14b與槽17交叉。這樣，形成作為半導體裝置2的零件的集合體2a。與第I實施方式同樣地，進行關于圖5所說明的處理。由此來制造圖14(a) 圖14(d)中例示的半導體裝置2。本實施方式中，第I槽部17x的端部及第2槽部17y的端部位于接合電極13的外緣13b及配線基板14的外緣14b的外側。因而，能夠從未被配線基板14覆蓋的散熱構件11的上表面Ila效率良好地導入還原氣體。因而，能夠效率良好地還原接合構件片材18。本實施方式中，能夠從未被配線基板14覆蓋的散熱構件11的上表面Ila效率良好地排出氣泡29。例如，氣泡29的排出時間縮短。槽17也設在接合構件12的外緣12b的下部。由此，能夠提高與散熱構件11的接合強度。本實施方式中，除了上述以外，也能獲得關于第I實施方式所說明的特性及效果。如圖15(d)所示，本實施方式中，接合構件片材18的外緣18b也可為接合電極13的外緣13b的外側。進而,接合構件片材18的外緣18b也可為配線基板14的外緣14b的外側。本實施方式中，外緣18b的位置既可與外緣13b的位置一致，也可為外緣13b的內側，還可為外緣13b的外側。外緣18b的位置既可與外緣14b的位置一致，也可為外緣14b的內側，還可為外緣14b的外側。[0225]圖16是例示第2實施方式的其他半導體裝置的結構的示意剖視圖。如圖16所示，在本實施方式的其他半導體裝置中，接合構件12的外緣12b為接合電極13的外緣13b的外側。進而，外緣12b為配線基板14的外緣14b的外側。即，投影到X-Y平面上時，接合構件12具有與配線基板14重疊的部分(內側部分12i)和不與配線基板14重疊的部分(外側部分12o)。接合構件12的外側部分12o的上表面較接合電極13的下表面131位于更上方。本例中，外側部分12o的上表面較配線基板14的下表面141位于更上方。例如，在接合時，通過夾具等來對配線基板14，以壓展焊料(熔融的接合材料28)。接合后的散熱構件11與配線基板14之間的距離有時會短于接合時所用的接合構件片材18的厚度。接合后，在配線基板14的周圍凸出的焊料的高度在剖視時高于接合電極13的位置。進而，配線基板14周圍的焊料的高度有時高于配線基板14的下表面141。在具有此種結構的半導體裝置中，也能夠提高散熱性。本實施方式中，如后述的圖18(a) 圖18(c)所示的例子般，多個槽部(第I槽部17x與第2槽部17y)的交叉部的一部分在投影到X-Y平面上時，也可位于接合電極13的外緣13b的外側。而且，交叉部的一部分也可位于配線基板14的外緣14b的外側。(第3實施方式)圖17(a) 圖17(c)是例示第3實施方式的半導體裝置的結構的示意圖。圖17(a)是透視平面圖。17(b)是圖17(a)的A-A '線剖視圖。圖17(c)是圖17(a)的B-B'線剖視圖。如圖17(a) 圖17(c)所示，在本實施方式的半導體裝置3中，也設有散熱構件11、接合構件12及配線基板14。在配線基板14上設有接合電極13及發光部15。如圖17(a)所示，投影到X_Y平面上時，接合電極13的外緣13b及配線基板14的外緣14b是與槽17交叉。接合構件12的外緣12b也與槽17交叉。接合構件12的外緣12b是接合構件12中的散熱構件11的上表面Ila的高度的面的外緣。槽17中的位于外緣12b外側的部分由成為接合構件12的接合材料28而填埋。除此以外的結構與半導體裝置I相同，因此省略說明。在半導體裝置3的制造中，將熔融的接合構件片材18的外緣18b擴展至配線基板14的外緣14b的外側。并且，使外緣18b停留在與槽17交叉的位置。由此，使接合構件12的外緣12b與槽17交叉。并且，使熔融的接合材料28流入槽17中的外緣12b外側的部分。由此,利用接合材料28來填埋槽17中的外緣12b外側的部分。這樣，在半導體裝置3中，槽17也形成在接合構件12的外緣12b的外側。因此，能夠從槽17中的未被接合構件12覆蓋的部分導入更多的還原氣體27。而且，能夠從未被接合構件12覆蓋的部分排出更多的氣泡29。本實施方式中，除了上述以外，也能獲得關于第I實施方式所說明的特性。圖18(a) 圖18(c)是例示第3實施方式的其他半導體裝置的結構的示意圖。圖18(a)是透視平面圖。18(b)是圖18(a)的A-A '線剖視圖。圖18(c)是圖18(a)的B-B'線剖視圖。如圖18(a) 圖18(c)所示，在本實施方式的其他半導體裝置中，也設有散熱構件11、接合構件12及配線基板14。在配線基板14上設有接合電極13及發光部15。如圖18(a)所示，槽17的一部分設在配線基板14的外緣14b的外側。多個第I槽部17x中的2個設在Y方向上的外緣14b的外側。多個第2槽部17y中的2個設在X方向上的外緣14b的外側。多個槽部(第I槽部17x與第2槽部17y)的交叉部的一部分在投影到X-Y平面上時,位于接合電極13的外緣13b的外側，且位于配線基板14的外緣14b的外側。多個槽部的交叉部的一部分也可位于焊料填角(solder fillet)的外形的外側。本例中，槽17與焊料(接合構件12)交叉，因此焊料填角的外形也可與接合電極 13的外形相同。焊料填角的外形也可不位于配線基板14的外側。本實施方式中，也與關于圖15(d)所說明的同樣地，接合構件片材18的外緣18b的位置既可與外緣13b的位置一致，也可為外緣13b的內側，還可為外緣13b的外側。外緣18b的位置既可與外緣14b的位置一致，也可為外緣14b的內側，還可為外緣14b的外側。通過本實施方式，也能提供散熱性有所提高的半導體裝置。(第4實施方式)本實施方式涉及一種半導體裝置的制造方法。本制造方法包括如下工序在上表面Ila形成有槽17的散熱構件11上，設置接合構件12。本制造方法包括如下工序將配線基板14載置于接合構件12上。配線基板14包括設在配線基板14的上表面14u的發光部15以及設在配線基板14的下表面141的接合電極13。本制造方法更包括如下工序利用接合構件12來填埋槽17，通過接合構件12將接合電極13與散熱構件11予以接合。即，例如進行關于圖5、圖6、圖7(a) 圖7(d)、圖8(a) 圖8(d)及圖9(a) 圖9(c)所說明的處理。例如，上述接合工序可更包括如下工序使用包含還原氣體的氣體,對接合構件12表面的氧化膜、接合電極13表面的氧化膜及散熱構件11表面的氧化膜進行還原。例如，接合工序可更包括使接合構件12熔融的工序。接合工序可更包括使殘存在熔融的接合構件內部的氣泡的量減少的工序。上述的接合工序(例如熔融工序)例如是在減壓的環境(壓力低于大氣壓的環境)中進行。例如，上述的接合工序包括使接合構件12熔融，利用熔融的接合構件12來填埋所有槽17。上述的接合工序(例如熔融工序)包括利用熔融的接合構件12來填埋槽17，使熔融的接合構件12的與散熱構件11的上表面Ila接觸的面的外緣Ilb擴展至例如與槽17隔離的位置。在上述制造方法的I個例子中，當投影到相對于散熱構件11的上表面Ila而平行的平面(X-Y平面)上時，接合構件12的外緣12b以與槽17交叉的方式形成。在上述制造方法的I個例子中，當投影到X-Y平面上時，配線基板14的外緣14b以與槽17隔離的方式形成。在上述制造方法的I個例子中，當投影到X-Y平面上時，配線基板14的外緣14b以與槽17交叉的方式形成。根據本實施方式的半導體裝置的制造方法，能夠提供一種散熱性高的半導體裝置的制造方法。根據以上說明的實施方式，能夠提供一種提高了散熱性的半導體裝置及其制造方法。在本案說明書中，“設在之上的狀態”除了直接接觸之上而設置的狀態以外，也包括在之間插入其他要素的狀態。“設在之下的狀態”除了直接接觸之下而設置的狀態以外，也包括在之間插入其他要素的狀態。在本案說明書中，“垂直”及“平行”不僅包括嚴格的垂直及嚴格的平行，例如也包括制造工序中的偏差等，只要是實質上垂直及實質上平行即可。以上，參照具體例說明了本實用新型的實施方式。但是，本實用新型并不限定于這些具體例。例如，關于半導體裝置中所含的散熱構件、接合構件、配線基板、發光部、接合電極及半導體發光元件等各要素的具體結構，本領域技術人員通過從公知的范圍中適當選擇，也能同樣地實施本實用新型，只要能夠獲得同樣的效果，則包含在本實用新型的范圍內。而且，對于各具體例中的任意2個以上的要素在技術上可能的范圍內加以組合而成的結構，只要包含本實用新型的主旨，則也包含在本實用新型的范圍內。除此以外，對于本領域技術人員可基于作為本實用新型的實施方式而上述的半導體裝置及其制造方法來適當設計變更并實施的所有半導體裝置及其制造方法，只要包含本實用新型的主旨，則也屬于本實用新型的范圍。除此以外，在本實用新型的思想范疇內，只要是本領域技術人員，便可想到各種變更例及修正例，應了解的是，這些變更例及修正例也屬于本實用新型的范圍。對本實用新型的若干實施方式進行了說明，但這些實施方式僅為例示，并不意圖限定實用新型的范圍。這些實施方式可以其他各種形態來實施，在不脫離實用新型的主旨的范圍內可進行各種省略、替換、變更。這些實施方式或其變形皆包含在實用新型的范圍內。
權利要求1.一種半導體裝置，其特征在于包括 散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽； 接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及 配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。
2.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于， 所述散熱構件的所述槽由所述接合構件全部埋入。
3.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于， 所述散熱構件的全部的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的內側。
4.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于， 所述散熱構件的一部分的所述槽形成為，在所述接合電極利用所述接合構件而固定的狀態下，位于所述接合電極的外緣的外側。
5.根據權利要求I所述的半導體裝置，其特征在于， 所述槽包括多個第I槽部及與所述第I槽部交叉的多個第2槽部。
6.根據權利要求I至5中任一所述的半導體裝置，其特征在于， 所述接合構件的側面形成有往所述散熱構件的一側擴開的錐形。
專利摘要本實用新型提供一種半導體裝置，可提高散熱性。半導體裝置包括散熱構件，所述散熱構件的上表面形成有槽；接合構件，填埋所述槽，并設在所述散熱構件上；以及配線基板，包含設在所述配線基板的上表面的發光部與設在所述配線基板的下表面的接合電極，且所述接合電極經由所述接合構件而接合于所述散熱構件。
文檔編號H01L33/48GK202817020SQ201220484150
公開日2013年3月20日 申請日期2012年9月20日 優先權日2012年7月31日
發明者下川一生 申請人:東芝照明技術株式會社