專利名稱：一種新型Chip LED器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體發光器件，尤其涉及一種新型Chip LED器件。
背景技術：
傳統的Chip LED器件結構是以PCB電路板作為基板，金屬作為導線支架，如圖I所示，導線支架20從PCB基板10的側邊延伸至底部，分別形成側電極和底部電極。該傳統結構的LED器件的缺點較多，主要包括1、結構復雜，制造過程復雜、成本高。2、LED器件的金屬支架和Pcb電路板由于結合力不足，容易導致金屬支架在PCB電路板上脫落或者產生間隙，使外部的水汽通過間隙滲入LED芯片，導致LED芯片受損，增加產品的不良率和降低器件的可靠性。3、傳統的ChipLED器件，由于PCB電路板的熱導性不是很好，并且LED芯片和LED器件的電極不是垂直結構，不利于器件的散熱。鑒于傳統的Chip LED器件固有的缺陷，急需開發出一種結構簡單，制作過程簡單，器件氣密性好，散熱性好的的Chip LED器件。
發明內容本實用新型是采用如下技術方案來實現上述目的—種新型Chip LED器件,包括金屬基板,至少一個設置于金屬基板上表面的LED芯片以及將金屬基板、LED芯片一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，所述的電極部之間通過所述的封裝膠體實現電性絕緣，其特征在于，所述的金屬基板底部還包括至少一個從所述金屬基板底部表面向內凹陷的加強部，所述封裝膠體填充加強部并與加強部外的封裝膠體成一體結構。進一步的，所述芯片安放部與電極部為一體結構。進一步的，所述加強部設置在金屬基板的側邊上。進一步的，所述的加強部設置在電極部的側邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結構，加強部的凹陷處填充有封裝膠體，并與加強部外的封裝膠體成一體結構。進一步的，所述金屬基板底部只有電極部的底部暴露于封裝膠體之外，形成底部電極結構。進一步的，在所述新型Chip LED器件的一對側面分別保留電極部的外側面露于封裝膠體之外，形成側電極。 進一步的，所述側電極上分別設置一個缺口，所述的缺口呈半圓柱體結構。所述加強部還可以設置在金屬基板的電極部底部，是自電極部的底部向內凹陷形成的凹槽結構，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內側面從而在該內側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的內側邊寬度；封裝膠體填充凹槽后，凹槽內的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結構。進一步的，所述加強部的凹槽還貫穿電極部的至少一個外側面從而在該外側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的外側邊寬度。[0013]進一步的，所述加強部形成的凹槽只貫通底部電極的內側邊從而在電極部的內側面形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側邊，所述缺口不跨到電極部的相鄰側面。進一步的，所述每個加強部形成的凹槽貫穿底部電極的一對側邊，從而在每個電極部的一對側面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側面。進一步的，所述加強部的凹槽同時貫通電極部的兩個對邊從而在電極部的兩對側面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于 底部電極側邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側面。本實用新型采用有以下優點I、結構簡單，制造成本低。2、金屬基板的底部具有若干個加強部，該結構可以使封裝膠體和金屬基板緊密結合，提高了器件的氣密性和可靠性。3、采用腐蝕技術形成的加強部，加大了注塑封裝膠體時的封裝膠體流道面積，使LED器件更容易成型，有利于小尺寸器件的設計。4、采用金屬材料作為基板，LED芯片與器件電極為垂直結構，加快了 LED器件的散熱，有利于提聞器件的壽命。5、同時具備底部電極和側電極，器件焊接面積大，易于焊接，且不容易出現因為電極面積過小而造成斷路現象。
圖I為背景技術附圖；圖2為實施例--種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖3為實施例種新型Chip LED器件的俯視圖不意圖；圖4為實施例--種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖5為實施例二一種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖6為實施例二一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖7為實施例二一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖8為實施例二一種新型Chip LED器件的王視圖不意圖；圖9為實施例三一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖10為實施例三一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖11為實施例四一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖12為實施例四一種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖13為實施例五一種新型Chip LED器件的截面視圖示意圖；圖14為實施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖15為其他實施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖16為其他實施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖17為其他實施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖18為實施例六一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖19為實施例六一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖。[0041]示圖標記I金屬基板；10PCB基板；11芯片安裝部；12加強結構；13電極部；131底部電極；132側電極；133缺口 ； 1311側邊；134側面；1341內側面;2封裝膠體；20導線支架；3LED芯片；4金線山缺口寬度；H底部電極側邊寬。
具體實施方式
本實用新型提供了一種結構簡單、制造成本低、適用于表面貼裝的一種新型Chi PLED器件，為了使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，
以下結合附圖和優選實施例對本發明作進一步的詳細說明。實施例一如圖2所示，本實施例提供了一種新型Chip LED器件，包括一金屬基板1，至少
一個設置于金屬基板I上表面的LED芯片3，連接LED芯片電極和器件電極的金線4以及將金屬基板I、LED芯片3和金線4 一起包封的封裝膠體2。在其他實施例中，所述的LED芯片3是倒裝芯片時，不需要金線。所述金屬基板I包括至少一個芯片安放部11、用以卡扣封裝膠體的加強部12以及至少兩個電極部13 ;其中，所述加強部12是自金屬基板底部向內凹陷形成的結構，所述凹陷填充封裝膠體2 ;所述電極部13是露于封裝膠體2之外的金屬基板底部，與電極部13位置相應的金屬基板I上表面用以連接金線4或者與LED芯片3電極電性連接，以實現LED芯片3與電極部13的電性連接，電極部13之間是通過封裝膠體2實現電性絕緣；所述芯片安放部11與至少一個電極部13是通過封裝膠體2電性絕緣；所述芯片安放部11的底部可以是露出在封裝膠體2之外，或者被封裝膠體2全包封。在本實施例中，如圖3和圖4所示，所述的LED芯片為三個，分別為紅、綠、藍芯片；所述芯片安放部11共有三個、電極部13共有四個，所述三個LED芯片安放部11分別與三個電極部成一體結構，其余一電極部均通過封裝膠體2實現與芯片安放部11的電性絕緣并作為三個LED芯片的共電極；所述三個LED芯片3分別安放于三個芯片安放部11上；與芯片安放部11電性絕緣的電極部13是通過金線4實現與LED芯片3電極的電性連接；所述新型Chip LED器件的底部只有電極部露在封裝膠體之外，形成底部電極結構。所述的加強部12，是在所述金屬基板I的底部通過半腐蝕技術形成的，在本實施例中，參考圖2，所述的加強部12設置在金屬基板I的四個電極部13的側邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結構；如圖4所示，加強部12的凹陷處填充有封裝膠體，使電極部13的四側被封裝膠體包圍。由于封裝膠體2填充了加強部12的凹陷結構內，讓封裝膠體2可以通過加強部12實現與金屬基板I類似卡扣方式連接，所以封裝膠體與金屬基板I更緊密與牢固地結合，不容易松動，提高了器件的可靠性。本實施例提供的一種新型Chip LED器件，與傳統的Chip LED器件相比較，其有益效果在于I、結構簡單，制造成本低。2、金屬基板的底部具有若干個加強部，該結構可以使封裝膠體和金屬基板緊密結合，提高了器件的氣密性和可靠性。[0053]3、采用腐蝕技術形成的加強部，加大了注塑封裝膠體時的封裝膠體流道面積，使LED器件更容易成型，有利于小尺寸器件的設計。4、采用金屬材料作為基板，LED芯片與器件電極為垂直結構，加快了 LED器件的散熱，有利于提聞器件的壽命。實施例二本實施例提供了一種新型Chip LED器件，其結構與實施例一的基本一致，其區別點在于所述電極部除了底部暴露于封裝膠體之外，其至少一個向外的側面暴露于封裝膠體之外，形成側電極。如圖5所示，所述金屬基板的四個電極部向內的側邊設置有加強部12，加強部12的凹陷內填充封裝膠體2 ;如圖6和圖7所示，在所述新型Chip LED器件的一對側面分別保留四個電極部的外側面露于封裝膠體2之外，形成側電極132，其余側邊均被封裝膠體2包圍。本實施例中，結合圖5至圖7看，所述的電極部13由底部電極131和側電極132構成。即本實施例的設計使所述的LED器件具有四個底部電極131和四個側電極132。設置了具有底部電極和側電極的Chip LED器件，可以滿足不同用戶的需求。實施例三本實施例提供了一種新型Chip LED器件，與實施例二區別點在于所述的底部電極和側電極分別為兩個，設于所述LED器件的對邊。如圖8至圖10所示，所述的LED芯片3的數量為一個，所述的金屬基板I由一個芯片安放部11和兩個電極部13組成，一個芯片安放部11與一個電極部13成一體結構，另一電極部13與芯片安放部11通過封裝膠體2實現電性絕緣，并且通過金線4與LED芯片3電性連接。本實施例提供的一種新型單芯片Chip LED器件，結構簡單，散熱性能強，加強部的設計使器件的氣密性更加好。實施例四本實施例提供了一種新型Chip LED器件，與實施例三結構和有益效果基本一致，區別點在于如圖11和圖12所示，所述的芯片安放部11與兩個電極部13分別通過封裝膠體2實現電性絕緣，通過金線4與LED芯片3電性連接。實施例五本實施例提供了一種新型Chip LED器件，與實施例二的區別在于所述的加強部設置在金屬基板的四個電極部的底部，是自電極部的底部向內凹陷形成的凹槽結構，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內側面從而在該內側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的內側邊寬度。封裝膠體填充凹槽后，凹槽內的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結構。進一步地，所述凹槽還貫穿電極部的至少一個外側面從而在該外側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的外側邊寬度。在本實施例中，如圖13和圖14所示，所述的加強部形成的凹槽只貫通底部電極的內側邊1341，在每個電極部的一對側面分別形成一個缺口 133，缺口 133的寬度h小于底部電極側邊1341的寬度H，從而所述缺口 133邊緣不與底部電極相鄰側邊的交點重合且缺口133不跨過電極部相鄰側面134缺口 133設于電極部的內側面1341，一個內側面1341對應一個缺口 133，所述缺口 133不跨到電極部的相鄰側面134，本實施例提供的LED器件，由于電極部的外側面無封裝膠體，故在器件焊接時，不會因為焊接溫度過高而對封裝膠體造成損害，一定程度上保護了封裝膠體，提高器件的可靠性。在其他實施例中，如圖15所示，所述加強部形成的凹槽進一步的，分別貫穿四個底部電極的一對側邊1311，從而在每個電極部的一對側面分別形成一個缺口 133 ;如圖16所示所述的加強部還可以貫通底部電極的相鄰內側邊；另外，如圖17所示，所述的加強部甚至還可以同時貫通電極部的兩個對邊。加強部的設置是為了使所述加強部形成的凹槽填充封裝膠體后，通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結構，實現封裝膠體和所述金屬基板的緊密牢固結合，鑒于此，所述缺口的設計還可有其他若干改進和修飾，不限于本實施例。本實施例提供的Chip LED器件包括了結構簡單，可靠性高，散熱性好等有益效果，進一步的，由于電極部的兩個外側面和底部均暴露在外，形成側面電極和底部電極，在器件焊接的過程，與焊料的接觸面積大，不容易出現因為電極面積過小而造成斷路現象。實施例六本實施例提供的一種新型Chip LED器件，與實施例五的區別在于所述的底部電極和側電極分別為兩個，設于所述LED器件的對邊，如圖18至圖19所示所述的加強部12設置在金屬基板的兩個電極部13的底部，是自金屬基板底部向內凹陷形成的凹槽結構，凹槽內填充封裝膠體2,使金屬基板與封裝膠體以類似卡扣方式連接，提高兩者結合的牢固性。相比傳統的PCB基板，金屬基板的散熱性能佳，且為LED芯片和電極為垂直結構，散熱快，進而提高所述器件的壽命。以上對本實用新型進行了詳細介紹，文中應用具體個例對本實用新型的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本實用新型的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以對本實用新型進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本實用新型權利要求的保護范圍內。
權利要求1.一種新型Chip LED器件,包括金屬基板,至少一個設置于金屬基板上表面的LED芯片以及將金屬基板、LED芯片一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，所述的電極部之間通過所述的封裝膠體實現電性絕緣，其特征在于，所述的金屬基板底部還包括至少一個從所述金屬基板底部表面向內凹陷的加強部，所述封裝膠體填充加強部并與加強部外的封裝膠體成一體結構。
2.根據權利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述芯片安放部與電極部為一體結構。
3.根據權利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強部設置在金屬基板的側邊上。
4.根據權利要求3所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述的加強部設置在電極部的側邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結構，加強部的凹陷處填充有封裝膠體，并與加強部外的封裝膠體成一體結構。
5.根據權利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述金屬基板底部只有電極部的底部暴露于封裝膠體之外，形成底部電極結構。
6.根據權利要求5所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，在所述新型Chip LED器件的一對側面分別保留電極部的外側面露于封裝膠體之外，形成側電極。
7.根據權利要求6所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述側電極上分別設置一個缺口，所述的缺口呈半圓柱體結構。
8.根據權利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強部設置在金屬基板的電極部底部，是自電極部的底部向內凹陷形成的凹槽結構，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內側面從而在該內側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的內側邊寬度；封裝膠體填充凹槽后，凹槽內的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結構。
9.根據權利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強部的凹槽還貫穿電極部的至少一個外側面從而在該外側面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側面，缺口的寬度小于底部電極的外側邊寬度。
10.根據權利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強部形成的凹槽只貫通底部電極的內側邊從而在電極部的內側面形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側邊，所述缺口不跨到電極部的相鄰側面。
11.根據權利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述每個加強部形成的凹槽貫穿底部電極的一對側邊，從而在每個電極部的一對側面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側面。
12.根據權利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強部的凹槽同時貫通電極部的兩個對邊從而在電極部的兩對側面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側面。
專利摘要本實用新型公開了一種新型Chip LED器件，包括金屬基板，至少一個設置于金屬基板上表面的LED芯片，連接LED芯片電極和器件電極的金線以及將金屬基板、LED芯片和金線一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，其中，所述的電極之間通過所述的封裝膠體實現電性絕緣。另外，金屬基板底部的側邊還設置了至少一個從所述金屬基板底部向內凹陷的加強部，使所述的封裝膠體和金屬基本能夠緊密結合。
文檔編號H01L33/64GK202797085SQ20122035253
公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月17日 優先權日2012年7月17日
發明者李程, 夏勛力, 吳廷, 麥家兒, 唐永成 申請人:佛山市國星光電股份有限公司