專利名稱：一種光伏探測器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種光伏探測器，尤其是一種量子阱紅外光伏探測器。
背景技術：
現有的光伏探測器包括InSb紅外探測器、HgCdTe紅外探測器和量子阱紅外探測器，都是在低溫下工作，需要通過液氮杜瓦或循環制冷機制冷，嚴重限制了光伏探測器的應用范圍。
實用新型內容本實用新型提供了一種能夠在室溫條件下工作的光伏探測器。實現本實用新型目的的光伏探測器，包括依次設置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實用新型的光伏探測器的有益效果如下本實用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設備，光吸收系數高，提高了探測率。
圖I為本實用新型的光伏探測器的結構示意圖。
具體實施方式
如圖I所示，本實用新型的光伏探測器，包括依次設置的GaAs襯底5、GaAs緩沖層
4、GaAs下電極層3、多量子阱層2和GaAs頂部電極層I ;所述量子阱層2包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實用新型的光伏探測器的優點如下本實用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設備，光吸收系數高，提高了探測率。上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優選實施方式進行描述，并非對本實用新型的范圍進行限定，在不脫離本實用新型設計精神前提下，本領域普通工程技術人員對本實用新型技術方案做出的各種變形和改進，均應落入本實用新型的權利要求書確定的保護范圍內。
權利要求1. 一種光伏探測器，其特征在于包括依次設置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層， 所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。
專利摘要本實用新型提供了一種能夠在室溫條件下工作的光伏探測器，包括依次設置的GaAs襯底、GaAs緩沖層、GaAs下電極層、多量子阱層和GaAs頂部電極層；所述量子阱層包括22周期，每個周期包括一個AlGaAs勢壘層和一個GaAs勢阱層，所述AlGaAs勢壘層的厚度為GaAs勢阱層厚度的30倍。本實用新型的光伏探測器，可在常溫下工作，無需制冷設備，光吸收系數高，提高了探測率。
文檔編號H01L31/0304GK202797042SQ20122033376
公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月11日 優先權日2012年7月11日
發明者王四新, 劉先章, 宋亞美 申請人:北京瑞普北光電子有限公司