專利名稱：一種表面覆膜的單晶硅片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種表面覆膜的單晶硅片。
背景技術：
隨著太陽能電池市場的快速成長，單晶硅在對光的吸收過程中，有一部分光會因為單晶硅本身的反光使得光被反射出去，從而使得對光的利用率較低。
發明內容本實用新型的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種對光利用率高的表面覆膜的單晶硅片。 為實現上述目的，本實用新型為一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其中，所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜。其中，所述的氮化娃膜的厚度為73nnT77nm。采用在吸光面上覆一層氮化硅膜，尤其是這層氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之間，使得這層氮化硅膜呈深藍色，對光的折射率在I. 9-2. I之間；減少對光的反射,增加了單晶娃片對光的吸收，從而提聞了轉換效率。
圖I是本實用新型實施例產品的側視圖。
具體實施方式
請參閱圖1，一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體1，硅片本體的一面為吸光面2與另一面為背面，吸光面2上覆有I層厚度在73nnT77nm之間的氮化硅膜3。采用在吸光面上覆一層氮化硅膜，尤其是這層氮化硅膜的厚度在73nnT77nm之間，使得這層氮化硅膜呈深藍色，對光的折射率在I. 9-2. I之間；減少對光的反射,增加電池片對光的吸收，從而提聞轉換效率。
權利要求1.一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其特征在于所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜。
2.根據權利要求I所述的一種表面覆膜的單晶硅片，其特征在于所述的氮化硅膜的厚度為 73nnT77nm。
專利摘要本實用新型涉及一種表面覆膜的單晶硅片，該單晶硅片包括硅片本體，硅片本體包括吸光面與背面；其中，所述的吸光面上覆有一層氮化硅膜；由于表面附有一層氮化硅膜，增加了單晶硅片對光的吸收，從而提高轉換效率。
文檔編號H01L31/0216GK202633324SQ20122019092
公開日2012年12月26日 申請日期2012年5月2日 優先權日2012年5月2日
發明者周日發 申請人:浙江奧博新能源有限公司