專利名稱：一種制備有機半導體的處理方法
技術領域：
本發明涉及一種制備有機半導體的處理方法。
背景技術：
隨著科技的發展，新型顯示技術和顯示器件層出不窮，使用有機半導體作為驅動的顯示器件是其中重要的一個，但是目前有機半導體的制備工藝中還存在不少問題
發明內容
本發明提供一種制備有機半導體層的處理方法，其包括使包含一種或多種有機半導體的溶液淀積在基底上形成濕膜，使用紅外或遠紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，其特征在于，激光波長為750-1800nm，照射時間為10-60秒，激光強度大于80kW/m2，然后自然冷卻。有益效果本發明制備的有機半導體層經過測試分析，顯示有機半導體層性能良好，而且該方法工藝要求簡單，制造成本低。
具體實施例方式下面結合具體實施例，進一步闡述本發明。應理解，這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。實施例1該制備有機半導體層的處理方法，其包括淀積一種有機半導體的溶液在基底上形成濕膜，使用紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，激光波長為750nm，照射時間為60秒，激光強度120kW/m2，然后自然冷卻。實施例2該制備有機半導體層的處理方法，其包括淀積多種有機半導體的溶液在基底上形成濕膜，使用遠紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，激光波長為1800nm，照射時間為60秒，激光強度90kW/m2，然后自然冷卻。實施例3該制備有機半導體層的處理方法，其包括淀積包含一種或多種有機半導體的溶液在基底上形成濕膜，使用紅外或遠紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，激光波長為1300nm，照射時間為40秒，激光強度大于100kW/m2，然后自然冷卻。
權利要求
1.一種制備有機半導體層的處理方法，其包括使包含一種或多種有機半導體的溶液淀積在基底上形成濕膜，使用紅外或遠紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，其特征在于，激光波長為750-1800nm，照射時間為10-60秒，激光強度大于80kW/m2，然后自然冷卻。
2.如權利要求1所述的處理方法，其中激光波長為1300nm，照射時間為40秒，激光強度大于100kW/m2。
全文摘要
本發明提供一種制備有機半導體層的處理方法，其包括使包含一種或多種有機半導體的溶液淀積在基底上形成濕膜，使用紅外或遠紅外激光照射該濕膜進行干燥處理，其特征在于，激光波長為750-1800nm，照射時間為10-60秒，激光強度大于80kW/m2，然后自然冷卻。
文檔編號H01L51/00GK103022353SQ20121058304
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月27日 優先權日2012年12月27日
發明者陳迎東 申請人:青島龍泰天翔通信科技有限公司