半導體工藝及其結構的制作方法
【專利摘要】本發明是有關于一種半導體工藝，其包含下列步驟：提供硅基板，該硅基板具有導接墊及保護層；形成第一種子層，該第一種子層具有第一區段及第二區段；形成第一光阻層；形成第一緩沖層,該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層；移除該第一種子層的該第二區段以形成第一凸塊下金屬層；形成支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁，該支撐層包覆該第一環壁、該第二環壁及該包埋部；以及形成導接部且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
【專利說明】半導體工藝及其結構【技術領域】
[0001]本發明是有關于一種半導體工藝，特別是有關于一種可加強結構強度的半導體工藝。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，現有習知半導體結構200包含有硅基板210、凸塊下金屬層220及焊球230，該硅基板210具有鋁墊211及保護層212，該凸塊下金屬層220電性連接該鋁墊211且該焊球230形成于該凸塊下金屬層220上。當該半導體結構200進行推力測試時，由于該焊球230、該凸塊下金屬層220與該鋁墊211的材質不同，因此會存在明顯的結合接口而形成結構強度最脆弱之處，導致該凸塊下金屬層220容易由該鋁墊211剝離甚至損傷該鋁墊211而使得該半導體結構200良率下降。
[0003]由此可見，上述現有的半導體在產品結構、制造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。因此如何能創設一種新的半導體工藝及其結構，亦成為當前業界極需改進的目標。
[0004]有鑒于上述現有的半導體存在的缺陷，本發明人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新的半導體工藝及其結構，能夠改進一般現有的半導體，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試 作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本發明。
【發明內容】
[0005]本發明的主要目的在于，克服現有的半導體存在的缺陷，而提供一種新的半導體工藝及其結構，所要解決的技術問題是使其形成一支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該第一凸塊下金屬層具有一第一環壁，該第一緩沖層具有一第二環壁，該支撐層包覆該第一環壁、該第二環壁及該包埋部；以及形成一導接部且覆蓋該第一緩沖層之該接合部，非常適于實用。
[0006]本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種半導體工藝，其中包含:提供硅基板，該硅基板具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；形成第一種子層于該保護層及該導接墊，該第一種子層具有第一區段及位于該第一區段外側的第二區段；形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區段；移除該第一種子層的該第二區段以使該第一區段形成第一凸塊下金屬層；形成支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層之該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及
[0007]形成導接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
[0008]本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
[0009]前述的半導體工藝，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層之該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
[0010]前述的半導體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
[0011]前述的半導體工藝，其特征在于形成該導接部的工藝包含下列步驟:形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區段及位于該第三區段外側的第四區段；形成第二光阻層于該第二種子層，該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區段；形成該第二緩沖層于該第二開槽，該第二緩沖層覆蓋該第二種子層之該第三區段；形成該焊料層于該第二緩沖層；移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區段；及移除該第二種子層的該第四區段以使該第三區段形成該第二凸塊下金屬層。
[0012]前述的半導體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。
[0013]前述的半導體工藝，其特征在于該第一種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
[0014]前述的半導體工藝，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PBO)或苯環丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一。
[0015]前述的半導體工藝，其特征在于該第二種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
[0016]前述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。
[0017]前述的半導體工藝，其特征在于該第二緩沖層的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
[0018]前述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
[0019]本發明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種半導體結構，其中包含:硅基板，其具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；第一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護層及該導接墊，該第一凸塊下金屬層具有第一環壁；第一緩沖層，其形成于該第一凸塊下金屬層，該第一緩沖層具有接合部、包埋部及第二環壁；支撐層，其形成于該保護層、該第一凸塊下金屬層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層之該接合部，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層之該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及導接部，其形成于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
[0020]本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
[0021]前述的半導體結構，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層形成于該第二開口，且覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
[0022]前述的半導體結構，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
[0023]前述的半導體結構，其特征在于該第一凸塊下金屬層的材質選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
[0024]前述的半導體結構，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PBO)或苯環丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一。
[0025]前述的半導體結構，其特征在于該第二凸塊下金屬層的材質選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
[0026]前述的半導體結構，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。
[0027]前述的半導體結構，其特征在于該第二緩沖層的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
[0028]前述的半導體結構，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有一抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
[0029]本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。由以上技術方案可知，本發明的主要技術內容如下:提供一種半導體工藝，其包含下列步驟:提供硅基板，該硅基板具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊；形成第一種子層于該保護層及該導接墊，該第一種子層具有第一區段及位于該第一區段外側的第二區段；形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第一種子層的該第一區段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部；移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區段；移除該第一種子層的該第二區段以使該第一區段形成第一凸塊下金屬層；形成一支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及形成導接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層之該接合部。
[0030]借由上述技術方案，本發明半導體工藝及其結構具有下列優點及有益效果:由于該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部，且該第一緩沖層覆蓋該第一凸塊下金屬層，因此該半導體結構進行推力試驗時，可防止該第一凸塊下金屬層由該導接墊剝離或損傷該導接墊，因而提高該半導體結構的良率。
[0031]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其它目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0032]圖1是現有習知半導體結構示意圖。[0033]圖2是依據本發明的一較佳實施例，一種半導體工藝之流程圖。
[0034]圖3A至圖31是依據本發明的一較佳實施例，該半導體工藝的截面示意圖。
[0035]圖4是依據本發明的一較佳實施例，一種導接部工藝流程圖。
[0036]圖5A至圖5E是依據本發明的一較佳實施例，該導接部工藝的截面示意圖。
[0037]【主要元件符號說明】
[0038]10:提供硅基板
[0039]11:形成第一種子層
[0040]12:形成第一光阻層
[0041]13:形成第一緩沖層
[0042]14:移除該第一光阻層
[0043]15:移除該第一種子層
[0044]16:形成支撐層
[0045]17:形成導接部
[0046]20:形成第二種子層
[0047]21:形成第二光阻層
[0048]22:形成該第二緩沖層
[0049]23:形成該焊料層
[0050]24:移除該第二光阻層
[0051]25:移除該第二種子層
[0052]100:半導體結構
[0053]110:硅基板111:表面
[0054]112:導接墊113:保護層
[0055]113a:第一開口
[0056]120:第一凸塊下金屬層121:第一環壁
[0057]120’:第一種子層120’ a:第一區段
[0058]120’ b:第二區段130:第一緩沖層
[0059]131:接合部131a:接合面
[0060]132:包埋部133:第二環壁
[0061]140:支撐層141:第二開口
[0062]142:頂面
[0063]150:導接部151:第二凸塊下金屬層
[0064]151a:抵接邊151’:第二種子層
[0065]151’ a:第三區段151’b:第四區段
[0066]152:第二緩沖層153:焊料層
[0067]153a:弧狀表面
[0068]200:半導體結構
[0069]210:硅基板211:鋁墊
[0070]212:保護層220:凸塊下金屬層
[0071] 230:焊球[0072]01:第一開槽02:第二開槽
[0073]Pl:第一光阻層P2:第二光阻層
【具體實施方式】
[0074]為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的半導體工藝及其結構其【具體實施方式】、結構、方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。
[0075]請參閱圖2及圖3A至圖31，其本發明的一較佳實施例，一種半導體工藝包含下列步驟:首先，請參閱圖2的步驟10及圖3A，提供硅基板110，該硅基板110具有表面111、導接墊112及保護層113，該導接墊112形成于該表面111，該保護層113形成于該表面111且覆蓋該導接墊112，該保護層113具有第一開口 113a，該第一開口 113a顯露該導接墊112 ;接著，請參閱圖2的步驟11及圖3B，形成第一種子層120’于該保護層113及該導接墊112，該第一種子層120’具有第一區段120’ a及位于該第一區段120’ a外側的第二區段120’ b，該第一種子層120’的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一；之后，請參閱圖2的步驟12及圖3C，形成第一光阻層Pl于該第一種子層120’，該第一光阻層Pl形成有第一開槽01以顯露該第一區段120’ a ;接著，請參閱圖2的步驟13及圖3D，形成第一緩沖層130于該第一開槽01，該第一緩沖層130覆蓋該第一種子層120’的該第一區段120’ a，且該第一緩沖層130具有接合部131及包埋部132，該第一緩沖層130的材質選自于銅或鎳其中之一；之后，請參閱圖2的步驟14及圖3E，移除該第一光阻層Pl以顯露該第一種子層120’的該第二區段120’ b ;接著，請參閱圖2的步驟15及圖3F，移除該第一種子層120’的該第二區段120’ b以使該第一區段120’ a形成第一凸塊下金屬層120 ;之后，請參閱圖2的步驟16及圖3G，形成支撐層140于該保護層113及該第一緩沖層130，該支撐層140具有第二開口 141且該第二開口 141顯露該第一緩沖層130的該接合部131，其中該第一凸塊下金屬層120具有第一環壁121，該第一緩沖層130具有第二環壁133，該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環壁`121、該第一緩沖層130的該第二環壁133及該包埋部132，該支撐層140的材質選自于聚酰亞胺(Polyimide，PI)、聚對苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PB0)或苯環丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一；接著，請參閱圖2的步驟17及圖3H，形成導接部150于該第二開口 141且覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131，較佳地，在本實施例中，該導接部150包含有第二凸塊下金屬層151、第二緩沖層152及焊料層153，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131，且該支撐層140具有頂面142，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該頂面142，在本實施例中，該第二凸塊下金屬層151具有抵接邊151a，該第一緩沖層130的該接合部131具有接合面131a，該抵接邊151a接觸該接合面131a，該第二緩沖層152覆蓋該第二凸塊下金屬層151，該焊料層153覆蓋該第二緩沖層152。
[0076]此外，請參閱圖4及圖5A至圖5E，在本實施例中，形成該導接部150的工藝包含下列步驟:首先，請參閱圖4的步驟20及圖5A，形成第二種子層151’于該支撐層140并覆蓋該第一緩沖層130，該第二種子層151’具有第三區段151’a及位于該第三區段151’a外側的第四區段151’ b，該第二種子層151’的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一；接著，請參閱圖4的步驟21及圖5B，形成第二光阻層P2于該第二種子層151’，該第二光阻層P2形成有第二開槽02以顯露該第三區段151’ a ;之后，請參閱圖4的步驟22及圖5C，形成該第二緩沖層152于該第二開槽02，該第二緩沖層152覆蓋該第二種子層151’的該第三區段151’a，該第二緩沖層152的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一；接著，請參閱圖4的步驟23及圖5D，形成該焊料層153于該第二緩沖層152 ;之后，請參閱圖4的步驟24及圖5E，移除該第二光阻層P2以顯露該第二種子層151’的該第四區段151’b ;接著，請參閱圖4的步驟25及圖3H，移除該第二種子層151’的該第四區段151’b以使該第三區段151’a形成該第二凸塊下金屬層151，并形成半導體結構100 ;最后，請參閱圖31，回焊該焊料層153以使該焊料層153形成有弧狀表面153a。由于該半導體結構100的該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環壁121、該第一緩沖層130的該第二環壁133及該包埋部132，且該第一緩沖層130覆蓋該第一凸塊下金屬層120，該第二凸塊下金屬層151的該抵接邊151a接觸該接合部131的該接合面131a，因此該半導體結構100進行推力試驗時，可防止該第一凸塊下金屬層120由該導接墊112剝離或損傷該導接墊112，因而提高該半導體結構100的良率。
[0077]請再參閱圖3H，其本發明的一種半導體結構100，其至少包含有硅基板110、第一凸塊下金屬層120、第一緩沖層130、支撐層140以及導接部150，該硅基板110具有表面111、導接墊112及保護層113，該導接墊112形成于該表面111，該保護層113形成于該表面111且覆蓋該導接墊112，該保護層113具有第一開口 113a，該第一開口 113a顯露該導接墊112，該第一凸塊下金屬層120覆蓋該保護層113及該導接墊112，該第一凸塊下金屬層120的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一，該第一凸塊下金屬層120具有第一環壁121,該第一緩沖層130形成于該第一凸塊下金屬層120,該第一緩沖層130的材質選自于銅或鎳其中之一，該第一緩沖層130具有接合部131、包埋部132及第二環壁133，該支撐層140形成于該保護層113、該第一凸塊下金屬層120及該第一緩沖層130，該支撐層140的材質選自于聚酰亞胺(Polyimide, PI)、聚對苯撐苯并二嗯唑(Poly-p-phenylene benzo-bisoxazazole, PB0)或苯環丁烯(Benezocy-clobutene, BCB)其中之一，該支撐層 140 具有第二開口 141及頂面142，且該第二開口 141顯露該第一緩沖層130的該接合部131，該支撐層140包覆該第一凸塊下金屬層120的該第一環壁121、該第一緩沖層130的該第二環壁133及該包埋部132，該導接部150形成于該第二開口 141且覆蓋該第一緩沖層130之該接合部131，在本實施例中，該導接部150包含有第二凸塊下金屬層151、第二緩沖層152及焊料層153，該第二凸塊下金屬層151形成于該第二開口 141，且覆蓋該第一緩沖層130的該接合部131,該第二凸塊下金屬層151的材質選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一,該第二緩沖層152覆蓋該第二凸塊下金屬層151，該第二緩沖層152的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一，該焊料層153覆蓋該第二緩沖層152，該第二凸塊下金屬層151覆蓋該支撐層140的該頂面142。較佳地，在本實施例中，該第一緩沖層130的該接合部131具有接合面131a，該第二凸塊下金屬層151具有抵接邊151a，該抵接邊151a接觸該接合面131a。
[0078]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。
【權利要求】
1.一種半導體工藝，其特征在于包含: 提供硅基板，該硅基板具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊； 形成第一種子層于該保護層及該導接墊，該第一種子層具有第一區段及位于該第一區段外側的第二區段； 形成第一光阻層于該第一種子層，該第一光阻層形成有第一開槽以顯露該第一區段；形成第一緩沖層于該第一開槽，該第一緩沖層覆蓋該第種子層的該第一區段，該第一緩沖層具有接合部及包埋部； 移除該第一光阻層以顯露該第一種子層的該第二區段； 移除該第一種子層的該第二區段以使該第一區段形成第一凸塊下金屬層； 形成支撐層于該保護層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，其中該第一凸塊下金屬層具有第一環壁，該第一緩沖層具有第二環壁，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及 形成導接部于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
2.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
3.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。`
4.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于形成該導接部的工藝包含下列步驟: 形成第二種子層于該支撐層并覆蓋該第一緩沖層，該第二種子層具有第三區段及位于該第三區段外側的第四區段； 形成第二光阻層于該第二種子層，該第二光阻層形成有第二開槽以顯露該第三區段； 形成該第二緩沖層于該第二開槽，該第二緩沖層覆蓋該第二種子層的該第三區段； 形成該焊料層于該第二緩沖層； 移除該第二光阻層以顯露該第二種子層的該第四區段；及 移除該第二種子層的該第四區段以使該第三區段形成該第二凸塊下金屬層。
5.如權利要求4所述的半導體工藝，其特征在于在移除該第二種子層的該第四區段的步驟后，另包含有回焊該焊料層的步驟。
6.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該第一種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
7.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺、聚對苯撐苯并二嗯唑或苯環丁烯其中之一。
8.如權利要求4所述的半導體工藝，其特征在于該第二種子層的材質選自于鈦銅合金或鈦鎢銅合金其中之一。
9.如權利要求1所述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。
10.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該第二緩沖層的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
11.如權利要求2所述的半導體工藝，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
12.—種半導體結構，其特征在于包含: 硅基板，其具有表面、導接墊及保護層，該導接墊形成于該表面，該保護層形成于該表面且覆蓋該導接墊，該保護層具有第一開口，該第一開口顯露該導接墊； 第一凸塊下金屬層，其覆蓋該保護層及該導接墊，該第一凸塊下金屬層具有第一環壁； 第一緩沖層，其形成于該第一凸塊下金屬層，該第一緩沖層具有接合部、包埋部及第二環壁； 支撐層，其形成于該保護層、該第一凸塊下金屬層及該第一緩沖層，該支撐層具有第二開口且該第二開口顯露該第一緩沖層的該接合部，該支撐層包覆該第一凸塊下金屬層的該第一環壁、該第一緩沖層的該第二環壁及該包埋部；以及 導接部，其形成于該第二開口且覆蓋該第一緩沖層的該接合部。
13.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于該導接部包含有第二凸塊下金屬層、第二緩沖層及焊料層，該第二凸塊下金屬層形成于該第二開口，且覆蓋該第一緩沖層的該接合部，該第二緩沖層覆蓋該第二凸塊下金屬層，該焊料層覆蓋該第二緩沖層。
14.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于該支撐層具有頂面，該第二凸塊下金屬層覆蓋該頂面。
15.如權利要求12所述的半導體`結構，其特征在于該第一凸塊下金屬層的材質選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
16.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于該支撐層的材質選自于聚酰亞胺、聚對苯撐苯并二嗯唑或苯環丁烯其中之一。
17.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于該第二凸塊下金屬層的材質選自于鈦銅合金或鈦鶴銅合金其中之一。
18.如權利要求12所述的半導體結構，其特征在于該第一緩沖層的材質選自于銅或鎳其中之一。
19.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于該第二緩沖層的材質選自于銅、鎳或銅鎳合金其中之一。
20.如權利要求13所述的半導體結構，其特征在于該第一緩沖層的該接合部具有一接合面，該第二凸塊下金屬層具有一抵接邊，該抵接邊接觸該接合面。
【文檔編號】H01L21/60GK103871912SQ201210559290
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月20日 優先權日:2012年12月10日
【發明者】施政宏, 謝永偉, 王凱億 申請人:頎邦科技股份有限公司