錨固結構和嚙合結構的制作方法

專利名稱：錨固結構和嚙合結構的制作方法
錨固結構和嚙合結構本申請是2011年12月9日提交的序列號為N0.13/316205的專利申請的部分繼續，所述專利申請是2008年4月30日提交的序列號為N0.12/112588的專利申請的部分繼續，所述序列號為N0.12/112588的專利申請要求2007年4月30日提交的德國專利申請N0.10 2007 020 263.8的優先權，這些申請通過引用合并于此。
背景技術：
本發明涉及一種可能例如在半導體器件領域中例如與(垂直)晶體管一起采用的錨固結構和哨合(intermeshing)結構或者夾持結構。當開發新一代半導體器件，例如垂直功率晶體管或者DMOS功率晶體管(DMOS=雙擴散金屬氧化物半導體)時，提供部件的最高質量和可靠性是一個重要的目標。因此，最新一代的晶體管在其交付之前必須經受最嚴格的可靠性測試。關于這點，一個重要的測試是溫度循環(TC)。在該測試期間，測試主要由半導體材料、絕緣體和金屬制成的芯片或管芯與主要由塑料制成的外殼之間的相互作用。特別地，在該測試的情況下，關于封裝工藝中利用的成型化合物與管芯的半導體材料之間的經常不同的膨脹系數的行為，檢查成型之后或者封裝工藝之后完成的器件的行為。由于這些不同的膨脹系數的原因，芯片的邊沿區在溫度循環期間經常遭受也稱為TC應力的特定負荷。尤其是在遭受TC應力的這些區中，可能發生各種失效場景，這對于實際的器件可能帶來增大的可靠性風險。如果可能的話，尤其是在芯片邊沿區域中要避免這樣的風險。對于非常大數量的器件而言，金屬結構正是設置在芯片的邊沿區域中，這些金屬結構例如被實現用于接觸器件的功能結構。就(垂直)晶體管而言，例如關于所謂的柵極流道(runner)結構的區域內的可靠性發生問題，所述柵極流道結構經常在芯片邊沿的區域內延伸并且用于接觸垂直晶體管的柵電極。在柵極流道結構的實例的情況下，可能發生在最壞的情況下柵極流道金屬線完全脫離芯片表面并且抬離芯片表面。該效應也稱為“抬升金屬線”。此外，也可能發生有關金屬結構(即例如柵極流道金屬線)仍然保持粘附到芯片表面，但是由于TC負荷的原因而來回如此多地移動，使得在對應TC測試結束時，其在若干地方明顯移離其原始位置。這種效應也稱為“移動金屬線”。這樣的移動金屬結構或者移動金屬線經常在截面形狀上也截然不同。例如，在測試開始時，它們具有近似對稱的梯形形狀，而在這樣的測試結束時可以經常觀察到高剪切的梯形。可能例如僅僅由于有關器件中產生的熱(取決于未來器件的應用)而很可能發生的這樣的可靠性風險可能因此導致器件完全失效，因為器件的各功能區域不再連接或者不再完全連接。如果例如在(垂直)晶體管的情況下，柵極流道結構變得脫離或者移動，那么包括實際晶體管結構的有關器件的單元場(cell field)的區域中的一些單元可能不再受控制，使得垂直晶體管的電氣特性將在操作過程中變化。因此，如果垂直晶體管的實際單元場的部分由于抬離或者移動的金屬結構的原因而失效，那么在進一步的操作期間可能發生單元場的其余單元變得過載，使得最終該垂直晶體管或者有關器件可能在操作期間損毀。

發明內容
一種用于半導體器件的金屬結構的錨固結構的實施例包括錨固凹陷結構，該錨固凹陷結構包括至少一個懸伸側壁，其中所述金屬結構至少部分地設置在錨固凹陷結構內。一種用于包括單元場并且在襯底上形成的器件的嚙合結構的另外的實施例包括中間絕緣層，其是結構化的，使得中間絕緣層被至少一個接觸孔中斷。該嚙合結構進一步包括中間絕緣層上用于連接單元場的金屬結構以及包括多晶硅并且嵌入在襯底中形成且與接觸孔對齊的凹陷內的支撐結構，其中該支撐結構不是單元場的一部分，并且其中金屬結構通過接觸孔向上延伸到該金屬結構與其粘附連接的支撐結構。嚙合結構的另一實施例包括包含主表面的襯底以及鄰接襯底主表面的單晶半導體。嚙合結構進一步包括在襯底主表面內的單晶半導體中形成的凹陷、在襯底主表面上形成的絕緣層以及導體層結構。導體層結構包括在絕緣層上形成并且通過絕緣層的孔延伸到凹陷中的金屬層以及在凹陷底部的多晶硅，其中該多晶硅鄰接金屬層。半導體器件的另一個實施例包括襯底、在襯底中形成的有源區域、在襯底表面上形成的絕緣層以及在絕緣層上形成且接觸有源區域的金屬層，其中凹陷形成于襯底中并且填充有多晶硅，并且其中金屬層延伸通過絕緣層中的孔并且粘附到多晶硅。


下面，將參照附圖更詳細地解釋本發明的實施例，其中:
圖1A和圖1B圖解說明了術語“拓撲邊緣”和“拓撲形成邊緣”；
圖2圖解說明了通過錨固結構的一個實施例的截面；
圖3圖解說明了通過錨固結構的另一實施例的截面；
圖4繪出了通過錨固結構的另一實施例的截面；
圖5A和圖5B示出了嚙合結構的實施例的頂視圖和截面；
圖6圖解說明了芯片的頂視 圖7A和圖7B示出了通過使用接觸孔實例的嚙合結構的實施例的頂視圖和截面；
圖8A和圖8B示出了嚙合結構的實施例的頂視圖和通過該實施例的截面；
圖9示出了嚙合結構的實施例的頂視 圖10示出了嚙合結構的實施例的頂視 圖1lA和圖1lB中的每一幅圖示出了通過圖10中繪出的嚙合結構的實施例的截面； 圖12示出了通過錨固結構的一個實施例的截面；
圖13示出了通過錨固結構的另一實施例的截面；
圖14示出了通過錨固結構的一個實施例的截面；
圖15示出了通過錨固結構的另一實施例的截面；
圖16A和圖16B中的每一幅圖示出了通過包括金屬層的導體層結構的截面；
圖17示出了通過錨固結構的實施例的截面；
圖18示出了依照本發明實施例的用于產生導體層結構的嚙合結構或錨固結構的方法的流程 圖19A-19E示出了在各個制造階段通過包括依照本發明實施例的錨固結構的器件的截面；
圖20A和圖20B示出了在不同的制造階段通過依照本發明實施例的器件的截面；
圖21A和圖21B示出了通過依照本發明實施例的器件的截面；
圖22A-22C示出了在不同的制造階段通過本發明實施例的截面；
圖22D示意性地示出了圖22A中所示的依照本發明實施例的器件的布局的頂視 圖23A示出了通過依照本發明實施例的包括錨固結構的器件的截面；
圖23B示出了圖23A中所示的依照本發明實施例的器件的頂視 圖24示出了依照本發明實施例的另一器件的頂視 圖25示出了依照本發明實施例的錨固結構的頂視 圖26A-26K示出了在若干制造階段針對兩個不同部分的通過圖25中所繪的依照本發明實施例的器件的截面；
圖27示例性地示出了依照實施例的半導體器件的截面 圖28A示例性地示出了依照實施例的半導體器件的頂視 圖28B示例性地示出了依照圖28A的半導體器件的另一頂視圖和相應截面圖；以及 圖28C示例性地示出了當前的半導體器件。
具體實施例方式圖1-28示出了發明的嚙合結構和發明的錨固結構的實施例以及用于圖解說明和解釋對應實施例的附圖。然而，在考察并且結合圖2-28更詳細地解釋錨固結構和嚙合結構的實施例之前，將起初結合圖1A和圖1B更詳細地解釋表述“拓撲邊緣”和“拓撲形成邊緣”以及本發明上下文中使用的表示。圖1A繪出了通過層結構100的截面，而圖1B表示該器件的對應頂視圖。在這里，圖1A示出了沿著圖1A中的箭頭110所示的線A-A’通過器件的截面。繪出對應器件或者對應層結構100的頂視圖的圖1B也表示了箭頭110，該箭頭表示圖1A中所繪截面的方向。圖1A中所繪層結構100被施加到襯底120上并且包括直接沉積或者直接位于襯底120上的第一層130。以保形的方式沉積在第一層130上的第二層140位于第一層130上。再一次地，第二層140具有施加于其上的第三層150，與下面的層130、140不同的是，第三層150包括平坦化表面。在圖1A中所繪截面的中心的區域中，第一層130包括凹陷160，使得第一層130在該區域中被中斷。結果，形成兩個拓撲形成邊緣170-1和170-2，其也在圖1B中襯底120上的層結構100的空間布置的區域中繪出。如上面所解釋的，在圖1A和圖1B中所示的結構中，第二層140以保形的方式沉積在第一層130上，使得在技術事實的情景中，關于層結構100的表面區域，除了拓撲形成邊緣170的直接周邊中的區域之外，第二層140的厚度基本上是恒定的。這意味著第一層130中的凹陷160也導致第二層140中的凹陷180，兩個拓撲形成邊緣170-1、170-2導致第二層140中的兩個拓撲邊緣190-1和190-2。對于在圖1A和圖1B中所示的層結構100的情況下在第二層140之后施加的第三層150而言，由第一層130中的兩個拓撲形成邊緣170-1、170-2造成的拓撲邊緣190-1、190-2因此表示第二層中的這樣的拓撲形成層，所述拓撲邊緣190-1、190-2導致已經圖示的凹陷180。于是，第三層150的材料將進入凹陷180中。第三層的材料可以例如使用薄膜技術的常見的沉積方法和制造方法來填滿。因此，對于可能是例如金屬層的第三層150而言，拓撲邊緣190-1、190-2確實表示影響拓撲的邊緣，其由下面的第一層130中的拓撲形成邊緣170-1、170-2造成。 當然，關于這點應當指出的是，第一層130的兩個拓撲形成邊緣170-1、170-2也表示用于第二層140的拓撲邊緣。上面的描述中的名稱“拓撲形成邊緣”和“拓撲邊緣”參考了第三層150。一般而言，它們因此典型地被理解為涉及特定層。圖1B在未按比例的表示中示出了拓撲邊緣190-1、190-2相對于界定凹陷160的兩個拓撲形成邊緣170-1、170-2的位置。圖1A和圖1B因此特別地圖解說明了，例如在保形沉積的情況下，拓撲形成邊緣190也可能出現在這樣的層中，這些層在別的情況下在如圖1A針對第二層140的情況所繪的有關區域中未結構化。第二層140的拓撲邊緣190是第二層的保形沉積和在下面的第一層130中已經存在的拓撲形成邊緣170的結果。另一方面，如果如圖1A中針對第三層150的情況所繪出的，對應層的表面被平坦化，那么下面的拓撲形成邊緣將不再充當上覆層的拓撲形成邊緣或者拓撲邊緣。在圖1A中所示的層結構100的情況下，這例如意味著對于將沉積到具有其平坦化表面的第三層150上的層而言，兩個拓撲邊緣190-1、190-2將不再充當拓撲形成邊緣，因為由于第三層150的平坦化，它們的可能由于保形沉積或者任何其他保持拓撲的沉積而可能存在的結構將被平坦化或者被平整。在可能例如用于產生圖1A和圖1B中所示的層結構100的結構化的情景中，不僅僅是半導體和薄膜技術的標準方法值得考慮。因此，層130、140、150可以例如借助于熱蒸發、電子束蒸發，通過濺射工藝或者其他物理和/或化學沉積方法創建。此外，當可能需要時，存在也借助于旋涂來制造各結構的可能性。取決于使用的材料和/或采用的工藝技術，可以以保形或保持拓撲的方式或者以非保形或非保持拓撲的方式實現各層。此外，當然混合形式也是可能的，其導致現有結構的部分平整。這可以例如通過使用的要沉積的材料的量，即通過設想的層厚度來影響。對于結構化，可以采用常見的薄膜或半導體方法，其包括例如光刻結構化和對應的濕化學、物理或反應性蝕刻方法。實例因此是將充分結構化和顯影的樣本浸入酸、堿或者任何其他反應性化學品中。同樣地，也可以使用物理蝕刻工藝(例如離子束蝕刻IBE)或者化學上支持的物理蝕刻工藝(例如反應性離子蝕刻RIE)。再者，適當的回蝕步驟或者拋光工藝或研磨工藝也可以用于將層平坦化。一個實例是化學機械拋光CMP。如上面已經提到的，第三層150可以是例如金屬層。典型地，將金、銀、招、銅、鶴、鉻、鈦、鉬或者鈀用于這樣的金屬層。其他兩個層130、140可以例如是由氧化物或氮化物制成的絕緣層，或者可以是(摻雜)半導體層，例如由多晶硅制成的層。在更詳細地描述和解釋本發明的第一實施例之前，應當指出的是，在本申請的上下文中，含有相同或相似的功能和/或結構特征的物體、結構和部件由相同的附圖標記指明。除非另有非明確說明，在這種情況下，說明書的涉及含有相似或相同功能屬性和特征的物體、結構和部件的段落可以互換。此外，在本申請的進一步的過程中，總括性附圖標記將用于在一個實施例中以相同或相似的方式出現或者在超過一幅圖中的結構中出現的物體、結構和部件。例如，在上面描述的層結構100中，總括性附圖標記170已經用于兩個拓撲形成部件170-1和170-2。同樣地，總括性附圖標記190已經用于兩個拓撲邊緣190-1、190-2。使用總括性附圖標記因此允許實現對本發明實施例的更為緊湊、流暢且更為清晰的描述。圖2示出了錨固結構200的第一實施例，其包括咬合或者伸入具有至少一個懸伸側壁的錨固凹陷結構220的金屬結構210。錨固凹陷結構220可以例如以襯底材料(即例如硅或者任何其他半導體襯底)制造，但是也可以在層中或者以二者的組合生成。取決于用于要在其中創建錨固凹陷結構220的層或者結構或者襯底的材料，可以使用不同的制造方法，這將在下文中檢查。用于各層的可能的材料是半導體層，即外延硅層或者多態硅層(poly-Si或多晶硅)、絕緣層(氧化物層、氮化物層)或者其他(例如有機)層(聚酰亞胺層、聚酰胺層、PMMA層等等)。除了懸伸側壁230之外，圖2中所示的錨固結構200包括以基本上垂直的方式延伸且與側壁230相對地定位的側壁240。自然，在錨固結構200的另一實施例中，側壁240可選地也可以換成懸伸側壁230’。然而，不管錨固凹陷結構220是包括一個還是幾個懸伸側壁230，這些側壁230錨固設置在錨固凹陷結構220內的金屬結構210，使得所述金屬結構210在影響有關器件的企圖中幾乎不能或者根本不能被抬離和/或移動。換言之，金屬結構至少部分地設置在具有其至少一個懸伸側壁230的錨固凹陷結構中的事實導致金屬結構210作為整體在真正意義上與在其內創建錨固凹陷結構220的周邊結構錨固。負荷引起的或者應力引起的可能導致金屬結構210的移動的傾向因此以受控的方式被抑制，使得例如在TC循環(TC=溫度循環)情景中出現的質量損害傾向以受控的方式被抵消。因此，通過實現錨固結構200的實施例，可以在不必采取附加的昂貴措施的情況下顯著地提高器件的操作安全性。這樣的錨固結構200的實施例因此允許實現一種在器件的可靠性方面提高操作安全性的低成本可能性(這通常易于實現)。換句話說，錨固結構200的實施例的引入可以允許以大體成本中性的方式實現金屬區帶210或者金屬結構210的TC行為的顯著改進。無論如何，例如可以采用這樣的錨固結構200的實施例用于已經在工藝流程中使用溝槽的技術。如果所處理的是例如包括具有對應溝槽的單元場的垂直晶體管，那么可以例如在其中創建單元場溝槽的相同工藝步驟期間在要錨固的金屬結構210之下創建一個或幾個非常寬的溝槽。這些溝槽或者凹陷因此也稱為錨固溝槽或者錨固凹陷結構220。可以以極其成本高效的方式實現適當的措施，因為為此目的所需要做的是基本上僅僅適配完成的器件在金屬結構210之下的布局。更特別地，有可能將這樣的溝槽引入對應金屬結構210之下的布局中，該溝槽要用作錨固凹陷結構220并且具有與對應技術匹配的溝槽寬度。如果所處理的是例如垂直高功率晶體管，那么除了錨固凹陷結構的深度之外，也有可能根據設想的電壓等級來確定對應錨固溝槽或者錨固凹陷結構220的寬度，所述深度通過單元場中設想的溝槽深度以最簡單的方式確定。換言之，除了例如在最簡單的實例中由垂直晶體管或者其器件的實際單元場中的溝槽深度引起的目標深度之外，錨固凹陷結構220的精確幾何結構可以附加地借助于在對應器件的布局中制定的錨固凹陷結構220的寬度(溝槽寬度)來修改。對于在此情景下經常使用且近似5Mm厚的用于作為金屬結構210的功率金屬化的層厚度而言，錨固結構200的溝槽的設想的深度因此范圍在近似3Mm與7Mm之間。當然，也存在在單獨的工藝步驟中實現或者制造錨固凹陷結構220的可能性。如本討論已經所示出的，涉及工藝工程的潛在細節高度依賴于其中要實現或集成用于錨固結構200的實施例的制造方法的工藝。因此，在解釋創建對應懸伸側壁230或者錨固凹陷結構220的另外的可能性之前，將針對作為用于接觸場效應晶體管的柵電極的金屬結構的所謂的柵極流道的情況，參照圖3和圖4解釋錨固結構200的兩個另外的實施例。圖3示出了通過包括多個溝槽的垂直場效應晶體管的錨固結構200情況的實施例的截面，其中第一溝槽250在圖3的左手部分中示出。在這里，垂直場效應晶體管形式的器件在隨后具有向其施加的外延硅區帶260的單晶硅襯底的基礎上制造，溝槽250被結構化到所述外延硅區帶260中。在這里，外延硅區帶表示用于實際器件以及錨固結構200的實施例的支撐層結構。溝槽250內襯有絕緣層270，下面的多晶硅(poly-Si)電極280沉積到該絕緣層中。也可以由多晶硅制成并且通過薄絕緣層300與下面的電極280電絕緣的上面的電極290在溝槽250內設置在下面的電極280之上。關于這點，在第一溝槽250的左手區域中的上面的電極290的水平處的絕緣層270被實施為比在第一溝槽250的下面的底部區域中更薄。由于絕緣層270的這種逐漸變細，溝槽之間的該區域中形成的導電溝道的特有屬性可以經由上面的電極290借助于相對低的控制電壓或者柵極電壓而被影響，所述上面的電極是垂直晶體管的柵電極。由于上面的電極290因此也充當柵電極，因而它在圖3中也由字母“G”指明。相比較而言，利用圖3中所示的垂直晶體管的設計，源極電位被施加到下面的電極280，這就是下面的電極280在圖3中由“S”指明的原因。下面的電極280也稱為場板，因為它影響溝槽之間的區域中的靜電場。除了表示對應器件的單元場的邊沿的第一溝槽250之外，圖3中所示的錨固結構200的實施例還包括錨固溝槽310或者溝槽310，該溝槽也設置在單晶硅襯底之上的外延區帶260中。正如第一溝槽250那樣，錨固溝槽310也內襯有絕緣層270，該絕緣層將上覆層與外延區帶260電絕緣。此外，出于完整性的原因，應當提到的是，絕緣層270也在錨固溝槽310與第一溝槽250之間的區域中以及在錨固溝槽310背離第一溝槽250的那一側延伸，并且也確保了上覆層與外延區帶260的電絕緣。在錨固溝槽310內，饋送結構320設置在絕緣層270之上，該饋送結構320在錨固溝槽310底部上延伸跨越其側壁進入錨固溝槽310之外的區域中。饋送結構320典型地也由多晶硅制成并且在溝槽中(也在第一溝槽250中)經由延伸到圖3中所示的截平面之外的結構接觸上面的電極290。為了標記這點，饋送結構320在圖3中也由字母“G”標識并且經常也稱為“poly-G”或者“多晶硅柵極”。換言之，多晶硅柵極320在也包括第一溝槽250的溝槽中經由大多數時間由多晶硅制造且通過器件延伸到圖3中所示的截平面之外的結構接觸上面的電極290。在錨固溝槽310內并且在其側壁處，poly-G 320由在圖3中也稱為“INT 0X”的中間氧化物330覆蓋。基于圖3中所示的截面，中間氧化物330附加地也在poly-G 320未在其內延伸的區域內延伸。因此，除別的情況以外，中間氧化物330也覆蓋位于第一溝槽250中的用作柵電極的上面的電極290。在錨固溝槽310的底部的區域中，中間氧化物330包括接觸孔340，poly_G 320經由該接觸孔直接與錨固結構200的實施例的金屬結構210導電接觸。如上面已經提到的，金屬結構210在這里是所謂的柵極流道結構的一部分，該柵極流道結構沿著芯片的外部區域延中伸并且用來接觸饋送結構或者Poly-G 320。柵極流道的精確路線將在圖6的情景中更詳細地進行解釋。在這里，錨固結構200的實施例的金屬結構210設置在錨固溝槽310內部。在這種情況下，錨固凹陷結構220由中間氧化物層330中的凹陷形成。因此，在圖3所示的實施例中，由中間氧化物330形成的錨固凹陷結構220的側壁230具有在圖3中也由假想線350圖示的懸伸輪廓。此外，圖3中所示的拓撲導致金屬結構210的稍微下垂的表面，其附加地支持錨固結構200的實施例的錨固效果。在圖3所示的錨固結構200的實施例中，金屬線210被形成為在由箭頭360標記且標記外延區帶260的開始的硅表面(Si表面)之下具有顯著的體積分數。換言之，作為要錨固的截面形狀的一種可能的實現方式，在圖3所示的實施例中，導體線210的金屬體積的顯著部分下降到溝槽結構或者錨固溝槽310中，并且造成預期的錨固。金屬線210因此不能被抬離(抬升金屬線)，并且由于在溝槽310之上的區域內所得到的在其上面的邊緣處的金屬結構210的下垂形狀的原因，橫向作用的移動力只有部分的移動效果。在一定程度上，它們甚至使得金屬線210甚至更深地被按壓到溝槽310中。金屬結構210的錨形狀的形成的特征在于以下事實:中間氧化物330在錨固溝槽側壁處形成，從而得到錨固凹陷結構的懸伸側壁230。不同于位于硅表面之上或者也稱為第一氧化物的絕緣層270之上的金屬線或金屬結構(其結果是，它們具有用于由TC應力引起的應力或負荷的大的橫向攻擊區域，使得在這種情況下存在非常高的移動或者抬離金屬結構(移動/抬升金屬線)的風險)，該風險可以通過使用錨固結構200的實施例而顯著地降低。因此，對應錨固結構200的實施例具有比這樣的基本上位于硅表面之上的金屬線顯著更高的耐TC負荷性。在結合圖4解釋錨固結構200的另一實施例之前，值得注意的是，由箭頭360標記的表面或硅表面經常也稱為硅與第一氧化物270之間的界面。此外，根據所考慮的器件的區域，絕緣層270也稱為第一氧化物和/或柵極氧化物。第一溝槽250中以及圖3中未示出的另外的溝槽中的下面的電極280也稱為溝槽中的多晶硅或poly-S，或者稱為源極場板。如上面所解釋的，溝槽250中的被定位成更靠近器件表面的那個多晶硅290形成柵電極。依照本發明實施例的用于半導體器件的金屬結構210的錨固結構200包括包含至少一個懸伸側壁230的錨固凹陷結構220，金屬結構210至少部分地設置在錨固凹陷結構220內。在這樣的錨固結構200中，金屬結構210可以以這樣的方式至少部分地設置在錨固結構220內，使得顯著體積分數的金屬結構210下降到錨固凹陷結構220中并且金屬結構210將錨固凹陷結構220填滿到襯底表面。在另外的錨固結構200中，錨固凹陷結構220可以作為絕緣層330的一部分設置在支撐層結構320上，并且金屬結構210可以至少部分地在錨固凹陷結構220的懸伸側壁之下的支撐層結構320上的區域中延伸。利用這樣的錨固結構200，至少20%的體積分數的金屬結構210可以設置在錨固凹陷結構220內。
在錨固結構200的實施例中，金屬結構210可以包括至少部分地處于暴露的主表面。在這里，錨固凹陷結構220可以是一種錨固溝槽結構。對于錨固凹陷結構220，錨固溝槽結構可以包括關于支撐層結構260的主表面的溝槽，該支撐層結構具有設置于其中的所述溝槽，該溝槽至少在面向主表面360的該側壁部分中由氧化物層330覆蓋，使得氧化物層330的厚度隨著溝槽內的深度增加而減小，從而設置在溝槽側壁上的氧化物層330形成錨固溝槽結構220的懸伸側壁230。對于一種錨固結構200，導電接觸結構層320可以附加地在溝槽內設置在氧化物層330與溝槽之間，該氧化物層330在面向溝槽底部區域的一側包括凹陷340，使得金屬結構210與接觸結構320直接接觸。所述器件可以在支撐層結構260中包括另一溝槽250，所述溝槽具有一定寬度，錨固溝槽結構220的最大寬度包括所述另一溝槽250的寬度的至少三倍。圖4示出了錨固結構200的另一實施例，其僅在實際錨固結構方面以及關于晶體管結構與圖3所示的總體結構稍微不同。出于這個原因，就各結構、部件和物體的描述而言，應當參照關于圖3的描述。更特別地，圖4中所示的錨固結構200的實施例與圖3中所示的實施例基本上僅在錨固溝槽310的寬度以及金屬結構210的層厚度方面不同。例如，柵極流道結構的金屬結構210或者金屬線210僅僅稍微伸出器件的由箭頭360標記的硅表面之外。結果，圖4中所示的錨固結構200的實施例導致金屬線210被定位成使得其最大的體積分數處于娃表面之下。由于在該實施例中，金屬線210被放置成幾乎完全在娃表面之下，因而金屬結構210與圖3中所示的金屬結構210的不同之處還在于，前者不包括如在金屬結構210的情況下由圖3所示的具有下垂表面的明顯不同的錨形狀。與由也在錨固結構200的該實施例中的中間氧化物230形成的懸伸側壁230 —起，在TC負荷或者任何其他依賴于操作或依賴于測試的負荷的情景下發生的力不再能夠橫向作用于金屬線210。此外，也由于與圖3中所示的實施例相比向下放置得更低的金屬線210與橫向懸伸側壁230相結合的原因，傾向于能夠抬離金屬線210的力不再能夠將金屬線從其基本位置移動。因此，在圖4的截面草圖中繪出的截面形狀作為組合表示錨固凹陷結構220的懸伸側壁的形狀以及金屬結構的布置，所述懸伸側壁的形狀導致金屬結構210的錨狀截面，所述布置幾乎完全處于由箭頭360指示的表面或硅表面下方。如上面在用于制造相應錨固結構的實施例的潛在工藝集成的情景下，例如在圖3和圖4中所示的錨固結構200的實施例中已經解釋的，錨固溝槽310可以以與單元場的實際溝槽相同的工藝步驟創建，所述實際溝槽除別的以外還包括第一溝槽250。在這種情況下，錨固溝槽310的目標深度大致與另外的溝槽(除別的以外，還有溝槽250)的深度相應。然而，如上面所提到的并且如圖3和圖4中所示的兩個實施例所清楚地圖解說明的，存在關于實際的單元溝槽以及關于錨固溝槽310的不同實現方式將錨固溝槽310設計成具有不同寬度的可能性。例如，圖3中所示的實施例繪出了這樣的錨固溝槽310，其確實比單元場溝槽(例如溝槽250)寬得多，但是與圖4的錨固溝槽310相比明顯更窄。由于已經在工藝集成的情景下與錨固溝槽310 —起制備了單元場的溝槽，其深度根據使用的電壓等級典型地范圍介于3Mm與7Mm之間，因而在另外的工藝流程中，可以利用氧化物和多晶硅電極來填充單元場溝槽，這例如導致下面的電極280和上面的電極290。作為與圖3和圖4中所繪的錨固結構的實施例的偏離，錨固溝槽310是否也要填充有所有場板280、290、或者是否僅僅引入饋送結構320形式的對應相關多晶硅的問題，可以經由有關多晶硅結構的布局以成本中性的方式單獨地解決。對于圖3和圖4中考慮的作為柵極流道結構的實施例，如上面所解釋的，可能明智的是在錨固溝槽310的區域內實現相對厚的第一氧化物以便使得經由絕緣層270或者第一氧化物270下降的柵極/漏極電壓在更大的距離上下降，從而最終實現改進的柵極/漏極介電強度。與所述多個垂直晶體管一樣，漏極電位被施加到器件的背面，這可能與高電壓器件的情況下的柵極電壓和源極電壓截然不同。取決于選擇的電壓等級，IOV和以下的范圍內的電壓可能存在于柵極電壓與源極電壓之間，而數10V-100V的電壓可能存在于器件背面的漏極端子與用于柵極電位和源極電位的端子之間。此外，在圖3和圖4中考慮的柵極流道結構的情況下，也可能明智的是不僅在錨固溝槽310中使用相對厚的第一氧化物，而且進一步也在錨固溝槽310中實現柵極多晶硅或者多晶硅柵極320以便一方面確保柵極/漏極介電強度并且另一方面創建單元場的溝槽(單元場溝槽)中的柵極多晶硅290與金屬柵極流道210之間的接觸。在圖3和圖4所示的實施例中，在因此導致中間氧化物330的中間氧化物形成的工藝步驟的情景中，具有其至少一個懸伸側壁230的特有錨固結構或者錨固凹陷結構220于是被創建。在制造步驟的情景中，中間氧化物330被創建為在錨固溝槽側壁處具有側壁230的輕微至中等的懸伸。這可以例如在TEOS沉積(用于沉積二氧化硅Si02的原硅酸四乙酯)的情景中實現。可替換地或者此外，這也可以在根據材料加熱到特定閾值溫度之上(典型地范圍在700°C至1200°C之間)的同時回流BPSG (硼磷硅酸鹽玻璃)的工藝步驟的情景中實現。基本上，也有可能在組合的情景中使用兩種材料的堆疊的情景中采用相應的中間氧化物形成。可替換地或者此外，該懸伸也可以通過到中間氧化物330中的傾斜損害注入而實現，所述注入根據使用的蝕刻劑(例如氫氟酸(HF ;HF蝕刻))以及可能另外的與工藝有關的參數而導致后續蝕刻步驟的蝕刻速率可能提高或降低。可替換地或者此外，這樣的懸伸也可以通過到蝕刻的硅結構的側壁中的(損害)注入以及后續的(熱)氧化步驟而實現。取決于工藝的特定配置，例如，熱氧化的氧化速率可以根據(損害)注入劑量通過相應的(損害)注入而改變，所述注入劑量反過來可以導致相應的懸伸側壁或者側翼。隨后，借助于標準的接觸孔生產，中間氧化物330可以在錨固溝槽接合的子范圍內被開口為接觸孔340，以便接觸柵極多晶硅320。一次或多次接著發生的金屬化于是能夠完全密封錨固溝槽310，使得在溝槽底部區域中比在上面的溝槽區域中更寬的金屬錨作為金屬結構210而被創建。在密封的情景中，潛在袋狀物(即腔體或者泡狀物)的形成可以基本上經由后續的金屬化步驟而發生，然而，所述腔體經常在金屬化頂部完全密封的情況下沒有顯著的作用，這就是它們可以被忽略的原因。自然，這種方法可以不僅用來經由柵極多晶硅320接觸用于柵電極290的饋送結構320，而且當然基本上也可以用于接觸其他的饋送結構，諸如源極多晶硅。取決于總體工藝的特定實現方式，后續的金屬結構化可以被設計成使得圖3中所繪的情形出現，其中金屬結構210的金屬側翼位于錨固溝槽310之上和之外。如圖4所示的錨固結構200的實施例所示出的，金屬化或者金屬化的結構化可以可替換地被實現為使得金屬側翼位于錨固溝槽310內的錨固溝槽側壁的區域中。因此，在圖4所繪的情況下，出現這樣的情形，其中金屬線210完全“下降”到錨固溝槽中并且因此不再暴露于橫向TC應力。因此，本發明的實施例允許通過引入可以以大體成本中性的方式實現的所謂的錨固結構而實現金屬區帶的TC性能領域的顯著改進。基本上，可以對于所有器件均勻地應用用于金屬區帶的錨固結構的實施例。自然，如果在用于制造這些器件的工藝的情景中已經集成了相應的溝槽或溝槽結構或者其他凹陷，那么這可以以特別成本中性的方式實現。因此，尤其是在溝槽晶體管的情況下，可以以非常有利的方式實現相應錨固結構的實施例。通常，錨固溝槽310的布局或者——取決于特定實現方式——錨固凹陷結構220的形狀，即至少部分地接納金屬線210的寬溝槽的形狀，可以呈現任何形式。例如，它可以僅僅部分地形成于金屬線210之下，或者它可以完全沿著整個金屬線而存在。此外，它也可以在邊沿處包括嚙合結構以便附加地耐受縱向力，如在本申請的進一步的過程中更詳細地解釋的。其中可以錨固金屬線210或者金屬線210可以下降到其中的錨固凹陷結構220或者錨固溝槽310 (溝槽結構)的寬度可以根據需要進行選擇并且可以以最佳的方式適配于對應技術或者對應后續工藝流程。一般而言，在此情景中不出現(顯著的)附加成本，因為無論如何所述結構可以通過對于有關器件已經存在的工藝技術來實現。例如在溝槽晶體管的情況下，相應的結構無論如何可以使用已經存在的溝槽照片技術和溝槽蝕刻技術來制造。在這種情況下，金屬結構210的錨固由對應技術的其余工藝流程引起。此外，各金屬結構210可以不僅在金屬線之下形成，諸如在柵極流道結構之下形成，而且基本上也可能的是使用發明的錨固結構200的實施例來錨固任何類型的金屬化，即例如用于接合(接合焊盤)或者用于其他目的的金屬焊盤。因此，基本上可能的是在每個金屬化(諸如金屬焊盤或者接合焊盤)的下方提供相應的錨固凹陷結構220作為相應的金屬結構210，使得金屬結構210具有對于例如TC引起的負荷的顯著改進的耐受性。各錨固結構的實施例因此包括對應錨固結構，其中例如要錨固的金屬結構210的超過20%的金屬體積下降到硅表面下方或者第一氧化物270下方。因此，此外，錨固溝槽310中的中間氧化物320可以形成例如懸伸。取決于特定的實現方式，錨固溝槽310或者錨固凹陷結構220可以是例如在圖3和圖4中示為第一溝槽250的對應單元場溝槽的三倍寬。如先前所解釋的，在許多制造工藝中，錨固溝槽310可以有利地在與相應單元場溝槽相同的工藝步驟中制造。因此，可以例如在打開外殼之后以及可能地在金屬的相應抬離之后借助于顯微圖像或者可能地借助于SEM切片(SEM=掃描電子顯微鏡)獲得如圖3和圖4中示意性地表示的截面。如圖2-4中部分地示出的，金屬層210可以在由箭頭360標記的主表面上方延伸，并且可以保持在主表面之下。取決于特定的實現方式，可以在其寬度方面完全地或者僅僅部分地至少在設置在由箭頭360標記的表面之下的金屬層210的那個部分中填充凹陷220。術語所謂的術語“橫向”是指涉及與凹陷220的延伸方向垂直并且與上面提到的表面平行的方向。金屬層210可以在其整個高度或深度上填充凹陷220或者可以不填充凹陷220。相反地，對應凹陷220的高度的特定比例被金屬層210填充就足夠了，即近似超過20%、超過30%、超過50%或者超過75%。取決于特定的實現方式，對應金屬層210也可以在特定的最小程度上填滿凹陷220的一定截面面積。例如，金屬層220可以以20%或更多、30%或更多、50%或更多或者75%或更多填充垂直于凹陷220的延伸方向的凹陷220的截面面積。然而，也存在對應金屬層完全地或者以提到的任何程度地填塞(Iine)對應溝槽或者對應凹陷的可能性。如也由圖3和圖4所示出的，可以例如在溝槽310或者錨固溝槽310的基礎上實現凹陷220。除了凹陷220或者關聯的錨固溝槽310之外，各器件經常包括另外的溝槽結構。這方面的一個實例是圖3和圖4中所示的第一溝槽250。在本發明的實施例中，凹陷220經常包括垂直于對應凹陷220的延伸方向的寬度，其至少具有另一個溝槽結構的寬度的二倍、三倍、五倍或者更多倍。該其他的溝槽結構可以是單元場溝槽，諸如例如第一溝槽250。在這點上，應當指出的是，上面做出的陳述可以不僅適用于上面描述的凹陷220以及下降到該凹陷中的金屬結構210，而且適用于本發明的眾多另外的實施例，如將要在進一步的描述過程中所討論的。此外，在這點上還有用的是指出，錨固凹陷、錨固凹陷結構或者任何其它凹陷經常基于襯底、襯底材料、層或者其他器件結構內的溝槽結構或者凹陷結構。然而，它們與下面的溝槽結構的不同之處在于，凹陷可能考慮了受附加層(例如絕緣層、半導體層、金屬結構和接觸孔)影響的幾何結構。因此，在本發明的上下文中，不同于下面的溝槽，在許多情況下要將凹陷看作要在其中設置對應層的那個自由空間。因此，盡管術語“溝槽”在許多情況下指明已經通過蝕刻工藝或者任何其他結構化措施制備的襯底或膜內的結構，但是在本說明書的上下文中的術語“凹陷”在許多情況下指明由邊緣和結構限定的區域。圖5示出了用于襯底上的器件的嚙合結構的實施例。在這里，圖5A繪出了嚙合結構400的對應實施例的頂視圖，而圖5B表示通過圖5A中所示的實施例的示意性截面。在圖5B中的截面中表示的襯底410具有向其施加的結構化器件層420，該結構化器件層可以是例如絕緣體層、半導體層或者任何其他層。在圖5A和圖5B中所繪的實施例中，結構化器件層420為L形層，其伸出襯底410的主表面之外并且因此形成用于至少部分地覆蓋結構化器件層420的層的拓撲邊緣430。在圖5A和圖5B中所示的實施例中，結構化器件層420特別地由金屬結構440覆蓋，使得結構化器件層430上的金屬結構440至少跨越結構化器件層420的拓撲邊緣430的部分延伸。如在圖1的情景中已經解釋的，圖5B示出了沿著圖5A和圖5B中的箭頭450所示的方向通過器件的截面。因此，圖5B示出了沿著圖5A中示意性表示的方向A-A’的截面。由于圖5A和圖5B中所示的實施例的結構的原因，結構化器件層420的拓撲邊緣430關于也稱為金屬層440的金屬結構440表示由結合圖1的解釋所限定的拓撲邊緣。如果金屬結構440在其上方延伸的該拓撲邊緣430投影到可以被定位成例如平行于襯底的主表面的平面內，那么拓撲邊緣430在該平面內將形成至少一根連續線，其由于圖5A中的表示的性質而與線430相應。關于這點，有用的是指出，在本申請的上下文中，線并不限于直線。相反地，線可以包括角、邊、彎曲或者其他偏離直線的形狀。圖5A因此精確地繪出了到與襯底的主表面平行的平面內的相應投影，其作為連續線430示出了結構化器件層420的拓撲邊緣430。線430是這樣連續的，從而它界定不是凸的(或者正面地說非凸)或者凹的區帶460。關于這點，凸區帶或者區域應當被理解為也像在數學中那樣表示這樣的數量的點，使得對于該區域或區帶的任何兩個點而言，確實這兩個點之間的直接筆直連接線的任何點可以屬于該區帶或區域。換言之，如果區帶460表示非凸區帶或區域，因為由于L形結構的原因，那么例如關于圖5A中的“X”標記的兩個點470-1,470-2,限定的筆直連接線480在L形結構的“彎曲”的區域中延伸到區帶460之外。因此，不是凸的區域、區帶和量應當稱為非凸區帶、區域和量。用于非凸區帶、量和區域的另一個名稱是凹區帶、量和區域的名稱。此外，區帶460或者在圖5A中所示的實施例中的整個結構化器件層420可以完全包含在具有小于或等于50Mm、20Mm或IOMm的直徑的最小圓490內。因此，結構化器件層420具有50Mm、20Mm或IOMm的最大直徑。在圖5A和圖5B所示的嚙合結構的實施例中，由連續線430界定的區帶460包括處于大約200nm (0.2Mm)至大約2000nm (2Mm)范圍內的典型結構寬度。術語結構寬度通常涉及與結構在對應點中延伸的方向垂直地延伸的襯底410平面內的方向。在數學意義上，結構寬度例如指明在結構的邊沿的一個點處關于與邊沿垂直的方向的結構寬度。通常，結構寬度可使用諸如圖5B中所示的截面之類的截面而特別容易地確定。用于襯底上的器件的嚙合結構400的圖5A和圖5B中所示的實施例現在正好使得金屬結構440能夠嚙合結構化器件層的拓撲邊緣430，使得例如在TC應力的情景中發生的橫向作用于金屬結構上的力不能或者不能容易地在襯底的主表面上橫向移動該金屬結構。換言之，金屬結構440或者金屬線440或者金屬區帶440的結構化器件層420的一個或多個拓撲邊緣430提供了經由結構化器件層420及其拓撲邊緣430將橫向作用于相應金屬結構440的力傳遞到襯底410的可能性。因此，如例如圖5A和圖5B中所繪出的嚙合結構的實施例允許在如例如在TC測試的區域中施加到相應金屬線的主要溫度差的情景中實現金屬結構440耐受性方面的改進。如通過另外的實施例的以下解釋將更詳細地說明的，這可以通過簡單的布局措施，例如引入相應地結構化的器件層420而實現。然而，獨立的結構化器件層420可能以受控的方式或者可能不以受控的方式引入，但是已經存在的器件層相反地可以借助于適當的設計措施進一步發展者進一步處理成變為結構化器件層420。盡管在圖5A和圖5B中所示的發明的嚙合結構的實施例中，拓撲邊緣430由伸出到襯底410的主表面之外的結構化器件層420創建，但是將結合圖6以及圖7A和圖7B描述和解釋嚙合結構400的實施例，其中拓撲形成邊緣430由器件層中的凹陷形成，使得該器件層表不結構化器件層420。圖6示意性地示出了當前芯片500或者相應芯片布局的布局視圖。更特別地，芯片500為這樣的芯片，其在圖6未繪出的單元場中包括眾多垂直高功率晶體管結構，這些晶體管結構由于芯片500的設計而并聯連接并且因此充當垂直高功率晶體管。更特別地，圖6示出了相應芯片500的頂視圖，使得位于芯片500背面的電極或者位于芯片500背面的端子未在圖6中示出。該端子通常為有效形成的垂直高功率晶體管的漏極端子。特別地，圖6示出了兩個金屬區帶510、520，其是源極金屬化場510和柵極金屬化場520。這兩個金屬化場510和520因此表示用于芯片500的垂直高功率晶體管結構的相應端子。這兩個金屬化區帶510、520由各金屬之間的距離在空間上分離。盡管源極金屬化區帶510可以用作接合焊盤或者接觸焊盤，但是單單由于其尺寸和下面的拓撲，柵極金屬化區帶520附加地包括作為接合焊盤或者接觸焊盤的所謂的柵極焊盤530，經由該柵極焊盤，可以使用相應的接合線來接觸垂直高功率晶體管結構的柵電極。柵極金屬化區帶520由于其U形配置也稱為柵極流道結構或者柵極流道。典型地，這樣的柵極流道520具有范圍從IOMm至大約500Mm的結構寬度，有可能例如在柵極焊盤530的區域中達到上面的值。在柵極流道的區域中，位于芯片500表面之下的由多晶硅制成的饋送結構在相應接觸孔布局的情景中通過相應的接觸孔以導電的方式與柵極焊盤530接觸。因此，柵極流道520經由相應的接觸孔布局表示到芯片500要連接至的外部電路的柵極接觸。此外，圖6在芯片轉角區域中示出了標記540，在該區域中，典型地在TC測試期間存在最高的負荷。以下的圖示7A和7B表示由標記540標識的區域的相應放大以便闡明細節。圖7A示出了標記540的區域中的芯片500的頂視圖，其中如先前所解釋的，典型地在TC測試的情景中發生最高的負荷。因此，圖7A示出了源極金屬化區帶510的細節和柵極金屬化區帶520 (柵極流道)的細節。再一次地，這兩個金屬區帶通過金屬之間的空間距離而彼此分離，以便防止有關結構之間的電氣短路。而且，圖7A示出了用于嚙合結構400不同實施例的結構化器件層420或者由其產生的拓撲邊緣430的各種發明實施例。更特別地，圖7A示出了嚙合結構的不同實施例的八個不同的拓撲邊緣430-1、…、430-8，其在這里在柵極流道520的區域中實現于垂直晶體管結構的接觸孔平面內。關于所表示的嚙合結構的實施例，重要的是認識到，嚙合結構可以抵抗上覆金屬結構的任何方向上的移動，所述上覆金屬結構在本實施例中基本上是柵極金屬化區帶520的部分。在結合圖7B討論圖7A中所示的沿著方向550的截面(截面A_A’)之前，應當指出的是，基本上任何形狀都可能用作相應的拓撲邊緣430。除別的以外，這些還包括角或多邊形結構430-1、430-3、430-6、430-7和430-8。同樣地，也可以采用十字形拓撲邊緣，如拓撲邊緣430-5所示，其也是多 邊形。此外，圓弧形、蜿蜒狀、螺旋形或者波浪形形狀也是可能的，如例如拓撲邊緣430-2所示。當然，也可以實現上述形狀的混合形式，如例如拓撲邊緣430-4所示，該拓撲邊緣是兩個多邊形結構與半圓形結構的“疊加”。如先前所解釋的，在這里所處理的因此是在用于柵極流道520上的柵極接觸的接觸孔布局的情景中實現的嚙合結構400的實施例。為了進一步圖解說明和解釋這點，圖7B示意性地示出了通過芯片500的截面，該截面沿著方向A-A’延伸并且在圖7A中由方向550標記。在圖7B的表示中，沒有再現襯底410以及可能地第一氧化物層(參見例如圖3和圖4的絕緣層270)的表面之下的結構種類(variety)以便簡化該表示。當然，可以用于器件的功能的相應結構可以在實際的實現方式中存在。因此，圖7B僅僅表不用于芯片500的一種實際實現的沿著方向A-A’的截面的簡化表示。圖7B中所示的通過芯片500的截面的精確架構與圖3和圖4中所示的截面沒有不同，因為在所有這些情況下涉及的器件非常相關。除了襯底410區域中的先前已經討論并且未被示出以便簡化圖7B的表示的另外的層和結構之外，芯片500再一次包括饋送結構320，該饋送結構可以例如由多晶硅制成并且可以用于在芯片500的單元場中接觸垂直晶體管結構的實際柵電極。饋送結構320再一次具有沉積其上的中間氧化物330，圖7A中也被示出的接觸孔340插入中間氧化物中。因此，可以包括例如IOOnm與IOOOnm之間的典型層厚度的中間氧化物330表示已經在圖7A中示出的拓撲邊緣430-7，并且因此在圖7A和圖7B所示的實施例中充當結構化器件層420。于是，中間氧化物330具有表示沉積其上的金屬結構440的柵極金屬化區帶520或者柵極流道520。因此，在圖7A和圖7B繪出的實施例中，也在圖7A中示出的接觸孔340-1至340-8經由其側壁形成用于上覆金屬結構440或者用于柵極流道520的拓撲邊緣430。借助于拓撲邊緣430 (或者圖7B中的拓撲邊緣430-7)，結構化器件層420因此使得上覆金屬結構440能夠經由結構化器件層420將適于移動襯底410表面上的金屬結構440的任何橫向發生的力轉移到襯底410中。因此，特別地，結構化器件層420的拓撲邊緣430使得上覆金屬結構440能夠關于橫向力實現良好的嚙合，從而可以減小顯著地危及芯片500的可靠性的橫向力而不造成圖7B所示的實施例中的柵極流道420的金屬結構440的移動。特別地，使用發明的嚙合結構400的實施例允許在金屬線和/或金屬區帶的TC行為的情景中實現可靠性的顯著提高，這可以通過非常簡單的布局措施以完全成本中性的方式實現。其原因在于，基本上，可以用于完成的器件的功能的結構可以由這樣的定義的幾何結構代替，該定義的幾何結構允許經由結構化器件層420實現襯底410處金屬結構440的這種嚙合。在這里，將表示和解釋兩種類型的嚙合或者嚙合結構的實施例，其一方面在圖5-7中并且另一方面結合圖8-11進行表示和解釋。第一種類型基本上存在于提供一種結構化器件層420，該結構化器件層使得設置在它之上的金屬結構440能夠抵抗在襯底平面內的任何方向上的金屬移動的任何傾向。圖6和圖7中繪出的第一類型的實施例示出了使用接觸孔平面(中間氧化物330)創建結構的可能性，所述結構抵抗與襯底410表面平行的任何方向的任何潛在的金屬移動。在圖6和圖7所示的實施例中，接觸孔平面內的嚙合的形成基本上是“向內指向”的。這意味著柵極流道520或者金屬導體線、金屬表面或者金屬區帶或者金屬結構的內部嚙合。依照本發明實施例的用于襯底410上的器件的嚙合結構400因此包括襯底410上的包含至少一個拓撲邊緣430的結構化器件層420以及結構化器件層420上的金屬結構440，該金屬結構至少在結構化器件層420的拓撲邊緣430的部分上延伸，金屬結構440在其上延伸的拓撲邊緣430在到平面的投影中形成至少一根連續線430。在這里，線430至少界定投影平面內的區域460—區域460是非凸的，以及完全包括區域460的最小圓490的直徑小于或等于50Mm。利用嚙合結構400，可以將導電接觸結構320設置在結構化器件層420與襯底410之間，結構化器件層包括絕緣層330并且結構化器件層420包括絕緣層330內的至少一個接觸孔340，使得金屬結構440與接觸結構320直接接觸，并且使得器件層420內的凹陷340形成拓撲邊緣430。利用這樣的嚙合結構400，區域460或者所述區域的子區域可以是圓弧形、彎曲的、十字形、多邊形、蜿蜒狀或者波浪形。類似地，利用嚙合結構400，金屬結構440可以包括至少部分地處于暴露的主表面。利用嚙合結構400，界定區域460的線430可以包括第一筆直部分和第二筆直部分，第一筆直部分的方向和第二筆直部分的方向彼此形成70°與110°之間的角度。同樣地，利用依照本發明實施例的嚙合結構400，區域460可以包括200nm與2000nm之間的典型結構寬度。利用這樣的嚙合結構400，器件可以包括襯底410與結構化器件層420之間的層320’、680的另外的疊層，層的另外的疊層包括拓撲形成邊緣430，使得金屬結構440至少部分地在基于層的所述另外的疊層的拓撲形成邊緣的拓撲邊緣430上延伸。利用嚙合結構400，層的所述另外的疊層因此可以包括另外的接觸結構320’以及在該另外的接觸結構320’上的絕緣層結構680，接觸結構320至少部分地設置在所述另外的疊層上。結構化器件層420可以包括絕緣層330，該結構化器件層420設置在接觸結構320 上。圖8A和圖8B示出了用于襯底410上的器件的嚙合結構600的實施例。圖8A示出了相應器件的頂視圖，而圖8B示出了沿著也在圖8A中繪出的方向610的示意性截面A-A’。圖8A再一次示出了設置在襯底410上并且包括至少一個拓撲邊緣630的結構化器件層420。在圖8A所繪的實施例中，拓撲邊緣630以鋸齒形方式實現。金屬結構640施加到結構化器件層620上，其至少在拓撲邊緣630的部分上延伸。在圖8A和圖8B所示的嚙合結構600的實施例中，金屬結構640在圖8A所示的整個區域上延伸，這就是金屬結構未在圖8A中繪出以便簡化該圖的原因。如已經結合圖5A和圖5B所示的嚙合結構400的實施例所解釋的，圖8A中繪出的表示同時表示了拓撲邊緣630到與襯底410主表面平行地延伸的平面內的投影。如通過指示連續性的圖8A中的點所指示的，拓撲邊緣630清楚地投影到圖8A中表示的部分之外。在圖8A的平面或者投影平面內，拓撲邊緣630形成連續線，關于這點再次參照上面關于直線與線之間的區別的解釋。如圖8A通過直線650的實例所圖解說明的，現在有可能沿著連續線限定具有19Mm與42Mm之間的長度的直線，使得關于直線650上的第一點660-1和直線650上的第三點660-3,所述線位于直線650的第一側，并且關于直線(650)上的第二點660-2和第四點660-4，它位于與第一側相對的一側。第二點660-2位于第一點660-1與第三點660-3之間，并且第三點660-3位于第二點660-2與第四點660-4之間。在另外的實施例中，可以附加地可能和/或明智的是根據特定實現方式的對應情況限定這樣的直線，其沿著連續線具有19Mm與2lMm之間的長度(長度20Mm+/-5%)、23Mm與27Mm之間的長度(長度25Mm+/-8%)、28Mm與32Mm之間的長度、33Mm與37Mm之間的長度、38Mm與42Mm之間的長度(長度40Mm+/_5%)或者20Mm與40Mm之間的長度(長度30Mm+/_33%),從而可以如上面所描述的限定各點。換言之，可以限定穿過連續線630的直線650，所述連續線在圖8A中選擇的表示中與拓撲邊緣630 —致，使得在第二點和第三點660-1、660-3處，連續線在直線650的一側延伸，而在第二點和第四點660-2和660-4的區域內，連續線630在直線650的另一側延伸。所述四個點660-1至660-4沿著直線650以升序分布。更特別地，與直線650垂直的直線在四個點660-1，，660-4處分別在直線650的一側或者另一側穿過直線650。關于這點應當指出的是，對應直線650是可限定的，但不是可無疑義地限定的，如例如直線650-1和650-2所圖解說明的，這些直線也在圖8A中繪出并且對于這些直線可相應地選擇點660-1至660-4，從而上面做出的陳述也適用于這些點。直線650-1和650-2與直線650的不同之處在于，關于直線650-1,所述直線由于平行移動而從直線650顯露(emerge)。相比之下，直線650-2由于稍微傾斜或者扭動而從直線650顯露。無論如何，先前關于四個點660對于連續線630的路線的主題所做的評論可以從直線650轉移到例如圖8A中繪出的另外兩根直線650-1、650-2。只是出于清楚性原因，屬于另外兩根直線650-1、650-2的點未在圖8A中繪制。由于一方面線630是連續的，即在數學意義上是穩定的，并且另一方面具有包括參照直線650所描述的特征的路線這一事實，這必然導致關于結構化器件層620，連續線630下面的拓撲邊緣630包括這樣的拓撲邊緣630，使得在結構化器件層620上方延伸的金屬結構640再一次可以在襯底410平面內關于兩個相互垂直的空間方向向結構化器件層620施加力。因此,金屬結構640可以反過來借助于結構化器件層620抵抗橫向作用的力，其抵消相對于襯底410表面的金屬結構640的移動。關于這點重要的是指出，即使拓撲邊緣630能夠關于襯底410表面抵消與兩個相互垂直的空間方向有關的力分量,它們實際上也不一定需要相對于彼此形成90°的角度。相反地，拓撲邊緣630包括這樣的部分就已經足夠了，這些部分在襯底410平面內延伸并且基本上不平行地延伸，或者以更數學的術語，這些部分不以共線的方式延伸。由于上面結合直線650的特征關于連續線630的解釋，這種情況導致作用于金屬結構640的相應力可以經由結構化器件層620消散到襯底410。圖9示出了拓撲邊緣630在襯底上的可與圖8A相比較的表示,所述拓撲邊緣630由結構化器件層620形成。然而，圖9中所示的拓撲邊緣630與圖8A中所示的拓撲邊緣630的不同之處在于，前者具有更復雜得多的路線并且不是由一連串基本上彼此垂直的部分給定。因此，圖9的拓撲邊緣630示出了相對于彼此形成最大變化角度的矩形和圓滑(rounded-off )部分。此外，與圖8A中選擇的表示相比，圖9示出了拓撲邊緣630的明顯更長的片段。如先前所解釋的，拓撲邊緣630也與連續線630相應，其在拓撲邊緣被映射到或者被投影到例如與襯底表面平行地延伸的相應平面上的情況下基于拓撲邊緣而得到。圖9中表示的拓撲邊緣或者連續線630在投影之后包括比上面結合直線650討論的19μπι至42Mm的長度或者比結合另外的實施例討論的直線的長度大得多的長度。出于這個原因，有可能通過包括多根對應直線650-1、650-2、650-3的多邊形逼近連續線630。這些直線650中的每一根包括范圍在19Mm與42Mm之間或者處于所討論的另外的長度的范圍內的長度。由于直線650限定對應的多邊形，兩根相鄰直線650的終點和起點重合，如在圖9中例如由箭頭標記的直線650-1的終點以及垂直筆劃標記的直線650-2的起點所示。自然，在非閉合多邊形的情況下，這不適用于第一直線650和最后的直線650。通過圖9中的直線650-1的實例，再次繪出四個點660-1至660_4，關于這四個點，連續線630具有上面已經解釋的路線。因此，關于第一點660-1和第三點660-3，連續線630在直線650-1的一側延伸，而關于第二點660-2和第四點660-4，連續線630在直線650的與第一側相對的那側延伸。再一次地，在直線650-1上,第二點660-2設置在第一點660-1和第三點660-3之間，并且第三點660-3設置在第二點660-2和第四點660-4之間。如先前所討論的，每根直線650具有范圍從19Mm至42Mm的長度。如上面所解釋的，每根直線650可替換地可以具有所述其他長度中的任何長度，即例如范圍從19ΜΠ1至2lMm的長度，這與直線650的20Mm +/- 5%的長度相應。具有直線650的這種多邊形的路線可以被限定，例如因為連續線630離對應直線650的距離的平方相對于直線650長度的相應最小化被確定。可替換地或者此外，這樣的直線650的精確路線也可以被確定，因為當考慮所述距離的符號時，根據連續線630在直線650的兩側中的哪一側延伸，距離之和消失或者被置為零。當然，其他最小化方法或者優化方法也可以用于確定多邊形的路線或者用于確定直線650的路線。如果所處理的是例如界定(即完全封閉)投影平面內的區帶的連續線630，那么作為用于各直線650的路線的準則，在考慮各直線段650的預先定義的和上面提到的長度時，有可能借助于多邊形逼近由連續線630封閉的區帶的表面面積。被選擇用于特定優化的一個終止準則或者目標準則可以是，得到的多邊形的表面面積范圍介于由連續線630封閉的區帶的表面面積的90%與110%之間或者95%與105%之間。基本上，在上面描述的實施例的情景中，也可以允許直線650的偏離長度。例如，有可能限定各直線650包括9Mm與IlMm之間的長度，即其與直線650的長度或者IOMm+/-10%相應。此外，尤其是在圖9中所示的嚙合結構600的實施例的情景中，重要的是提及，典型地不是每一根直線650需要滿足關于點660-1至660-4的對應特征。基本上，對應多邊形的一根單獨的直線650滿足關于連續線630的路線的上述特征就足夠了。相反地，在圖9所示的實施例中，完全表示的三根直線650-1、650-2和650-3分別滿足按照繪制的四個點660的對應特征。然而，為了簡化表示，具有附圖標記660-1至660-4的各點的刻寫僅僅結合直線650-1實現。然而，圖9中繪出的兩根直線650-2和650-3的點(“X”)示出它們也滿足上面限定的條件。圖10和圖11圖解說明了對應嚙合結構600-1、600-2的兩個實施例，其進而結合垂直高功率晶體管形式的半導體器件進行解釋。如先前結合圖6和圖7A所表示的，圖10示出了芯片500的頂視圖，芯片500反過來包括源極金屬化區帶510和柵極金屬化區帶520或者柵極流道520。在圖10所示的芯片500中，柵極流道520進而由嚙合結構600的兩個不同的實施例保護以免沿著圖10中未示出的襯底410表面移動。如上面結合圖6所解釋的，在這里，柵極流道也具有IOMm至500Mm的典型結構寬度。嚙合結構600的第一實施例在圖10的上面的區域中示出，更特別地，在柵極流道520的上面的區域中示出。在柵極流道520之下延伸的是饋送結構320，該饋送結構可以例如由多晶硅制成并且借助于圖10未示出的中間氧化物330中的接觸孔340而允許實現柵極流道520與饋送結構320之間的導電接觸，其也稱為多晶硅柵極或者poly-G。如已經例如結合圖8A所示出，饋送結構320具有鋸齒形狀。要指出的是，饋送結構320在設置在直線上的接觸孔340兩側以此方式定形。對于在圖10中不于上面的卩齒合結構600的實施例中表不金屬結構640的柵極流道520而言，多晶硅柵極320因此表示結構化器件層620，使得饋送結構320的外形形成拓撲邊緣630。為了更詳細地解釋這點，圖1lA示出了沿著圖10中所繪的方向610的截面A-A’，對于所述截面A-A’，反過來襯底410區域中的結構和層以及潛在地存在的第一氧化物未在圖11中示出以便簡化表示。在襯底410上，圖1lA示出了饋送結構320 (多晶硅柵極)，其在這種情況下充當結構化器件層620并且其可以由例如多晶硅制造。如已經結合圖3和圖4所解釋的，饋送結構320具有沉積其上的作為中間氧化物320的絕緣層，該絕緣層進而具有沉積其上的柵極流道或者柵極金屬化區帶520。柵極流道520表示嚙合結構600的實施例的金屬結構640。作為凹陷，中間氧化物330包括接觸孔340，該接觸孔允許實現柵極流道520與多晶硅柵極320之間的導電接觸。
如上面已經提到的，在圖1lA中以截面示出的嚙合結構600-1的實施例中，多晶硅柵極320近似表示結構化器件層620，使得中間氧化物330的拓撲邊緣630以及多晶硅柵極320的拓撲形成邊緣由多晶硅柵極的結構或者拓撲限定。現在，由于圖10上面的區域中繪出的拓撲邊緣630的結構的原因，金屬結構640 (柵極流道520)能夠經由拓撲邊緣630將在襯底平面內或者平行平面內作用于金屬結構640上的力和力分量在平面內的所有方向上釋放到襯底410，并且因而實現嚙合。更特別地，多晶硅柵極320形成用于中間氧化物330 (INT 0X)的拓撲邊緣630的拓撲形成邊緣。如也將通過圖1lA中表示的截面繪圖更詳細地圖解說明的，多晶硅柵極320的結構或外形表示拓撲形成邊緣，其借助于多晶硅柵極320上的中間氧化物330變成拓撲邊緣630。然而，關于與中間氧化物的典型層厚度相比較的典型橫向維度，可以將拓撲形成邊緣近似置于中間氧化物形成的拓撲邊緣630的水平。由于已經結合圖8A解釋了如上面在圖10中結合多晶硅柵極320示為結構化器件620的拓撲邊緣630，結合本圖可以免除導致到與襯底410表面平行的平面內的投影的連續線630和直線650的討論。相反地，關于這點應當參照結合圖8A提供的對應描述段落。典型地導致這種情況的是(至少部分地)由連續線界定的區域或區帶的結構寬度，從而可以限定范圍從IOMm至500Mm的結構寬度。此外，在其左手子區域中，圖10示出了設置在柵極流道520的區域中的嚙合結構600-2的第二實施例。在該區域中，除了柵極流道520 (柵極金屬化區帶520)之外，嚙合結構600-2的另外的發明實施例還包括饋送結構320 (多晶硅柵極)、中間氧化物(圖10中未示出)中的接觸孔340以及也經常由多晶硅制成并且由于其功能屬性的原因也稱為多晶硅源極或poly-S的另一饋送結構320’。然而，在討論嚙合結構600-2的實施例的精確操作模式之前，將起初參照圖1lB中繪出的截面B-B’更詳細地解釋在該區域中的器件的結構，圖1lB中所示的截面為圖10中繪出的方向670，其跨越柵極流道520的金屬區帶延伸到兩個金屬區帶510、520之間的距離。圖1lB示出了通過襯底410的截面B-B’，其中再一次地為了簡化表示，也未在諸如第一氧化物(參見圖3和圖4的絕緣層270)中繪制位于襯底表面之下的任何結構、摻雜輪廓或者類似的物體和結構。饋送結構320’起初施加到襯底410并且被結構化，饋送結構320’尤其是在垂直高功率晶體管領域中經常也稱為多晶硅源極或者poly-S，因為在對應器件的操作期間具有向其施加的源極電位的電極經常經由饋送結構320’而被接觸。這些電極的實例是圖3和圖4的下面的電極280。為了將饋送結構320’與另外的導電結構電絕緣，至少在圖1lB所示的截面B-B’內，所述饋送結構320’由絕緣層680覆蓋。絕緣層680進而具有施加其上的饋送結構320(多晶硅柵極)，除了接觸孔340的區域之外，該饋送結構320被中間氧化物330覆蓋。借助于薄膜技術和半導體技術的已知方法，將接觸孔340結構化到中間氧化物層中。此外，中間氧化物330不僅在圖1IB的截面面積中覆蓋多晶硅柵極320，而且也在其中下面的多晶硅源極320’跨越多晶硅柵極320的區域延伸的區域內覆蓋絕緣層680。此外，中間氧化物330跨越圖1lB中所示的整個截面延伸并且因此表示上覆結構與下面的襯底410的(附加)絕緣。此外，圖1lB示出了典型地由金屬制成的柵極流道520覆蓋下面的多晶硅柵極結構320以及多晶硅源極結構320’的整個區域。
如上面在圖1lA以及那里描繪的嚙合結構600-1的實施例的情景中已經討論的，中間氧化物330在本實施例中也表示實際的結構化器件層620。中間氧化物330或者結構化器件層620形成用于上覆柵極流道520的兩個分離的拓撲邊緣630、630’，該上覆柵極流道在圖1lB所示的實施例中表示金屬結構640。在這里，拓撲邊緣630基本上由具有其充當拓撲形成邊緣的邊沿結構的饋送結構320 (多晶硅柵極)的形狀形成。相比較而言，拓撲邊緣630’最終返回至具有其拓撲形成邊緣的饋送結構320’(多晶硅源極)的形狀和結構。然而，關于這點要指出的是，多晶硅源極結構320’的拓撲形成邊緣進而通過其周邊的絕緣層680的拓撲形成邊緣而切換或者轉移到中間氧化物330。因此，在如圖1lB的截面中所示的嚙合結構600-2的實施例中，拓撲邊緣630、630’在到與襯底410表面平行的平面內的投影中基本上形成兩根連續線，對于所述連續線而言，結合圖8A和圖9關于可限定直線討論的特征應當適用。進而，兩個饋送結構320、320’的外部結構由于具有拓撲邊緣630、630’的氧化物層或絕緣層330、680的典型地小的厚度的原因而可以在圖10中近似地標識，所述拓撲邊緣也在圖10中近似地表示出。舉例而言，用于(近似)拓撲邊緣630的直線650以及用于近似拓撲邊緣630’的直線650’在圖10中基于該近似被繪制并且相應地被標記。由于在該區域中拓撲邊緣630、630’的結構與圖8A中所示的結構非常類似的事實，在參照圖8A的對應描述的同時可以免除對所述兩根直線650、650’的對應特征和屬性的更詳細的討論。相反地，將參照對應描述段落以及圖8A和圖9。上面關于長度做出的陳述應當也適用于這兩根直線650、650’。與已經討論的嚙合結構的兩個實施例不同的是，圖10、圖1lA和圖1lB中表示的用于嚙合結構600-1、600-2的兩個實施例并不基于用于柵極流道520上的柵極接觸的接觸孔布局(接觸孔)，而是相反地基于柵極多晶硅布局和源極多晶硅布局320、320’的實現方式。因此，然而這里所表示的是另外的嚙合結構600-1、600-2，其基于不同的原理。柵極流道520形式的金屬區域被布置為寬得足以至少橫向延伸到一個拓撲級之外。在第一實施例600-1的情況下，這示于上面的柵極流道區域中。柵極多晶硅320創建了拓撲邊緣630形式的附加拓撲級，其橫向邊界現在附加地設有可以結合直線650借助于投影限定的嚙合結構。舉例而言，在第二實施例600-2的區域中，即在左手柵極流道520處表示了雙拓撲級，層序列在這里在襯底410的基礎上在圖1lB所示的截面中表示。更特別地，當忽略附加的絕緣層(絕緣層680)時，層序列在這里通過源極多晶硅320-柵極多晶硅320’-中間氧化物330 (INT OX)-金屬化520 (柵極流道)的順序限定。拓撲邊緣630、630’形式的嚙合結構在這里近似由源極多晶硅320’和柵極多晶硅320的組合邊緣限定。通過概括的方式也稱為嚙合結構600的嚙合結構600-1、600_2的第二類型的實施例使用現有的拓撲級而創建。為此目的，從實用的觀點來看，可以起初跨越由饋送結構320、320’限定的拓撲級繪制對應金屬結構(例如柵極流道520)的金屬布局，其遠得足夠提供能夠嚙合的金屬體積。隨后，拓撲級邊緣(拓撲邊緣630、630’)不被布局或者繪制成直線，而是反過來可以形成任何嚙合形狀，如除別的以外在圖8-11中通過實例方式作為鋸齒類型而表示的。如果如結合圖1lB中的截面以及實施例600-2所示出的,在相應金屬線的鄰近存在若干拓撲級，那么也有可能形成兩個或若干拓撲級的嚙合的組合。當然，尤其是結合圖10和圖1lB所示的嚙合結構600-2的第二實施例并不限于雙拓撲級或拓撲邊緣630、630’，而是可以基本上擴展到任何數量的拓撲邊緣或拓撲級。原則上，也可以借助于(數字)模擬使嚙合結構以最優的方式適配于每種情況下存在的對應應力或負荷以及對應的負荷行進方向。經常，與在芯片500的縱側相比，在芯片轉角處存在完全不同的應力強度或者負荷強度和負荷方向。這根據對應位置(X坐標、Y坐標)，根據相鄰金屬區域，根據相鄰拓撲級以及依賴于對應器件的設計及其制造的其他參數，對于芯片500上的每個位置導致最優的嚙合結構。在理想的目標設計中，可以得到各種各樣的嚙合形狀以及例如圖7和圖10中所示的各個實施例的組合，以便對于各金屬結構實現盡可能高效地減輕沿著襯底表面作用的橫向力。總之，有用的是指出，依照嚙合結構400的實施例(參見圖7)和嚙合結構600的實施例(參見圖10)的嚙合的組合是可能的。基本上，附加地存在采用每個拓撲形成邊緣或者由其產生的拓撲邊緣的可能性，所述邊緣然后可以利用金屬完全覆蓋以便通過施加對應結構而嚙合。這樣的嚙合結構400、600的實施例例如可適用于任何晶體管(即不僅僅垂直高功率晶體管)的區域中的柵極流道結構，其僅僅出于示例性目的而置于前景中，以便保護這些金屬結構以免移動(移動金屬線)。在打開外殼之后并且在可能地采用金屬抬離之后，典型地可以使用顯微圖像來確定和優化這些結構。還應當指出的是，也可以一起實現嚙合結構和錨固結構的實施例的任何組合。僅僅舉一個實例，可以將圖10和圖11中所示的嚙合結構的實施例與諸如例如圖2中繪出的錨固結構的實施例相組合。取決于特定的實現方式，因而可以采用雙邊或多邊錨固。在圖5-11的情景中描述的本發明的實施例在許多情況下是這樣的實施例，其中各結構形成邊緣、接觸孔或者其他開口由于其內襯有傳導材料(例如金屬或者半導體材料)而是電活性的，即適合運送電信號、電位和電流。尤其是在接觸孔(例如圖1lB中的接觸孔340)的情況下，存在將電信號(電壓或電流)從金屬結構傳輸到半導體結構或者從一個半導體結構傳輸到另一個半導體結構或者從一個金屬結構傳輸到另一個金屬結構的可能性，涉及的兩個導電結構在其他情況下通過絕緣層或者絕緣屏障而分離。—種依照本發明實施例的用于襯底410上的器件的卩齒合結構600包括襯底410上的結構化器件層620以及結構化器件層620上的金屬結構640，該器件層620包括至少一個拓撲邊緣630，該結構化器件層620包括絕緣層和眾多接觸孔，所述金屬結構至少在結構化器件層620的拓撲邊緣630的部分上延伸。在到一平面內的投影中，拓撲邊緣630的該部分形成至少一根連續線630，具有19Mm與42Mm之間的長度的直線650可沿著連續線630限定，使得線630關于直線650上的第一點660-1和第三點660-3位于直線650的第一側，并且關于直線650上的第二點660-2和第四點660-4位于直線650的與第一側相對的一側。第二點660-2位于第一點660-1與第三點660-3之間。第三點660-3位于第二點660-2與第四點660-4之間。對于一些嚙合結構600，直線650包括19Mm與2lMm之間的長度。對于依照本發明實施例的嚙合結構600，連續線630至少包括彼此相鄰的一個第一筆直部分和一個第二筆直部分，第一筆直部分的方向和第二筆直部分的方向彼此形成70°與110°之間的角度。同樣地，對于這樣的嚙合結構600，連續線630可以是圓弧形、彎曲的、十字形、多邊形、蜿蜒狀或者波浪形。同樣地，對于該嚙合結構600，連續線630可以界定包括IOMm與500Mm之間的典型結構寬度的區域。在嚙合結構600的一些實施例中，這樣的連續線630包括多根直線，其以多邊形方式逼近由連續線封閉的面積，使得封閉的面積與多邊形的面積之差總計為最大20%的封閉的面積。在其他實施例中，該差總計為最大10%、5%、2%或者1%。在嚙合結構600的實施例中，可以將導電接觸結構320設置在結構化器件層620與襯底410之間，結構化器件層620包括絕緣層330，并且結構化器件層620包括絕緣層330中的至少一個凹陷340，使得金屬結構640與接觸結構320直接接觸。該器件可以包括襯底410與結構化器件層420之間的層680、320’的另外的疊層，層的所述另外的疊層包括拓撲形成邊緣，使得金屬結構640至少部分地在拓撲邊緣630’上延伸，該拓撲邊緣基于層的所述另外的疊層的拓撲形成邊緣。層的所述另外的疊層可以包括另外的接觸結構320’以及該另外的接觸結構320’上的絕緣層結構680，接觸結構320至少部分地設置在層的所述另外的疊層上。結構化器件層420于是包括絕緣層330，該結構化器件層420設置在接觸結構320上。對于這樣的嚙合結構600，金屬結構640可以包括至少部分地處于暴露的主表面。圖12示出了用于襯底410上的器件的錨固結構700-1的另一實施例。再一次地，出于簡化的目的，在圖12所示的對應器件的截面表示中，未繪出可能地存在于襯底410區域中的諸如摻雜輪廓之類的任何結構細節、附加的絕緣層(例如第一絕緣層)或者其他細節。襯底410包括具有結構化器件層720的主表面710，該結構化器件層包括至少一個拓撲以及施加到其上的背離襯底410的主表面740。在圖12所示的錨固結構700-1的實施例中，拓撲結構730為結構化器件層720中的凹陷，其包括比結構化器件層720的厚度更小的深度，使得包括結構化器件層720的有限厚度的區域作為拓撲結構730而在該凹陷之下延伸。取決于錨固結構700-1的對應實施例的特定實現方式，結構化器件層720可以是這樣的器件層，其包括一個或若干個電絕緣層或者其包括僅僅一個具有單一特定摻雜或者沒有特定摻雜的半導體層。此外，如圖12中所示的錨固結構700-1的實施例包括施加或者設置在結構化器件層720上的金屬結構750。更特別地，金屬結構750設置在結構化器件層720的背離襯底410的那個主表面上。由于結構化器件層720中的拓撲結構730的原因，現在金屬結構750進而有可能經由結構化器件層720將沿著襯底410表面的橫向力釋放到襯底410并且從而將相應的例如熱引起的應力釋放到襯底410而在襯底表面上或者平行于襯底表面沒有金屬結構750的移動。圖13示出了與圖12的實施例700-1非常類似的錨固結構700_2的另一實施例。在圖13所示的實施例700-2中，襯底410(在圖12中以簡化的方式示出)起初也具有在襯底的主表面710上施加于其上的結構化器件層720，所述結構化器件層720在背離襯底410的主表面740上包括拓撲結構730。結構化器件層720然后具有施加于其上的金屬結構750，該金屬結構至少在結構化器件層720的拓撲結構730的部分上延伸。不同于圖12中所示的錨固結構700-1的實施例，其中拓撲結構730以凹陷的形式在結構化器件層720的主表面740之下延伸，在圖13所示的實施例700-2中，拓撲結構730是伸出結構化器件層720的主表面740之外的結構。在圖13所示的實施例中，拓撲結構730也使得金屬結構750能夠經由結構化器件層720將橫向作用于它上的力釋放到襯底410。因此，圖13所示的錨固結構700-2的實施例允許將例如在溫度循環的情景中發生的橫向作用力釋放到襯底410并且因此防止或者抵消金屬結構750的移動。圖12和圖13示出了錨固結構700的實施例的截面表示。在其橫向擴展中，拓撲結構730可以基本上呈現任何形式。實例是圓柱形凹陷或者伸出結構化器件層720的主表面之外的圓柱、以及相應的長方形、立方形、多邊形或者不同形狀的拓撲結構730。同樣地，相應的拓撲結構基本上也可以配置成例如沿著直線延伸的橢圓形結構，包括靠在多邊形連續線上的準線(alignment),或者包括螺旋形、蜿蜓狀、波浪形或者適當地彎曲的任何其他形狀。自然，L形、U形、V形或十字形結構也是可行的和可能的。取決于錨固結構700的相應實施例的實現方式的特定配置，可以有利地，例如非單獨地而是作為多個相應拓撲結構地實現錨固結構。在這種情況下，與單一拓撲結構730相比，這些拓撲結構730整體地允許實現改進的接收橫向力的可能性，并且因此允許實現改進的保護以免金屬結構750的移動。因此，這些可以例如在二維規則布置中實現。尤其是在二維規則設置的拓撲結構730領域中，可能明智的是實現相對小的拓撲結構730。在這種情況下，可能明智的是例如實現拓撲結構730，使得在投影到與襯底主表面710平行的平面內的情況下，它們界定一定區域、完全包括所討論的區域的最小圓的直徑小于或等于100Mffl、50Mffl或者20Mm。相應的設計已經結合圖5A而被解釋，這就是此時可以免除特定解釋以及進一步的圖像的原因。出于這個原因，此時應當明確地參照結合圖5A(以及可能地圖5B)的對應描述段落。同樣地，在這種情況下也可能明智的是實現拓撲結構730，使得它們在投影到對應投影平面內之后界定非凸區域。如結合嚙合結構400的實施例所解釋的，可以以此方式實現對于橫向移動或橫向力的改進的抵抗性。在圖12所示的錨固結構700-1的實施例的情況下，結構化器件層720可以例如為引入到對應半導體器件或者器件中以用于相當不同的目的的單個絕緣層或者多個絕緣層。所引入的這樣的絕緣層的實例是被實現用于電絕緣或化學鈍化或者用于機械保護的層。同樣地，如例如壓力傳感器或者其他微機械設備所采用的，在此情景中基本上也可以使用諸如膜層之類的功能層。在結構化器件層720領域中采用的典型材料組合或者材料是氧化物層、氮化物層或者其他(有機)絕緣層，諸如BPSG、PMMA或其他聚合物。然而，如果在圖12所示的實施例700-1中，結構化器件層720為包括單一特定摻雜或者不包括特定摻雜的半導體層，那么它可以例如是可能地可以設有單一摻雜的多晶硅。實例具體地為可能例如結合垂直高功率晶體管采用的多晶硅層和多晶硅結構。可行的是例如向圖3、圖4、圖7、圖10中所示的饋送結構320提供相應的拓撲結構730，以便甚至在具有數十微米或數百微米的維度的相對大的接觸孔的情況下實現附加的保護以免沉積其上的金屬結構的橫向移動。在這種情況下，有用的是例如將拓撲結構730限制到接觸孔340的區域。甚至在其中拓撲結構730伸出結構化器件層720主表面740之外的圖13中所繪錨固結構700-2的實施例的情況下，也可以基本上采用上面提到的材料和材料組合。然而，此夕卜，在這些實施例中也可以采用更復雜的結構化器件層720，其例如包括超過一種摻雜或者包括金屬、絕緣和/或半導體層的組合。在這些實施例中，也可以使用若干可能地二維的、規則設置的拓撲結構730。在這種情況下，取決于特定的實現方式，也可能明智的是采用較小的拓撲結構730，對于該拓撲結構，上面關于最小圓的直徑做出的陳述在到與襯底410主表面710平行的平面內的投影方面是有效的。無論如何，對于錨固結構700-2的該實施例也可能明智的是在接觸孔340內實現的情況下將其限制到接觸孔340的區域，以便不會不必要地將厚的、可能地甚至妨礙性的拓撲邊緣或拓撲形成邊緣引入到器件中。此外，要指出的是，結合圖12和圖13繪出的錨固結構700的所有實施例可以作為錨固結構和嚙合結構的上面提到的實施例的組合而被采用。除了上面討論的規則布置之外，在本發明的實施例中，也可以以單維或二維不規則的方式設置用于嚙合的凹陷和突起形式的對應結構的不規則布置。取決于特定的實現方式，可以實現總數為10或更多、20或更多、50或更多或者100或更多的對應拓撲結構，以便允許上覆金屬結構的對應嚙合。此外，取決于特定的實現方式，例如基于對應下面的結構化器件層的表面面積的20%至40%或者20%至30%的比例可以是對應拓撲結構的一部分。—種依照本發明實施例的用于襯底410上的器件的錨固結構700包括襯底410上的結構化器件層720，該結構化器件層720包括至少一個拓撲結構730，并且包括背離襯底410的主表面740以及結構化器件層720上的在拓撲結構730的至少一部分上延伸的金屬結構750，結構化器件層720包括僅僅一個或若干個電絕緣層，并且拓撲結構730包括在結構化器件層720中的具有一定深度的凹陷，該深度小于結構化器件層720的厚度。可替換地，對于錨固結構700，結構化器件層720可以僅僅包括沒有摻雜或者具有單一摻雜的半導體層，并且拓撲結構730可以包括在結構化器件層720中的具有一定深度的凹陷，該深度小于結構化器件層720的厚度。作為另一可替換方案，拓撲結構730也可以包括伸出結構化器件層720的主表面740之外的結構。對于這樣的錨固結構700，結構化器件層720可以包括多個拓撲結構730。同樣地，對于這樣的錨固結構700，所述多個拓撲結構730可以以二維的規則或不規則方式設置在襯底410上。對于依照本發明實施例的錨固結構700，金屬結構750在其上延伸的拓撲結構730的該部分可以界定到平面內的投影中的區域、完全包括該區域的最小圓的直徑，該直徑小于或等于50Mm。對于這樣的錨固結構，金屬結構750在其上延伸的拓撲結構730的該部分可以界定到平面內的投影中的非凸區域。對于錨固結構700，結構化器件層720可以包括多晶硅層，并且拓撲結構730可以包括在該多晶硅層內的具有一定深度的凹陷，該深度小于多晶硅層的厚度。可替換地或者此外，拓撲結構730可以包括多晶硅層的背離襯底410的主表面740。對于這樣的錨固結構700，金屬結構750可以包括至少部分地處于暴露的主表面。圖14示出了用于包括主表面830的器件820中的導體層結構810的錨固結構800的另一實施例。器件820可以基本上為任何器件，即半導體器件或者任何其他薄膜器件。為了簡化圖14中的表示，對于那里示出的器件820，沒有繪出關于功能實現或者層結構或其他功能特征的細節。結果，器件820可能是例如相對簡單的半導體器件結構，即例如二極管結構或者晶體管結構。此外，所述器件自然也有可能是相對復雜的集成電路、專用集成電路(ASIC)、邏輯電路、以薄膜技術制造的傳感器或者相對復雜的集成電路諸如任何種類的處理器。而且，器件820包括例如在最終制造工藝步驟期間得到的主表面。例如，完成的器件820可以由保護層至少部分地或者在其區域內覆蓋，諸如由氧化物層或氮化物層覆蓋。器件820進一步包括凹陷840，該凹陷從器件820的主表面開始延伸到器件中。在圖14所示的器件820中，凹陷包括基本上垂直的側壁，使得如也在圖14中繪出的，除了可能例如以凹陷840底部區域中的圓滑部分的形式出現的制造公差變化之外，存在基本上恒定的寬度W。圖14中所示的錨固結構800的實施例進一步包括導體層結構810，該導體層結構全部地至少在導體層結構810的特定或預定長度上、在器件820的主表面830之下的凹陷840內延伸。凹陷840典型地在特定長度段上沿著關于圖14中所示的截面平面垂直的方向延伸，即在一定(特定)長度上延伸。因此，凹陷840典型地為溝槽結構，其在圖14中未示出的器件820的頂視圖中例如沿著直線、沿著多邊形連續線或者沿著彎曲線延伸，即例如沿著螺旋形、圓形或者蜿蜒狀線延伸。相對于導體層結構810的總長度，導體層結構典型地正是在導體層結構810的總長度的90%或更多的長度上完全在器件820主表面830之下的凹陷內延伸。取決于對應器件820的特定實現方式，導體層結構810也可能在關于導體層結構810總長度的超過95%的長度上或者甚至完全地在在器件820主表面830之下的凹陷840內延伸。因此，導體層結構810典型地包括小于或者等于凹陷840的寬度W的寬度。在窄饋送線的情況下，取決于錨固結構800的實施例的設想的應用可能性，導體層結構810以及凹陷840的寬度可以是典型地小于5Mm的寬度。然而，此外，取決于特定實現方式，凹陷840以及導體層結構810的寬度典型地也可以小于或等于50Mm、小于或等于lOOMffl，或者在接觸結構或接合焊盤的情況下，范圍介于IOOMffl與500Mm之間。基本上，也使用明顯窄于相應凹陷840寬度或者不比其寬的導體層結構810的可能性是相當中肯的。如先前在完全在凹陷840內延伸的導體層結構810的長度的討論中所闡明的，導體層結構810可以全部地，即在100%的比例下基于其總長度，在凹陷840內延伸。在這種情況下，例如也可以包含在導體層結構810中的關聯的接觸焊盤或接合焊盤可能地也設置在凹陷840內，使得它們完全設置在器件820的主表面830之下。為了允許實現例如這種接觸焊盤的對應的接觸或者接合，導體層結構因此關于導體層結構的主表面850處于暴露，該主表面關于導體層結構810因此背離凹陷840的底部。特別地，這意味著導體層結構810至少關于導體層結構810的長度的部分、關于其主表面850如此易于訪問，使得它可以例如通過接觸線或接合線而達到。當然，關于這點，所謂的“處于暴露的表面”是指例如在封裝工藝中成型之前處于暴露的表面。換言之，在導體層結構是否處于暴露方面，未考慮例如由成型材料和/或另外的(主要為有機)的鈍化層或保護層實現的導體層結構810的蓋。關于這點，表述“處于暴露的導體層結構810”涉及對于所述導體層結構810而言是否可以實現電接觸，即例如直接關于導體層結構810的主表面850借助于接合或按壓接觸或者彈簧加載接觸實現電接觸。然而，取決于特定的實現方式，導體層結構810也可以被設計成從凹陷840顯露以便從例如關于器件820主表面830的凹陷840之外接觸導體層結構。在這種情況下，關于導體層結構810和凹陷的長度并不整個在凹陷840內延伸，即并不整個在器件820主表面830之下延伸的導體層結構810長度的比例典型地總計為小于10%或者小于5%。關于這點，經常在各區的表面區域之間建立聯系，使得例如關于凹陷的表面區域，典型地導體層結構810的最大10%或者最大5%的表面區域并不整個在主表面830之下延伸。然而，在這里所考慮的僅僅是在凹陷840的幾何布置的區域中延伸的導體層結構810的表面區域或者長度的區域。因此，相當有可能的是，該導體層結構810被設計成例如通過導體層結構810中的彎曲而從凹陷840顯露，并且可能地具有更寬寬度地在器件820主表面830上繼續。在這種情況下，關于導體層結構810的總長度，不在凹陷840的幾何區域中延伸的導體層結構810長度的比例仍然未被考慮。為了完整起見，還應當提及，相當可能的是，可以將超過一個凹陷集成到器件820上，所述凹陷例如彼此會合或穿越或者引向彼此。因此，取決于特定的實現方式，可以相當可能地彼此電接觸的超過一個導體層結構810可以在器件820上實現。此外，導體層結構810典型地為用于運送電信號或者用于供應、引領或者接觸電(供應)電壓和/或電(供應)電流的導體層結構。特別地，導體層結構810因此不表示用于光波或電磁波或者聲波的任何波導。結果，導體層結構810包括至少一個子層，例如銅、金、銀、鎢、鉬或者鈀或鋁。在發明錨固結構800的許多實施例中，導體層結構810附加地精確地包括一個金屬層，即至少在這些實施例中與其相同。然而，如將下文中結合圖16中繪出的導體層結構解釋的，用在錨固結構800的實施例中的導體層結構810可以相當可能地包括另外的層或者一個另外的層。取決于特定的實現方式，因此可能有利的是除了金屬層之外還集成可選地摻雜的或者可選地高度摻雜的半導體層。這樣的半導體層可以例如由多晶硅制成。圖15示出了發明錨固結構800的另一實施例，其與圖14中所示的錨固結構800的實施例僅僅在兩個細節方面不同。出于這個原因，關于圖15中所示的錨固結構800的實施例的描述，應當明確參照結合圖14提供的描述段落和那里示出的實施例。圖15中所示的實施例800 —方面在凹陷840的形狀方面并且另一方面在凹陷840襯里方面不同于圖14中所示的實施例。例如，與圖14的凹陷840不同的是，凹陷840包括可選的絕緣層860，對應凹陷在其側壁及其底部的區域中內襯有該絕緣層。該絕緣層860的厚度典型地比導體層結構810的厚度薄得多并且典型地明顯在200nm之下或者甚至在IOOnm之下。圖15中明確示出的絕緣層860基本上用來圖解說明凹陷也可以包括附加的結構特征，從而凹陷840無需一定在襯底或者器件820由其制成的襯底材料(主要為硅)中實現，而是相反地，凹陷本身可以包括可選的特征或者功能層。然而，這些在圖14所示的實施例中也可以看作器件820的一部分。例如，圖15中明確示出的絕緣層860可以被看作器件820中的一部分以便將凹陷840內的結構與器件820的另外的結構電絕緣。換言之，在圖15所示的實施例中限定的是，絕緣層860或者其面向凹陷840的側面確定凹陷840的拓撲或者幾何結構。圖15中的錨固結構800的實施例與圖14中的實施例之間的第二個區別是，凹陷840的側壁不再基本上垂直地延伸，而是與器件820主表面830的法線形成一定角度，該角度明顯不同于0°。凹陷側壁與器件820主表面830的法線形成的典型角度范圍從5°至75°，包括5°和75°。由于在本申請的上下文中，所謂的基本上垂直地延伸的側壁、側翼和其他邊緣是指關于法線具有典型地5°或者更小的角度的那些側壁、側翼和其他邊緣，因而在錨固結構800的實施例中，凹陷840的側壁因此典型地與器件820主表面830的法線形成+75°與-75°之間的角度。由于對于另外的結構特征，尤其是對于以特別平坦的方式延伸的凹陷840側壁，可以接受“芯片表面面積的損失”，所述芯片表面面積的損失基于凹陷840的深度借助于常見的三角關系而立即得到，作為溝槽側壁的投影面，錨固結構800的許多實施例傾向于設想和實現典型地30°或者更小的相對小的(絕對)角度。由于凹陷840的傾斜側壁的原因，就圖15中繪出的凹陷的截面而言得到不同的寬度。盡管由于凹陷840內的側壁的傾斜，凹陷的最小寬度W存在于凹陷840的下面的區域中，但是該寬度隨著離器件主表面830的距離減小而連續地增大，直到所述寬度在所述表面處或者在該表面的區域中達到其最大值W1。出于這個原因，最小寬度W典型地小于或等于最大寬度Wl，這經常發生在器件820主表面830的區域中。相比較而言，凹陷840的最小寬度W典型地發生在凹陷840底部的區域中。因此，導體層結構810的寬度典型地根據凹陷840的最小寬度W調整(orient)自己。更特別地，導體層結構810的寬度典型地小于或等于凹陷840的最小寬度W。由于導體層結構810錨固或者下降到器件820主表面830下面的凹陷840中，導體層結構840進而受到作為拓撲邊緣的凹陷840側壁的非常良好的保護以免受橫向攻擊力。取決于器件的類型，典型地與TC測試有關地發生但是在器件的正常操作期間也不可避免的這樣的力因此可以經由凹陷840的側壁釋放到器件820或者其襯底。按照這種方式，正如已經描述的錨固結構和嚙合結構的其他實施例那樣，與沒有發明錨固結構和/或嚙合結構的實施例的器件相比，錨固結構800的實施例允許實現對于對應負荷的高得多的耐受性。除了已經描述的僅僅包括一個單一金屬層的導體層結構810之外，圖16A和圖16B還圖解說明了這樣的包括至少一個另外的層的導體層結構810。例如，圖16A繪出了其中另外的層880設置在金屬層870之下的導體層結構810。盡管如上面所解釋的，金屬層870可以例如由金、銅、銀、鉬、鈀或鋁制成，但是所述另外的層880也可以由例如金屬或合金制成，或者由例如可選地摻雜的或者可選地高度摻雜的諸如多晶硅之類的半導體材料制成。此外，應當指出的是，圖16中所示的金屬層870和所述另外的層880的層序列不是強制性的。例如，金屬層870也可以例如設置在所述另外的層880之下。取決于特定的實現方式，可能有利的是例如將可以例如用于接觸晶體管結構的溝槽或者相應器件的其他溝槽結構中的電極的高度摻雜的多晶硅層作為所述另外的層880設置在金屬層870之下。例如，這導致這樣的可能性:尤其是對于高功率應用或者高電流應用關鍵的參數可能由于金屬層870與所述另外的層880之間的較長接觸面的原因而減小，所述較長接觸面作為這兩層在導體層結構中的平行布置的結果而產生。通過導體層結構810的實現方式，例如器件820內的電阻可以減小，這對于器件820的預期壽命和應用可能性可能具有正面的影響。此外，有可能使用金屬層870和另外的層880的超過一個序列。在每種情況下，除了一個金屬層870和設置其下的另外的層880的交替順序之外，如圖16B中在分別有三個金屬層870-1、870-2、870-3以及三個另外的層880-1、880-2、880_3的情況下所示的，可以實現一個或若干個金屬層870與一個或若干個另外的層880的任何另外的組合或排列。例如，也稱為疊層810的導體層結構810可以相當可能地以這種導體層結構810實現，具有可能例如在其摻雜方面不同的若干個不同的金屬層870和/或若干個不同的另外的層。也可以根據需要改變這些不同的層的數量和/或相互分布。例如，圖16A和圖16B中所示的導體層結構810的實施例預期僅僅是實例。相當可能的是采用超過兩個或者超過六個單獨的層870、880。然而，同樣可能的是實現少于對應數量的層。再者，關于所述不同的層的相互布置，圖16A和圖16B中表示了不要看作限制性的兩個實例。關于這點基本的僅僅是，導體層結構810或者疊層810包括可以例如由一種單一金屬或一種合金制造的金屬層。再者，關于相對厚度，可以不同地設計疊層810的所述不同的層。例如，金屬層以及多晶硅層的厚度可以具有大約1:2的比值(金屬層:多晶硅=1/3: 2/3)。在本發明的另外的實施例中，也可以在對應凹陷840內關于長度僅僅部分地設置對應導體層結構810。例如，對應導體層結構810有可能伸出對應器件820主表面830之夕卜，并且因此不完全設置在器件內。在這個方面，應當指出的是，基本上導體層結構也可以在與凹陷延伸方向垂直并且與對應器件的主表面垂直的方向上延伸。然而，關于上面限定的長度，導體層結構810的這種延伸限制為導體層結構的截面面積的最大50%。關于這點，應當指出的是，上面限定的長度不一定表示對應導體層結構的總長度或者對應凹陷的總長度，而是相反地僅僅表示對應總長度的一小部分。圖17示出了包括具有主表面920的襯底910的錨固結構900的實施例，該主表面在圖17中也由箭頭930標記。除了主表面920之外，圖17也也示出了襯底910的背離主表面920的后側940。襯底910基本上為包括例如硅的單晶襯底。在這種情況下，它可以是例如可能地從硅晶片獲得的并且其中單晶區域或者外延區域950延伸到襯底910主表面920的襯底910。如果該區域950為典型地沉積到單晶區域上的外延區域，那么將在襯底910的單晶區域與外延區域950之間存在界面960，在襯底910的產生中對應外延區域950沉積到所述界面960上。如果襯底如先前所解釋的那樣為硅襯底910，并且如果區域950為外延區域950，那么在硅的情況下，后者經常將借助于化學汽相沉積(CVD)產生。襯底910下面的晶片將主要從硅單晶體獲得，所述硅單晶體經常使用Czochralski方法獲得。不管區域950是單晶區域(例如在單晶體基礎上的晶片)還是外延區域，其仍然將延伸到遠至襯底910主表面920。此外，嚙合結構900的實施例包括襯底910主表面920處的單晶或外延區域950內的凹陷970。此外，圖17的錨固結構的實施例包括襯底主表面920上的導體層結構810，所述導體層結構810在凹陷970中延伸到遠至凹陷的底部980。再一次地，導體層結構810為結合圖14和圖15中的錨固結構800的實施例并且結合圖16描述和討論的橫向層結構。換言之，導體層結構810典型地包括至少一個金屬層，所述金屬層為由例如金、銀、銅、鉬、鈀或鋁制成的金屬層。然而，導體層結構810也可以包括另外的層，所述另外的層也可以例如由金屬制成，或者可能地可以包括可選地摻雜的或者可選地高度摻雜的半導體材料，例如多晶硅。如也由圖17所示的，包括襯底主表面920上的至少一個金屬層的導體層結構810至少延伸到遠至凹陷970的底部980。如圖17的左手部分中所示出的，它可以在凹陷970之外在另一區域上延伸，或者如圖17的右手部分中繪出的，它可以僅僅包括和與其相鄰的區域950或者襯底主表面920的輕微重疊。取決于錨固結構900的實施例的特定實現方式，導體層結構810至少在凹陷970底部980的區域中與單晶或者外延區域950導電接觸，使得區域950可以經由在凹陷970的底部980延伸的導體層結構810而被電接觸。在許多情況下，凹陷970被設置成與另外的結構和結構元件絕緣。在本發明的一些實施例中，它由這樣的溝槽限定，該溝槽位于芯片之外的區域中并且該溝槽除了被導體層結構810覆蓋之外，不被層結構的另外的傳導或絕緣層覆蓋。換言之，在許多情況下，凹陷970是真正不通過氧化物或任何其他絕緣層與傳導襯底分離的凹陷。凹陷970可以如圖17中表示的那樣僅僅部分地被導體層結構填充，或者也可以完全由導體層結構內襯。再一次地，由于襯底910的單晶或外延區域950中的凹陷970的原因，錨固結構900的實施例允許實現對于導體層結構810的負荷的增加的和顯著改進的耐受性，所述負荷適合典型地將導體層結構810從襯底主表面920抬離或者將它們沿著襯底910的主表面920移動。因此，錨固結構900的實施例也提供了在對于例如在溫度循環期間或者也在未來器件的正常操作期間可能發生的負荷的耐受性方面的顯著改進。依照本發明實施例的錨固結構900包括襯底910，該襯底具有主表面920、延伸到遠至襯底主表面920的單晶區域950或外延區域950。它還包括襯底910主表面920處的單晶或外延區域950中的凹陷970以及包括襯底主表面920上的金屬層的導體層結構810，該導體層結構810在凹陷970中延伸到遠至凹陷的底部980。至少在凹陷970的底部980，導體層結構810可以與單晶或外延區域950直接接觸，從而在單晶或外延區域950與導體層結構810之間存在導電接觸。此外，對于錨固結構900，導體層結構810可以包括另外的金屬層或者半導體層。同樣地，導體層結構810可以包括多晶硅或摻雜的多晶硅或者高度摻雜的多晶硅。對于錨固結構900，導體層結構810也可以包括至少部分地處于暴露的主表面。上面描述的本發明的實施例因此包括用于避免或最小化TC風險的措施。上面討論的嚙合結構和錨固結構的實施例可以例如以多層(例如多晶硅層)和/或以接觸孔結構實現。此外，上面所示的實施例包括這樣的實施例，其中例如整個金屬導管或金屬區帶可以設置在非常寬而深的溝槽中，這表示一種非常有吸引力的最小化TC負荷的方法，因為整個金屬線或者整個金屬區帶因此向下放置得更低，并且拉伸和壓縮的應力在襯底表面(例如硅表面)的水平處或者其之上作用。特別地，這些拉伸和壓縮的應力因此不再作用于金屬線本身的平面上。在迄今所描述的本發明的實施例中，導體層結構、金屬結構和金屬線(諸如柵極流道)完全地、大部分地或者至少部分地下降到半導體材料(例如硅(Si))中以便嚙合。正是這種降低通過形成非常寬而深的凹陷和溝槽來實現，金屬線、導體層結構或者金屬層結構下降或者錨固到所述凹陷和溝槽中。因此，在先前所描述的實施例中，在溝槽內部分地提供金屬線。然而，取決于用于提供對應寬溝槽結構的技術，可能發生溝槽結構在溝槽蝕刻中遭受不應被低估的所謂的黑硅的風險。黑硅被理解為表示保持直立在實際溝槽或凹陷的區域中的硅針腳。這可以是例如后來保持直立的硅針/針腳的區域中發生的微掩蔽的結果。
一旦這樣的硅針腳形成，通常它們只能再次以高的技術代價移除(如果有的話)。它們可以導致:泄漏電流在其上流動，或者從下降的金屬線、金屬結構或導體層結構到其周邊的半導體環境發生短路。在上面描述的依照本發明實施例的嚙合結構和錨固結構的實施例中，在上面指定的寬溝槽中，沒有在溝槽底部區域中和在溝槽側壁處提供關于相對于對應襯底主表面的橫向移動的嚙合。將在下文中關于圖18-22描述的本發明的實施例是基于在非常寬的溝槽結構中借助于在制造工藝結束時或者工藝流程結束時被合并成連續寬溝槽結構的許多小的、窄的溝槽而實現金屬結構、導體層結構或者金屬線——即在垂直溝槽晶體管的情況下例如柵極流道——的錨固或下降。通過避免一個單一的非常寬的溝槽并且通過由許多更窄的且因此更小的溝槽代替該單一的寬的溝槽，有可能可以大大地減小形成上面提及的黑硅的風險。按照這種方式，有可能提高制造工藝的可靠性以及因此產率和工藝安全性。同時，如下文中將解釋和描述的，在底部或溝槽底部或者在相應的區域中形成另外的嚙合面。此外，在設計工藝的情景中，有可能借助于邊沿處溝槽(邊沿溝槽)的受控中斷或者通過改變邊沿溝槽的寬度來實現形成的公共溝槽的寬度的附加變化。這也可能導致另外的嚙合或錨固。同樣地，有可能在設計的情景中與一個或若干個其他溝槽相比改變單個或若干個小溝槽的凹陷或者溝槽的深度，以便允許實現到合并的或者形成的寬溝槽結構的側面的附加嚙合。圖18示出了依照本發明實施例的產生用于導體層結構的嚙合結構的方法的流程圖。如可能也在所描述的本發明不同實施例的情景中實現的，導體層結構包括至少一個金屬層或者金屬合金層。此外，導體層結構可以包括一個或若干個另外的傳導層，即金屬層、合金層、可選地摻雜的或者高度摻雜的半導體層。在步驟SlOO中方法的開始之后，起初在步驟SllO的情景中創建多個(小的)凹陷或溝槽，其中第一溝槽和第二溝槽位于襯底材料的表面處。第一溝槽和第二溝槽設置成彼此平行并且相距一定距離，使得襯底材料的凸臺區域保持在這兩個溝槽之間。這些溝槽可以借助于常規的技術，即例如借助于離子束蝕刻(IBE)、反應離子束蝕刻(RIE)或者借助于化學蝕刻方法諸如基于娃的各向異性化學蝕刻而創建。不同的蝕刻工藝包括不同的各向同性或各向異性。例如，IBE工藝經常是高度各向異性的，而化學濕法蝕刻傾向于導致材料的更加各向同性移除。為了進一步圖解說明這點，圖19A-19E示意性地示出了通過包括依照本發明實施例的在不同制造階段的錨固結構800的器件820的截面。圖19A示出了包括主表面或表面830的具有第一溝槽1000-1和第二溝槽1000-2的器件820，所述溝槽被引入到襯底材料1010中，使得凸臺區域1020保持在這兩個溝槽1000-1、1000-2之間。在圖18中的流程圖的步驟S120的情景中，執行凸臺區域1020表面1030處的襯底材料1010的化學和/或物理轉換。可以例如在氧化的情景中引起襯底材料1010的這種化學轉換。這導致凸臺區域的表面1030的區域中的氧化物層1040。圖19B示出了如圖19A中已經示出的在步驟S120的情景中執行物質轉換之后對于器件820得到的情形。通過執行物質轉換(步驟S120)的情景中的氧化，凸臺1020的區域中的氧化物層1040因此在凸臺區域的表面1030處形成。然而，此外，在圖19B所繪的情形中，氧化物層也在兩個溝槽1000-1、1000-2之外的區域中以及在側壁的區域中和在溝槽底部區域的區域中形成。除了執行物質轉換(步驟S120)的情景中的氧化之外，其他化學或物理工藝自然也可以用于實現襯底材料1010的對應轉換。例如，可以實施用于形成相應的氮化物層的相應氮化或者甚至更復雜的化學轉換。在步驟S120中執行物質轉換之后，在步驟S130 (參見圖18)中在凸臺區域1020中的表面1030處移除轉換的襯底材料1010，使得第一溝槽1000-1和第二溝槽1000-2合并成公共的溝槽1050。圖19C中示意性地示出了執行特定于物質的移除之后得到的情形。因此，作為平行地延伸的兩個溝槽1000-1、1000-2的距離以及氧化物層1040或者對應層的層厚度的結果，在原始凸臺區域1020中形成突起1060，所述對應層在執行物質轉換S120的情景中在不同于氧化的物質轉換的情況下在凸臺區域1020的表面1030處形成。因此，突起1060具有相對于公共溝槽1050的底部1070的高度差1080，該底部包括關于主表面830的底部1070的最深點，所述高度差1080總計為至少200nm或者關于主表面830的公共溝槽1050的深度1090的至少5%。在偏離的實施例中，也可以例如關于不同地形成的凹陷的對應表面實現高度差1080和深度1090。特別地，如例如圖19C中所示的公共溝槽1050僅僅包括錨固結構800的凹陷840的一種可能的形狀。因此，可以在考慮當在步驟S120的情景中執行物質轉換時的以及在步驟S130的情景中轉換的襯底材料的特定于物質的移除的工藝典型參數的同時在非常寬的范圍內調節高度差1080。例如，由于執行物質轉換中的特定條件以及凸臺區域1020的選擇的寬度，即兩個溝槽1000-1和1000-2之間的距離的原因，可以在通常的工藝變化的情景中以有針對性的方式控制所述形狀以及突起1060相對于公共溝槽1050底部1070的高度差1080。此外，可以如將在本說明書的進一步過程中至少部分地解釋的那樣通過影響另外的參數來調節所述形狀和突起1060的高度差1080。由于在作為步驟S120 (執行襯底材料1010的轉換)的氧化的情況下在特定于物質的移除(步驟S130)的情景中，形成的氧化物層1040再次被移除，因而這樣的氧化也稱為犧牲氧化。如果襯底材料1010為硅，即如果襯底為例如硅晶片，那么可以例如借助于以NH4F作為緩沖劑的緩沖氫氟酸(HF)以濕化學方式執行已經形成的二氧化硅(Si02)的特定于材料的移除。使用這樣的蝕刻步驟，可能地也可以以特定于物質的方式移除氮化物層(Si3N4)。在公共溝槽1050的側壁和/或底部1070和/或在突起1060的區域中沉積絕緣層1100的可選步驟S140 (參見圖18)中，也可以實現在進一步的制造過程中施加的導體層結構與下面的襯底材料1010的電絕緣。在設想為絕緣層的氧化物層1100的情況下，可以例如通過熱氧化、借助于化學誘導氧化(例如TEOS=原硅酸四乙酯)或者通過直接沉積對應氧化材料來實現這樣的沉積。因此，同樣在氮化物層的情況下，這些可能地可以借助于氮化或者相應地沉積對應材料而實現。在沉積導體層結構810的步驟S150 (參見圖18)的情景中，最終實現圖19E中所繪的情形。在圖19E中所示的用于器件820的錨固結構的實施例中，導體層結構810是單個金屬層或者金屬合金層。金屬層810在公共溝槽1050中沉積到絕緣層1100上，使得公共溝槽1050的突起1060作為結構提供物體被轉移到絕緣層1100中。公共溝槽1050的底部區域1070中的絕緣層1100因此表示結構提供邊緣，從而最終凹口 1110與導體層結構或金屬層810相對。由于絕緣層1100的典型的保形沉積的原因，這樣的結構將在溝槽的底部區域中形成，使得導體層結構810在公共溝槽1050內由于突起1060的存在而正好形成凹
n 1110。在如也結合圖19E所圖解說明的沉積導體層結構810的情景中，導體層結構810完全設置在由于溝槽而形成的凹陷840內或者完全設置在公共溝槽1050內。此外，導體層結構填充公共溝槽1050至少溝槽1050的至少關于離底部1070的距離的20%的深度。與公共溝槽1050的深度1090相比，在當前情況下導體層結構810，或者在當前情況下金屬層810填充甚至50%或更多或者甚至75%或更多。然而，此外，導體層結構810可以相當可能地如此完全地填充溝槽，使得導體層結構810在器件820的主表面830之上延伸。本發明的這樣的實施例例如在圖20A和圖20B中更詳細地圖解說明。圖20A示出了通過包括依照本發明實施例的錨固結構的器件820的另外的截面。更特別地，圖20A示出了包括第一溝槽1000-1和第二溝槽1000-2的器件820，所述溝槽在彼此平行的距離處延伸并且在它們之間形成凸臺區域1020。因此，圖20A的表示近似與圖19A的表示相應。與圖19A的器件820不同的是，與具有深度1090-2的第二溝槽1000-2相比，第一溝槽1000-1具有更小的深度1090-1。在如圖18所示的另外的工藝步驟的情景中，這導致在進一步的過程中沉積的導體層結構810的附加橫向錨固或嚙合。如果在執行物質轉換的工藝步驟S120的情景中凸臺區域1020的表面1030處的襯底材料1010經化學轉換或者以任何其他方式轉換，那么圖20A中指示的(氧化物)層1040將形成并且將在轉換的襯底材料的特定于物質的移除的情景中被移除，其結果是將形成公共溝槽1050。因此，與圖19中所示實施例相比，所述兩個溝槽1000-1和1000-2的不同深度1090-1、1090-2導致更大的高度差1080，所述更大的高度差1080可能允許實現要沉積的導體層結構810的附加的錨固或嚙合。圖20B示出了與圖19E中的表示近似相應的依照本發明實施例的錨固結構800的實施例。在這里，例如單個金屬層或者金屬結構形式的導體層結構810也沉積到絕緣層1100上，該絕緣層反過來內襯底部、側壁以及由于轉換的襯底材料1010的特定于物質的移除而形成的突起1060。由于以保形的方式沉積可選的絕緣層1100這一事實，相應的突起1060將在其內作為結構提供邊緣而形成，從而導體層結構810的凹口 1110再次與突起1060相對。由于再次在圖20B中繪出的包括不同高度差1080的該底部錨固或底部嚙合結構的原因，實現了針對橫向力對導體層結構810的影響的導體層結構810的錨固或嚙合。如上面已經指示的，導體層結構810在該實施例中伸出到器件820主表面830之外，從而導體層結構810完全填充公共溝槽1050，即關于公共溝槽1050的截面面積填充其整個寬度。導體層結構因此在公共溝槽1050內不僅僅在先前存在的單個溝槽1000的區域中延伸。它至少在形成的突起1060上延伸。圖21A示出了通過包括依照本發明實施例的錨固結構800的器件820的另外的截面。圖21A類似于圖20A和圖19A的表示，從而關于共同的特征，應當在描述方面參照這兩個實施例。然而，與先前描述的實施例不同的是，兩個溝槽1000-1和1000-2包括相對于器件820的主表面830具有角度的側壁1120，所述角度明顯偏離90°。更特別地，第一溝槽1000-1的側壁1120的延伸1130與主表面830形成范圍從20°到75°的角度1140。在一些實施例中，角度1140處于典型地開始于20°與30°之間并且結束于45°與60°之間的范圍內。換言之，第一溝槽1000-1包括傾斜側壁1120。由于不僅側壁1120與主表面830形成相應的角度，而且由于凸臺區域1020的表面1030也與主表面830形成相當的角度，因而第一溝槽1000-1為也可以例如通過使用TMAH(四甲基氫氧化銨)對硅進行各向異性蝕刻而實現的基本上V形的溝槽。然而，其他的制造工藝也可以用于制造相應的V形溝槽1000。除別的以外，這些還包括已經提到的IBE和RIE方法，在蝕刻工藝期間在進入的離子束與器件820主表面830之間必須維持無需一定匹配角度1140的相應角度。由于在許多情況下在相同的制造步驟中制備兩個溝槽1000-1和1000-2，因而不僅第一溝槽1000-1而且第二溝槽1000-2包括相應的傾斜側壁1120。當然，兩個溝槽1000-1和1000-2基本上也可以在不同的制造步驟中或者通過其他措施制備，從而兩個溝槽1000-1、1000-2可能地可以與器件820的主表面830形成不同的角度1140。正如相應溝槽1000的側壁1120那樣，凸臺1020的表面1030包括相對于主表面830的明顯偏離90°的角度。結果，凸臺區域隨著到襯底材料1010的深度增加，即隨著離主表面830的距離增加而變得更寬。凸臺區域隨著離主表面830的深度增加而變得更寬的事實導致如圖21A中所指示的在步驟S120的情景中形成的層1040的輪廓。關于這點，在執行襯底材料1010的轉換的情景中所述轉換的執行開始于表面1030并且向材料中繼續直到對于對應工藝典型的距離這一事實起著相當重要的作用。在凸臺區域1020的表面1030處轉換的襯底材料1040的特定于物質的移除之后，在絕緣層1100的可選的沉積以及導體層結構810的沉積之后，得到圖21B中繪出的通過器件820的截面。由于凸臺區域1020的傾斜表面1030的原因，因而存在在執行物質轉換(步驟S120)和特定于物質的移除(步驟S130)的同時通過改變對應角度而改變突起1060——更特別地，其高度差1080以及可能地其寬度和形狀一的可能性，其中工藝參數在其他情況下保持恒定。因此，在公共溝槽1050的底部1070，存在通過改變下面的溝槽1000-1、1000-2之間的距離，通過適配表面1030和側壁1120的角度以及可能地通過改變對應溝槽1000的深度1090而關于其幾何結構配置規定所述一個或多個突起的可能性。除別的以外，幾何結構還包括已經限定的高度差1080以及公共溝槽1050底部1070處的突起1060寬度。為了完整起見，此時應當提及的是，如圖21B中所繪的導體層結構810也完全填充公共溝槽1050并且延伸到所述表面或者器件820的主表面830之外。即使在上面討論的實施例的情景中，絕緣層1100基本上插入到導體層結構810與襯底材料1010之間，這仍然是在沉積絕緣層1100的可選工藝步驟S140的情景中創建的可選的層。例如，如果設想電氣層結構810與下面的襯底材料1010之間的直接電接觸，那么也可以免除該步驟S140和關聯的絕緣層1100。此外，絕緣層1100自然也可以呈現不同于圖19-21中所示的形狀。再者，可以在導體層結構810與襯底材料1010之間設置一個或若干個附加的絕緣、半導體、半金屬或傳導層以及導體層結構。這樣的一個實例將在本說明書的進一步的過程中給出。因此，圖19-21中所示的錨固結構800的實施例的共同之處在于，導體層結構810借助于幾個或者許多小的窄溝槽1000而下降到公共溝槽1050的非常寬的溝槽結構中，以便按照這種方式錨固導體層結構810。導體層結構810也可以包括例如僅僅一根單一金屬線，即一個柵極流道。在也稱為工藝流程的制造工藝結束時，所述許多小的窄溝槽1000合并成公共溝槽1050形式的連續寬溝槽結構。圖22A-22C示出了通過包括另外的依照本發明實施例的錨固結構800的器件的截面，而圖22D示出了布局的與圖22A關聯的頂視圖。在這里，圖22A-22D中所示的在其不同制造階段的錨固結構800的實施例是取自溝槽晶體管領域的實施例。圖22A示出了包括主表面830的器件820，多個相對窄的溝槽1000從主表面830開始向主表面830驅動到襯底材料1010中。該多個溝槽1000用來形成公共溝槽1050形式的寬溝槽結構，該寬溝槽結構具有用于導體層結構(即金屬線)的多個突起形式的底部嚙合結構。除了溝槽1000之外，圖22A也示出了另外的溝槽1150，該溝槽1150可以屬于例如溝槽晶體管820的單元場。在制造工藝的進一步的過程中，所述另外的溝槽1150可以接納一個或若干個電極，其中一個電極例如可連接到柵極電位或者源極電位。在這種器件820的情況下，圖22A中所示的溝槽1000可以通過利用溝槽制造工藝來制造，所述溝槽制造工藝對于溝槽晶體管無論如何是存在的。其中五個示于圖22中的所述多個小的溝槽1000可以在布局中設置成彼此緊密地分開，使得對應凸臺區域1020將在各溝槽1000之間形成。在具有對應溝槽結構的溝槽晶體管或者其他器件820的情況下，現有的工藝流程因此可以用于從幾個或者許多窄的溝槽1000創建寬的溝槽結構。各溝槽1000的相互距離根據制造工藝的各工藝步驟的工藝參數而選擇，使得后續的犧牲氧化將至少部分地移除溝槽1000之間的薄凸臺區帶1020。取決于用于制備溝槽1000和所述另外的溝槽1150的制造技術，也可以使用溝槽蝕刻方法，其導致溝槽1000側壁1120與器件820主表面830之間的偏離的角度。如已經結合圖21A和圖21B中所示的實施例描述的，溝槽1000也可以被制備成具有更大的溝槽錐形，從而得到在向下方向上變得更寬的凸臺結構1020。圖22B示出了在凸臺區域1020的氧化(圖18的步驟S120)以及蝕刻得到的氧化物層形式的特定于物質的移除(圖18的步驟S130)終止之后通過器件820的相同截面。因此，在圖22A的器件820的表示與圖22B的表示之間進行例如熱執行的至少一個氧化過程，所述氧化過程至少部分地氧化溝槽1000之間的凸臺區帶1020。其后，執行氧化物蝕刻，使得包括轉換的襯底材料的氧化物區帶，即最終氧化的凸臺區帶，被移除。按照這種方式，窄的溝槽1000被合并成公共溝槽1050，在該公共溝槽的底部區域處，如今在預先存在的凸臺區帶1020中分別形成突起1060。換言之，在圖22A和圖22B所示的錨固結構800的實施例中，突起1060分別在兩個溝槽1000的凸臺區域1020中形成。圖22C中所示的器件820的截面與圖22B中所示的截面的不同之處在于，在步驟S140 (參見圖18)的情景中起初執行氧化物的沉積或者另外的氧化以便提供至少一個電絕緣層1100。在這里，絕緣層1100提供其后作為導體層結構810的實例引入的金屬線與經常基于硅的半導體環境110之間的電絕緣。其后，可以例如基于標準制造工藝來完成器件820。這可以被實現，例如因為金屬線810被沉積和結構化到公共溝槽1050的寬溝槽結構中。取決于器件820的特定實現方式，金屬線810以與器件820的功率饋送金屬線相同的工藝步驟被沉積和結構化。如果器件820為例如功率MOSFET (MOSFET=金屬氧化物場效應晶體管)，那么金屬線810可以是也在所謂的功率金屬沉積和結構化的情景中制造的金屬結構。通過概括的方式，這些步驟也稱為金屬化。在諸如器件820之類的功率MOSFET的情況下，絕緣層1100也稱為可以在圓(round)氧化的情景中制備的場氧化物(F0X)。最后，圖22D示出了圖22A中所示的器件820的布局的頂視圖，其中除了所述另外的溝槽1050之外，也繪出了平行地延伸的、在上面討論的制造工藝的情景中用于形成公共溝槽1050的五個溝槽1000。根據上文清楚明白的是，在兩個相鄰溝槽1000之間分別設置了凸臺區域1020。然而，在圖22D的頂視圖中，所述多個溝槽1000具有關于所述多個溝槽1000中的兩個邊沿溝槽1000-1和1000-N的特性。例如，第一溝槽1000-1具有溝槽寬度的變化。特別地，第一溝槽1000-1包括具有偏離另一部分1170的寬度的部分1160。由于物質轉換以及轉換的襯底材料的特定于物質的移除(步驟S120和S130)的原因，邊沿溝槽1000-1的寬度的這種變化因此轉移到公共溝槽1050的對應側壁。按照這種方式,公共溝槽1050反過來在溝槽部分1160的區域中獲得溝槽寬度的偏離，這在這種收縮的規則或不規則重復的情況下導致公共溝槽1050的波浪形邊沿。按照這種方式，導體層結構810，即例如如圖22C中所示的金屬結構，也可以關于沿著公共溝槽1050的延伸方向的力而被嚙合。此外，圖22D示出了在這種寬公共溝槽1050的情景中實現導體層結構810的相應嚙合的另外的可能性。例如，另一個邊沿溝槽1000-N包括中斷1180，這在執行物質轉換以及特定于物質的移除(步驟S120和S130)之后也導致公共溝槽1050的寬度的變化。換言之，作為所述多個溝槽1000中的另一個邊沿溝槽的溝槽1000-N至少包括由中斷1180分開的第一部分1190和第二部分1200。在這里，邊沿溝槽1000-N的第一部分1190和第二部分1200在圍繞中斷1180的區域中在公共直線上延伸。作為公共溝槽1050的寬溝槽結構因此可以基于若干小的溝槽1000，這些小的溝槽可以具有規則的溝槽寬度和溝槽距離。在這里,溝槽距離近似相應于對應凸臺區域1020的寬度。然而，高度不規則的溝槽寬度和溝槽距離也是可能的。如已經結合圖21所示出的不同的溝槽側角以及如結合圖20所描繪的不同的溝槽深度也是可能的。所有這些的共同之處應當在于，在物質轉換的情景中至少部分地轉換未來的公共溝槽1050的寬溝槽結構中的對應凸臺區域1020，導體層結構后來要嵌入到所述溝槽結構中。這可以例如通過襯底材料的部分氧化，即例如硅到氧化硅或二氧化硅的部分氧化而實現。特別地，這應當在朝向主表面830或硅表面的區域中進行。在上面描述的實施例中，尤其是各溝槽之間的凸臺區域1020經物質轉換，從而在特定于物質的移除中，轉換的襯底材料以這樣的程度移除，使得突起1060包括小于公共溝槽1050深度1090的高度差1080。換言之，公共溝槽未被凸臺中斷，所述凸臺沒有延伸到遠至主表面。通過使用創建依照本發明實施例的錨固結構800的方法，可以形成突起1060形式的底部嚙合結構。取決于特定的處理，在導體層結構的保形沉積的情況下，可以例如在沉積的導體層結構810頂面處形成對應的底部嚙合結構，因為公共溝槽1050的突起1060可能地也可以在粗糙(金屬)表面形式的導體層結構的表面處被反射。這種應用例如在用于實現可能地附加的錨固或嚙合的其他相對大的焊盤表面區域或者接合焊盤的領域中可能是有用的。例如，借助于將溝槽氧化成一個溝槽以便接觸或合并對應溝槽1000，可以尤其借助于小的溝槽實現用于金屬區帶或其他導體層結構的錨固結構。然后，可以將對應導體層結構、對應金屬區帶或者對應金屬線下降到這種寬溝槽中。如也由先前的實施例所說明的，形成的公共溝槽1050至少基于包括中間凸臺區域1020的兩個溝槽1000。然而，在本發明的許多實施例中，寬溝槽1050基于超過兩個溝槽1000。因此，寬溝槽1050典型地至少具有比如例如在溝槽晶體管的單元場中出現的另外的溝槽1150的溝槽寬度的兩倍更大的寬度。在其中公共溝槽1050基于超過兩個溝槽1000的本發明的另外的實施例中，公共溝槽1050經常包括與另外的溝槽1150的寬度的至少三倍、五倍或者更高倍相應的寬度。

尤其是在晶體管領域中，除了上面描述的可靠性風險之外，關于優化設計的另外的目標變得明顯，所述目標與對應器件的性能有關。例如，適當的目標包括在開通(switched-through)晶體管中，即在導通情況下以及在對應開關操作中實現盡可能低的損耗。為此目的，接通電阻Ron A (Ron為特定接通電阻，A為對應晶體管的表面面積)以及品質因素(FOM)Ron Qgate應當盡可能地最小化，Qgate表示對應場效應晶體管的柵極電荷。除別的以外，柵極電荷Qgate受對應晶體管的柵極端子的電容值關于漏極端子的比例的影響。如在圖23-26的情景中所描述的本發明的實施例因此允許避免或最小化關于如例如芯片邊沿區域中發生的TC負荷的風險，在芯片邊沿區域中經常容納用于電接觸實際晶體管單元的柵電極的柵極流道。同時，本發明的實施例可以允許優化或改進上面提到的品質因素，因為適當的屏蔽結構被提供。一種潛在的制造這種結構的方法也結合圖25和圖26進行了描述。關于這點，本發明的實施例基于以下事實:金屬區帶的TC行為方面的改進通過向下更深地降低對應導體層結構、金屬結構或者金屬線而實現，其中至少一個屏蔽結構用于改進所述行為。例如，除了本發明的上面描述的實施例之外，這提供了減小或最小化晶體管的電容值(即對應晶體管的柵極/漏極電容)的比例的可能性。此外，應當結合圖25和圖26更詳細地討論上面已經提到的方法，所述方法允許與單元場溝槽蝕刻工藝獨立地形成深而寬的溝槽。在場效應晶體管的情況下，這可能有益于例如范圍為20-60V的低電壓等級，因為在這種情況下，單元場溝槽和錨固溝槽可以彼此獨立地優化。例如，取決于應用，可能希望的是設計特別地用于小電容部件的單元場溝槽并且因而將這些設計為幾何上小而平。相比較之下，取決于應用，可能希望的是將對應錨固溝槽設計為特別寬而深以便能夠接納例如柵極流道金屬結構。此外，如果可以例如是多晶硅結構的上面提到的屏蔽結構也與可能地可以使用的氧化物或其他絕緣層一起向下下降到對應的深溝槽中，那么至少的溝槽深度在一些應用中是該目的所希望的。相比較之下，如果對于例如所謂的25V電壓等級所處理的是場效應晶體管，那么對于單元場溝槽可以實現例如僅僅的溝槽深度。有關的方法將結合圖25和圖26更詳細地進行解釋。—種制造依照本發明實施例的用于導體層結構810的嚙合結構800的方法因此包括在襯底材料1010的表面830處產生第一溝槽1000-1和第二溝槽1000-2，第一溝槽和第二溝槽設置成彼此平行并且分開，使得襯底材料1010的凸臺區域1020保持在它們之間。該方法進一步包括:執行凸臺區域1020表面處的襯底材料的物質轉換，凸臺區域1020表面1030處的轉換的襯底材料的特定于物質的移除，使得第一溝槽1000-1和第二溝槽1000-2合并成公共溝槽1050，該公共溝槽在凸臺區域1020內包括其溝槽底部1070處的突起1060 ;以及沉積導體層結構810，使得導體層結構810至少部分地在公共溝槽1050內延伸并且在面向突起1060的區域處形成凹口 1110。在其他實施例中，上面描述的方法可以包括產生多個溝槽，外溝槽包括第一部分，該第一部分具有偏離溝槽第二部分的寬度，使得公共溝槽在第一區域中包括偏離第二區域的寬度。在另外的實施例中，可以在所述方法中產生第一溝槽和第二溝槽，所述溝槽具有不同的深度，即關于主表面的第一深度和第二深度。可以這樣產生公共溝槽，使得突起的高度差不超過公共溝槽深度的90%，即小于深度的90%。在其他實施例中，該比值可以限制為小于75%或者小于50%。圖23A示出了沿著也在圖23B中再現的截面方向A_B_C通過包括依照本發明實施例的錨固結構800的器件820的截 面，圖23B再次示出了器件820的頂視圖。器件820為包括單元場1300的垂直溝槽場效應晶體管，所述單元場具有多個溝槽1150-1、1150-2、……，其中每一個包括下面的電極1310和上面的電極1320。如名稱已經指示的，這兩個電極在對應溝槽內設置為彼此垂直地偏移，并且通過絕緣層1330彼此電分離。此外，溝槽1150內襯有絕緣層1100以便除別的以外防止兩個電極1310、1320與對應溝槽1150下面的襯底材料1010的無意的電接觸。在溝槽1150內，經常也稱為場氧化物(FOX)的絕緣層可以包括變化的厚度，這也在圖23A中示出。上面的電極1320進而通過絕緣層1340與上覆的層和結構電絕緣。因此，單元場1300中所述另外的溝槽1150內的兩個電極1310、1320通過絕緣層1100并且在垂直方向上通過絕緣層1330和1340與其對應的環境橫向電絕緣。上面的電極1320表示垂直晶體管的實際柵電極并且照此也連接到器件820的柵極端子。即使下面的電極1310也設置在溝槽1150內，它也仍然不用來在操作期間控制場效應晶體管的溝道，而是相反地用于影響所述場。因此，下面的電極1310耦合到用于器件820的源極電位的端子。用于上面的和下面的電極1320、1310的對應端子在圖23A表示的截平面A-B-C之外實現。溝槽1150的下面的電極1310以及分別設置在溝槽1150之間但是未在圖23A中繪出的源極端子間接或直接地連接到源極金屬化1350。源極金屬化1350也用作接合焊盤，即用作器件820的用于對應接觸線的外部電路的端子焊盤，所述接觸線可以例如借助于接合工藝連接到端子焊盤1350。如圖23B中的頂視圖所圖解說明的，所述源極金屬化1350設置在器件820中心的大區域上方，值得注意的是，圖23B示出了器件820的芯片的轉角的部分。下面，將與圖23A和圖23B—起解釋器件820的另外的結構以便能夠使用圖23B的示意性頂視圖結合圖23A進一步圖解說明一方面器件820的分層架構以及另一方面對應結構的橫向布置及其相互作用。如上面已經簡要地提到的，圖23B示出了在其上實現器件820的芯片的轉角的部分。此外，圖23B為一種示意性地簡化的表示，其中為了清楚起見沒有再現各結構特征。這些包括例如溝槽1150的內部結構。再者，圖23B沒有繪出所有的周期性地或者以其他方式設置并且出現若干次的元件。圖23B僅僅示出了單元場1300的前三個溝槽1150-1、1150-2、1150-3。溝槽1150的進一步繼續由緊靠第三溝槽1150-3的各點指示。兩個電極1310、1320借助于對應端子結構間接地或者直接地耦合到器件820的對應端子。對于溝槽1150的下面的電極1310，圖23A和圖23B示出了對應端子結構1360，其在器件820中由多晶硅(poly-Si)制成。由于端子結構1360用來接觸在器件820的操作期間向其施加源極電位的下面的電極1310，因而它也稱為“poIy-S ”。端子結構1360沿著圖23A中所示的截面在點A和B之間的區域中從凹陷840的內部沿著其側壁延伸，并且在器件820主表面830上的絕緣層1100上延伸。圖23B也示出了端子結構1360 (poly-S)從凹陷840開始延伸到源極金屬化1350區域之下的單元場1300中。在這里，端子結構1360通過絕緣層1100與下面的襯底材料電絕緣，該絕緣層1100在氧化物層的情況下也稱為場氧化物(F0X)。端子結構1360通過另外的絕緣層1370與上覆結構電絕緣，所述另外的絕緣層除了開口和其他接觸孔之外完全覆蓋端子結構1360。該另外的絕緣層1370也經常實現為氧化物并且因此被給予名稱“Polox”，作為借用端子結構1360的名稱poly-S的多氧化物(poly-oxide)的簡稱。為了允許端子結構1360 (poly-S)與關聯的源極金屬化1350電接觸，所述另外的絕緣層1370包括接觸孔1380，該接觸孔可能地也可以可選地填充有摻雜的、高度摻雜的或者未摻雜的半導體材料(例如poly-Si)或者附加的金屬結構。如也在圖23B中示出的，器件820在其外部區域中包括導體層結構810，該導體層結構在圖23A和圖23B所示的特定實施例中為連接到用于柵極電位的器件820端子的金屬線。因此，金屬線810也稱為所謂的柵極流道。為了確保器件820的功能，所述柵極流道經常在所謂的功率金屬化的情景中實現，其中與其他傳導結構相比，對應金屬結構被實現為明顯更寬和更厚。因此，柵極流道810精確地為這樣的金屬結構，其可能地可以遭受上面描述的TC負荷。出于這個原因，作為導體層結構810的實施例，柵極流道810至少部分地設置于在對應溝槽基礎上形成的凹陷840內。在這里，如也在圖23B的頂視圖中示出的，凹陷840在被設計為適當寬的溝槽的基礎上實現。柵極流道810通過絕緣層1400與另外的端子結構1390分離，除了接觸孔和其他開口的區域之外，該另外的端子結構設置在柵極流道810之下。在這里，除了別的以外，該另外的端子結構1390用于間接地或者直接地接觸單元場1300中的溝槽1150的上面的電極1320。所述另外的端子結構1390像端子結構1360那樣經常也由多晶硅制成，從而它也稱為“poly-G”，因為它攜帶柵極電位。為了特別地允許柵極流道810與所述另外的端子結構1390之間的這種電接觸，也經常配置為氧化物的絕緣層1400包括接觸孔1410，該接觸孔在當前情況下填充有柵極流道810的材料。因此，正是借助于接觸孔1410，在柵極流道810與所述另外的端子結構1390之間存在連接。在實現為氧化物層的情況下，絕緣層1400經常也稱為中間氧化物(INT 0X)。關于這點應當指出的是，為了簡化表示，圖23B既沒有繪出所述另外的端子結構(poly-G) 1390，也沒有繪出絕緣層1400，也沒有繪出接觸孔1410。由于如也在圖23A中示出的，絕緣層1400也在源極金屬化1350與端子結構1360之間的重疊區域的區域中延伸，因而接觸孔1380也包括絕緣層1400中的對應開口，以便允許實現源極金屬化1350與所述另外的端子結構1360之間的電接觸。圖23A和圖23B中描繪的錨固結構800的實施例因此不僅在凹陷840 (錨固溝槽)內包括作為導體層結構810的柵極流道，而且包括poly-S 1360、poly-G 1390和中間多氧化物1370。雖然柵極流道810借助于接觸孔1410與所述另外的端子結構1390直接電接觸，然而，下面的poly-S 1360與柵極流道810和poly-G 1390 二者電絕緣，并且電連接到源極金屬化1350。由于與poly-G結構1390不同的是，poly-S結構1360附加地整個在柵極流道810 (導體層結構810)之下延伸并且可選地沿著凹陷840側壁延伸，因而所述poly-S結構1360將柵極流道810和下面的poly-G 1390與在對應襯底的背離主表面830的后側的器件820漏極端子電屏蔽。換言之，圖23A和圖23B中描繪的錨固結構800的實施例提供了形成金屬線或金屬區帶810的可能性，所述金屬線或金屬區帶向下更深地被放置并且包括用于改進對應器件820的開關屬性的屏蔽層。相應的方法將參照圖25和圖26A-26K更詳細地加以描述。圖23A和圖23B示出了柵極流道區域中的屏蔽結構的截面圖像和潛在布局視圖，所述屏蔽結構向下更深地被放置并且其中端子借助于從深的柵極流道溝槽840引出的平坦poly-S層1360實現。這里表示的poly-S 1360用來將poly-G 1390和柵極流道金屬810與設置在器件820后側的漏極端子屏蔽。poly-S 1360完全內襯深寬溝槽840的側壁以及溝槽840的底部，并且在一側從溝槽引出以用于接觸目的。然而，poly-S 1360也可以僅僅在深溝槽840中延伸和連接以便直接屏蔽。在這種情況下，存在例如經由單元場1300的溝槽1150直接接觸poly-S的可能性，所述溝槽就其本身而言通往深溝槽840，如圖24中示意性地示出的。圖24為具有依照本發明實施例的錨固結構800或柵極流道810的垂直場效應晶體管形式的這種另外的器件820的頂視圖。圖24中繪出的實施例與圖23A和圖23B中所示的實施例僅僅在層結構方面稍微不同。它也關于圖23B的布局稍微不同，這就是應當在下文中強調這兩個實施例之間的區別的原因。再次將稱為Poly-S的端子結構1360僅在溝槽840內延伸。poly-S的電接觸，即其端子，借助于通往公共溝槽840的單元場溝槽1150實現。圖24中所示的三個單元場溝槽1150因此延伸到遠至溝槽840，使得設置在溝槽1150內的下面的電極1310與溝槽840內以平坦的方式實現的poly-S 1360直接接觸。與圖23A和圖23B中所示的器件820不同的是，圖24中所示的器件中從源極金屬化1350到poly-S 1360的電位的電力供應直接在單元場1300的實際溝槽1150的區域中借助于對應接觸孔1420而實現。因此，在借助于各“源極手指”的手指型端子的情景中，poly-S 1360的端子直接經由到單元場1300中的源極金屬1350的接觸孔1420實現。在下文中，將結合圖25和圖26A-26K描述一種制造向下更深地被放置并且包括屏蔽和錨固的柵極流道的方法。然而，在結合圖26A-26K描述使用得到的結構的不同中間步驟的實際工藝流程之前，將起初結合圖25描述依照本發明實施例的錨固結構800的頂視圖。圖25中所示的頂視圖在一定程度上類似于圖24中所示的頂視圖。在這里，例如柵極流道或導體層結構810也設置在溝槽840內。poly-S結構1360再次表示在柵極流道810之下，作為用于屏蔽柵極流道810的另外的導體層結構。圖25中未示出將在下面解釋的多個另外的結構和層。饋送溝槽1430以垂直的方式通往溝槽840，所述饋送溝槽1430進而通往單元場1300的溝槽1150。饋送溝槽1430具有設置于其中的多晶硅結構1440，該多晶硅結構與凹陷840 (錨固溝槽)內的poly-S結構1360電接觸。錨固溝槽840或者凹陷840的內部有時也稱為低區帶。多晶硅結構1440附加地通往單元場1300的溝槽1150的下面的電極1310。關于將在進一步的過程中重新出現的poly-G區帶1390以及單元場300的溝槽1150的關聯的上面的電極1320，此時應當指出的是，就質量而言，基本上這同樣適用于這些，如同關于端子適用于對應poly-S結構1360。在這里，如圖23A和圖23B中針對poly-S1360所示，結合以平坦的方式引出對應poly-G結構連接單元場溝槽1150也是可能的。此夕卜，如圖24和圖25中所示，也有可能借助于直接通往這些的溝槽連接這些。下面將結合沿著由圖25中的箭頭A表示的截平面的圖26A-26J描述制造方法的工藝流程。然后，將結合圖26K描述在相同工藝流程期間得到的沿著圖25的截面區域B的截面。圖26A示出了可能在兩個可選的工藝步驟之后存在的在晚些時候得到的柵極流道的區域中的截面。起初，將關于襯底材料1450主表面830的一個或若干個溝槽1460蝕刻到襯底材料1450中。可以在溝槽蝕刻期間在溝槽840的區帶中蝕刻溝槽1460，所述溝槽840將在以后形成并且向下更深地放置，用于柵極流道810。因此，總的來說溝槽1460用來提供創建更深結構的可能性。它們因此有時也稱為假溝槽。在這里，溝槽1460可以例如在用于單元場1300的溝槽1150的制造方法的情景中共同制造。它們經常借助于各向異性蝕刻工藝，例如借助于離子束或反應離子束蝕刻而制造。其后，或者可能地在此之前，施加、曝光和顯影抗蝕劑1470。這在溝槽1460的區域中得到開口 1480。當然，這樣引入的溝槽1460可以用作結合圖18-22描述的用于底部嚙合結構的溝槽1000。圖26B示出了曝光抗蝕劑平面或者設置于其中的抗蝕劑1470之后的狀態，在所述狀態中抗蝕劑1470內的對應區域被開口，并且其中在圖26A的溝槽1460的區域中，襯底材料1450借助于性質上傾向于各向同性的蝕刻工藝被移除。因此，在襯底材料1450中，在相應溝槽或者溝槽840本身的基礎上得到凹陷840。圖26C與從抗蝕劑平面移除抗蝕劑之后得到的凹陷840 —起示出了襯底材料1450。如圖26D中所示，通過氧化襯底材料1450，在主表面830上和側壁上以及在凹陷840的底部區域中創建了形式為場氧化物的絕緣層1100。因此，圖26D示出了場氧化物1100被氧化之后的器件。其后，如圖26E中所示，將多晶硅沉積到絕緣層1100上，所述多晶硅在溝槽840內形成端子結構1360或poly-S 1360。圖26F示出了在借助于化學機械拋光(CMP)移除在溝槽840內形成poly-S 1360的多晶硅層的過量材料之后的狀態中的器件。因此，在CMP工藝步驟之后，多晶硅1360僅僅保留在溝槽840的區帶內。當然，可以考慮和實現不同的幾何結構。圖26G示出了在用于在未來的poly-S 1360與poly-G 1390之間提供另外的絕緣層1370的另外的氧化之后形成的中間產品，所述poly-G 1390隨后被沉積。由于所述另外的絕緣層1370設置在這兩個poly 1360、1390之間并且借助于氧化而從poly-S結構1360的先前沉積的多晶硅得到，因而它也稱為多氧化物或“Polox”。圖26H示出了在另外的CMP工藝步驟之后的器件的中間步驟，在所述另外的CMP工藝步驟的情景中從主表面830至少部分地移除poly-G 1390的過量的多晶硅材料以及可能地過量的氧化物。隨后，沉積所述另外的絕緣層1400，該絕緣層在氧化物的情況下也稱為中間氧化物層(INT OX)o隨后，在接觸孔蝕刻步驟中，在溝槽840的內部引入用于接觸poly G 1390的接觸孔1410。之后，在沉積功率金屬化以及結構化柵極流道810的情景中，如圖26J中所示，在先前結構化的層結構上在溝槽840內部創建柵極流道形式的導體層結構810。除了作為導體層結構810實例的柵極流道810之外還可以包括圖23A、圖23B和圖24中所示的源極金屬化1350的功率金屬化的沉積可以例如使用濺射方法來實現。在這里，對應金屬也內襯接觸孔1410并且因此在柵極流道810與下面的poly-G結構1390之間建立電接觸。如已經在圖25的情景中結合對應器件的概覽所解釋的，圖26A-26J中表示的步驟涉及由A標記的位置。相比較之下，圖26K示出了沿著圖25中標記為B的方向通過相應地制備的器件的截面。圖26K示出了具有源極多晶硅1360的接觸的端子溝槽1430的區域中的截面。基本上，圖26K中的表示與圖26J中的表示的不同之處在于，饋送溝槽1430與對應多晶硅結構1440 —起通往溝槽840。如已經結合圖25示出的，該饋送溝槽1430進而通往溝槽1150或者與圖26K中所示的截平面垂直地延伸的另外的饋送溝槽。因此，后者然后通往溝槽1150的對應電極1310。因此，圖26K示出了通過正交端子溝槽的截面，這些端子溝槽將poly-S1360連接到攜帶源極電位的對應結構。在下文中，將討論允許半導體器件的金屬結構強機械聯結到半導體襯底的另外的實施例。如上面所描述的，這樣的聯結通過包括具有至少一個拓撲邊緣的結構化器件層的嚙合結構并且通過金屬結構與多晶硅層之間的粘合連接而實現，所述多晶硅層設置在襯底與結構化器件層之間。由于半導體器件的小型化，一些半導體器件并不包括多晶硅層。因此，需要一種改進的在襯底與結構化器件層之間沒有平面多晶硅層的情況下允許實現金屬層的良好機械聯結的方法。這種改進的方法將參照圖27、圖28A、圖28B和圖28C的實施例詳細地加以討論。圖27不出了一種包括半導體襯底1610的半導體器件1600,所述半導體襯底可以包括單晶材料或者外延材料。半導體器件1600具有也稱為有源區域或芯片區域的單元場1620、以及在半導體襯底1610上形成的外部區域1630，例如外圍區域。在該實施例中，單元場1620包括四個有源單元1620a、1620b、1620c和1620d，例如四個晶體管(例如MOSFET晶體管)。在這里，有源單元1620a、1620b、1620c和1620d的部分(例如柵極或其他有源單元)嵌入到溝槽1622a、1622b、1622c和1622d中。在下文中，將示例性地討論表示有源單元1620b、1620c和1620d的有源單元1620a的結構。為了分別形成有源單元1620a和垂直晶體管結構，向溝槽1622a填充像多晶硅1621a那樣的半導體材料，其形成晶體管結構的柵極。也稱為多晶硅柵極的柵極通過絕緣層1640與襯底1610隔離。溝槽1622a被晶體管的源極區域1623a包圍，其中源極區域1623a(或者源極區1623a)被設置成緊靠主表面并且由分別設置在襯底1610主表面上以及絕緣層1640上的金屬源極導體1631電接觸。源極區域1623a以及因此溝槽1622a嵌入到形成垂直場效應晶體管結構的基極的體積區域1625中。垂直晶體管結構1620a的漏極區域1627與襯底1610主表面相對地設置在襯底1610內，從而在漏極區域1627與由摻雜阱形成的體積區域1625之間(以及因而在漏極區域1627與源極區域1623a之間)形成低摻雜區域(與漏極區域1627或者漏極區1627相比而言)。此外，填充有多晶硅1621a的每個溝槽1622a、1622b、1622c和1622d由氧化物1629a覆蓋，該氧化物用于將溝槽與金屬源極導體1631隔離。在外部區域1630中，形成嚙合結構以便在溫度循環(TC)的情況下確保半導體器件1600的可靠性。如上面所解釋的，溫度循環可能造成金屬結構的抬升金屬線或者移動金屬線。在該實施例中，嚙合結構包括金屬結構1650、中間絕緣層1660以及嵌入到襯底1610的兩個凹陷1612a和1612b中的兩個支撐結構1665a和1665b。金屬結構1650設置在可以包括氧化物的中間絕緣層1660的主表面上，其中中間絕緣層被結構化，使得它被接觸孔1662a和1662b中斷。中間絕緣層1660設置在包括兩個凹陷1612a和1612b的半導體襯底1610上。兩個凹陷1612a和1612b與接觸孔1662a和1662b對準。兩個凹陷1612a和1612b填充有多晶硅以便形成嚙合結構的兩個支撐結構1665a和1665b。應當指出的是，兩個凹陷1612a和1612b以及因此兩個支撐結構1665a和1665b與單兀場1620分離并且因此不是單兀場的一部分。換言之，支撐1665a或1665b的多晶硅并不形成晶體管結構的有源區域或一部分或者晶體管結構。因此，這種支撐結構1665a和1665b典型地不設置成鄰近有源區域(例如晶體管結構的源極區域或柵極區域)并且不連接到半導體器件1600的布局的多晶硅層。即，鄰接凹陷1612a和1612b的襯底1610的區域是非連接的和/或浮動的，使得該區不形成任何晶體管的任何基礎、漏極或源極區。凹陷1612a或1612b與單元場1620的溝槽1622a、1622b、1622c和1622d之間的距離可以大于25Mm、50Mm或者甚至大于250Mm。該距離允許實現對應凹陷1612a或1612b與單元場1620之間的阻抗基本上是無限的，使得支撐結構1665a和1665b的電壓不影響有源單元 1620a、1620b、1620c 和 1620d。例如包括鈦-鈦-氮-鎢-鋁-銅材料或者鈦-氮材料的金屬結構1650通過接觸孔1662a和1662b向上延伸到支撐結構1665a和1665b。換言之，金屬結構1650以及金屬結構1650的一部分分別嵌入到接觸孔1662a和/或1662b中，并且在金屬結構1650與支撐結構1665a和1665b之間形成材料結。由于鈦-鈦-氮材料與多晶娃之間的材料結的原因，在金屬結構1650與支撐結構1665a和1665b之間生成粘附連接。應當指出的是，源極導體1631被設置成與金屬結構1650平行，但是通過間隙與金屬結構隔離。由于分別在金屬結構1650與中間絕緣層1660的接觸孔1662a和1662b之間形成拓撲邊緣190以及在金屬結構1650與支撐結構1665a和1665b之間形成材料結的嚙合結構的原因，改進了機械聯結。因此，減小了由溫度循環造成的半導體器件1600的失效的風險。這樣的嚙合結構優選地可以應用到設置在外圍區域的金屬結構，比如柵極流道結構或者包圍單元場1620的接觸區。其背景在于，由于半導體材料、金屬結構的和/或外殼的材料的不同伸展系數的原因，在外圍區域處發生溫度循環應力。因此，依照另外的實施例，夕卜部區域1630中的金屬結構可以是柵極流道結構或者外圍區的接觸區。在該實施例中，嚙合結構示例性地包括兩個支撐結構1665a和1665b以及兩個凹陷1612a和1612b以及兩個接觸孔1662a和1662b，但是應當指出的是，該嚙合結構也可以包括僅僅一個支撐結構1665a以及因而僅僅一個凹陷1612a和一個接觸孔1662a或者超過兩個支撐結構、凹陷和接觸孔。依照另一個實施例，支撐結構1665a和1665b由設置在襯底1610上以及凹陷1612a和1612b內的絕緣層1640隔離，使得支撐結構不經由半導體襯底1610或者在半導體襯底1610內電連接到單元場1620。圖28A示出了包括單元場1620和外部區域1630的半導體器件的層，其中設置了所述一個或多個嚙合結構。在外部區域1630中，金屬結構1650被設置成與單元場1620平行并且通過多個不同的嚙合結構附接到襯底1610。這些不同的嚙合結構可以具有與金屬結構1650有關的不同取向和/或不同形狀。在下文中，將示例性地討論三個嚙合結構1635a、1635b 和 1635c。嚙合結構1635a包括六個平行的、長方形的接觸孔，這些接觸孔被設置成與金屬結構1650平行。在這里，這六個長方形接觸孔被提供到設置在金屬結構1650與襯底1610之間的中間絕緣層中。這些長方形接觸孔與由填充有多晶硅的平行長方形溝槽形成的六個長方形凹陷對準。這些溝槽與單元場1620的溝槽在其長度方面不同，使得與單元場1620的溝槽相比，嚙合結構1635a的溝槽的長度可以至少小20%或50%。應當指出的是，溝槽可以彼此具有不同的寬度(例如0.0lMm至25Mm)和不同的距離，使得對應的嚙合結構可以適于對應的要求。依照圖27的實施例，金屬結構1650通過長方形接觸孔向上延伸到在溝槽中由多晶硅形成的支撐結構，使得金屬結構1650的拓撲形成拓撲邊緣190。嚙合結構1635b具有循環形狀，其中嚙合結構1635c具有十字形狀。如上面所討論的，這些嚙合結構1635b和1635c中的每一個包括由溝槽形成的至少一個凹陷1612、支撐結構和金屬結構1650，其彼此對準，使得對應拓撲邊緣形成。單元場1620和外部區域1630 (例如外圍區域或柵極流道結構或接觸區)由溝道阻擋1670分離。該溝道阻擋1670可以由另外的溝槽形成，該另外的溝槽從襯底1610主表面至少部分地延伸到襯底中，使得外部區域1630與襯底1610內的單元場1670 (電)隔離。溝道阻擋1670可以包括設置在溝道阻擋溝槽中的至少一個電極。在下文中，將參照圖28B詳細地討論另外的嚙合結構1635d，其中圖28B的截平面由圖28A中的標記1635d-M圖解說明。圖28B在第一視圖中示出了(I)通過嚙合結構1635d的截面視圖并且在第二視圖中示出了(2)嚙合結構1635d的頂視圖。在這里，嚙合結構包括十二個伸長的溝槽1612、十二個接觸孔1662以及十二個支撐結構1665。金屬結構1650設置在中間絕緣層1660上以及接觸孔1662內。依照圖27的實施例，由于支撐結構1665以及由接觸孔1662形成且粘附到支撐結構1665的拓撲邊緣190的原因，金屬結構1650被鉗到地下，即鉗到襯底1610和襯底1610的溝槽1612。如上面描述的，柵極流道結構1630通過溝道阻擋1670與單元場1620分離。單元場1620包括多個有源單元，這些有源單元經由另外的金屬結構1666而被接觸。該接觸結構1666可以連接到襯底1610表面之上的金屬結構1650。圖28C示出了當前的半導體器件(參見SFET5基極感測變體，SFET5的后繼)。該半導體器件1680包括單元場1682和外圍區域1684。半導體器件1680進一步包括單元場1682與外圍區域1684之間的溝道阻擋1683。上面討論的嚙合結構可以應用于該外圍區域1684 中。
即使在上面描述的本發明實施例的情景中，所述另外的端子結構在每種情況下包括僅僅一個半導體層(多晶硅)作為另外的導體層結構1360，該半導體層也可以基本上由任何導體層結構代替，所述任何導體層結構可以僅僅包括金屬層、合金層、半導體層或者上述層的任何組合。同樣地，可以也可能明智的是將絕緣材料依次插入對應的導體層結構1360中，只要傳導電壓或電流的對應導體層結構的基本容量至少未完全被抑制。即使在上面的本發明實施例中，以單一金屬線的形式，更特別地以柵極流道的形式描述了導體層結構810，在這個方面也可以基本上采用包括至少一個金屬層的任何導體層結構810。關于這點，應當指出的是，出于本說明的目的，包括合金的層也應當被認為是金屬層。在這里，如先前描述的實施例中所示的導體層結構810可以至少部分地填充對應溝槽或凹陷840，使得至少在凹陷840的深度的部分上方，對應凹陷的寬度完全被導體層結構810填充。同樣地，導體層結構可以伸出器件的主表面830之外。一般而言，向下更深地放置的結構基本上可以是獨立的結構。因此，向下更深地放置并且要錨固的對應結構可以僅僅是金屬或者僅僅是多晶硅結構。向下更深地放置的結構，即導體層結構810，同樣可以僅僅是例如poly-S結構或者poly-G結構，其分別設置在深溝槽840內。然而，如前面已經提到的，這些也可以以任何組合形成。用于其生產的工藝分別地可以基本上加以組合并且以任何希望的方式使用。如果例如相對平坦的溝槽用于在相當高的電壓等級下執行下降操作，那么結合圖26A描述的單元場溝槽蝕刻可能地也可以用于錨固結構。如果較深的溝槽需要用于在中至低電壓等級下降低一個或若干個多晶硅層和/或金屬線，那么可能地可以采用這里描述的工藝。在各種變型中，原則上也可以配置這里描述的方法，使得它可以例如在要產生具有小于1.5Mm的深度的非常平坦的單元場溝槽或者平坦的晶體管(僅列出眾多潛在的另外的實現方式中的兩個潛在實例)的情況下完全免除第一單元場溝槽蝕刻。在這種情況下，可以單獨地通過這里描述的方法來實現深的錨固溝槽。因此，為了在本發明實施例的情景中制造溝槽和凹陷，存在例如單獨地通過單元場溝槽蝕刻，即通過在性質上傾向于各向異性的蝕刻工藝，或者單獨地借助于抗蝕劑蝕刻，即通過例如借助于濕化學執行的更加各向同性的蝕刻，或者也通過這些不同的蝕刻方法的任何組合而制造溝槽和凹陷的可能性。通過使用這些蝕刻方法，可以針對對應蝕刻工藝實現包括幾乎任何類型的重疊或底切(有時也稱為下層疊覆)的布局。取決于特定的實現方式，可以以幾乎成本中性的方式實現上面描述的方法，因為在制造器件的許多工藝中，對應的抗蝕劑工藝已經是關聯的工藝流程的一部分。此外，存在在垂直場效應晶體管的情況下通過向下更深地放置柵極流道結構合理化整個芯片邊沿設計的可能性，這尤其是對于相對小的芯片表面面積而言可以允許相當大的成本降低。當然，在廣泛的應用領域中，上面描述的用于制造錨固和嚙合結構的實施例和方法可以彼此組合。例如，在圖23-26的實施例中可以產生溝槽840，使得如結合圖18-22描述的突起在溝槽840的對應底部區域中形成。再者，可以像在圖5-7的情景中那樣實現對應接觸孔，例如接觸孔1410。同樣地，可以像在圖8-11的情景中那樣配置對應的其他邊緣，例如長方形接觸孔的邊緣。再者，可以在絕緣層或者傳導結構(例如導體層結構)的情景中采用如圖12和圖13中描述的錨固和嚙合結構。取決于特定的實現方式，如結合圖2-4所描述的，對應的溝槽自然也可以實現為包括懸伸的側壁。依照本發明實施例的錨固結構800包括具有主表面830的器件820、從器件820主表面830開始延伸到器件820中的凹陷840以及在器件820主表面830之下的凹陷840內在導體層結構810的長度上且在導體層結構810的至少20%的比例的截面面積內延伸的導體層結構810。在這里，導體層結構810包括至少一個金屬層870。對于這樣的錨固結構800，導體層結構810可以在器件820主表面830之下的凹陷840內完全在所述長度上延伸。同樣地，凹陷840可以是器件820內的溝槽，或者導體層結構810可以包括背離凹陷840底部并且至少關于導體層結構810的部分處于暴露的主表面850。在錨固結構800形式的本發明另外的實施例中，導體層結構810的部分可以關于凹陷840的長度不完全在凹陷840內延伸。然而，相對于凹陷840，這部分總計為導體層結構810的總長度的最大5%。對于錨固結構800，凹陷840可以包括底部，錨固結構800于是進一步包括設置在導體層結構810與凹陷840底部之間的另外的導體層結構。在這種情況下，所述另外的導體層結構1360耦合到端子結構，使得所述另外的導體層結構1360可以連接到電位。在這種情況下，對于錨固結構800，可以將絕緣層1370設置在導體層結構810與所述另外的導體層結構1360之間，使得導體層結構810與所述另外的導體層結構電絕緣。對于依照本發明實施例的錨固結構800，凹陷840可以是包括溝槽底部1070的溝槽840，溝槽底部1070包括突起1060，并且導體層結構810為在面向突起的區域處包括凹口 1110的金屬結構。在這里，凹陷840的溝槽底部1070與突起之間的最大高度差可以總計為至少200nm或者凹陷或溝槽840的深度的至少5%。在這些情況下，凹陷840也可以包括多個突起1060。在這里，導體層結構810可以在凹陷深度的至少30%上填充凹陷的寬度。再者，對于這樣的錨固結構800，凹陷840可以包括至少一個具有這樣的寬度的部分，該寬度偏離凹陷840的另外的部分。此外，對于依照本發明實施例的錨固結構800，凹陷840的最小寬度可以大于或等于導體層結構810的寬度。同樣地，對于錨固結構800，導體層結構810可以設置在凹陷840底部。除了本申請中描述的不同錨固結構和嚙合結構的實施例之外，這些實施例自然還可以以各種方式彼此組合。例如，圖5-11中描述的嚙合結構的實施例可以以任何希望的方式彼此組合地以及與如例如圖2-4和圖12-17中描述的錨固結構的實施例組合地被采用。同樣地，錨固結構的各個實施例可以相當可能地彼此組合。取決于特定的應用領域，有可能例如采用如圖1-4中討論的錨固結構的實施例和如結合圖17討論的實施例。同樣地，可以實施和實現如結合圖14-16所討論的錨固結構的實施例以及如圖17中所繪出的錨固結構的實施例的組合。此外，錨固結構的相應實施例的凹陷自然可以包括附加地也在嚙合結構的實施例方面所描述的拓撲邊緣。因此，可以以如上面的不同組合可能性的列表可能僅僅部分地指示的任何組合采用如在本說明書的上下文中所說明的錨固和嚙合結構。通過這些組合，可以實現對于傾向于借助于橫向力沿著器件或襯底的表面移動導體層結構、金屬表面、金屬區帶、金屬線或者其他金屬面的應力或其他負荷的顯著改進的負荷能力。同樣地，可以通過相應的組合或者通過不同錨固結構和/或嚙合結構的各種實現方式來提供對于垂直力或者與對應器件和襯底的表面垂直地作用的力的增大的抵抗性，從而可以實現對于抬升金屬線、金屬表面、金屬區帶和其他導體層結構的顯著改進的負荷能力和抵抗性。此外，此時應當指出的是，對于錨固結構和/或嚙合結構的所有實施例及其組合，即尤其是對于所有器件、芯片和襯底而言，金屬層、金屬區帶、金屬結構和導體層結構典型地處于暴露，從而可以使用接合線或其他接觸線從背離襯底或器件的那側接觸它們。除了可以例如通過熱接合或者通過超聲輔助接合而施加的接合線之外，也可以通過按壓接觸或者彈簧加載接觸來電接觸對應的金屬區帶或導體層結構。可選地，對應金屬結構和/或導體層結構的至少一部分可能地可以由諸如PMMA、BPSG或者不同的有機化合物之類的(有機)保護層覆蓋。然而，特別地，像例如有關CMOS器件(CMOS=互補金屬氧化物半導體)的情況那樣，對應的金屬區帶或導體層結構通常幾乎不或者根本不被氧化物層和/或氮化物層覆
至JHL ο如先前已經解釋的，下文中將使用概括性附圖標記以簡化以下描述。盡管根據若干實施例描述了本發明，但是存在落入本發明范圍內的改變、置換和等價物。還應當指出的是，存在實現本發明的方法和組成部分的許多可替換的方式。因此，預期的是，將以下所附權利要求解釋為包括落入本發明的真實精神和范圍內的所有這樣的改變、置換和等價物。參照圖27，應當指出的是，支撐結構1665a和1665b分別可以是金屬結構1650的一部分。此外，應當指出的是，支撐結構1665a和1665b分別可以包括例如多個多晶硅部分以便形成所謂的雙多晶硅溝槽。單獨地提供的所述多個多晶硅部分可以彼此隔離，使得至少一個部分形成浮動部分。參照圖27，應當進一步指出的是，單元場1620可替換地可以包括橫向晶體管結構。依照另一實施例，金屬結構1650可以形成為例如層疊層，用于組合不同材料屬性的目的。金屬結構1650和金屬疊層可以通過沉積而形成。參照圖27的實施例，應當指出的是，金屬結構1650可以經由金屬源極導體1631連接到單元1620a、1620b、1620c和1620d，其中嚙合結構或者更詳細地說支撐結構1665a和1665b與單兀場1620分離，使得支撐結構1665a和1665b不是單兀場1620的一部分或者不
形成晶體管結構。
權利要求
1.一種用于半導體器件的金屬結構的錨固結構，該錨固結構包括: 錨固凹陷結構，包括至少一個懸伸側壁，其中金屬結構至少部分地設置在錨固凹陷結構內。
2.依照權利要求1的錨固結構，其中懸伸側壁由半導體器件的半導體襯底形成。
3.依照權利要求2的錨固結構，其中半導體襯底包括單晶半導體，其中形成錨固凹陷結構，使得懸伸側壁由半導體形成。
4.依照權利要求3的錨固結構，其中錨固凹陷結構部分地填充有多晶硅。
5.依照權利要求1的錨固結構，其中懸伸側壁具有與垂直于半導體器件的主表面的法線方向有關的至少-3°的角度。
6.依照權利要求2的錨固結構，其中金屬結構包括沉積的保形金屬，使得金屬結構由錨固凹陷結構錨固并且鄰接懸伸側壁。
7.依照權利要求2的錨固結構，其中金屬結構被設置成使得金屬結構通過底切緊配合而適配于半導體襯底。
8.一種用于包括單元場且在襯底上形成的器件的嚙合結構，該嚙合結構包括: 中間絕緣層，被結構化成使得中間絕緣層被至少一個接觸孔中斷； 中間絕緣層上的金屬結構，用于連接單元場；以及 支撐結構，包括多晶硅且嵌入到襯底中形成的凹陷內并且與接觸孔對準，其中支撐結構不是單元場的部分， 其中金屬結構通過接觸孔向上延伸到金屬結構粘附連接至的支撐結構。
9.依照權利要求8的嚙合結構，其中中間絕緣層被結構化成使得中間絕緣層被多個接觸孔中斷， 并且其中不是單元場的部分的多個支撐結構嵌入到襯底中形成的多個凹陷內并且與對應接觸孔對準，并且 其中金屬結構通過所述多個接觸孔向上延伸到金屬結構粘附連接至的所述多個支撐結構。
10.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷由支撐結構嵌入至的溝槽形成，其中溝槽與接觸孔對準。
11.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷由絕緣層涂敷，以便將支撐結構與襯底絕緣。
12.依照權利要求8的嚙合結構，其中凹陷設置在器件的外圍區域內，其中外圍區域包圍單元場。
13.依照權利要求12的嚙合結構，其中外圍區域包括柵極流道結構和/或接觸區。
14.依照權利要求12的嚙合結構，其中外圍區域通過溝道阻擋而與單元場分離。
15.依照權利要求14的嚙合結構，其中溝道阻擋由溝槽形成，該溝槽從襯底的主表面至少部分地延伸到襯底中，其中至少一個電極設置在溝道阻擋溝槽中。
16.依照權利要求8的嚙合結構，其中金屬結構包括鈦和氮和/或欽-欽-氣-鶴-招-銅。
17.依照權利要求11的嚙合結構，其中單元場由至少一個垂直晶體管結構或者至少一個橫向晶體管結構組成，并且其中支撐結構僅僅經由金屬結構連接到所述至少一個垂直晶體管結構或者所述至少一個橫向晶體管。
18.依照權利要求8的嚙合結構，其中支撐結構不是晶體管的部分。
19.依照權利要求8的嚙合結構，其中中間絕緣層包括氧化物。
20.—種哨合結構,包括: 襯底，包括主表面和鄰接襯底的主表面的單晶半導體； 凹陷，在襯底的主表面內形成于單晶半導體中； 絕緣層，在襯底的主表面上形成；以及 導體層結構，包括 金屬層，該金屬層在絕緣層上形成并且通過絕緣層的孔延伸到凹陷中，以及 在凹陷的底部的多晶硅，其中該多晶硅鄰接金屬層。
21.一種半導體器件，包括: 襯底； 在襯底中形成的有源區域； 在襯底的表面上形成的絕緣層；以及 在絕緣層上形成且接觸有源區域的金屬層，其中凹陷在襯底中形成并且填充有多晶娃，并且 其中金屬層通過絕緣層中的孔延伸并且粘附到多晶硅。
全文摘要
本發明涉及錨固結構和嚙合結構。一種用于半導體器件的金屬結構的錨固結構包括具有至少一個懸伸側壁的錨固凹陷結構，該金屬結構至少部分地設置在錨固凹陷結構內。
文檔編號H01L29/423GK103165663SQ20121052198
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月7日 優先權日2011年12月9日
發明者F.希爾勒, W.里格, U.施馬爾茨鮑爾, E.J.福格爾, R.策爾薩歇爾, M.聰德爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司