專利名稱：Oled照明面板及制備方法以及一種oled照明器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域，具體涉及ー種帶有透明陽極的OLED照明面板及其制備方法，以及應(yīng)用該OLED面板的OLED照明器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光器件(英文全稱為organic lighting emitting display,簡稱 OLED)具有主動發(fā)光、色域?qū)?、響?yīng)快、視角廣、對比度高、平面化等優(yōu)點(diǎn)，是下一代顯示與照明技術(shù)的發(fā)展趨勢。在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域，OLED除了高效節(jié)能、綠色環(huán)保等特點(diǎn)，還具有一些獨(dú)特的優(yōu)勢(1)平面光源、發(fā)光柔和；(2)可實現(xiàn)柔性化可制備在柔性的基板上，實現(xiàn)大面積、可彎曲光源；(3)制備エ藝相對簡單制備過程無需高溫處理，甚至可以采用卷對卷エ藝制備，未來成本有望低于無機(jī)LED器件；(4)材料來源廣泛0LED材料可以通過化學(xué)合成或修飾實現(xiàn)功能的更新和優(yōu)化，發(fā)光顏色在可見光區(qū)域內(nèi)可任意調(diào)節(jié)(包括紅、綠、藍(lán)和白光)。因此白光OLED在未來照明領(lǐng)域中具有誘人的應(yīng)用前景，有機(jī)會成為新一代室內(nèi)固態(tài)照明的主角。OLED器件通常為夾層結(jié)構(gòu)，在玻璃基板或者柔性基板上覆蓋透光性較好的陽極，如氧化銦錫(英文全稱為Indium Tin Oxide,簡稱為ITO)，ITO陽極上依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層等功能層，然后蒸鍍陰極金屬材料，最后進(jìn)行封裝。對于OLED照明面板來說，隨著對發(fā)光面積不斷増大的要求，OLED照明面板的尺寸也隨之不斷増大，有機(jī)發(fā)光層的面積也不斷提高。根據(jù)OLED發(fā)光機(jī)理，正的載流子經(jīng)過ITO陽極進(jìn)入到有機(jī)發(fā)光層內(nèi)與經(jīng)過陰極進(jìn)入有機(jī)發(fā)光層內(nèi)的負(fù)的載流子復(fù)合后發(fā)光。而ITO陽極的方阻較大，約7-20 Q/ □，正的載流子在經(jīng)過ITO陽極進(jìn)入有機(jī)發(fā)光層內(nèi)的過程中，會在ITO陽極上形成壓降，且壓降的大小與正的載流子通過ITO陽極的距離成正比。在OLED照明面板上，有機(jī)發(fā)光層離ITO陽極較近的區(qū)域，正的載流子通過ITO陽極的路徑較短，電壓降較小，進(jìn)入到此處有機(jī)發(fā)光層內(nèi)正的載流子較多，正負(fù)載流子復(fù)合機(jī)率増加，亮度較高；有機(jī)發(fā)光層離ITO陽極較遠(yuǎn)的區(qū)域，正的載流子通過ITO陽極的路徑較長，電壓降較大，進(jìn)入到此處正的載流子較少，正負(fù)載流子復(fù)合機(jī)率降低，亮度也較低。因而造成了大面積的OLED照明面板上亮度不均；另外，由于距離ITO陽極的遠(yuǎn)近不同，導(dǎo)致不同位置的有機(jī)發(fā)光層內(nèi)正的載流子量不同，這種電荷的不均勻分布，容易造成局部過熱，導(dǎo)致OLED面板發(fā)生短路，而影響OLED照明面板的穩(wěn)定性和壽命。因此，通常情況下，在陽極電極的制備過程中會先在ITO陽極上再濺射ー層低電阻金屬作為輔助電極用于降低正的載流子在傳輸過程中的走線電阻以降低壓降，通過圖形轉(zhuǎn)移與刻蝕エ藝，得到所需要的電極圖案。然而濺射エ藝制備輔助電極會出現(xiàn)不均勻，粘附性差，還會出現(xiàn)細(xì)孔等缺陷。為此現(xiàn)有專利CN101336023B公開了ー種有機(jī)電致發(fā)光顯示器件及其制備方法，其中面板包括基板、第一電極和設(shè)置在第一電極上的輔助電極，所述輔助電極由電鍍的方法形成，所述輔助電極上還設(shè)置ー層金屬保護(hù)層。用電鍍的方法制備輔助電極，相比較濺射法較均勻，粘附性好，不會出現(xiàn)細(xì)孔等缺陷，而且可以有效控制輔助電極線條的寬度，増加開ロ率。但是上述方案中，在輔助電極上的金屬保護(hù)層采用惰性金屬層，仍然具有很高的電導(dǎo)率，不利于ITO陽極和陰極的絕緣；而且惰性金屬層是不透明的，透光性能差，無疑會降低開ロ率。中國專利CN200910200738.1公開了ー種有機(jī)電致發(fā)光照明器件的布線方法，其中公開了在輔助電極上添加絕緣層的技術(shù)方案，雖然絕緣層可以實現(xiàn)ITO陽極和陰極之間的絕緣，但是該文獻(xiàn)明確說明制備得到的器件的最終發(fā)光區(qū)域為絕緣材料圍起來的區(qū)域，顯然被絕緣層遮擋的區(qū)域不能透光，即絕緣層為非透明的，這無疑大大降低了面板的開ロ率。
發(fā)明內(nèi)容
為此，本發(fā)明所要解決的是OLED照明面板中輔助電極保護(hù)層采用不具備透光性的惰性金屬層或絕緣層，影響器件的開ロ率的問題，提供ー種OLED照明面板；本發(fā)明所要解決的第二個問題是在OLED照明面板的制備過程中，輔助電極的制備采用濺射或者蒸鍍エ藝，易造成金屬沉積層不均勻和粘附カ差，并且存在大量材料無法重復(fù)使用，靶材利用率低的問題，提供ー種OLED照明面板輔助電極的制備方法；本發(fā)明所要解決的第三個問題是現(xiàn)有OLED照明器件所用面板開ロ率低的問題，提供一種采用開ロ率有所提高的照明面板。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下ー種OLED照明面板，包括基板、設(shè)置于所述基板上的ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極層上的輔助電極層，所述輔助電極層上還設(shè)置有透明絕緣層。所述透明絕緣層為透明光刻膠層。所述透明光刻膠層透光度為75%_99%。所述透明絕緣層的厚度為0. 5um-l. 5um。所述輔助電極層的厚度為200nm-400nm。所述輔助電極層的線條寬度為10um-100um。所述輔助電極層的圖案為條狀和/或方格狀和/或蜂窩狀。所述輔助電極層為金、銀、鉻、鑰、鋁或銅層中的任意ー種。所述輔助電極層為銅層。本發(fā)明還提供ー種上述的OLED照明面板的制備方法，包括如下步驟S1、在經(jīng)過清洗、烘干的基板上，采用濺射的方法制備ITO陽極層，并刻蝕出陽極圖案；S2、在ITO陽極層上采用電鍍エ藝制備輔助電極層；S3、通過狹縫涂布或者旋轉(zhuǎn)涂布的方法在所述輔助電極層上設(shè)置ー層透明絕緣材料；S4、刻蝕掉覆蓋在所述輔助電極層之外的透明絕緣材料，得到透明絕緣層。步驟S2具體包括SO1、在所述ITO陽極層上電鍍整面輔助電極材料層；S02、通過掩膜在所述輔助電極材料層上刻蝕輔助電極圖案形成輔助電極層。
步驟S2還可以具體包括S11、在所述ITO陽極層上制備與輔助電極圖案一致的保護(hù)膠層；S12、在保護(hù)膠層電鍍出輔助電極層；S13、除去保護(hù)膠層。步驟S3中所述透明絕緣層為透明光刻膠層。步驟S3中所述透明光刻膠層為透光度在75%_99%的透明光刻膠。步驟S3中所述透明絕緣層的厚度為0. 5um-l. 5um。步驟S2中所述輔助電極層的厚度為200nm-400nm。步驟S2中所述輔助電極層的線條寬度為10um-100um。步驟S2中所述輔助電極層的圖案為方格狀和/或條狀和/或蜂窩狀。步驟S2中所述輔助電極層為金、銀、鉻、鑰、鋁或銅層中的任意ー種。步驟S2中所述輔助電極層為銅層。步驟S3中所述透明絕緣材料的涂布方法為狹縫涂布方法。本發(fā)明還提供ー種OLED照明器件，包括照明面板、依次設(shè)置在所述面板上的有機(jī)層、陰極層和封裝層，所述照明面板為上述的OLED照明面板。所述有機(jī)層為發(fā)光層。所述有機(jī)層包括發(fā)光層和功能層，所述功能層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的一種或多種的組合。本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明所述的OLED照明面板，ITO陽極上依次設(shè)置有通過電鍍方法制備的輔助電極層、通過涂布エ藝或者蒸鍍エ藝制備的透明絕緣層，透明絕緣層不但可以保護(hù)輔助電極，起到陽極和陰極間絕緣的作用，更重要的是，材料是透明的，該層的設(shè)置不會影響開ロ率，提高了發(fā)光效率。2、本發(fā)明所述的OLED照明面板，輔助電極可以降低基板電阻，而且所采用的電鍍エ藝具有エ藝成熟、成本低的優(yōu)點(diǎn)，尤其是線條寬度控制エ藝成熟，降低輔助電極線條的寬度，可以有效提高開ロ率；與傳統(tǒng)的濺射或蒸鍍エ藝相比，金屬離子是在電流的作用下以原子的形式非常均勻的沉積在基板上，薄膜結(jié)構(gòu)致密，不會產(chǎn)生細(xì)孔，即使在高溫烘烤后也不會出現(xiàn)針孔，導(dǎo)電性能更佳，而且粘附カ極強(qiáng)。3、本發(fā)明所述的OLED照明面板，輔助電極層為金屬層，不但可以有效有效降低壓降，使照明面板不同位置的有機(jī)發(fā)光層內(nèi)正的載流子量基本一致，電荷均勻分布，面板發(fā)光亮度較均勻，而且可以很好的將器件的部分熱量快速傳導(dǎo)出去，改善局部過熱的問題，提高器件的穩(wěn)定性和壽命。
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明，其中圖1本發(fā)明所述OLED照明面板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明所述輔助電極層的圖案示意圖，其中圖2a為方格狀，圖2b是條狀，圖2c是蜂窩狀。
圖1中附圖標(biāo)記表示為1_基板、2-1T0陽極層、3-輔助電極層、4-透明絕緣層、5-有機(jī)層、6-陰極層。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施方式作進(jìn)ー步地詳細(xì)描述。下述實施例中光刻膠E0C130購自臺灣永光化學(xué)エ業(yè)股份有限公司、透明OC膠購自DNP精細(xì)化工、ZE0C0AT購自日本瑞翁(Zeon)電子材料公司、瑞紅RZJ304購自蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司。
實施例1本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板，如圖1所示包括基板1、ITO陽極層2、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層3以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層4，所述輔助電極層是銅金屬層，輔助電極圖案為方格狀，如附圖2a所示，所述透明絕緣層是光刻膠E0C130層。具體制備方法為S1:在經(jīng)過清洗、烘干的基板上，采用濺射的方法制備ITO陽極層，并刻蝕出所需要的陽極圖案；用UV照射和含有表面活性劑的洗液對玻璃基板進(jìn)行清洗，在清洗后的玻璃基板上濺射ITO陽極層，厚度為170nm，阻值為9Q / ロ ；并刻蝕出所需要的陽極圖案。其中基板通常為玻璃基板或高分子柔性基板，柔性基板可以采用聚酯類或者聚酰亞胺類化合物中的ー種材料。S2:在ITO陽極層上采用電鍍的エ藝制備輔助電極層；電鍍銅所用的槽液為硫酸銅和硫酸，采用高酸低銅的配方，以保證電鍍時電鍍層厚度分布的均勻性，硫酸含量為180g/L，硫酸銅含量為75g/L，電流密度為2A/dm2 ;通過相應(yīng)的掩膜版使用ニ氯四氨銅刻蝕液進(jìn)行刻蝕，得到輔助電極的圖形。S3 :通過狹縫涂布的方法所述輔助電極層上設(shè)置ー層透明絕緣材料；或者使用旋轉(zhuǎn)涂布的方法，1000r/s的轉(zhuǎn)速，時間7s，然后再110攝氏度的環(huán)境中烘烤5分鐘。S4:對旋轉(zhuǎn)涂布好的絕緣層，使用相應(yīng)圖形的掩膜版進(jìn)行曝光、顯影，刻蝕掉步驟S3中的透明絕緣材料中除覆蓋在輔助電極層外的部分，得到透明絕緣層。本實施制備的OLED照明面板的表面電阻為0. 15 Q / ロ。實施例2本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，所述輔助電極層是金金屬層，輔助電極圖案為方格狀，如附圖2a所示，透明絕緣層是光刻膠ZE0C0AT 層。具體實施步驟同實施例1，唯一不同的是步驟S2中，電鍍金的槽液為檸檬酸金，金含量為lg/L，PH為4. 5，溫度為35°C，電流密度為lA/dm2。本實施制備的OLED照明面板的表面電阻為0.1 Q / ロ。
實施例3本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，所述輔助電極層是金金屬層，輔助電極圖案為方格狀，如附圖2a所示，透明絕緣層是光刻膠E0C130 層。具體實施步驟同實施例1，唯一不同的是步驟S2中，電鍍銀的槽液為氯化銀AgCl 30-40g/L、氰化鉀 KCN :45-80g/L、碳酸鉀 K2CO3:18_50g/L、ニ硫化碳 CS2g/L、氫氧化銨 NH4OH濃度28% :0. 8ml/L、氰化鉀KCN游離30_55g/L，溫度為室溫。制備的OLED照明面板的表面電阻為0. 15 Q / ロ。實施例4 本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，所述輔助電極層是金金屬層，輔助電極圖案為條狀，如附圖2b所示，透明絕緣層是透明OC膠層。具體實施步驟同實施例1，唯一不同的是步驟S2中，電鍍鋁的槽液為按重量百分比計，三氯化鋁85%，氯化鈉8%，氯化鉀7%，在惰性氣體的保護(hù)下180°C充分融化成液態(tài)熔鹽，陰極電流密度為lA/dm2，時間為30分鐘。制備的OLED照明面板的表面電阻為0. 3 Q / ロ。實施例5本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，所述輔助電極層是金金屬層，輔助電極圖案為蜂窩狀，如附圖2c所示，透明絕緣層是透明OC膠層。具體實施步驟同實施例1，唯一不同的是步驟S2中，電鍍鉻的槽液為鉻酐100g/L、NH4F3g/L，溫度為25-40°C，電流密度25A/dm2，時間為I分鐘。制備的OLED照明面板的表面電阻為0. 9 Q / ロ。實施例6本實施例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，所述輔助電極層是金金屬層，輔助電極圖案為蜂窩狀，如附圖2c所示，透明絕緣層是ZE0C0AT層。具體實施步驟同實施例1，唯一不同的是步驟S2中，電鍍鑰的槽液為重鑰酸鉀12g/L、氫氧化鈉3g/L、碳酸鈉2g/L，電流密度1. 5A/dm2，溫度為室溫。制備的OLED照明面板的表面電阻為0. 19 Q / ロ。上述實施例中，步驟S3也可使用狹縫涂布法，不但可進(jìn)行高精度涂布，而且用料節(jié)省，同樣能達(dá)到本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。作為本發(fā)明的其他實施例，透光度達(dá)到75%_99%的光刻膠層均能實現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。對比例I
本對比例是OLED面板的制備實施例，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、通過濺射方法設(shè)置在ITO陽極上的輔助電極層以及設(shè)置在輔助電極層上的透明絕緣層，采用濺射エ藝制備的Cr層，刻蝕成與實施例1 一致的圖形，絕緣層材料為光刻膠瑞紅RZJ304，旋轉(zhuǎn)涂布加熱形成包覆輔助電極邊緣的對應(yīng)圖形，本對比例制備的OLED照明面板的表面電阻為IQ / ロ。實施例7-實施例12是OLED照明器件制備的實施例。實施例7本實施例提供ー種OLED照明器件，包括照明面板，依次設(shè)置在所述面板上的有機(jī)層5、陰極層6，結(jié)構(gòu)如附圖1所示。所述照明面板選擇實施例1提供的照明面板；所述有機(jī)層5包括發(fā)光層和功能層；其中，發(fā)光層分別包含緑色、藍(lán)色、紅色發(fā)光層，其中緑色發(fā)光層采用空穴傳輸性主體材料為N，N’ - ニ苯基-N，N’ - (1-萘基)-(I, I’ -聯(lián)苯基)-4，4’ - ニ胺(簡稱NPB)，摻雜綠光染料三(2—苯基吡啶)銥(簡稱Ir(ppy)3)，藍(lán)色發(fā)光層采用電子傳輸性質(zhì)的主體材料BAlq摻雜藍(lán)光染料TBPe，藍(lán)光過渡層采用雙主體材料摻雜藍(lán)光染料，主體之ー為電子傳輸性質(zhì)的材料BAlq,另ー為空穴傳輸性質(zhì)的材料NPB,紅色發(fā)光層米用在三 (8-羥基喹啉)鋁(Alq3)中摻雜紅光染料4-4- ニ氰基亞甲基-2-叔丁基-6_ (1，1，7，7_四甲基-久洛尼定-9-こ烯基)-4H-吡喃(簡稱DCJTB)，本實施例中優(yōu)選的器件結(jié)構(gòu)如下ITO/NPB (20nm) /NPB (15nm) : C545T [2%]/BAlq (200nm) : NPB [20%] : TBPe [5%]/BAlq (20nm) : TBPe [5%]/Alq3 (IOnm) :DCJTB [5%] /Alq3 (50nm) /LiF (0. 7)/Al(150nm)。所用面板為實施例1所制備的OLED照明面板，具體制備步驟同已公知的OLED器
件制備方法。
t ButylButyl
TBPeBAlq實施例8本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和具體制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為實施例2所制備的OLED照明面板。實施例9本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和具體制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為實施例3所制備的OLED照明面板。實施例10本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和具體制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為實施例4所制備的OLED照明面板。實施例11本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和具體制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為實施例5所制備的OLED照明面板。實施例12本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和具體制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為實施例6所制備的OLED照明面板。對比例2本實施例中OLED照明器件的結(jié)構(gòu)和制備方式同實施例7，唯一不同的是所用面板為對比例I所制備的OLED照明面板，具體制備步驟同已公知的OLED器件制備方法。實施例7-實施例12和對比例2中OLED照明器件的測試結(jié)果如下表所示
權(quán)利要求
1.一種OLED照明面板，包括基板、設(shè)置于所述基板上的ITO陽極層、通過電鍍方法設(shè)置在ITO陽極層上的輔助電極層，其特征在于，所述輔助電極層上還設(shè)置有透明絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED照明面板，其特征在于，所述透明絕緣層為透明光刻膠層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED照明面板，其特征在于，所述透明光刻膠層透光度為75%-99%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的OLED照明面板，其特征在于，所述透明絕緣層的厚度為 0. 5um_L 5um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的OLED照明面板，其特征在于，所述輔助電極層的厚度為 200nm-400nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的OLED照明面板，其特征在于，所述輔助電極層的線條寬度為 lOum-lOOum。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的OLED照明面板，其特征在于，所述輔助電極層的圖案為條狀和/或方格狀和/或蜂窩狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的OLED照明面板，其特征在于，所述輔助電極層為金、銀、鉻、鑰、鋁或銅層中的任意一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的OLED照明面板，其特征在于，所述輔助電極層為銅層。
10.一種權(quán)利要求1-9任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 51、在經(jīng)過清洗、烘干的基板上，采用濺射的方法制備ITO陽極層，并刻蝕出陽極圖案； 52、在ITO陽極層上采用電鍍工藝制備輔助電極層； 53、通過狹縫涂布或者旋轉(zhuǎn)涂布的方法在所述輔助電極層上設(shè)置一層透明絕緣材料； 54、刻蝕掉覆蓋在所述輔助電極層之外的透明絕緣材料，得到透明絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2具體包括 501、在所述ITO陽極層上電鍍整面輔助電極材料層； 502、通過掩膜在所述輔助電極材料層上刻蝕輔助電極圖案形成輔助電極層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2具體包括 511、在所述ITO陽極層上制備與輔助電極圖案一致的保護(hù)膠層； 512、在保護(hù)膠層電鍍出輔助電極層； 513、除去保護(hù)膠層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述透明絕緣層為透明光刻膠層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述透明光刻膠層為透光度在75%-99%的透明光刻膠。
15.根據(jù)權(quán)利要求10或13或14任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述透明絕緣層的厚度為0. 5um-l. 5um。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述輔助電極層的厚度為200nm-400nm。
17.根據(jù)權(quán)利要求10-16任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2 中所述輔助電極層的線條寬度為10um-100um。
18.根據(jù)權(quán)利要求10-17任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2 中所述輔助電極層的圖案為方格狀和/或條狀和/或蜂窩狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求10-18任一所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2 中所述輔助電極層為金、銀、鉻、鑰、鋁或銅層中的任意一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S2中所述輔助電極層為銅層。
21.根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED照明面板的制備方法，其特征在于，步驟S3中所述透明絕緣材料的涂布方法為狹縫涂布方法。
22.—種OLED照明器件，包括照明面板、依次設(shè)置在所述面板上的有機(jī)層、陰極層和封裝層，其特征在于所述照明面板為權(quán)利要求1-9任意所述的OLED照明面板。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的OLED照明器件，其特征在于，所述有機(jī)層為發(fā)光層。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的OLED照明器件，其特征在于，所述有機(jī)層包括發(fā)光層和功能層，所述功能層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的一種或多種的組合。
全文摘要
一種OLED照明面板及制備方法以及一種OLED照明器件，所述OLED照明面板包括基板、ITO陽極層、輔助電極層以及透明絕緣層。透明絕緣層不但可以保護(hù)輔助電極，還起到陽極和陰極間絕緣的作用，而且材料是透明的，該層的設(shè)置不會影響開口率，提高了OLED照明器件的發(fā)光效率。輔助電極采用電鍍工藝，線條寬度控制工藝成熟，降低輔助電極線條的寬度，有效提高開口率；而且金屬離子是在電流的作用下以原子的形式非常均勻的沉積在基板上，薄膜結(jié)構(gòu)致密，不會產(chǎn)生細(xì)孔，即使在高溫烘烤后也不會出現(xiàn)針孔，導(dǎo)電性能更佳，而且粘附力極強(qiáng)。輔助電極層為金屬層，不但可以有效提高壓降，而且可以很好的將器件的部分熱量快速傳導(dǎo)出去，改善局部過熱的問題，提高器件的穩(wěn)定性。
文檔編號H01L51/52GK103024960SQ20121050642
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者邱勇, 王靜, 張國輝, 董艷波, 李曼, 段煉 申請人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司