發光二極管及其制造方法
【專利摘要】一種發光二極管，包括基板及設于基板上的發光二極管芯片，所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及若干第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上并分布于所述第一發光芯片外圍，所述凹槽內填充有熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質。本發明還涉及這種發光二極管的制造方法。
【專利說明】發光二極管及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體元件，尤其涉及一種發光二極管及其制造方法。
【背景技術】
[0002]發光二極管(發光芯片)作為一種新興的光源，目前已廣泛應用于多種照明場合之中，并大有取代傳統光源的趨勢。
[0003]而目前使用的白光發光二極管，通常采用如下方法制成:提供一基板，在基板上形成電極結構，然后在電極結構上結合一藍光發光芯片以及一紅光發光芯片，再在該藍光發光芯片上覆蓋一熒光層，該藍光發光芯片激發熒光物質產生的光與紅光發光芯片發出的光混合形成白光。
[0004]然而，采用這種方法形成的白光發光二極管中，熒光層通常是均勻混合的，其密度處處相等，由于藍光發光芯片的中部發出的光線的強度大于其周緣側向發出的光線，因此，藍光發光芯片中部光線激發該熒光層所產生的光與藍光發光芯片周緣側向發出的光激發熒光物質產生的光均勻度差異較大。
【發明內容】
[0005]有鑒于此，有必要提供一種出光均勻的發光二極管及其制造方法。
[0006]一種發光二極管，包括基板及設于基板上的發光二極管芯片，所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及若干第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上并分布于所述第一發光芯片外圍，所述凹槽內填充有熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質。
[0007]—種發光二極管的制造方法，其包括以下步驟:
提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方；
提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，其中，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上；
在所述凹槽內填充熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，并使覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質，進而形成發光二極管。
[0008]本發明中的發光二極管中，通過在激發能力較強的發光芯片周圍形成較多的熒光物質，在激發能力較弱的發光芯片周圍形成較少的熒光物質，使得發光芯片激發相應密度的熒光物質后產生的光線混合更加均勻。【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是本發明第一實施例的發光二極管的制造方法步驟流程圖。
[0010]圖2至圖4為本發明第一實施例的發光二極管的制造方法步驟示意圖。
[0011]圖5為本發明第二實施例的發光二極管制造方法中沉降熒光層中的熒光物質的步驟示意圖。
[0012]圖6為本發明第二實施例的發光二極管制造方法中形成封裝層的步驟示意圖。
[0013]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種發光二極管，包括基板及設于基板上的發光二極管芯片，其特征在于:所述基板上形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及若干第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上并分布于所述第一發光芯片外圍，所述凹槽內填充有熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于:所述第二發光芯片的數目為2個，其分別設于所述第一發光芯片相對兩側的臺階部。
3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于:所述第一發光芯片與第二發光芯片位于同一平面內。
4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于:所述凹槽包括第一凹槽及頂端與第一凹槽底端連通且同軸設置的第二凹槽，所述第一凹槽的底端孔徑大于所述第二凹槽的頂端孔徑。
5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于:所述第一凹槽及第二凹槽的孔徑均沿基板厚度方向自上向下逐漸減小。
6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于:所述臺階部及底座上且覆蓋第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層的厚度處處相等。
7.一種發光二極管的制造方法，其包括以下步驟: 提供基板，并在所述基板上凹陷形成凹槽，所述凹槽具有臺階部，所述基板具有對應所述凹槽底部的底座，所述底座位于所述臺階部下方； 提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括第一發光芯片及第二發光芯片，所述第一發光芯片發出光的波長小于所述第二發光芯片發出光的波長，其中，所述第一發光芯片設置于凹槽的底座上，所述第二發光芯片設置于所述臺階部上； 在所述凹槽內填充熒光物質，形成覆蓋所述第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層，并使覆蓋至第一發光芯片的熒光層內的熒光物質多于覆蓋至第二發光芯片的熒光層內的熒光物質，進而形成發光二極管。
8.如權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:還包括將位于凹槽中的熒光層中的熒光物質進行沉降，以使覆蓋至第一發光芯片的熒光物質的密度大于覆蓋至第二發光芯片的熒光物質的密度。
9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:進一步包括提供一沉降式離心機對所述發光二極管進行離心處理，使熒光層內的熒光物質沉降至所述臺階部以及底座上；控制該離心機工作合適的時間，使所述透明膠體與熒光物質分離開來，從而得到沉降至所述臺階部及底座上且覆蓋第一發光芯片及第二發光芯片的熒光層以及覆蓋于該熒光層之上的保護層。
10.如權利要求9所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述沉降至臺階部以及底座上的熒光層的厚度處處相等。
【文檔編號】H01L33/54GK103840057SQ201210468052
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年11月20日 優先權日:2012年11月20日
【發明者】蔡明達, 陳靖中 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司