一種聚合物太陽能電池及其制備方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種聚合物太陽能電池，包括陽極基底、空穴層、活性層、電子緩沖層和陰極，所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料，所述金屬氧化物的功函數為-7.2eV~-6.7eV，所述金屬化合物的折射率為1.8~2.4。另，本發明實施例還公開了一種聚合物太陽能電池的制備方法。本發明提供的聚合物太陽能電池，通過在陽極基底與活性層之間制備具有摻雜結構的空穴層，提高了空穴傳輸的能力，通過空穴層材料的散射作用，使活性層的吸光效率得到明顯提高，最終達到了提高電池光電轉換效率的目的。
【專利說明】一種聚合物太陽能電池及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池領域，尤其涉及一種聚合物太陽能電池及其制備方法。
【背景技術】
[0002]1982年，Weinberger等研究了聚乙炔的光伏性質,制造出了第一個具有真正意義上的太陽能電池，但是當時的光電轉換效率極低(10_3%)。緊接著，Glenis等制作了各種聚噻吩的太陽能電池，當時都面臨的問題是極低的開路電壓和光電轉換效率。直到1986年，C.ff.Tang等首次將P型半導體和η型半導體引入到雙層結構的器件中，才使得光電流得到了極大程度的提高，從此以該工作為里程碑，有機聚合物太陽能電池蓬勃發展起來。
[0003]聚合物太陽能電池的工作原理主要分為四部分:(1)光激發和激子的形成；(2)激子的擴散；(3)激子的分裂；(4)電荷的傳輸和收集。首先，共軛聚合物在入射光照射下吸收光子，電子從聚合物最高占有軌道(HOMO)躍遷到最低空軌道(LUM0)，形成激子，激子在內建電場的作用下擴散到給體/受體界面處分離成自由移動的電子和空穴，然后電子在受體相中傳遞并被陰極收集，空穴則通過給體相并被陽極收集，從而產生光電流。這就形成了一個有效的光電轉換過程。
[0004]其中，太陽能電池對太陽光的利用是影響能量轉換效率的一個重要的因素，目前常用的方法是通過改變活性層材料的結構來增強其對太陽光的吸收率，但效果不是很顯著。
【發明內容】
`[0005]鑒于此，本發明實施例旨在提供一種聚合物太陽能電池及其制備方法，通過在陽極基底與活性層之間制備具有摻雜結構的空穴層，提高了空穴傳輸的能力，通過空穴層材料的散射作用，使光平均到達活性層，從而使活性層的吸光效率得到明顯提高，最終達到提高電池光電轉換效率的目的。
[0006]本發明實施例提供了一種聚合物太陽能電池，包括陽極基底、空穴層、活性層、電子緩沖層和陰極，所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料，所述金屬氧化物的功函數為-7.2eV'6.7eV，所述金屬化合物的折射率為
1.8~2.4。
[0007]所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料。所述金屬氧化物的功函數為-7.2e疒-6.7eV，具有空穴注入和空穴傳輸能力。
[0008]優選地，所述金屬氧化物為三氧化鎢(W03)、七氧化二錸(Re207)、五氧化二釩(V2O5)或三氧化鑰(MoO3X
[0009]所述金屬化合物為納米晶體結構，且晶體類型穩定單一，其折射率為1.8^2.4。該金屬化合物能形成較大納米顆粒，且比表面積較大，折射率較高，對光有明顯的散射作用。
[0010]優選地,所述金屬化合物為氧化鉻(Cr203)、氧化錯(ZrO2)、硫化鋅(ZnS)或硒化鋅(ZnSe)0[0011]所述空穴層的材質中，所述金屬氧化物為主體材料，所述金屬化合物為客體材料。優選地，在所述空穴層的材質中，所述金屬化合物占所述金屬氧化物質量的10-40%。
[0012]優選地，所述空穴層的厚度為15飛Onm。
[0013]本發明在陽極基底與活性層之間制備具有摻雜結構的空穴層，該空穴層由功函數為-7.2eV'6.7eV的金屬氧化物摻雜折射率為1.8^2.4的金屬化合物組成，所述金屬氧化物具有空穴注入與傳輸性能，可提高空穴傳輸，所述金屬化合物為納米晶體結構，且晶體類型穩定單一，能形成較大的納米顆粒，且比表面積較大，折射率較高，對光有明顯的散射作用，可使入射光進行散射，平均到達活性層，從而使活性層的吸光效率得到明顯提高，另外，折射率較高可使部分被活性層反射的光進行全反射回到活性層中，增強光吸收能力，兩者性能的結合最終使得電池的光電轉換效率得到大大的提高。
[0014]優選地，所述陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ITO)、摻氟氧化錫玻璃(FTO)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)。
[0015]優選地，所述活性層為聚3-己基噻吩(P3HT)、聚[2-甲氧基_5-(2_乙基己氧基)]對苯乙炔(MDMO-PPV)或聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基乙撐)(MEH-PPV)與[6，6]-苯基-C60- 丁酸甲酯(PCBM)形成的混合材料。所述活性層可分別用P3HT =PCBM,MDMO-PPV:PCBM.MEH-PPV:PCBM表示。更優選地，所述活性層為P3HT與PCBM形成的混合材料。
[0016]優選地，所述MDMO-PPV或MEH-PPV與PCBM的質量比為1:1~1:4。
[0017]優選地，所述P3HT與PCBM的質量比為1:0.8~1:1。更優選地，所述P3HT與PCBM的質量比為1:0.8。
[0018]優選地，所述活性層的厚度為8(T300nm。更優選地，所述活性層的厚度為200nm。
[0019]優選地，所述電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF)、碳酸鋰(Li2CO3)或碳酸銫(Cs2CO3)。更優選地，所述電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF)。
[0020]優選地，所述電子緩沖層的厚度為0.5~10nm。更優選地，所述電子緩沖層的厚度為Inm0
[0021]優選地，所述陰極為鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)或鉬(Pt)。更優選地，所述陰極為鋁(Al)。
[0022]優選地，所述陰極的厚度為8(T200nm。更優選地，所述陰極的厚度為150nm。
[0023]相應地，本發明實施例還提供了一種聚合物太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0024]提供清潔的陽極基底；
[0025]在所述陽極基底上蒸鍍制備空穴層，所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料，所述金屬氧化物的功函數為-7.2eV~-6.7eV，所述金屬化合物的折射率為1.8~2.4;所述蒸鍍為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的蒸鍍溫度為100^5000C，真空度為 I X I(T3~I X KT5Pa ；
[0026]在所述空穴層上旋涂制備活性層，再在所述活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。
[0027]所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料。所述金屬氧化物的功函數為-7.2e疒-6.7eV，具有空穴注入和空穴傳輸能力。[0028]優選地，所述金屬氧化物為三氧化鎢(W03)、七氧化二錸(Re207)、五氧化二釩(V2O5)或三氧化鑰(MoO3X
[0029]所述金屬化合物為納米晶體結構，且晶體類型穩定單一，其折射率為1.8^2.4。該金屬化合物能形成較大納米顆粒，且比表面積較大，折射率較高，對光有明顯的散射作用。
[0030]優選地,所述金屬化合物為氧化鉻(Cr203)、氧化錯(ZrO2)、硫化鋅(ZnS)或硒化鋅(ZnSe)0
[0031]所述空穴層的材質中，所述金屬氧化物為主體材料，所述金屬化合物為客體材料。優選地，在所述空穴層的材質中，所述金屬化合物占所述金屬氧化物質量的10-40%。
[0032]優選地，所述空穴層的厚度為15飛Onm。
[0033]所述空穴層采用蒸鍍的方法制備在陽極基底上。所述蒸鍍為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的蒸鍍溫度為10(T500°C，真空度為lX10-3~lX10_5Pa。
[0034]優選地，所述陽極基底為銦錫氧化物玻璃(ITO)、摻氟氧化錫玻璃(FTO)、摻鋁的氧化鋅玻璃(AZO)或摻銦的氧化鋅玻璃(IZO)。
[0035]陽極基底的清潔操作為:將陽極基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min。去除玻璃表面的有機污染物，清洗干凈后進行氧等離子處理或UV-臭氧處理。其中氧等離子處理時間為5~15min，功率為1(T50W ；UV-臭氧處理時間為5~20min。經上述處理之后可以平滑陽極基底表面，使陽極基底平整度加強，提聞功函數(約提聞0.1 0.3eV)0
[0036]優選地，所述活性層為P3HT、MDM0-PPV或MEH-PPV與[6，6]-苯基-C60- 丁酸甲酯(PCBM)形成的混合材料。`所述活性層分別用P3HT:PCBM、MDMO-PPV:PCBM、MEH-PPV:PCBM表示。更優選地，所述活性層為P3HT與PCBM形成的混合材料。
[0037]所述旋涂制備活性層的具體操作為:在充滿惰性氣體的手套箱中，將溶質總濃度為8~30mg/mL的P3HT:PCBM, MDMO-PPV:PCBM或MEH_PPV:PCBM溶液旋涂在空穴層上，并在5(T200°C下退火5~IOOmin或在室溫下放置24~48小時。
[0038]優選地，所述旋涂的速度為400(T6000rpm，時間為5~30s。
[0039]優選地，所述P3HT:PCBM, MDMO-PPV: PCBM或MEH_PPV:PCBM溶液的溶質總濃度為18mg/mL。
[0040]優選地，所述MDMO-PPV或MEH-PPV與PCBM的質量比為1:1~1: 4。
[0041]優選地，所述P3HT與PCBM的質量比為1:0.8~1:1。更優選地，所述P3HT與PCBM的質量比為1:0.8。
[0042]優選地，所述P3HT:PCBM、MDMO-PPV: PCBM 或 MEH-PPV:PCBM 溶液的溶劑為甲苯、二
甲苯、氯苯或氯仿。
[0043]優選地，所述活性層的厚度為8(T300nm。更優選地，所述活性層的厚度為200nm。
[0044]優選地，所述電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF)、碳酸鋰(Li2CO3)或碳酸銫(Cs2CO3)。更優選地，所述電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF)。
[0045]優選地，所述電子緩沖層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為10(T500°C，真空度為lX10_3lX10_5Pa。
[0046]優選地，所述電子緩沖層的厚度為0.5~10nm。更優選地，所述電子緩沖層的厚度為Inm0[0047]優選地，所述陰極為鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)或鉬(Pt)。更優選地，所述陰極為鋁(Al)。
[0048]優選地，陰極的厚度為8(T200nm。更優選地，陰極的厚度為150nm。
[0049]優選地，陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為50(Tl000 °C，真空度為I X IO^lX IO^5Pa0
[0050]實施本發明實施例，具有如下有益效果:
[0051](I)本發明提供的聚合物太陽能電池，在陽極基底與活性層之間制備具有摻雜結構的空穴層，該空穴層由功函數為-7.2e疒-6.7eV的金屬氧化物摻雜折射率為1.8^2.4的金屬化合物組成，所述金屬氧化物具有空穴注入與傳輸性能，可提高電池的空穴傳輸能力；
[0052](2)所述金屬化合物為納米晶體結構，比表面積較大，折射率較高，對光有明顯的散射作用，可使入射光進行散射，平均到達活性層，從而使活性層的吸光效率得到明顯提高，另外，折射率較高可使部分被活性層反射的光進行全反射回到活性層中，增強光吸收能力，最終使得電池的光電轉換效率得到大大的提高；
[0053](3)本發明提供的聚合物太陽能電池及其制備方法，工藝簡單，可大大提高光電轉換效率，具有較好的產業化應用前景。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0054]圖1是本發明實施例1提供的聚合物太陽能電池的結構圖；
[0055]圖2是本發明實施例1提供的聚合物太陽能電池與現有聚合物太陽能電池的電流密度與電壓的關系圖。`
【具體實施方式】
[0056]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0057]實施例1
[0058]一種聚合物太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0059]( I)將陽極基底ITO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0060](2)在經(I)處理的陽極基底上蒸鍍制備空穴層；
[0061]具體地，在本實施例中，空穴層的材質為氧化鋯(ZrO2)與七氧化二錸(Re2O7)形成的混合材料，表示為(ZrO2:Re207)，ZrO2占Re2O7質量的20%，空穴層的厚度為20nm ;空穴層采用共蒸鍍制備得到，所述蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。
[0062](3)在空穴層上旋涂制備活性層:在充滿氬氣的手套箱中，將溶質總濃度為18mg/mL的P3HT:PCBM溶液旋涂在空穴層上，并在200°C下退火5min，得到厚度為200nm的活性層；其中，P3HT:PCBM溶液中P3HT與PCBM的質量比為1:0.8，溶劑為氯苯；旋涂過程中的速度為4500rpm,時間為IOs ；
[0063](4)在活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。電子緩沖層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0064]其中，電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF),厚度為Inm ；陰極為招(Al),厚度為150nmo
[0065]圖1是本實施例的聚合物太陽能電池的結構示意圖。如圖1所示，該聚合物太陽能電池的結構包括，陽極導電基底10，空穴層20，活性層30，電子緩沖層40和陰極50。其中，空穴層20的材質為氧化鋯(ZrO2)與七氧化二錸(Re2O7)形成的混合材料(ZrO2: Re207)。該聚合物太陽能電池的結構為=ITO玻璃/Zr02:Re207/P3HT:PCBM/LiF/Al。
[0066]圖2是本實施例的聚合物太陽能電池與現有聚合物太陽能電池的電流密度與電壓的關系圖。其中，曲線I為本實施例聚合物太陽能電池的電流密度與電壓的關系圖；曲線2為現有聚合物太陽能電池的電流密度與電壓的關系圖。其中，現有聚合物太陽能電池的結構為:IT0/PED0T:PSS/P3HT:PCBM/LiF/Al。
[0067]從圖2中可以看到，在不同電壓下，本實施例聚合物太陽能電池的電流密度都比現有聚合物太陽能電池的要大，其中，本實施例聚合物太陽能電池的短路電流密度為
11.57mA/cm2，現有聚合物太陽能電池的電流密度為8.75mA/cm2。這說明，本發明在活性層與陽極之間制備具有摻雜結構的空穴層，空穴層可形成大尺寸的納米顆粒，對光有明顯的散射作用，使活性層的吸光效率得到明顯提高，摻雜后，又具有空穴注入與傳輸性能，大大提高了光電轉換效率。現有聚合物太陽能電池的能量轉換效率為2.04%，而本實施例的聚合物太陽能電池的能量轉換效率為2.82%。
[0068]實施例2
[0069]一種聚合物太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0070]( I)將陽極基底IZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極導電基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0071](2)在經(I)處理的陽極基底上蒸鍍制備空穴層；
[0072]具體地，在本實施例中，空穴層的材質為硫化鋅(ZnS)與三氧化鑰(MoO3)形成的混合材料，表示為(ZnS:Mo03)，ZnS占MoO3質量的10%，空穴層的厚度為15nm ;空穴層采用共蒸鍍的方法制備得到，所述蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為I X IO-5Pa ；
[0073](3)在空穴層上旋涂制備活性層:在充滿氬氣的手套箱中，將溶質總濃度為24mg/mL的MEH-PPV:PCBM溶液旋涂在空穴層上，并在100°C下退火20min，得到厚度為160nm的活性層；其中，MEH-PPV:PCBM溶液中MEH-PPV與PCBM的質量比為1:4，溶劑為氯仿；旋涂過程中的速度為4000rpm,時間為5s ；
[0074](4)在活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。電子緩沖層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0075]其中，電子緩沖層的材料為氟化鋰(LiF)，厚度為0.5nm ；陰極為銀(Ag)，厚度為80nm。[0076]本實施例提供的聚合物太陽能電池的結構為:ΙΖ0玻璃/ZnS:Mo03/MEH-PPV:PCBM/LiF/Ag。本實施例聚合物太陽能電池的短路電流密度為10.59mA/cm2，能量轉換效率為2.18%。
[0077]實施例3
[0078]一種聚合物太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0079]( I)將陽極基底FTO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0080](2)在經(I)處理的陽極基底上蒸鍍制備空穴層；
[0081 ] 具體地，在本實施例中，空穴層的材質為硒化鋅(ZnSe)與三氧化鎢(WO3)形成的混合材料，表示為(ZnSe:W03), ZnSe占WO3質量的40%，空穴層的厚度為60nm ；空穴層采用共蒸鍍的方法制備得到，所述蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為I X IO-5Pa ；
[0082](3)在空穴層上旋涂制備活性層:在充滿氬氣的手套箱中，將溶質總濃度為16mg/mL的MEH-PPV:PCBM溶液旋涂在空穴層上，并在100°C下退火lOOmin，得到厚度為200nm的活性層；其中，MEH-PPV:PCBM溶液中MEH-PPV與PCBM的質量比為1:3，溶劑為二甲苯；旋涂過程中的速度為6000rpm，時間為30s ；
[0083](4)在活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。電子緩沖層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0084]其中，電子緩沖層的材料為碳酸鋰(Li2CO3),厚度為5nm ;陰極為金(Au)，厚度為180nm。
[0085]本實施例提供的聚合物太陽能電池的結構為:FT0玻璃/ZnSe:W03/MEH-PPV:PCBM/Li2C03/Au。本實施例聚合物太陽能電池的短路電流密度為9.69mA/cm2,能量轉換效率為
2.32%。
[0086]實施例4
[0087]一種聚合物太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0088]( I)將陽極基底AZO進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，對清洗干凈后的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W ；
[0089](2)在經(I)處理的陽極基底上蒸鍍制備空穴層；
[0090]具體地，在本實施例中，空穴層的材質為氧化鉻(Cr2O3)與五氧化二釩(V2O5)形成的混合材料，表示為(Cr2O3: V2O5), Cr2O3占V2O5質量的25%，空穴層的厚度為40nm ;空穴層采用共蒸鍍的方法制備得到，所述蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為IXlO-5Pa ；
[0091](3)在空穴層上旋涂制備活性層:在充滿氬氣的手套箱中，將溶質總濃度為8mg/mL的MDMO-PPV:PCBM溶液旋涂在空穴層上，并在70°C下退火lOOmin，得到厚度為300nm的活性層；其中，MDMO-PPV:PCBM溶液中MDMO-PPV與PCBM的質量比為1:2，溶劑為甲苯；旋涂過程中的速度為5000rpm，時間為20s ；
[0092](4)在活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。電子緩沖層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0093]其中，電子緩沖層的材料為碳酸銫(Cs2CO3),厚度為IOnm;陰極為鋁(Al)，厚度為200nm。
[0094]本實施例提供的聚合物太陽能電池的結構為:ΑΖ0玻璃/Cr2O3 = V2O5/MDMO-PPV:PCBM/Cs2C03/AL.本實施例聚合物太陽能電池的短路電流密度為9.32mA/cm2，能量轉換效率為2.44%。
[0095]以上所述是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種聚合物太陽能電池，其特征在于，包括陽極基底、空穴層、活性層、電子緩沖層和陰極，所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料，所述金屬氧化物的功函數為-7.2e疒-6.7eV，所述金屬化合物的折射率為1.8^2.4。
2.如權利要求1所述的聚合物太陽能電池，其特征在于，所述金屬氧化物為三氧化鎢、七氧化二錸、五氧化二釩或三氧化鑰。
3.如權利要求1所述的聚合物太陽能電池，其特征在于，所述金屬化合物為氧化鉻、氧化錯、硫化鋅或硒化鋅。
4.如權利要求1所述的聚合物太陽能電池，其特征在于，在所述空穴層的材質中，所述金屬化合物占所述金屬氧化物質量的10-40%。
5.如權利要求1所述的聚合物太陽能電池，其特征在于，所述空穴層的厚度為15~60nmo
6.一種聚合物太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的陽極基底； 在所述陽極基底上蒸鍍制備空穴層，所述空穴層的材質為金屬氧化物與納米晶體結構的金屬化合物形成的混合材料，所述金屬氧化物的功函數為-7.2eV~-6.7eV,所述金屬化合物的折射率為1.8^2.4 ;所述蒸鍍為真空蒸鍍，所述真空蒸鍍的蒸鍍溫度為10(T50(TC，真空度為 IXKT3IXKT5Pa ； 在所述空穴層上旋涂制備活性層，再在所述活性層上依次蒸鍍制備電子緩沖層和陰極，得到聚合物太陽能電池。
7.如權利要求6所述·的聚合物太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物為三氧化鶴、七氧化二錸、五氧化二 fL或三氧化鑰。
8.如權利要求6所述的聚合物太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述金屬化合物為氧化鉻、氧化鋯、硫化鋅或硒化鋅。
9.如權利要求6所述的聚合物太陽能電池的制備方法，其特征在于，在所述空穴層的材質中，所述金屬化合物占所述金屬氧化物質量的10-40%。
10.如權利要求6所述的聚合物太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述空穴層的厚度為15~60nm。
【文檔編號】H01L51/48GK103824946SQ201210467968
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2012年11月19日 優先權日:2012年11月19日
【發明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司