半導(dǎo)體器件的制造方法

專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)。更具體地，其涉及有效地適用于將測(cè)試端子壓住半導(dǎo)體器件的外部端子，并執(zhí)行電測(cè)試的步驟的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在日本未審查專利公布N0.2002-250744(專利文獻(xiàn)1)中，描述了一種用于半導(dǎo)體器件測(cè)試的探針，其中使探針的尖端端部接觸半導(dǎo)體器件的電極焊盤，并且由此測(cè)試半導(dǎo)體器件的操作。而在日本未審查專利公布N0.2010-181340(專利文獻(xiàn)2)中，描述了一種電測(cè)試方法，其中在與電極焊盤接觸以執(zhí)行測(cè)量時(shí)刮去焊盤表面的高電阻層。此外，在日本未審查專利公布N0.2008-249449(專利文獻(xiàn)3)中，描述了一種探針，其中通過(guò)金屬鍍覆將金剛石等的硬顆粒沉積在由鎢制成的基礎(chǔ)金屬的尖端上。此外，日本未審查專利公布N0.平11 (1999)-111788(專利文獻(xiàn)4)描述了一種形成為長(zhǎng)且窄的插針形狀的管芯測(cè)試探針，且通過(guò)利用拋光片拋光該探針而移除沉積在探針尖端上的雜質(zhì)。專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I日本未審查專利公布N0.2002-25074專利文獻(xiàn)2日本未審查專利公布N0.2010-181340專利文獻(xiàn)3日本未審查專利公布N0.2008-249449專利文獻(xiàn)4日本未審查專利公布N0.平11(1999)-111788

發(fā)明內(nèi)容
半導(dǎo)體器件的制造步驟包括測(cè)試組裝的半導(dǎo)體器件(半導(dǎo)體封裝)是否具有預(yù)定電特性或是否適當(dāng)操作的電測(cè)試步驟。在電測(cè)試步驟中，將半導(dǎo)體器件固定至測(cè)試裝置，并且使半導(dǎo)體器件的外部端子分別與測(cè)試端子接觸。因此，包括在測(cè)試裝置中的測(cè)試電路和半導(dǎo)體器件電耦合。由此執(zhí)行電測(cè)試。此外，當(dāng)使測(cè)試端子與半導(dǎo)體器件的外部端子接觸以執(zhí)行電測(cè)試時(shí)，從降低在測(cè)試端子和半導(dǎo)體器件的外部端子之間的接觸界面處的電阻分量的方面考慮，使用每個(gè)都具有銳化的端部的、長(zhǎng)且窄的插針狀(針狀)端子作為測(cè)試端子的該方法是有效的。長(zhǎng)且窄的插針狀端子的尖端的尖頭部被壓靠并使得咬合進(jìn)半導(dǎo)體器件的外部端子。因此，能夠擴(kuò)大在測(cè)試端子和半導(dǎo)體器件的外部端子之間的接觸面積。因此能夠降低在接觸界面處的電阻分量。本發(fā)明人通過(guò)對(duì)將測(cè)試端子壓靠半導(dǎo)體器件的外部端子以執(zhí)行電測(cè)試的測(cè)試技術(shù)以及半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)進(jìn)行研究，從而發(fā)現(xiàn)以下問(wèn)題。近年來(lái)，已經(jīng)對(duì)降低半導(dǎo)體器件的電壓以及小型化外部端子進(jìn)行了研究。為了在電阻影響下穩(wěn)定地執(zhí)行電測(cè)試，重要的是在使測(cè)試端子與半導(dǎo)體器件的外部端子接觸時(shí)降低電阻分量并抑制電阻分量的變化。在這種情況下，本發(fā)明人對(duì)由電導(dǎo)率比諸如金(Au)的基材高的材料形成的金屬膜被形成在具有銳化的端部的、長(zhǎng)且窄的插針狀(針狀)基材的表面的技術(shù)進(jìn)行了研究。例如，當(dāng)由被稱為所謂的SK材料的碳鋼制成的基材被形成為針狀，并且基材的表面覆蓋有金(Au)鍍膜時(shí)，可以大幅降低與外部端子的接觸電阻。但是，在前述構(gòu)造的情況下，在為了多個(gè)半導(dǎo)體器件的電測(cè)試而重復(fù)使用時(shí)，覆蓋基材表面的金屬膜會(huì)磨損或剝離，由此暴露內(nèi)部基材。因?yàn)榛暮徒饘倌ぴ陔妼?dǎo)率方面彼此存在很大差異，這導(dǎo)致接觸電阻增大，或接觸電阻的變化增大。而從提高安裝穩(wěn)定性的方面考慮，半導(dǎo)體器件的外部端子的表面可以由焊料材料覆蓋。但是在這種情況下，焊料材料沉積在測(cè)試端子上，并且傾向于被氧化。當(dāng)焊料材料沉積在測(cè)試端子上并被氧化時(shí)，測(cè)試端子表面的電阻分量增大。這導(dǎo)致接觸電阻增加或接觸電阻的變化增大。特別地，當(dāng)測(cè)試端子的表面是金(Au)膜時(shí)，金(Au)和焊料之間的親和勢(shì)高，并且因此金膜傾向于從基材的表面剝離。換言之，測(cè)試端子的電特性由重復(fù)使用而傾向于劣化。根據(jù)本發(fā)明人的研究，在使測(cè)試端子與半導(dǎo)體器件的外部端子接觸約70，000次至80，000次時(shí)，電測(cè)試的結(jié)果變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致可靠性降低。而隨著電測(cè)試可靠性的降低，重復(fù)測(cè)試的次數(shù)增加，并且使被確定為存在缺陷的產(chǎn)品的數(shù)量增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的制造效率降低。此外，可以考慮采用在電測(cè)試的可靠性降低之前將測(cè)試端子更換為另一新的測(cè)試端子的方法。但是更換頻率的增加導(dǎo)致用于更換的維護(hù)負(fù)擔(dān)增加。鑒于前述問(wèn)題完成了本發(fā)明。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種提高半導(dǎo)體器件的制造效率的技術(shù)。此外，本發(fā)明的另一目的是提供一種在使測(cè)試端子與半導(dǎo)體器件的外部端子接觸時(shí)穩(wěn)定地降低電阻分量的技術(shù)。此外，本發(fā)明的又一目的是提供一種降低用于半導(dǎo)體器件的電測(cè)試中使用的測(cè)試端子的更換頻率的技術(shù)。從本說(shuō)明書和附圖的下述說(shuō)明中，本發(fā)明的上述和其他目的和新穎的特征將變得顯而易見。以下將簡(jiǎn)要說(shuō)明本申請(qǐng)中公開的本發(fā)明的代表性實(shí)施例的綜述。即，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法包括將與半導(dǎo)體芯片電耦合的多個(gè)外部端子分別與多個(gè)測(cè)試端子的接觸區(qū)接觸，由此將半導(dǎo)體芯片和測(cè)試電路電耦合并執(zhí)行電測(cè)試的步驟。此外，測(cè)試端子將被重復(fù)用于多個(gè)半導(dǎo)體器件的電測(cè)試。此外，測(cè)試端子中的每一個(gè)的接觸區(qū)包括由第一合金形成的芯材以及覆蓋芯材的金屬膜。而金屬膜由硬度高于第一合金的第二合金形成。以下將簡(jiǎn)要說(shuō)明本申請(qǐng)中公開的本發(fā)明的代表性實(shí)施例可獲得的效果。S卩，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，能夠提高半導(dǎo)體器件的制造效率。


圖1是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的透視平面圖；圖2是沿圖1的線A-A的橫截面圖；圖3是示出圖1和2中所示的半導(dǎo)體器件的組裝流程的解釋性視圖；圖4是示出在圖3中所示的基板制備步驟中制備的引線框架的總體結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5是示出放大尺寸的圖4的產(chǎn)品形成區(qū)的放大平面圖；圖6是示出半導(dǎo)體芯片經(jīng)由粘接材料安裝在圖5中所示的芯片安裝部上的狀態(tài)的放大平面圖；圖7是示出圖6中所示的半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤和引線框架的多個(gè)引線分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線電耦合的狀態(tài)的放大平面圖；圖8是示出形成密封圖7中所示的半導(dǎo)體芯片、多個(gè)導(dǎo)線以及部分的多個(gè)引線的密封體的狀態(tài)的放大平面圖；圖9是示出圖8中所示的多個(gè)引線已經(jīng)被切割和分離的狀態(tài)的放大平面圖；圖10是示意性示出用于執(zhí)行圖3中所示的電測(cè)試步驟的測(cè)試裝置的構(gòu)造的解釋性視圖；圖11是示出放大尺寸的圖1中所示的測(cè)試裝置的插座周圍的基本部分放大橫截面圖；圖12是示出放大尺寸的圖11中所示的測(cè)試端子的周圍的放大橫截面圖；圖13是示出放大尺寸的圖12中所示的測(cè)試端子的接觸區(qū)周圍的透視圖；圖14是示出放大尺寸的相對(duì)于圖13的變型例的測(cè)試端子的接觸區(qū)周圍的透視圖；圖15是示出圖13或14中所示的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖；圖16是示出作為相對(duì)于圖15的變型例的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖；圖17是示出其中圖16中所示的尖端部分已被平坦化的狀態(tài)下的放大平面圖；圖18是示意性示出圖16中所示的端子的制造步驟的解釋性視圖；圖19是示意性示出圖15中所示的端子的制造步驟的解釋性視圖；圖20是示出圖15中所示的尖端部分已經(jīng)磨損并芯材暴露的狀態(tài)的放大橫截面圖；圖21是示出圖20中所示的尖端部分已被平坦化的狀態(tài)的放大平面圖；圖22是示出拋光并再生具有被平坦化的尖端端部的端子的步驟的放大橫截面圖；圖23是示出圖22中所示的拋光片的構(gòu)造的放大橫截面圖；圖24是示出圖23中所示的拋光夾具壓靠圖17中所示的測(cè)試端子的平表面的狀態(tài)的放大橫截面圖；圖25是示出圖24中所示的拋光夾具的振動(dòng)方向的放大橫截面圖；圖26是示出圖25中所示的平表面和拋光夾具之間的平面位置關(guān)系的透視平面圖；圖27是示出圖25中所示的端子在拋光后的狀態(tài)的放大橫截面圖；圖28是示出圖26中所示的端子在拋光后的狀態(tài)的透視平面圖；圖29是示出相對(duì)于圖1作為變型例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的透視平面圖；圖30是示出圖29中所示的半導(dǎo)體器件的背面?zhèn)鹊钠矫鎴D；圖31是沿圖29的線A-A的橫截面圖；圖32是示出圖29至31中所示的半導(dǎo)體器件的組裝流程的解釋性視圖；圖33是示出圖32中所示的基板制備步驟中制備的引線框架的總體結(jié)構(gòu)的平面圖；圖34是放大尺寸的圖33的產(chǎn)品形成區(qū)的放大平面圖；圖35是示出圖34中所示的布線基板的背面?zhèn)鹊姆糯笃矫鎴D；圖36是示出半導(dǎo)體芯片經(jīng)由粘接材料安裝到圖35中所示的芯片安裝部上的狀態(tài)的放大平面圖；圖37是示出圖36中所示的半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤與布線基板的多個(gè)接合引線分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線電耦合的狀態(tài)的放大平面圖；圖38是示出形成密封圖37中所示的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)導(dǎo)線的密封體的狀態(tài)的平面圖；圖39是示出使焊球和接觸端子彼此接觸的情況的一個(gè)實(shí)例的放大橫截面圖；圖40是示出放大尺寸的相對(duì)于圖13和14的變型例的測(cè)試端子的接觸區(qū)周圍的透視圖；圖41是示出作為相對(duì)于圖15和16的比較例的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖；圖42是示出圖41中所示的尖端部分已經(jīng)磨損并且芯材暴露的狀態(tài)的放大橫截面圖；圖43是示出焊料材料沉積在圖41中所示的尖端部分上的狀態(tài)的放大橫截面圖；以及圖44是示出圖43中所示的尖端部分的一部分剝離的狀態(tài)的放大橫截面圖。
具體實(shí)施例方式本申請(qǐng)中的描述形式、基本術(shù)語(yǔ)以及方法的說(shuō)明在本申請(qǐng)中，在實(shí)施例的下述說(shuō)明中，如果需要，為了方便起見而將該說(shuō)明分成多個(gè)部分等等。但是，除非另外說(shuō)明，否則該多個(gè)部分并不彼此獨(dú)立，而是以如下關(guān)系而屬于單個(gè)實(shí)例的各個(gè)部分，使得其中一個(gè)是另一個(gè)的一部分的詳細(xì)說(shuō)明、一部分或整體的變型例等等，而與說(shuō)明順序無(wú)關(guān)。此外，原則上將省略相同部分的重復(fù)說(shuō)明。但是，除非另外指出，或除了理論地限定數(shù)量的情況，以及除非從上下文中顯而易見，否則實(shí)施例中的各個(gè)構(gòu)成要素不是必需的。類似地，在實(shí)施例等的說(shuō)明中，除非另外指出以及除非從上下文顯而易見，否則用于材料、組成等的術(shù)語(yǔ)“X包括A”等不排除包括除A之外的元素。例如，對(duì)于成分來(lái)說(shuō)，該術(shù)語(yǔ)是指“X包括A作為主要成分” 等等。例如，容易理解的是本文所用的術(shù)語(yǔ)“硅部件”等不限于純硅，而是還包括SiGe (硅鍺)合金，包含硅作為主要成分的其他多種合金，或包括其他添加劑的部件等等。而除非另外指出，否則本文所用的術(shù)語(yǔ)“鍍金、Cu層、鍍鎳等”不僅包括上述材料的純凈物，還包括分別包含金、Cu、鎳等作為主要成分的部件。此外，同樣在提及特定數(shù)值和量時(shí)，除非另外指出，除了將其理論地限于該數(shù)量時(shí)，以及除非從上下文顯而易見時(shí)，否則各個(gè)數(shù)值都可以是大于該特定數(shù)值的數(shù)值，或可以是小于該特定數(shù)值的數(shù)值。此外，在實(shí)施例的相應(yīng)附圖中，相同或相似的部分由相同或相似的附圖標(biāo)記和數(shù)字表示，并原則上不再贅述其說(shuō)明。此外，在附圖中，當(dāng)陰影線等會(huì)使附圖變復(fù)雜時(shí)或當(dāng)其明顯區(qū)別于空白時(shí)，即使在橫截面圖中也可能省略它們。有鑒于此，當(dāng)從說(shuō)明等中顯而易見時(shí)，即使對(duì)于二維的封閉孔來(lái)說(shuō)也可以省略背景輪廓。此外，即使不在橫截面圖中，也可以加入陰影線以便清楚表面該部分不是空白的?！栋雽?dǎo)體器件》圖1是示出本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的透視平面圖。圖2是沿圖1的線A-A的橫截面圖。順便提及，在圖1中，為了示出半導(dǎo)體器件內(nèi)部的平面布置，密封體6的外邊緣的輪廓由雙點(diǎn)劃線指示。圖1和2中所示的作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件I是將半導(dǎo)體芯片2嵌入密封樹脂(密封體)6的內(nèi)部的半導(dǎo)體封裝。這里將利用QFP(四方扁平封裝)型半導(dǎo)體器件I作為實(shí)例給出說(shuō)明，其中從密封體6中突出的外部端子的多個(gè)外引線部5b被形成為海鷗翼形。半導(dǎo)體器件I具有半導(dǎo)體芯片2，該半導(dǎo)體芯片2具有正面(主表面)2a、位于正面2a的相反側(cè)上的背面(主表面)2b，以及形成在正面2a上的多個(gè)焊盤(電極焊盤、芯片電極或端子)2c。在半導(dǎo)體芯片2的正面2a側(cè)(具體地，布置在作為半導(dǎo)體芯片的基材的半導(dǎo)體襯底的表面上的元件形成表面)上，形成多個(gè)諸如晶體管和二極管的半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體元件與形成在正面2a上的多個(gè)焊盤2c電耦合。形成在半導(dǎo)體芯片2的正面2a側(cè)上的多個(gè)半導(dǎo)體元件經(jīng)由形成在正面2a側(cè)上(具體地，在半導(dǎo)體襯底的元件形成側(cè)和正面2a之間)的未示出的布線(布線層或芯片布線)電耦合，由此形成電路。此外，半導(dǎo)體器件I具有用于在其上安裝半導(dǎo)體芯片2的接片3(芯片安裝部或管芯焊盤)，經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線(導(dǎo)電部件)4與半導(dǎo)體芯片2的多個(gè)焊盤2c電耦合的多個(gè)引線(外部端子)5，以及密封半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)導(dǎo)線4的密封體(樹脂或樹脂體)6。半導(dǎo)體芯片2經(jīng)由粘接材料8 (參見圖2)通過(guò)多個(gè)懸置引線7 (參見圖1)支撐而安裝(固定)在接片3上。半導(dǎo)體芯片2的多個(gè)焊盤2c分別經(jīng)由導(dǎo)線4與作為外部端子的多個(gè)引線5電耦合。此外，半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)導(dǎo)線4由密封體6樹脂密封。密封體6是通過(guò)將諸如二氧化硅的填充材料加入例如熱固性樹脂而獲得的絕緣材料，并且如圖2中所示具有頂面(側(cè))6a，位于頂面6a的相反側(cè)的底面(側(cè))6b以及位于頂面6a和底面6b之間的側(cè)面6c。而多個(gè)引線5c中的每一個(gè)都部分地(內(nèi)引線部5a)密封進(jìn)密封體6的內(nèi)部，且另一部分(外引線部5b)從密封體6中暴露。外引線部5b是半導(dǎo)體器件I的外部端子。在例如由銅(Cu)制成的基材部的表面上形成由焊料制成的金屬膜(焊接鍍膜)9。該金屬膜9被稱為外鍍膜。金屬膜9形成在外部端子的表面上。因此，當(dāng)半導(dǎo)體器件I安裝在未示出的安裝基板上時(shí)，可以提高外部端子對(duì)作為導(dǎo)電接合材料的焊料(未示出)的潤(rùn)濕性。形成本實(shí)施例的金屬膜9的焊料由所謂的無(wú)鉛焊料制成，其基本上不包含鉛(Pb)，并且例如僅包含錫(Sn)、錫-秘(Sn-Bi)、錫-銅(Sn-Cu)或錫_銅-銀(Sn-Cu-Ag)。這里，無(wú)鉛焊料是指鉛(Pb)含量為0.lwt%或更小的焊料。根據(jù)RoHs (Restrictionof HazardousSubstances:限制有害物質(zhì))指令確定上述含量。以下在本實(shí)施例中，除非另外指出，否則當(dāng)說(shuō)明焊料或焊球時(shí)，其指示無(wú)鉛焊料。順便提及，在圖1和2中示出QFN型半導(dǎo)體器件I,其中多個(gè)引線5從密封體6的側(cè)面6c突出。但是，半導(dǎo)體封裝的結(jié)構(gòu)不限于圖1和2中所示的實(shí)例。例如，作為變型例，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)適用于QFN(四方扁平無(wú)引線封裝)型半導(dǎo)體器件(未示出)。在QFN型半導(dǎo)體器件的情況下，多個(gè)外部端子(外引線部)在密封體的底面(安裝面)處從密封體突出。即使在QFN型半導(dǎo)體器件的情況下，鑒于當(dāng)在未示出的安裝基板上安裝時(shí)提高外部端子對(duì)作為導(dǎo)電接合材料的焊料(未示出)的潤(rùn)濕性，優(yōu)選在暴露的表面上形成由焊料形成的金屬膜(焊料鍍膜)。《半導(dǎo)體器件的制造方法》以下將給出對(duì)圖1和2中所示的半導(dǎo)體器件I的制造步驟的說(shuō)明。圖3是示出圖1和2中所示的半導(dǎo)體器件的組裝流程的解釋性視圖。本實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件I根據(jù)圖3中所示的組裝流程制造。1.基材制備步驟圖4是示出在圖3中所示的基板制備步驟中制備的引線框架的總體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖5是示出放大尺寸的圖4的產(chǎn)品形成區(qū)的放大平面圖。首先，在圖4中所示的基材制備步驟中，制備圖4和5中所示的引線框架(基材)10。順便提及，除了使用預(yù)先制造的圖4和5中所示形狀的引線框架10的實(shí)施例之外，引線框架(基材)10的制備還包括使用購(gòu)置其他地方(其他公司或其他承包商)制造的引線框架10的實(shí)施例。如圖4中所示，當(dāng)前步驟中制備的引線框架10包括框架部(框架主體)IOb內(nèi)部的多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)10a。具體地，在引線框架10中，多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa布置成矩陣。多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa中的每一個(gè)都對(duì)應(yīng)于圖1中所示的一個(gè)半導(dǎo)體器件I。此外，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)域IOa之間布置切割區(qū)10c，切割區(qū)IOc是在圖3中所示的單片化步驟中要被切割的切割余量。通過(guò)使用由此包括多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa的引線框架10，能一同地制造多個(gè)半導(dǎo)體器件I (參見圖1)。這可以提高制造效率。此外，如圖5中所示，在當(dāng)前步驟中制備的引線框架10的各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa中，已經(jīng)形成了包括在半導(dǎo)體器件I中的接片(芯片安裝部或管芯焊盤)3、圍繞接片3布置的多個(gè)引線(外部端子)5以及支撐接片3的多個(gè)懸置引線7。多個(gè)引線5與圍堰部IOd耦合，并經(jīng)由該圍堰部IOd耦合。而多個(gè)懸置引線7分別與圍堰部IOd耦合，且接片3經(jīng)由懸置引線7與圍堰部IOd耦合。換言之，接片3和多個(gè)引線5經(jīng)由懸置引線7和圍堰部IOd由引線框架10支撐。此外，引線框架10的構(gòu)成材料不限于以下材料，而是通過(guò)使由例如銅(Cu)、銅合金、通過(guò)在銅的表面堆疊鎳(Ni)鍍膜而獲得的材料、或諸如42合金的鐵型材料形成的金屬板經(jīng)受圖案化處理而形成的。2.半導(dǎo)體芯片安裝步驟隨后，在圖3中所示的半導(dǎo)體芯片安裝步驟中，如圖6中所示，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa的接片3上安裝半導(dǎo)體芯片2。圖6是示出半導(dǎo)體芯片經(jīng)由粘接材料安裝到圖5中所示的芯片安裝部上的狀態(tài)的放大平面圖。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片2經(jīng)由例如熱固性樹脂或通過(guò)在熱固性樹脂中混合銀(Ag)顆粒而獲得的粘接材料8來(lái)安裝(接合和固定)。安裝系統(tǒng)例如是所謂的正裝安裝系統(tǒng)(face-up mounting system),其中以半導(dǎo)體芯片2的背面2b (參見圖2)與接片3的頂面相對(duì)來(lái)執(zhí)行安裝。順便提及，這里通過(guò)采用接片3的尺寸(平面面積)小于半導(dǎo)體芯片2的尺寸(平面面積)作為實(shí)例給出說(shuō)明。但是，接片3的尺寸不限于此。其中接片3的尺寸大于半導(dǎo)體芯片2的尺寸的結(jié)構(gòu)(大接片結(jié)構(gòu))也是適用的。3.電耦合步驟隨后，在圖3中所示的電耦合步驟中，如圖7中所示，半導(dǎo)體芯片2的多個(gè)焊盤2c和布置在半導(dǎo)體芯片2周圍的多個(gè)引線5分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線(導(dǎo)電部件)4電耦合。圖7是示出圖6中所示的半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤和引線框架的多個(gè)引線分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線電耦合的狀態(tài)的放大平面圖。在本步驟中，例如制備熱臺(tái)(heat stage)(未示出)。引線框架10布置在該熱臺(tái)上，在該引線框架10中，半導(dǎo)體芯片2安裝在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa的接片3上。隨后，例如通過(guò)毛細(xì)管(未示出)提供各個(gè)導(dǎo)線4。通過(guò)組合地使用超聲波和熱壓接合來(lái)接合導(dǎo)線4的系統(tǒng)，將導(dǎo)線4耦合。用于導(dǎo)線4的材料的實(shí)例包括金(Au)、銅(Cu)及其合金。4.密封步驟隨后，在圖3中所示的密封步驟中，如圖8中所示，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa中形成密封體6。因此，半導(dǎo)體芯片2(參見圖7)、接片3(參見圖7)、多個(gè)導(dǎo)線4(參見圖7)以及多個(gè)引線5中的每一個(gè)的一部分(內(nèi)引線部)由密封體密封。圖8是示出形成了密封圖7中所示的半導(dǎo)體芯片、多個(gè)導(dǎo)線以及多個(gè)引線的一部分的密封體的狀態(tài)的放大平面圖。在本步驟中，例如通過(guò)所謂的轉(zhuǎn)移模塑系統(tǒng)，其中在將圖7中所示的引線框架10插入未示出的模塑模具中的情況下，將樹脂壓入模具并且隨后固化，來(lái)形成圖8中所示的密封體6。在本步驟中，布置于模塑模具中的空腔(樹脂壓入空間)被布置為與圖8中所示的圍堰部IOd的內(nèi)部相配合。這可以抑制樹脂(密封樹脂)無(wú)序地泄漏到圍堰部IOd的外部。5.鍍覆步驟隨后，在圖3中所示的鍍覆步驟中，在圖8中所示的多個(gè)引線5的每一個(gè)的表面上形成由焊料形成的金屬膜(鍍膜)。在本步驟中，例如將圖8中所示的引線框架10浸入未示出的鍍覆溶液中。因此，在從密封體6暴露的金屬部分的表面上形成圖2中所示的金屬膜(焊料鍍膜)9。在本實(shí)施例中，例如將引線框架10浸入焊料溶液中，由此通過(guò)電鍍系統(tǒng)形成作為焊料膜的金屬膜。焊料膜的種類的實(shí)例可以包括錫-鉛鍍覆、作為無(wú)鉛鍍覆的純錫鍍覆以及錫-鉍鍍覆。如上所述，當(dāng)在安裝基板上安裝時(shí)，鑒于提高外部端子對(duì)作為導(dǎo)電接合材料的焊料的潤(rùn)濕性而形成金屬膜9。但是，只要由形成引線框架10的金屬形成的基材部(下層部分)的表面由金屬膜9覆蓋，則金屬膜9的厚度可以是小的。在本實(shí)施例中，金屬膜9的厚度小于下層基材部(下層部分)的厚度，且例如為約10 μ m至20 μ m。6.引線切割步驟(引線形成步驟)隨后，在圖3中所示的引線切割步驟中，如圖9中所示，將多個(gè)引線5切割并分別分離。圖9是示出圖8中所示的多個(gè)引線已被切割并分離的狀態(tài)的放大平面圖。在本步驟中，切割引線5的外引線部5b，并將該外引線部5b從框架部10b(參見圖4)上切除。此外，在相鄰引線5之間切割將多個(gè)引線5耦合的圍堰部10d(參見圖7)，由此分離各個(gè)引線5。多個(gè)引線5的外引線部5b的切割方法沒(méi)有特別限制。例如，在引線框架10的底面?zhèn)壬希贾梦词境龅臎_頭(切割刀片)，并且在頂面?zhèn)炔贾媚＞?支撐夾具)。因此通過(guò)執(zhí)行沖壓加工實(shí)現(xiàn)切割。此外，將該多個(gè)引線5分離。隨后形成多個(gè)引線5。在本實(shí)施例中，如圖2中所示，多個(gè)引線5的各個(gè)外引線部5b形成為海鷗翼形。形成引線5的各個(gè)外引線部5b的方法沒(méi)有特別限制。例如，利用成型沖頭和模具執(zhí)行沖壓加工。因此可以完成成型。通過(guò)本步驟，多個(gè)引線5分別被分離，得到分離體。此外，通過(guò)本步驟從引線框架10上切除多個(gè)引線5。7.單片化步驟隨后，在圖3所示的單片化步驟中，切割圖9中所示的懸置引線7，由此從引線框架10上切除(分離)各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)10a。因此，能夠獲得單片化的半導(dǎo)體器件I (參見圖1)。該單片化方法沒(méi)有特別限制。通過(guò)使用沖裁模的沖壓加工進(jìn)行切割的方法也是適用的。順便提及，本步驟中獲得的多個(gè)半導(dǎo)體器件I是預(yù)測(cè)試半成品(組件)的形式。因此，在本步驟之后，執(zhí)行圖3中所示的視覺檢驗(yàn)步驟和電測(cè)試步驟。因此，合格的器件成為圖1和2中所示的半導(dǎo)體器件I。8.電測(cè)試步驟隨后，在圖3中所示的電測(cè)試步驟中，電流通過(guò)半導(dǎo)體器件，由此進(jìn)行用于檢查電路中不存在斷路，并且該器件具有規(guī)定的(容許的或更高的)電特性的測(cè)試。此外，在本步驟中，基于電測(cè)試的結(jié)果，確定器件是優(yōu)良產(chǎn)品還是缺陷產(chǎn)品。隨后移除缺陷產(chǎn)品。以下將詳細(xì)說(shuō)明電測(cè)試步驟?！峨姕y(cè)試裝置(檢驗(yàn)裝置)》首先將給出對(duì)用于在圖3中所示的電測(cè)試步驟中執(zhí)行半導(dǎo)體器件的電測(cè)試的電測(cè)試裝置(檢驗(yàn)裝置)的構(gòu)造的說(shuō)明。圖10是示意性示出用于執(zhí)行圖3中所示的電測(cè)試步驟的測(cè)試裝置的構(gòu)造的解釋性視圖。圖11是示出放大尺寸的圖10中所示的測(cè)試裝置的插座周圍的基本部分放大橫截面圖。而圖12是示出放大尺寸的圖11中所示的測(cè)試端子的周圍的放大橫截面圖。圖13和14分別是示出圖12中所示的測(cè)試端子的接觸區(qū)周圍的透視圖。用于在本實(shí)施例的電測(cè)試步驟中對(duì)半導(dǎo)體器件I執(zhí)行電測(cè)試的測(cè)試裝置(電測(cè)試裝置或檢驗(yàn)裝置)20包括用于容納半導(dǎo)體器件I的插座21、經(jīng)由插座21將與半導(dǎo)體器件I電耦合的測(cè)試基板(布線基板或性能板)22以及與測(cè)試基板22電耦合的測(cè)試頭23。在測(cè)試頭23中形成有測(cè)試電路，該測(cè)試電路用于在測(cè)試電路和半導(dǎo)體器件I之間執(zhí)行信號(hào)電流的輸入/輸出，該測(cè)試電路經(jīng)由測(cè)試基板22和插座21與半導(dǎo)體器件I電耦合。此外，在本實(shí)施例中，鄰近測(cè)試頭23布置有控制部(測(cè)試器主體)24?？刂撇?4與測(cè)試頭23電耦合。在控制部24中形成有用于控制電測(cè)試步驟(例如測(cè)試頭23和半導(dǎo)體器件I的相對(duì)位置控制或用于連續(xù)測(cè)試多個(gè)半導(dǎo)體器件I的控制)的控制電路。但是，控制電路的形成位置不限于圖10中所示的模式。例如，作為變型例，控制電路可以形成在測(cè)試頭23的內(nèi)部。如圖11中所示，測(cè)試頭23具有頂面23a，該頂面23a是用于在其上安裝測(cè)試基板22的基板安裝表面。測(cè)試基板22固定在測(cè)試頭23的頂面23a上。用于固定測(cè)試基板22的固定方法沒(méi)有特別限制。在圖11中所示的實(shí)例中，在測(cè)試頭23的頂面23a上布置有隔板25。測(cè)試基板22例如螺固于隔板25上。此外，測(cè)試基板22經(jīng)由布置在測(cè)試頭23的頂面23a上的多個(gè)連接器端子(端子)6而與形成在測(cè)試頭23中的電路(測(cè)試電路)電耦合。而測(cè)試基板22是布線基板，其具有正面22a，位于正面22a的相反側(cè)的背面22b，以及用于將布置在正面22a上的插座21安裝在其中的插座安裝區(qū)22c。在正面22a和背面22b中形成分別包括多個(gè)布線22d的布線圖案。形成在正面22a側(cè)上的多個(gè)布線22d和形成在背面22b側(cè)上的多個(gè)布線22d分別經(jīng)由傳輸路徑(層間導(dǎo)電路徑)22e彼此電耦合，傳輸路徑22e例如是從測(cè)試基板22的正面22a貫穿至背面22b的貫通孔。而在測(cè)試基板22上，安裝諸如電容器和線圈的多個(gè)電子元器件27，且它們經(jīng)由布線22d與安裝在正面22a側(cè)上的插座21電耦合。在圖11中所示的實(shí)例中，多個(gè)電子元器件27安裝在背面22b上。此夕卜，測(cè)試基板22通過(guò)由形成在測(cè)試頭23上的隔板25圍繞的中空空間而固定在測(cè)試頭23上，以便背面22b與測(cè)試頭23的頂面23a相對(duì)。而用于固定半導(dǎo)體器件I的插座21固定在測(cè)試基板22的正面22a上的插座安裝區(qū)22c中。插座21的固定方法沒(méi)有特殊限制。在本實(shí)施例中，例如采用螺固。因此，插座21可以至少根據(jù)作為要被測(cè)量的目標(biāo)的半導(dǎo)體器件的類型改變而容易地附接和移除。插座21包括由諸如樹脂的絕緣材料制成的主體部21a。主體部21a包括作為用于固定半導(dǎo)體器件I的表面的頂面(半導(dǎo)體器件固定表面)21al，以及位于頂面21al的相反側(cè)上的底面(測(cè)試基板安裝表面)21a2。而插座21包括固定部(封裝固定部或區(qū)域)21b，該固定部21b布置在主體部21a的頂面21al側(cè)上并用于固定和保持半導(dǎo)體器件I。固定部21b的周圍區(qū)域從固定部21b的中心區(qū)域突出。半導(dǎo)體器件I的密封體6容納于突出部的內(nèi)部。因此，半導(dǎo)體器件I可以布置在預(yù)定位置處。換言之，形成在固定部21b的周圍區(qū)域中的突出部用作執(zhí)行半導(dǎo)體器件I的對(duì)準(zhǔn)的定位導(dǎo)向件。此外，插座21包括將要與半導(dǎo)體器件I的多個(gè)引線5電耦合的多個(gè)端子(測(cè)試端子、接觸端子、探針或彈簧插針)CP。多個(gè)端子CP插入形成在插座21的主體部21a中的多個(gè)貫通孔21c中，并分別與形成在測(cè)試基板22上的多個(gè)端子(彈簧座)22f電耦合。此外，在插座21上布置按壓夾具(引線按壓部件)28，該按壓夾具28是用于將引線5的尖端端部壓向端子CP的引線按壓部件。在本實(shí)施例的電測(cè)試步驟中，壓力從按壓夾具28施加至多個(gè)引線5的各個(gè)尖端端部上。因此，多個(gè)引線5的各個(gè)尖端端部都?jí)合蚨俗覥P。因此，多個(gè)端子CP和多個(gè)引線5分別彼此接觸，這可以確保其間形成電耦合。此外，如圖12中所示，端子CP包括具有將與引線5接觸的接觸區(qū)31的撞針部PR，布置在撞針部PR的相反側(cè)上并覆蓋撞針部PR的一部分的套管部SV，以及作為布置在撞針部PR和套管部SV之間的彈性體的彈簧部SP，端子CP整體上形成為長(zhǎng)且窄的桿狀(針狀)形狀。在圖12中所示的實(shí)例中，彈簧部SP是螺旋彈簧，并且例如通過(guò)在彈簧鋼形成的芯材的表面上形成金(Au)鍍膜(金膜)而構(gòu)成。在芯材的表面上形成金鍍膜可以降低在經(jīng)由彈簧部SP的導(dǎo)電路徑上的電感分量。而套管部SV在其一個(gè)端部(下端部或在與撞針部PR相反側(cè)上的端部)為尖狀(尖頭狀)。將與端子CP的套管部SV接觸的端子22f在其與套管部SV相對(duì)的表面的一部分上具有沿套管部SV的尖頭狀的凹痕。因此，通過(guò)在凹痕區(qū)中設(shè)置套管部SV的尖部，能夠?qū)⒍俗覥P對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)在由稱為SK材料的碳鋼形成的芯材的表面上形成金(Au)鍍膜(金膜)而構(gòu)成套管部SV。通過(guò)在芯材的表面上形成金鍍膜，能夠降低套管部SV和端子22f的接觸電阻和電感分量。而套管部SV的另一個(gè)端部(上端部，或在撞針部PR側(cè)上的端部)是圓柱形。將撞針部PR的一部分(軸部)設(shè)定為可插入圓柱體部SVl的內(nèi)部。這使得端子CP的總長(zhǎng)度(從撞針部PR的尖端至套管部SV的尖端的長(zhǎng)度)可改變。此外，在套管部SV的圓柱體部SVl的根部處布置彈簧按壓表面SV2，彈簧部SP的一個(gè)末端與該彈簧按壓表面SV2接觸。彈簧按壓表面SV2與圓柱體部SVl —體成型。此外，撞針部PR包括在電測(cè)試步驟中與引線5接觸的接觸區(qū)31，以及以桿形式從接觸區(qū)31向套管部SV延伸的軸部(軸區(qū)域)32。撞針部PR的軸部32具有從彈簧部SP施加的彈性力轉(zhuǎn)移至接觸區(qū)31，并調(diào)整引線5和接觸區(qū)31的接觸負(fù)載(接觸壓力)的功能。為此，軸部32包括用于插入套管部SV的圓柱體部SVl中的桿狀部32a，以及布置在桿狀部的根處的彈簧按壓表面32b，彈簧部SP的另一端部與該彈簧按壓表面32b接觸。軸部32的桿狀部32a插入套管部SV的圓柱體部SVl中，且因此具有長(zhǎng)且窄的圓柱形，其直徑小于圓柱體部SVl的開口直徑。而將在電測(cè)試步驟中與引線5接觸的接觸區(qū)31的一個(gè)端部(頂端部，或在套管部SV的相反側(cè)上的端部)為尖狀(尖頭狀)。在本實(shí)施例中，如圖13和14中所不，接觸區(qū)31具有多個(gè)尖頭部(尖的尖端端部或頂點(diǎn)部)31a。尖頭部31a的數(shù)量沒(méi)有特別限制。圖13示出包括了四個(gè)尖頭部31a的實(shí)例，并且圖14示出包括了八個(gè)尖頭部31a的實(shí)例。接觸區(qū)31的端部被銳化成尖頭狀。這使得接觸區(qū)31的一部分能夠在電測(cè)試步驟中咬合進(jìn)圖12中所示的引線5中。具體地，端子CP的撞針部PR的接觸區(qū)31的尖部(圖13中所示的尖頭部31a)咬合進(jìn)由引線5的外引線部5b的焊料形成的金屬膜(焊料鍍膜)9中。因此，能夠擴(kuò)大接觸區(qū)31和作為檢驗(yàn)?zāi)繕?biāo)的引線5之間的接觸面積。這可以在電測(cè)試步驟中降低接觸電阻。換言之，能夠在使測(cè)試端子CP與作為半導(dǎo)體器件I (參見圖11)的外部端子的引線5接觸時(shí)降低電阻分量。此外，如圖13和14中示例性示出地，在使用包括多個(gè)尖頭部31a的端子CP的情況下，提供多個(gè)尖頭部31a使得增加引線5 (參見圖12)和端子CP之間接觸點(diǎn)的數(shù)量。因此，能夠確保通過(guò)多個(gè)尖頭部31a中的任何一個(gè)與引線5導(dǎo)通。因此可以穩(wěn)定地執(zhí)行測(cè)試。例如，即使在對(duì)準(zhǔn)精度等受到影響，引線5和端子CP之間的平面位置關(guān)系會(huì)略微偏移時(shí)，則更可能使多個(gè)尖頭部31a中的任何一個(gè)咬合進(jìn)引線5。因此，當(dāng)考慮引線5和測(cè)試端子CP之間沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)時(shí)，從確保引線5和端子CP之間的耦合可靠性方面考慮，則使用包括多個(gè)尖頭部31a的端子是優(yōu)選的?！峨姕y(cè)試步驟》以下將給出對(duì)使用圖10中所示的測(cè)試裝置20的電測(cè)試步驟的說(shuō)明。順便提及，因?yàn)樵诮M裝半導(dǎo)體器件之后要執(zhí)行高溫測(cè)試，因此進(jìn)行加速測(cè)試，其被稱為所謂的預(yù)燒(burn-1n)。在預(yù)燒中，可以執(zhí)行諸如連續(xù)性測(cè)試的簡(jiǎn)單電檢驗(yàn)。但是，本實(shí)施例的預(yù)燒和電測(cè)試步驟彼此區(qū)別。即，預(yù)燒是通過(guò)以溫度和電壓來(lái)加速而檢測(cè)和移除半導(dǎo)體器件的初始缺陷的步驟，并且具有在初始故障模式失效的最終檢驗(yàn)中提高檢測(cè)能力的目的。為此，在預(yù)燒中，通常在約125°C的環(huán)境下通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體器件施加高于使用電壓的更高電壓若干小時(shí)至約10小時(shí)來(lái)執(zhí)行檢驗(yàn)。另一方面，本實(shí)施例中所描述的電測(cè)試步驟測(cè)試根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)定的電特性是否能夠獲得或是否處于產(chǎn)品規(guī)格的范圍內(nèi)。在本步驟中，如圖11中所示，將作為待檢驗(yàn)?zāi)繕?biāo)的半導(dǎo)體器件I轉(zhuǎn)移并布置到插座21的固定部21b。用于將半導(dǎo)體器件I轉(zhuǎn)移到插座21的方法沒(méi)有特別限制。例如，可以使用未示出的處理機(jī)(轉(zhuǎn)移裝置)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)轉(zhuǎn)移。在將半導(dǎo)體器件I布置在插座21的固定部21b上的階段，測(cè)試端子CP和引線5彼此接觸。為了降低端子CP和引線5之間的接觸電阻并穩(wěn)定地執(zhí)行電測(cè)試，優(yōu)選使端子CP的一部分咬合進(jìn)引線5的一部分。為此，在本實(shí)施例中，在插座21的固定部21b上布置半導(dǎo)體器件I。隨后通過(guò)用于將引線5的尖端端部壓向端子CP的按壓夾具28按壓引線5。因此，圖12中所示的端子CP的撞針部PR通過(guò)來(lái)自按壓夾具28的壓力而被迫向下(朝向測(cè)試基板22)。此外，撞針部PR被向下推，致使彈簧部SP的彈性力增大。因此，在端子CP的接觸區(qū)31中產(chǎn)生進(jìn)入引線5 (具體地，金屬膜9)的咬合力，因此尖頭部31a(參見圖13和14)咬合進(jìn)引線5的金屬膜9。端子CP和引線5之間的接觸負(fù)載(在接觸時(shí)從端子CP施加至引線5的負(fù)載)沒(méi)有特別限制。例如，在本實(shí)施例中，調(diào)整彈簧部SP的彈性力以便獲得約20gf (約0.2N)至50gf (約0.5N)的接觸負(fù)載。隨后，隨著端子CP咬合進(jìn)引線5，電流通過(guò)半導(dǎo)體器件1，由此執(zhí)行連續(xù)測(cè)試和用于確認(rèn)電特性的測(cè)試。換言之，在本實(shí)施例中，通過(guò)將多個(gè)引線5和多個(gè)端子CP彼此分別接觸，半導(dǎo)體器件I的半導(dǎo)體芯片2 (參見圖2)和用于電測(cè)試的測(cè)試電路電耦合，由此執(zhí)行電測(cè)試。在測(cè)試期間，電流經(jīng)由圖11中所示的多個(gè)端子CP通過(guò)半導(dǎo)體器件I。而且，測(cè)量從半導(dǎo)體器件I等流動(dòng)的信號(hào)電流。因此確認(rèn)電路中不存在斷路，并且器件具有規(guī)定(容許的或更高的)的電特性。此外，基于電測(cè)試結(jié)果，確定器件是優(yōu)良產(chǎn)品還是缺陷產(chǎn)品。隨后移除缺陷產(chǎn)品。例如通過(guò)在從插座21取出產(chǎn)品時(shí)將優(yōu)良產(chǎn)品和缺陷產(chǎn)品轉(zhuǎn)移至不同的轉(zhuǎn)移目的地而執(zhí)行優(yōu)良產(chǎn)品和缺陷產(chǎn)品的分類?！稖y(cè)試端子的詳細(xì)結(jié)構(gòu)》以下將給出對(duì)測(cè)試端子CP的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。圖15是示出圖13或14中所示的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖。圖16是示出作為相對(duì)于圖15的變型例的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖。此外，圖41是示出作為相對(duì)于圖15和16的比較例的測(cè)試端子的接觸區(qū)的尖端部分的放大橫截面圖。圖42是示出圖41中所示的尖端部分磨損并且芯材暴露的狀態(tài)的放大橫截面圖。圖43是示出焊料材料沉積在圖41中所示的尖端部分上的狀態(tài)的放大橫截面圖。圖44是示出圖43中所示的尖端部分的一部分剝離的狀態(tài)的放大橫截面圖。為了使圖12中所示的端子CP的接觸區(qū)31咬合進(jìn)引線5，除了銳化接觸區(qū)31的尖端端部之外，優(yōu)選的是使端子CP咬合進(jìn)的金屬膜9由比形成金屬膜9的焊料材料硬的材料形成。另一方面，從降低端子CP和引線5之間的接觸電阻方面考慮，端子CP的最外面優(yōu)選由諸如金(Au)的具有低電阻率的金屬材料覆蓋。有鑒于此，如同圖41中所示作為相對(duì)于本實(shí)施例的比較例的端子100，可以考慮如下測(cè)試端子100，其中例如由被稱為所謂的SK材料的碳鋼形成的芯材101的表面覆蓋有金(Au)的鍍膜102。順便提及，除構(gòu)成材料之外，圖41中所示的端子100與圖12中所示的端子CP具有相同的結(jié)構(gòu)。在僅考慮一次電測(cè)試而不考慮重復(fù)使用的情況下，即使在使用圖41中所示的端子100時(shí)，可以抑制接觸電阻以穩(wěn)定地執(zhí)行測(cè)試。但是，在電測(cè)試步驟中，從制造效率提高的方面考慮，需要多個(gè)(批量生產(chǎn)的)半導(dǎo)體器件I (參見圖11)與端子CP重復(fù)接觸以執(zhí)行測(cè)試是必要的。在圖41中所示的端子100的情況下，覆蓋芯材101表面的鍍膜102會(huì)磨損或剝離，因此電阻率比鍍膜102高的芯材101會(huì)如圖42或44中所示地暴露。特別地，在芯材101的表面由金(Au)膜形成時(shí)，Au膜傾向于被磨損。為此，端子100直至芯材101暴露為止能夠使用的次數(shù)小。即壽命短。此外，金(Au)具有與作為焊料材料的主要成分的錫(Sn)的高親和勢(shì)(傾向于結(jié)合)。為此，如圖43中所示，覆蓋引線5的表面的焊料材料9a傾向于沉積到鍍膜102的表面上。隨后，沉積到鍍膜102上的焊料材料9a與鍍膜102結(jié)合，而產(chǎn)生化合物。因此，鍍膜102變得更容易從芯材101上剝離和脫落。因此，如圖44中所示，芯材101傾向于暴露。而即使在芯材101沒(méi)有暴露時(shí)，隨著沉積在端子100上的焊料材料9a(圖43)的氧化，端子100表面的電阻分量增大。這導(dǎo)致接觸電阻增大或接觸電阻的變化增大。換言之，在測(cè)試端子100的情況下，由于重復(fù)使用而導(dǎo)致電特性傾向于劣化。根據(jù)本發(fā)明人的研究，在端子100的情況下，當(dāng)執(zhí)行70，000次至80，000的測(cè)試時(shí)，電測(cè)試的結(jié)果變得不穩(wěn)定，導(dǎo)致可靠性降低。那么，隨著電測(cè)試可靠性的降低，重復(fù)測(cè)試的數(shù)量增加，并使得被確定為存在缺陷的產(chǎn)品的數(shù)量增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件制造效率降低。替代地，可以考慮在電測(cè)試的可靠性降低之前將測(cè)試端子更換為另一新的測(cè)試端子的方法。但是更換頻率的增加導(dǎo)致用于更換的維護(hù)負(fù)擔(dān)增加。另一方面，在本實(shí)施例中，如圖15中所示，端子CPl的接觸區(qū)31由以合金(第一合金)制成的芯材Ml形成，且金屬膜M2覆蓋芯材Ml。金屬膜M2由比形成芯材Ml的合金硬(硬度更高)的合金(第二合金)形成。具體地，形成芯材Ml的合金和形成金屬膜M2的合金每個(gè)均是鈀合金，其以在各個(gè)組成元素中的最大重量比包括鈀(Pd)元素。換言之，形成芯材Ml的合金和形成金屬膜M2的合金具有以共同的最大重量比而被包括的組成元素。此外，具體地，芯材Ml例如是鈀-銀-銅(Pd-Ag-Cu)系合金，其包括鈀(Pd)、銀(Ag)和銅(Cu)。各個(gè)元素的含量比例如是重量比4: 3: 3。另一方面，金屬膜M2例如是鈀-銀(Pd-Ag)型合金，其包括重量比分別為80: 15: 5的鈀(Pd)、銀(Ag)和鈷(Co)。主要包含鈀元素的鈀合金具有不容易與作為焊料材料的主要成分的錫(Sn)結(jié)合的特性。為此，通過(guò)利用由鈀合金形成的金屬膜M2覆蓋端子CPl的接觸區(qū)31，能夠避免或抑制焊料材料沉積在端子CPl上。而鈀自身的電阻率與鐵(Fe)的電阻率可比較。但是，添加副元素(accessoryelement)可以使鈀合金的電阻率小于鈀自身的電阻率。作為這種副元素，允許包括諸如銀(Ag)或銅(Cu)的、具有比作為主元素(main element)的鈕I (Pd)的電阻率低的電阻率的元素，以用于合金化。因此，能夠?qū)㈦娮杪式抵僚c金(Au)可比較的水平。順便提及，將“元素的電阻率”評(píng)價(jià)作為在由元素制成的單質(zhì)金屬的情況下電阻率。例如，將具有比鈀(Pd)元素的電阻率低的電阻率的元素稱為具有比鈀單質(zhì)金屬的電阻率低的電阻率的元素。銀(Ag)或銅(Cu)與其對(duì)應(yīng)。而由鈀合金形成要被金屬膜M2覆蓋的芯材Ml。因此，即使在重復(fù)使用端子CP1，由此暴露芯材Ml的一部分時(shí)，也能夠避免或抑制接觸電阻的增大。此外，允許作為主元素的鈀(Pd)包括鈷(Co)作為副元素以用于合金化。因此能夠提高合金的硬度。順便提及，鈀合金的成分是本發(fā)明人具體研究的一個(gè)實(shí)例。也適用于各種變型例。例如，除了上述配置外，作為副元素，進(jìn)一步允許包括鎳(Ni)以用于合金化。通過(guò)允許在其中包含鎳(Ni)，能夠穩(wěn)定合金的晶體結(jié)構(gòu)。但是鎳(Ni)元素與其他副元素(銀、銅和鈷)相比更容易與錫(Sn)結(jié)合。為此，從避免焊料材料沉積方面考慮，鎳的含量比優(yōu)選設(shè)定為等于或小于其他副元素的含量比。順便提及，如同圖16中所示的作為相對(duì)于圖15的變型例的端子CP2，能夠假設(shè)沒(méi)有形成金屬膜M2且芯材Ml暴露的結(jié)構(gòu)。換言之，鈀合金的一種固態(tài)材料可以形成端子CP2。與圖41中所示的比較例的端子100相比較，在圖16中所示的CP2的情況下，其能夠抑制由于重復(fù)使用所造成的電測(cè)試可靠性的降低。當(dāng)接觸區(qū)31由如同端子CP2的固態(tài)材料形成時(shí)，即使端子CP2的接觸區(qū)31被磨損，接觸區(qū)31的組成材料也不會(huì)改變。為此，例如，如圖17中所示，端子CP2的尖端部分被磨損或破碎，由此被平坦化為平坦表面31b且在執(zhí)行電測(cè)試時(shí)不能咬合進(jìn)引線5 (參見圖12)。因此，與引線5的接觸面積減小。因此，在直至接觸電阻增大的時(shí)間段期間，電特性是穩(wěn)定的。圖17是示出圖16中所示的尖端部分已經(jīng)被平坦化的狀態(tài)的放大平面圖。此外，端子CP2硬度的增加可以提高耐磨性。為此，能夠增加從圖16中所示的狀態(tài)直至圖17中所示的狀態(tài)的重復(fù)使用的次數(shù)。換言之，可以延長(zhǎng)壽命。本發(fā)明人的研究指示如下內(nèi)容:如圖16中所示，端子CP2的接觸區(qū)31僅由芯材Ml形成(僅單一合金)，且將硬度設(shè)定為500HV或更大；則在維氏硬度(Vickers hardness)的情況下，端子CP2可以被重復(fù)使用約500，000次。換言之，壽命可以延長(zhǎng)為比較例的端子100 (參見圖41)的壽命約7至8倍長(zhǎng)。順便提及，使用直至在端子CP和引線5之間的接觸電阻超過(guò)IΩ的接觸次數(shù)來(lái)作為重復(fù)使用的評(píng)價(jià)指標(biāo)。以下，除特別說(shuō)明使用不同的評(píng)價(jià)指標(biāo)的情況之外，在提及重復(fù)使用次數(shù)時(shí)使用相同的評(píng)價(jià)指標(biāo)。而維氏硬度是維氏硬度測(cè)試中測(cè)試負(fù)載[N]除以永久壓痕的表面積[mm2]而獲得的值。此外，維氏硬度測(cè)試是使金字塔形的壓頭進(jìn)入材料表面的硬度測(cè)試，且根據(jù)移除負(fù)載之后遺留的壓痕的對(duì)角線的長(zhǎng)度[mm]來(lái)計(jì)算表面積[mm2]的硬度測(cè)試，該錐形壓頭由正四角錐金剛石形成，且相對(duì)面之間的角度為136°。在以下說(shuō)明中，當(dāng)以HV為單位描述硬度時(shí)，其指示維氏硬度。此外，本發(fā)明人對(duì)提高端子CP2的耐磨性以便進(jìn)一步延長(zhǎng)壽命進(jìn)行了研究。從提高端子CP2的耐磨性方面考慮，優(yōu)選的是提高芯材Ml的硬度。但是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如下現(xiàn)象:在芯材Ml的硬度提高時(shí)，發(fā)生以下的額外問(wèn)題。即，從在電測(cè)試步驟中使端子CP2的一部分咬合進(jìn)引線5(參見圖12)的金屬膜9(參見圖12)的方面考慮，需要將芯材Ml的接觸區(qū)31的尖端部分形成為圖16中所示的尖狀。但是，當(dāng)使芯材Ml硬時(shí)，用于形成尖頭狀的處理變得困難。特別地，變得難于執(zhí)行用于形成如圖13和14中所示的多個(gè)尖頭部31a的處理。如上所述，當(dāng)芯材Ml是鈀-銀-銅(Pd-Ag-Cu)型合金時(shí)，完成(在經(jīng)過(guò)稍后描述的熱處理之后)的芯材Ml的硬度根據(jù)維氏硬度約為500HV。非常難于使具有約500HV的硬度的材料經(jīng)受微機(jī)械加工。因此例如以下述方式形成圖16中所示的端子CP。圖18是示意性示出圖16中所示的端子CP的制造步驟的解釋性視圖。首先，制備形成芯材Ml并由合金制成的桿材(桿狀部件或柱狀部件)MO。桿材MO的硬度例如約為200HV至300HV。隨后，使桿材MO經(jīng)受切割(例如利用車床進(jìn)行切割)并例如形成為撞針部PR的形狀。隨后執(zhí)行熱處理，由此硬化芯材Ml。因此，熱處理后的芯材Ml具有約500HV的硬度。作為熱處理?xiàng)l件，例如在300°C左右執(zhí)行加熱約2分鐘至3分鐘。當(dāng)經(jīng)受熱處理之前的芯材Ml的硬度約為200HV至300HV時(shí)，即使圖13或14中所示的復(fù)雜尖端形狀也可以相對(duì)容易地形成。分別獨(dú)立形成圖12中所示的套管部SV和彈簧部SP。因此，將撞針部PR、套管部SV以及彈簧部SP組裝，由此形成端子CP。因此，在本實(shí)施例中，在通過(guò)切割而成型之后執(zhí)行熱處理。這得到了具有約500HV的硬度并如圖16中所示在接觸區(qū)31中具有多個(gè)尖頭部31a的端子CP2。因此，圖16中所示的端子CP2的硬度可以被設(shè)定為約500HV。但是難于將作為固態(tài)材料形成的端子CP2的硬度設(shè)定為仍大于500HV。換言之，當(dāng)端子CP由固態(tài)材料形成時(shí)，難于進(jìn)一步延長(zhǎng)壽命。因此，本發(fā)明人進(jìn)一步進(jìn)行了研究，并發(fā)現(xiàn)如下情況:如圖15中所示，通過(guò)實(shí)現(xiàn)其中芯材Ml的表面由比芯材Ml硬(硬度更高)的金屬膜M2覆蓋的端子CPl的結(jié)構(gòu)，能夠提高耐磨性。此外，包括作為組成元素的鈷(Co)的鈀合金的金屬膜M2可以例如通過(guò)鍍覆方法形成，且因此能夠容易地覆蓋芯材Ml的表面。例如以如下方式形成圖15中所示的端子CP1。圖19是示意性示出圖15中所示的端子CP的制造步驟的解釋性視圖。首先，制備形成芯材Ml并由合金制成的桿材(桿狀部件或柱狀部件)MO。桿材MO的硬度例如約為200HV至300HV。隨后，使桿材MO經(jīng)受切割(例如使用車床切割)，并例如形成為撞針部PR的形狀。隨后，將所形成的芯材Ml浸入鍍覆溶液中，由此通過(guò)例如電鍍方法在芯材Ml的表面上形成金屬膜M2。在由鍍覆方法形成的狀態(tài)下，金屬膜M2的硬度例如約為300HV至400HV。隨后，使芯材Ml和覆蓋芯材Ml的金屬膜M2經(jīng)受熱處理(例如在300°C左右加熱約2分鐘至3分鐘)，由此硬化芯材Ml和金屬膜M2。熱處理后的芯材Ml的硬度約為500HV。金屬膜M2的硬度高于芯材Ml的硬度，且例如約為650HV至700HV。順便提及，還可考慮采用在使芯材Ml經(jīng)受熱處理之后形成金屬膜M2的方法。但是，在這種情況下，使芯材Ml多次經(jīng)受熱處理。為此，當(dāng)使金屬膜M2經(jīng)受熱處理時(shí)，芯材Ml可以通過(guò)退火軟化。因此，從可靠地硬化芯材Ml方面考慮，優(yōu)選地在芯材Ml經(jīng)受熱處理之前形成金屬膜M2，且一同執(zhí)行熱處理。此外，當(dāng)使芯材Ml和金屬膜2 —同經(jīng)受熱處理時(shí)，在芯材Ml和金屬膜M2之間接合表面處的接合強(qiáng)度增加。為此，從避免或抑制金屬膜M2從芯材Ml剝離方面考慮，芯材Ml和金屬膜M2優(yōu)選地一同經(jīng)受熱處理。以上述方式形成的端子CPl具有約650HV至700HV的表面硬度，且仍然比圖16中所示的端子CP2的表面硬。因此可以提高耐磨性，且因此可以進(jìn)一步延長(zhǎng)壽命。圖20是示出圖15中所示的尖端部分已經(jīng)磨損并芯材暴露的狀態(tài)的放大橫截面圖。而圖21是示出圖20中所示的尖端部分已被平坦化的狀態(tài)的放大平面圖。本發(fā)明人的研究指示如下內(nèi)容:當(dāng)圖15中所示的端子CPl中的金屬膜M2的膜厚被設(shè)定為2μπι時(shí)，例如，如圖20中所示，端子CPl直至芯材Ml暴露為止可以被重復(fù)使用約1000,000次。換言之，壽命可以延長(zhǎng)為比較例(參見41)的端子100的壽命的約14至16倍，且為圖16中所示的端子CP2的壽命的約兩倍。此外，對(duì)于端子CP1，芯材Ml和金屬膜M2每個(gè)都由鈀合金形成。因此，即使在如圖20中所示地暴露芯材Ml時(shí)，也能夠抑制電特性的劣化。換言之，形成芯材Ml的合金以及形成金屬膜M2的合金具有以共同的最大比(重量比)而被包括的元素。因此，即使在芯材Ml暴露時(shí)，也能夠抑制電特性的劣化。特別地，芯材Ml和金屬膜M2每個(gè)都包括諸如銀(Ag)元素的、具有比鈀的電阻率低的電阻率的元素作為副元素。因此能夠使芯材Ml和金屬膜M2的電阻率彼此可比較。例如，如圖21中所示，端子CPl的尖端部分被磨損或破碎，因此被平坦化為平坦表面31b，且在執(zhí)行電測(cè)試時(shí)不能咬合進(jìn)引線5(參見圖12)。因此與引線5的接觸面積會(huì)下降。因此，在直至接觸電阻增大的時(shí)間段期間，電特性是穩(wěn)定的。因此，本實(shí)施例使得能夠?qū)崿F(xiàn)如下效果:直至金屬膜M2磨損，由此而暴露芯材Ml為止，使金屬膜M2和引線5 (參見圖12)彼此接觸以執(zhí)行電測(cè)試；且在如圖20中所示地暴露芯材Ml之后，使芯材Ml和引線5彼此接觸以執(zhí)行電測(cè)試。換言之，即使在將端子CPl重復(fù)使用約1000, 000次，由此如圖20中所示地暴露芯材Ml的情況下，從此時(shí)直至芯材Ml進(jìn)一步磨損而如圖21中所示地被平坦化(直至接觸電阻超過(guò)I Ω)，能夠穩(wěn)定地執(zhí)行電測(cè)試。換言之，能夠在芯材Ml暴露之前使用端子CPl 1000，000次，且在芯材Ml暴露之后使用500，000次，總計(jì)約1500，000次。此外，芯材Ml和金屬膜M2每個(gè)都由鈀合金形成。這可以防止或抑制以下情況:焊料材料在約1500，000次的重復(fù)使用期間沉積到端子CPl上，導(dǎo)致電阻值增大。因此，根據(jù)本實(shí)施例，能夠在使測(cè)試端子CPl或CP2與作為半導(dǎo)體器件I (參見圖11)的外部端子的引線5 (參見圖11)接觸時(shí)，延長(zhǎng)電阻分量降低的時(shí)間段(壽命)。換言之，能穩(wěn)定地降低端子CPl或CP2和引線5之間的接觸電阻。因此能夠減少端子CPl或CP2的更換頻率。因此能夠提高半導(dǎo)體器件I的制造效率。此外，與形成在圖41中所示的端子100的表面上的、由金(Au)制成的鍍膜102相比較，形成在圖15中所示的端子CPl的表面上的金屬膜M2硬度更高(更大)。而圖16中所示的端子CPl的芯材Ml的硬度高于(大于)圖41中所示的鍍膜102的硬度。因此，當(dāng)使端子CPl或CP2與引線5 (參見圖12)接觸時(shí)，能夠降低端子CPl或CP2的接觸區(qū)31的形變量(由磨損而被切割的量，由壓力而塌陷的量或由于焊料沉積而脫落的量)。此外，當(dāng)重復(fù)使用端子CPl或CP2時(shí)，每次當(dāng)使端子CPl或CP2與引線5接觸時(shí)產(chǎn)生降低接觸區(qū)31的形變量的效果。因此，延長(zhǎng)了端子CPl或CP2的壽命，從而增加接觸的次數(shù)?！稖y(cè)試端子的再生處理方法》如上所述，端子CPl或CP2與比較例的端子100相比可以大幅延長(zhǎng)壽命。但是，如圖17和21中所示，可以通過(guò)在被平坦化之后經(jīng)受再生處理而進(jìn)一步延長(zhǎng)端子CPl或CP2的壽命。以下將給出對(duì)在如圖17或21所示的尖端部分被平坦化之后執(zhí)行再生處理的方法的詳細(xì)說(shuō)明。圖22是示出拋光和再生具有被平坦化的尖端端部的端子的步驟的放大橫截面圖。此外，圖23是示出圖22中所示的拋光片的構(gòu)造的放大橫截面圖。而圖24是示出圖23中所示的拋光夾具壓靠圖17中所示的測(cè)試端子的平表面的狀態(tài)的放大橫截面圖。此外，圖25是示出圖24中所示的拋光夾具的振動(dòng)方向的放大橫截面圖。圖26是示出圖25中所示的平坦表面和拋光夾具之間的平面位置關(guān)系的透視平面圖。此外，圖27是示出圖25中所示的端子在拋光后的狀態(tài)的放大橫截面圖。圖28是示出圖26中所示的端子在拋光后的透視平面圖。順便提及，圖24至28每個(gè)都簡(jiǎn)易地示例性示出對(duì)圖17中所示的端子CP2執(zhí)行拋光處理的方法。該方法也類似地適用于對(duì)圖21中所示的端子CPl執(zhí)行拋光處理的情況。在本實(shí)施例中，使例如圖17或21中示出的具有被平坦化的尖端端部的端子CP經(jīng)受拋光處理，由此再次銳化并再生其端部。如上所述，在本實(shí)施例中，端子CP的接觸區(qū)由包括共同的主元素的合金材料制成。因此，即使在表面被切除時(shí)，也能防止或抑制電特性降低。因此,能夠?qū)舛硕瞬窟M(jìn)行拋光并執(zhí)行再生處理。具體地，如圖22中所示，在將多個(gè)端子CP安裝到插座21時(shí)，拋光夾具40分別壓靠多個(gè)端子CP的接觸區(qū)31的各個(gè)端部。在拋光夾具40的一個(gè)表面上(拋光表面40a),如圖23中所示，依次堆疊粘接層41、膜層42、彈性體層43以及拋光磨粒層44。膜層42是例如PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)的樹脂膜。在其一個(gè)表面上形成粘接層(粘附層)41 ;且在另一表面上形成彈性體層43。而形成在膜層42的底面上的彈性體層43由諸如發(fā)泡氨基甲酯的彈性體形成，以便在拋光夾具40壓靠端子CP(參見圖22)以進(jìn)行拋光時(shí)，拋光磨粒層44沿要拋光的表面發(fā)生彈性形變。此外，在形成在彈性體層43的一個(gè)表面(底面)上的拋光磨粒層44中，例如具有約3 μ m粒徑的氧化鋁(Al2O3)顆粒的多個(gè)磨粒44a經(jīng)由樹脂粘接材料44b而接合到彈性體層43上。
當(dāng)拋光夾具40壓靠端子CP的接觸區(qū)31的端部時(shí)，如圖24中所示，彈性體層43沿端子CP的要被拋光的表面(由重復(fù)使用而被磨損和平坦化的平坦表面31b)發(fā)生彈性形變。因此，多個(gè)磨粒44a與端子CP的接觸區(qū)31接觸。換言之，端子CP的要被拋光的表面(由重復(fù)使用而被磨損和平坦化的平坦表面31b)咬合進(jìn)形成在拋光夾具40的拋光表面40a上的彈性體層43 (參見圖23)中。因此，多個(gè)磨粒44a與要被拋光的表面的外周接觸。本步驟中拋光夾具40和端子CP之間的接觸負(fù)載可以由用于迫使拋光夾具40朝向端子CP的壓力以及端子CP的彈簧部SP(參見圖12)控制。隨后，如圖25和26中的箭頭45指示地，拋光夾具40在壓靠端子CP (端子CP咬合進(jìn)拋光夾具40)的同時(shí)振動(dòng)，由此拋光端子CP的平表面。因此，圖25中所示的平坦表面31b的外周部分優(yōu)選地被拋光。因此，如圖27中所示，端子CP的端部可以被再次銳化。順便提及，端子CP的端部的銳化程度特別優(yōu)選地為得到與開始使用前的狀態(tài)(例如圖16中所示的狀態(tài))相同的狀態(tài)。但是，該拋光步驟在將芯材Ml硬化到約500HV之后執(zhí)行。因此，銳化至與開始使用之前相同的狀態(tài)需要較長(zhǎng)的拋光處理時(shí)間。此外，例如如圖27和28中所示，當(dāng)平坦表面31b的面積變得小于拋光前的面積時(shí)，在電測(cè)試步驟中，端子CP的接觸區(qū)31的一部分可以咬合進(jìn)引線5。因此，至少在本步驟中，通過(guò)執(zhí)行拋光處理，直至平坦表面31b的面積變得小于開始拋光處理之前的面積，能夠再生端子CP。在本步驟中，端子CP的尖端的銳化程度也根據(jù)端子CP壓靠的端子的材料和形狀而變化。但是，實(shí)際上，特別優(yōu)選的是執(zhí)行拋光處理，直至平坦表面31b的面積變成一半或更小。此外，當(dāng)執(zhí)行拋光處理時(shí)，如圖25中所示，拋光夾具40優(yōu)選地沿平坦表面31 (水平方向上)振動(dòng)。因此能夠有效地拋光平坦表面31b的外周部分。替代地，優(yōu)選地，如圖26中所示，拋光夾具40在沿平坦表面31b(水平方向上)的多個(gè)彼此交叉的方向上(例如，圖26中彼此正交的兩個(gè)方向)振動(dòng)，或者拋光夾具40沿平坦表面31b旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。因此能夠防止或抑制平坦表面31b的外周部分中出現(xiàn)被不充分拋光的區(qū)域。順便提及，對(duì)于用于使端子CP經(jīng)受拋光處理的方法，可以考慮將端子CP從插座21移除以進(jìn)行拋光的方法。但是，在從插座21移除端子CP并對(duì)其拋光之后，需要將它們重新組裝，導(dǎo)致復(fù)雜的操作。在本實(shí)施例中，多個(gè)端子CP在附接至插座21的同時(shí)被再生。因此能夠提高操作效率，換言之，能夠提高包括再生效率的半導(dǎo)體器件的制造效率?！蹲冃屠分链耍柚鷮?shí)施例具體說(shuō)明了本發(fā)明人提出的發(fā)明。但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施例。自然理解的是在不脫離該主旨的范圍內(nèi)可以做出各種改變。例如，在前述實(shí)施例中，對(duì)其中端子CP的撞針部PR由鈀合金形成的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明。但是，只要至少端子CP的接觸區(qū)31由合金形成或由滿足參考圖15和16說(shuō)明的條件的合金形成，則其他部分的構(gòu)造不限于此。但是，當(dāng)考慮到能容易形成撞針部PR時(shí)，優(yōu)選的是端子CP的整個(gè)撞針部PR都由上述實(shí)施例中所述的鈀合金形成。此外，例如在實(shí)施例中，已經(jīng)給出了對(duì)芯材Ml被磨損和平坦化，且隨后被拋光并再生的實(shí)施例的說(shuō)明。但是，其變型例可以是如下實(shí)施例:不執(zhí)行拋光步驟；且在芯材Ml被磨損和平坦化的狀態(tài)下(圖17或21中所示狀態(tài))，將多個(gè)端子CP更換為新的端子，或?qū)⒃摱鄠€(gè)端子CP與插座21 —起更換為新的端子和插座。從延長(zhǎng)端子CP的壽命方面考慮，優(yōu)選的是執(zhí)行再生處理。但是，從提高制造效率方面考慮，則可以不執(zhí)行拋光處理，因?yàn)閽伖馓幚硭璧牟僮鞔螖?shù)增加。此外，在實(shí)施例中，描述了將插座21直接安裝到測(cè)試基板22上的結(jié)構(gòu)作為檢驗(yàn)裝置的一個(gè)實(shí)例。但是插座21的安裝結(jié)構(gòu)不限于此。例如，插座21安裝到未示出的接口基板上，使得接口基板可以與測(cè)試基板22電耦合。這種情況的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)耦合電路由于產(chǎn)品改變等而改變時(shí)，接口基板的修改對(duì)其可適應(yīng)。但是，從縮短用于將測(cè)試電路和插座21電耦合的導(dǎo)電路徑的距離方面考慮，如上述實(shí)施例中所述，優(yōu)選的是插座21直接安裝到測(cè)試基板22上。而在實(shí)施例中，采用并說(shuō)明了 QFP型半導(dǎo)體器件I作為將要成為待檢驗(yàn)?zāi)繕?biāo)的半導(dǎo)體器件的實(shí)例。但是，將要成為待檢驗(yàn)?zāi)繕?biāo)的半導(dǎo)體器件的封裝形式不限于諸如QFP型的引線框架類型。例如，封裝形式適用于如下的所謂面陣列型(area array type)半導(dǎo)體器件50:如圖29和30中所示，半導(dǎo)體芯片2安裝在作為基材的布線基板51上；在布線基板的與芯片安裝面(正面51a)相反的一側(cè)(背面51b)上，以行和列(以矩陣)布置多個(gè)外部端子(焊球52)。圖29是示出作為相對(duì)于圖1的變型例的半導(dǎo)體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概要的透視平面圖。圖30是示出圖29中所示的半導(dǎo)體器件的背面?zhèn)鹊钠矫鎴D。圖31是沿圖29的線A-A的橫截面圖。順便提及，圖29是透視平面圖，因此未示出圖31中所示的密封體6。以下將簡(jiǎn)要給出與在上述實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件I的不同之處的說(shuō)明。半導(dǎo)體器件50具有安裝在布線基板51的正面51a上的半導(dǎo)體芯片2，用于將半導(dǎo)體芯片2和布線基板51電耦合的多個(gè)導(dǎo)電部件(本實(shí)施例中的導(dǎo)線4)，用于密封半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)導(dǎo)線4的密封體(樹脂體)6，以及形成在布線基板51的背面51b側(cè)上并與半導(dǎo)體芯片2電耦合的多個(gè)焊球(外部端子或焊料材料)52。順便提及，焊球52是用于將半導(dǎo)體器件I和安裝基板(母板)電耦合的外部端子，且都由無(wú)鉛焊料形成。在圖29至31中所示的實(shí)例中，通過(guò)所謂的正裝安裝系統(tǒng)將半導(dǎo)體芯片2安裝在作為基材的布線基板51上，正裝安裝系統(tǒng)中以半導(dǎo)體芯片2的背面2b與布線基板51的正面51a相對(duì)來(lái)執(zhí)行安裝。利用正裝安裝系統(tǒng)，半導(dǎo)體芯片2和布線基板51通過(guò)導(dǎo)線接合系統(tǒng)電耦合。即，形成在半導(dǎo)體芯片2的正面2a上的多個(gè)焊盤2c與多個(gè)接合引線(端子或接合焊盤)53彼此分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線4電耦合，該多個(gè)接合引線53在平面圖中圍繞半導(dǎo)體芯片2布置以便在布線基板51的正面51a側(cè)上暴露。此外，密封體6形成在布線基板51的正面51a上以密封半導(dǎo)體芯片2和多個(gè)導(dǎo)線4。因此避免或抑制各個(gè)導(dǎo)線4的形變。而在位于相對(duì)于正面51a的布線基板51的一側(cè)上的背面51b上形成多個(gè)焊球52。多個(gè)焊球52分別經(jīng)由形成在布線基板51上的多個(gè)布線55與形成在正面51a上的接合引線53電耦合。換言之，半導(dǎo)體芯片2的多個(gè)焊盤2c分別與多個(gè)焊球52電耦合。因此，當(dāng)半導(dǎo)體器件50安裝在未示出的安裝基板上時(shí)，焊球52與安裝基板的端子(未示出)接合并電耦合。換言之，焊球52用作半導(dǎo)體器件50的外部電極(外部耦合端子)。而如圖30中所示，多個(gè)焊球52以矩陣形式布置在布線基板51的背面51b側(cè)上。半導(dǎo)體器件50是面陣列型半導(dǎo)體器件，其中多個(gè)外部端子以矩陣形式布置在布線基板51的背面(安裝面)51b側(cè)上。面陣列型半導(dǎo)體器件可以有效地利用布線基板51的背面51b側(cè)作為用于設(shè)置外部電極的空間。因此，半導(dǎo)體器件50的優(yōu)點(diǎn)在于，與諸如QFP和QFN(四方扁平無(wú)引線封裝)的、使用引線框架作為用于安裝半導(dǎo)體芯片的基材的半導(dǎo)體器件相比較，外部端子的數(shù)量可以增加。
順便提及，除如同圖29至31中所示的半導(dǎo)體器件50而包括作為外部端子安裝在其中的焊球52的BGA (BalI Grid Array:球柵陣列)型半導(dǎo)體器件之外,面陣列型半導(dǎo)體器件還例如包括LGA (Land GridArray:網(wǎng)格焊臺(tái)陣列)型半導(dǎo)體器件,用于安裝諸如焊料的接合部件的焊臺(tái)(land)(外部端子)54從該LGA型半導(dǎo)體器件暴露。替代地，即使在LGA型的情況下，焊料材料可以薄地涂布在暴露焊臺(tái)54的表面上，用于容易地安裝在未示出的安裝基板上?！睹骊嚵邪雽?dǎo)體器件的制造步驟》以下將說(shuō)明圖29至31中所示的半導(dǎo)體器件50的制造步驟，著重說(shuō)明與上述實(shí)施例的不同之處。圖32是示出圖29至31中所示的半導(dǎo)體器件的組裝流程的解釋性視圖。1.基材制備步驟首先，在圖32中所示的基材制備步驟中，制備圖33至35中所示的布線基板(基材)60。圖33是示出圖32中所示的基板制備步驟中制備的引線框架的總體結(jié)構(gòu)的平面圖。圖34是放大尺寸的圖33中的產(chǎn)品形成區(qū)的放大平面圖。而圖35是示出圖34中所示的布線基板的背面?zhèn)鹊姆糯笃矫鎴D。順便提及，除了使用預(yù)先制造圖33和35中所示的布線基板60的實(shí)施例之外，布線基板(基材)60的制備還包括使用購(gòu)置其他地方(其他公司或其他承包商)制造的布線基板60的實(shí)施例。如圖33中所示，本步驟中制備的布線基板60包括框架部(框架體)IOb內(nèi)部的多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)10a。具體地，在布線基板60中，多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa布置成矩陣。換言之，布線基板60是所謂的多片基板。因此，通過(guò)使用包括多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa的布線基板60，能夠一同地制造多個(gè)半導(dǎo)體器件50 (參見圖29)。這可以提高制造效率。各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa都對(duì)應(yīng)于圖29至30中所示的一個(gè)布線基板51，且布線基板51的各個(gè)部件形成在其中。例如，如圖34中所示，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa的正面51a上，形成有芯片安裝區(qū)(芯片安裝部)51c以及多個(gè)接合引線(端子或接合焊盤)53，該多個(gè)接合引線53圍繞芯片安裝區(qū)51c布置成陣列并從覆蓋正面51a的絕緣膜暴露。而如圖35中所示，在布線基板60的背面51b上，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa中，從覆蓋背面51b的絕緣膜暴露的多個(gè)焊臺(tái)54布置成矩陣。此外，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa之間布置切割區(qū)10c，切割區(qū)IOc是在圖32中所示的單片化步驟中要被切割的切割余量(預(yù)定切割區(qū)域)。此外，在布線基板60的各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa中形成多個(gè)布線35 (參見圖31)。正面51a側(cè)上的多個(gè)接合引線53以及背面51b側(cè)上的多個(gè)焊臺(tái)54分別經(jīng)由多個(gè)布線55電耦合。諸如多個(gè)接合引線53、多個(gè)焊臺(tái)54以及多個(gè)布線55的導(dǎo)電圖案可以通過(guò)例如電鍍方法形成在用作芯材的絕緣層的表面上。而多個(gè)布線55每個(gè)都包括用于在正面51a和背面51b的一個(gè)表面和另一表面之間建立耦合的層間導(dǎo)電路徑(通孔)。2.半導(dǎo)體芯片安裝步驟隨后，在圖32中所示的半導(dǎo)體芯片安裝步驟中，如圖36中所示，在各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa上安裝半導(dǎo)體芯片2。圖36是示出半導(dǎo)體芯片經(jīng)由粘接材料安裝在圖35中所示的芯片安裝部上的狀態(tài)的放大平面圖。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片2經(jīng)由例如熱固性樹脂或通過(guò)在熱固性樹脂中混入銀(Ag)顆粒獲得的粘接材料8 (參見圖31)而安裝(接合和固定)。安裝系統(tǒng)例如假設(shè)為所謂的正裝安裝系統(tǒng)，其中以半導(dǎo)體芯片2的背面2b (參見圖2)與接片3的頂面相對(duì)來(lái)執(zhí)行安裝。3.電耦合步驟隨后，在圖32中所示的電耦合步驟中，如圖37中所示，半導(dǎo)體芯片2的多個(gè)焊盤2c與圍繞半導(dǎo)體芯片2布置的多個(gè)引線5分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線(導(dǎo)電部件)4電耦合。圖37是示出圖36中所示的半導(dǎo)體芯片的多個(gè)焊盤與布線基板的多個(gè)接合引線分別經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)線電耦合的狀態(tài)的放大平面圖。4.密封步驟隨后，在圖32中所示的密封步驟中，如圖38中所示，形成密封體6，因此半導(dǎo)體芯片2(參見圖37)和多個(gè)導(dǎo)線4 (參見圖37)由密封體6密封。圖38是示出形成密封圖37中所示的半導(dǎo)體芯片和多個(gè)導(dǎo)線的密封體的狀態(tài)的平面圖。順便提及，圖38示出MAP (MatrixArrayPackage:矩陣陣列封裝)系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例，其中多個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa布置在一個(gè)空腔中并被一同密封。在本步驟中，例如通過(guò)所謂的轉(zhuǎn)移模塑系統(tǒng)，其中在將圖37中所示的布線基板60插入未示出的模塑模具中的情況下，將樹脂壓入模具中并且隨后固化，來(lái)形成圖38中所示的密封體6。5.焊球安裝步驟隨后，在圖32中所示的焊球安裝步驟中，在形成在圖35中所示的布線基板60的背面51b側(cè)上的多個(gè)焊臺(tái)54上分別安裝多個(gè)焊球(焊料材料)52。更具體地，首先，如圖38中所示，垂直翻轉(zhuǎn)布線基板60。因此，在布線基板60的背面51b處，在從絕緣膜暴露的多個(gè)焊臺(tái)54上布置分別多個(gè)焊球52。隨后，包括布置在其上的焊球52的布線基板60經(jīng)受熱處理(回流)。因此，多個(gè)焊球52分別熔化并分別與多個(gè)焊臺(tái)54接合。在同流步驟中，布線基板60布置在同流爐中并被加熱至高于焊球52的熔點(diǎn)的較高溫度，例如260°C或更大。覆蓋背面51b的絕緣膜是阻焊膜，其可以防止相鄰焊球52之間接合(橋接)。順便提及，在本步驟中，為了可靠地分別接合焊球52和焊臺(tái)54，例如使用被稱為助熔劑(flux)的活化劑執(zhí)行它們之間的接合。助熔劑可以通過(guò)例如與形成在各個(gè)焊球52的表面上的氧化物膜接觸來(lái)移除。因此，能提高焊球52的潤(rùn)濕性。當(dāng)由此使用助熔劑執(zhí)行接合時(shí)，在熱處理之后執(zhí)行移除助熔劑成分的殘留物的清洗。而在上述LGA的制造步驟的情況下，可以省略本步驟。但是，當(dāng)焊料材料薄地涂布在暴露焊臺(tái)54的表面上時(shí)，在本步驟中，涂布焊料膏(焊料成分和助熔劑成分的混合物的膏材料)。6.單片化步驟隨后，在圖32中所示的單片化步驟中，沿圖34中所示的切割區(qū)(劃片線)10c切割布線基板60 (以及密封體6)，由此將各個(gè)產(chǎn)品形成區(qū)IOa單片化。因此，能夠獲得半導(dǎo)體器件50 (參見圖29至圖31)。單片化方法沒(méi)有特別限制。還適用于使用劃片刀片(切割刀片)沿切割區(qū)IOc行進(jìn)來(lái)執(zhí)行切割的切割方法。順便提及，在本步驟中可獲得的多個(gè)半導(dǎo)體器件50每個(gè)都是預(yù)測(cè)試半成品(組件)形式。因此，在本步驟之后，執(zhí)行圖32中所示的視覺檢驗(yàn)步驟和電測(cè)試步驟。隨后合格的產(chǎn)品成為成品半導(dǎo)體器件I。7.電測(cè)試步驟隨后，在圖3中所示的電測(cè)試步驟中，電流通過(guò)半導(dǎo)體器件，由此進(jìn)行用于檢查電路中不存在斷路，并且該器件具有規(guī)定的(容許的或更高的)電特性的測(cè)試。此外，在本步驟中，基于電測(cè)試的結(jié)果，確定器件是優(yōu)良產(chǎn)品還是缺陷產(chǎn)品。隨后移除缺陷產(chǎn)品。以下將說(shuō)明對(duì)面陣列型半導(dǎo)體器件執(zhí)行的電測(cè)試步驟，著重說(shuō)明與前述實(shí)施例的不同點(diǎn)。當(dāng)執(zhí)行對(duì)面陣列型半導(dǎo)體器件50的電測(cè)試時(shí)，首先，如圖38中所示，端子CP的設(shè)置是不同的。圖38是示出作為相對(duì)于圖11的變型例的檢驗(yàn)裝置的插座外周的放大橫截面圖。在半導(dǎo)體器件50中，作為外部端子的焊球52以矩陣布置在如圖30中所示的布線基板51的背面51b上。因此，端子CP以行和列(以矩陣)布置在如圖38中所示的布線基板51的背面51b和測(cè)試基板22的正面22a之間，該端子CP對(duì)應(yīng)于焊球52的陣列。但是難以利用如圖11中所示的按壓夾具28按壓外部端子(引線5)的尖端端部。因此，例如，如圖38中所示的按壓夾具(按壓部件)29布置在密封體6的頂面上，且將整個(gè)半導(dǎo)體器件50壓向端子CP。因此，根據(jù)來(lái)自按壓夾具29的壓力和各個(gè)端子CP的彈簧部SP(參見圖12)彈性力之間的關(guān)系，多個(gè)端子CP和多個(gè)焊球52在規(guī)定接觸壓力(接觸負(fù)載)的范圍內(nèi)分別彼此接觸。順便提及，當(dāng)焊料材料如同焊球52而形成為球狀時(shí)，焊料材料的厚度傾向于比前述實(shí)施例的情況下大。例如，在前述實(shí)施例中，作為圖2中所示的焊料鍍膜的金屬膜9的厚度小于下層基材部(下層部分)的厚度，且例如是約10 μ m至20 μ m。另一方面，焊球52的厚度等于焊球的直徑，并且因此傾向于大于此。因此，當(dāng)利用咬合進(jìn)焊球52的端子CP執(zhí)行電測(cè)試時(shí)，端子CP的接觸區(qū)31的端部?jī)A向于塌陷(不容易平坦化)。而當(dāng)使端子CP咬合進(jìn)諸如焊球52的球狀外部端子時(shí)，能夠使焊球52的一部分不咬合進(jìn)端子CP的接觸區(qū)的尖頭部(頂點(diǎn)部)31a，而是咬合進(jìn)尖頭部31a之間的脊線部(脊部或傾斜部)31c中，如圖39中所示。圖39是示出當(dāng)焊球和接觸端子彼此接觸時(shí)的一個(gè)實(shí)例的放大橫截面圖。在使焊球52咬合進(jìn)尖頭部31a的情況下，當(dāng)每次執(zhí)行電測(cè)試時(shí)，首先使尖頭部31a在它們之間接觸。在第一次接觸時(shí)的接觸面積小，使得磨損和塌陷傾向于從尖頭部31a進(jìn)行。另一方面，如圖39中所示，當(dāng)使焊球52咬合進(jìn)脊線部31c時(shí)，在焊球52和端子CP之間的第一次接觸時(shí)的接觸面積變得更大。因此壓力可以被分散。因此，可抑制磨損或塌陷的進(jìn)行，以延長(zhǎng)壽命。而在前述實(shí)施例中，給出了對(duì)多個(gè)尖頭部31a形成在接觸區(qū)31中的實(shí)施例的說(shuō)明。但是，尖頭部31a的數(shù)量不限于復(fù)數(shù)。例如，如圖40中所示，也可采用具有一個(gè)尖頭部31a的形狀。圖40是示出放大尺寸的作為相對(duì)于圖13和14的變型例的測(cè)試端子的外圍接觸區(qū)的透視圖。如圖40中所示，具有一個(gè)尖頭部31a的端子CP有效地適用于例如LGA型半導(dǎo)體器件的電測(cè)試步驟。在LGA型半導(dǎo)體器件的情況下，諸如阻焊膜的絕緣膜布置在要與端子CP接觸的各個(gè)焊臺(tái)54 (參見圖31)周圍。因此，當(dāng)在使端子CP咬合進(jìn)焊臺(tái)54時(shí)發(fā)生未對(duì)準(zhǔn)的情況下，尖頭部31a可能損傷絕緣膜。在這種情況下，當(dāng)尖頭部31a的數(shù)量是圖40中所示的一個(gè)時(shí)，能夠降低尖頭部31a損傷絕緣膜的風(fēng)險(xiǎn)。本發(fā)明廣泛地可應(yīng)用于要經(jīng)受電測(cè)試的半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟: (a)制備包括芯片安裝部和多個(gè)外部端子的基材； (b)將包括多個(gè)電極焊盤的半導(dǎo)體芯片安裝到所述基材的所述芯片安裝部上； (C)經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)電部件分別將所述半導(dǎo)體芯片的所述電極焊盤與所述基材的所述外部端子電耦合；以及 (d)使所述基材的所述外部端子與多個(gè)測(cè)試端子的接觸區(qū)接觸，由此將所述半導(dǎo)體芯片與測(cè)試電路電耦合，并且執(zhí)行電測(cè)試， 所述測(cè)試端子的所述接觸區(qū)中的每一個(gè)包括由第一合金形成的芯材以及覆蓋所述芯材的金屬膜，并且 所述金屬膜由硬度高于所述第一合金的第二合金形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述測(cè)試端子的所述接觸區(qū)的每個(gè)端部為尖狀，并且 其中在步驟(d)中，在所述測(cè)試端子中的每一個(gè)的所述接觸區(qū)的一部分咬合進(jìn)所述外部端子中的每一個(gè)的狀 態(tài)下，執(zhí)行電測(cè)試。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述測(cè)試端子被重復(fù)用于多個(gè)半導(dǎo)體器件的電測(cè)試。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(d)中，(dl)直至所述金屬膜的所述芯材暴露為止，使所述外部端子中的每一個(gè)與所述金屬膜彼此接觸，由此來(lái)執(zhí)行電測(cè)試，以及(d2)在所述芯材暴露之后，使所述芯材與所述外部端子彼此接觸，由此來(lái)執(zhí)行電測(cè)試。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中形成所述芯材的所述第一合金和形成所述金屬膜的所述第二合金共同地具有以最大含量被包括在其中的組成元素。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述外部端子的每個(gè)表面由焊料形成，并且 其中所述第一和第二合金中的每一種都是在組成元素當(dāng)中以最大含量包括鈀(Pd)元素的鈀合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述第一和第二合金中的每一種包括電阻率低于鈀(Pd)元素的元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述第二合金除鈀(Pd)元素之外還包括鈷(Co)元素。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(d)中，(d3)在重復(fù)使用之后，拋光并銳化所述芯材的所述接觸區(qū)，并且隨后，使所述外部端子中的每一個(gè)與所述芯材彼此接觸，由此來(lái)執(zhí)行電測(cè)試。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，在拋光夾具壓靠作為所述芯材的待拋光表面的平坦表面的狀態(tài)下，使所述拋光夾具沿所述平坦表面振動(dòng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，使所述拋光夾具沿所述平坦表面在彼此交叉的多個(gè)方向上振動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，使所述拋光夾具沿所述平坦表面旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在所述拋光夾具的所述拋光表面上，依次堆疊彈性體層以及包括多個(gè)磨粒的拋光磨粒層，所述多個(gè)磨粒經(jīng)由樹脂接合在所述彈性體層上。
14.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟: (a)制備包括芯片安裝部和多個(gè)外部端子的基材； (b)將包括多個(gè)電極焊盤的半導(dǎo)體芯片安裝到所述基材的所述芯片安裝部上； (C)經(jīng)由多個(gè)導(dǎo)電部件分別將所述半導(dǎo)體芯片的所述電極焊盤與所述基材的所述外部端子電耦合；以及 (d)使所述基材的所述外部端子與多個(gè)測(cè)試端子的接觸區(qū)接觸，由此將所述半導(dǎo)體芯片與測(cè)試電路電耦合，并且執(zhí)行電測(cè)試， 所述外部端子的每個(gè)表面由焊料形成，并且 所述測(cè)試端子的所述接觸區(qū)由在組成元素當(dāng)中以最大含量包括鈀(Pd)元素的鈀合金形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述測(cè)試端子的所述接觸區(qū)的每個(gè)端部為尖狀，并且 其中在步驟(d)中，在所述測(cè)試端子中的每一個(gè)的所述接觸區(qū)的一部分咬合進(jìn)所述外部端子中的每一個(gè)的狀態(tài)下，執(zhí)行電測(cè)試。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述鈀合金包括電阻率低于鈀(Pd)元素的元素。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中所述測(cè)試端子被重復(fù)用于多個(gè)半導(dǎo)體器件的電測(cè)試。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在步驟(d)中，(dl)在重復(fù)使用之后，拋光并銳化所述芯材的所述接觸區(qū)，并且隨后，使所述外部端子中的每一個(gè)與所述芯材彼此接觸，由此來(lái)執(zhí)行電測(cè)試。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，在拋光夾具壓靠作為所述芯材的待拋光表面的平坦表面的狀態(tài)下，使所述拋光夾具沿所述平坦表面振動(dòng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，使所述拋光夾具沿所述平坦表面在彼此交叉的多個(gè)方向上振動(dòng)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在拋光所述芯材的所述接觸區(qū)時(shí)，使所述拋光夾具沿所述平坦表面旋轉(zhuǎn)移動(dòng)。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法， 其中在所述拋光夾具的所述拋光表面上，依次堆疊彈性體層以及包括多個(gè)磨粒的拋光磨粒層，所述多個(gè)磨粒經(jīng)由樹脂接合在所述彈性體層上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，提高了半導(dǎo)體器件的制造效率。將電耦合半導(dǎo)體芯片的多個(gè)外部端子(引線)與多個(gè)端子(測(cè)試端子)的接觸區(qū)彼此分別接觸。這在半導(dǎo)體芯片和測(cè)試電路之間建立電耦合。因此執(zhí)行電測(cè)試。本文中的端子在多個(gè)半導(dǎo)體器件的電測(cè)試中將被重復(fù)使用。而端子的接觸區(qū)包括由第一合金形成的芯材以及覆蓋芯材的金屬膜。此外，金屬膜由硬度高于第一合金的第二合金形成。
文檔編號(hào)H01L21/66GK103107112SQ20121044417
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月8日
發(fā)明者中川博, 高田繁, 田中保 申請(qǐng)人:瑞薩電子株式會(huì)社