芯片封裝基板和結構及其制作方法
【專利摘要】一種芯片封裝基板，包括第三和第六膠片、第一和第三導電線路層、第一防焊層及多個導電接點。第六膠片與第三膠片相互粘接。第一導電線路層形成于第三膠片相鄰于第六膠片的表面。第三導電線路層形成于第六膠片遠離第一導電線路層的表面，第三導電線路層通過第一導電盲孔電連接于第一導電線路層。第一防焊層形成于第三導電線路層，并部分覆蓋第三導電線路層，以構成多個露出于第一防焊層的電性接觸墊。多個導電接點形成于第三膠片的遠離第一導電線路層的表面，多個導電接點通過形成于第三膠片的多個第二導電盲孔電連接于第一導電線路層。第一和第二導電盲孔均為電鍍銅層。本發明還涉及芯片封裝基板的制作方法、芯片封裝結構及其制作方法。
【專利說明】芯片封裝基板和結構及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電路板制作領域，尤其涉及一種芯片封裝基板和芯片封裝結構及該芯片封裝基板和芯片封裝結構的制作方法。
【背景技術】
[0002]芯片封裝基板可為芯片提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效，以實現多引腳化，縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多芯片模塊化的目的。
[0003]現有技術的多層芯片封裝基板是由一核心板及對稱形成在其兩側的線路增層結構所組成，但因使用核心板將導致長度及整體結構厚度增加，所以難以滿足電子產品功能不斷提升且體積卻不斷縮小的需求。
【發明內容】
[0004]因此，有必要提供一種厚度較小的芯片封裝基板和結構及其制作方法。
[0005]一種芯片封裝基板的制作方法，包括步驟:依次堆疊并壓合第一支撐板、第一膠片及第二支撐板，得到承載基板；依次堆疊并壓合該第四銅箔、第三膠片、第三銅箔、第二膠片、該承載基板、第四膠片、第五銅箔、第五膠片及第六銅箔；將第四銅箔層制作形成第一導電線路層，將第六銅箔制作形成第二導電線路層；在該第一導電線路層上依次壓合第六膠片和第七銅箔，在該第二導電線路層上依次壓合第七膠片和第八銅箔，形成第一多層基板；在該第一支撐板與第二支撐板之間對該第一多層基板進行分割，并去除該第一銅箔基板、第二膠片、第二銅箔基板及第四膠片，得到相互分離的第二多層基板和第三多層基板；在該第七銅箔和第六膠片內形成多個第一導電盲孔，在該第三銅箔和第三膠片內形成多個第二導電盲孔，并在第七銅箔和第三銅箔的其中一側制作形成第三導電線路層，另一側制作形成多個導電接點，該第三導電線路層與該第一導電線路層通過第一導電盲孔相互電導通，該多個導電接點與該第一導電線路層通過該多個第二導電盲孔相互電導通；及在第三導電線路層上形成第一防焊層，該第一防焊層部分覆蓋該第三導電線路層，從該第一防焊層露出的第三導電線路層構成多個電性接觸墊，從而形成芯片封裝基板。
[0006]一種芯片封裝基板，包括第三膠片、第六膠片、第一導電線路層、第三導電線路層、第一防焊層及多個導電接點。該第六膠片粘接于該第三膠片的一表面。該第一導電線路層形成于該第三膠片相鄰于該第六膠片的表面，且該第一導電線路層嵌設于該第六膠片的表面內。該第三導電線路層形成于該第六膠片的遠離該第一導電線路層的表面，該第三導電線路層通過形成于該第六膠片內的第一導電盲孔電連接于該第一導電線路層，該第一導電盲孔為電鍍銅層。該第一防焊層形成于該第三導電線路層上，該第一防焊層覆蓋從該第三導電線路層露出的第六膠片的表面并部分覆蓋該第三導電線路層，從該第一防焊層露出的第三導電線路層構成多個電性接觸墊。該多個導電接點形成于該第三膠片的遠離該第一導電線路層的表面，該多個導電接點通過形成于該第三膠片的多個第二導電盲孔電連接于該第一導電線路層，該第二導電盲孔為電鍍銅層。[0007]—種芯片封裝結構的制作方法，包括步驟:提供如上所述的芯片封裝基板；及將芯片封裝于該芯片封裝基板的第一防焊層側，并使芯片與該多個電性接觸墊電導通，從而形成芯片封裝結構。
[0008]一種芯片封裝結構，包括如上所述的芯片封裝基板及芯片，該芯片封裝于該芯片封裝基板的第一防焊層一側，并與該多個電性接觸墊電連接。
[0009]相對于現有技術，該芯片封裝結構的芯片封裝基板為具有三個銅層即第三導電線路層、第一導電線路層和多個導電接點的封裝基板，相鄰銅層之間通過膠片粘接，即該芯片封裝基板為無核心板的封裝基板，可降低芯片封裝基板的整體厚度及芯片封裝結構的整體厚度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發明實施例提供的第一銅箔基板、第二銅箔基板、第一銅箔、第二銅箔及第一膠片的分解剖視圖。
[0011]圖2是圖1中的各層依次堆疊后得到承載基板的剖視圖。
[0012]圖3是依次堆疊并壓合第四銅箔、第三膠片、第三銅箔、第二膠片、圖2中的承載基板、第四膠片、第五銅箔、第五膠片及第六銅箔后的剖視圖。
[0013]圖4是在圖3的多層結構的兩外層銅箔上分別形成光致抗蝕劑圖形后的剖視圖。
[0014]圖5是圖4中的兩外層銅箔根據光致抗蝕劑圖形分別形成第一導電線路層和第二導電線路層后的剖視圖。
[0015]圖6是在圖5的第一導電線路層上依次壓合第六膠片和第七銅箔及在第二導電線路層上依次壓合第七膠片和第八銅箔后形成第一多層基板的剖視圖。
[0016]圖7是切割圖6的第一多層基板形成第二多層基板和第三多層基板的剖面圖。
[0017]圖8是將圖7的第一多層基板的第六膠片和第七銅箔內形成第一孔及將第三銅箔和第三膠片內形成第二孔后的剖視圖。
[0018]圖9是圖8中的第一多層基板進行全板鍍銅后的剖視圖。
[0019]圖10是在圖9的第一多層基板的相對兩側分別形成第二導電線路層和多個導電接點后的剖視圖。
[0020]圖11是圖10中的第二導電線路層上形成防焊層及金層后形成芯片封裝基板的剖視圖。
[0021]圖12是在圖11中的芯片封裝基板上貼合芯片后的剖視圖。
[0022]圖13是在圖12中的芯片封裝基板上形成封裝材料后的剖視圖。
[0023]圖14是在圖13中的導電接點上形成焊球后形成的芯片封裝結構的剖視圖。
[0024]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種芯片封裝基板的制作方法，包括步驟: 依次堆疊并壓合第一支撐板、第一膠片及第二支撐板，得到承載基板； 依次堆疊并壓合該第四銅箔、第三膠片、第三銅箔、第二膠片、該承載基板、第四膠片、第五銅箔、第五膠片及第六銅箔； 將第四銅箔層制作形成第一導電線路層，將第六銅箔制作形成第二導電線路層； 在該第一導電線路層上依次壓合第六膠片和第七銅箔，在該第二導電線路層上依次壓合第七膠片和第八銅箔，形成第一多層基板； 在該第一支撐板與第二支撐板之間對該第一多層基板進行分割，并去除該第一銅箔基板、第二膠片、第二銅箔基板及第四膠片，得到相互分離的第二多層基板和第三多層基板；在該第七銅箔和第六膠片內形成多個第一導電盲孔，在該第三銅箔和第三膠片內形成多個第二導電盲孔，并在第七銅箔和第三銅箔的其中一側制作形成第三導電線路層，另一側制作形成多個導電接點，該第三導電線路層與該第一導電線路層通過第一導電盲孔相互電導通，該多個導電接點與該第一導電線路層通過該多個第二導電盲孔相互電導通；及在第三導電線路層上形成第一防焊層，該第一防焊層部分覆蓋該第三導電線路層，從該第一防焊層露出的第三導電線路層構成多個電性接觸墊，從而形成芯片封裝基板。
2.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，在形成該第一防焊層之后，還在該多個電性接觸墊表面分別形成第一金層，在該多個導電接點表面分別形成第~ 金層。
3.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，進一步包括步驟:在該多個導電接點一側形成第二防焊層，該多個導電接點從該第二防焊層露出。
4.如權利要求1所述的芯`片封裝基板的制作方法，其特征在于，該第一支撐板為第一銅箔基板，該第二支撐板為第二銅箔基板，依次堆疊并壓合第一支撐板、第一膠片及第二支撐板時，在該第一銅箔基板與該第一膠片之間還設置有第一銅箔，在該第二銅箔基板與該第一膠片之間還設置有第二銅箔，該第一銅箔基板、第一膠片及第二銅箔基板的橫截面積相同，該第一銅箔、第二銅箔的橫截面積相同，且該第一銅箔的橫截面積小于該第一膠片的橫截面積，該第一膠片包括中心區及環繞中心區的邊緣區，該第一銅箔的面積略大于該中心區的橫截面積；在將該第一膠片壓合在第一銅箔基板和第二銅箔基板之間時，同時將該第一銅箔壓合在該第一膠片與該第一銅箔基板之間，將該第二銅箔壓合在該第一膠片與該第二銅箔基板之間，該第一銅箔和第二銅箔均與該第一膠片的中心區相接觸，且使得該第一銅箔在第一銅箔基板表面的正投影、第二銅箔在第一銅箔基板表面的正投影均與中心區在第一銅箔基板表面的正投影重疊，從而使得第一銅箔基板和第二銅箔基板僅通過該第一膠片的邊緣區粘結于一起。
5.如權利要求4所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，該承載基板包括產品區及環繞產品區的廢料區，所述產品區與該第一膠片的中心區相對應，且該產品區在第一銅箔基板表面的正投影位于該中心區在第一銅箔基板表面的正投影之內，在第一銅箔基板及第二銅箔基板之間對該第一多層基板進行分割時，沿著產品區與廢料區的交界線對該第一多層基板進行切割，以使得產品區與廢料區相分離，并使得產品區中的第一銅箔基板與第一銅箔自然脫離，產品區中的第二銅箔基板與第二銅箔自然脫離，去除產品區中自然脫離的第一銅箔、第二銅箔以及其間的第一膠片，從而得到相互分離的第二多層基板和第三多層基板。
6.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，在該第七銅箔和第六膠片內形成多個第一導電盲孔，在該第三銅箔和第三膠片內形成多個第二導電盲孔的方法包括步驟: 采用激光燒蝕的方式在第七銅箔和第六膠片內形成多個第一孔，在該第三銅箔和第三膠片內形成多個第二孔，使部分第一導電線路層的一側從該多個第一孔的底部露出，部分第一導電線路層的另一側從多個第二孔露出；及 將形成了多個第一孔和多個第二孔的第二多層基板進行全板鍍銅，在第一孔內及第七銅箔表面形成第一鍍銅層，在第二孔內及該第三銅箔表面形成第二鍍銅層。
7.如權利要求6所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，將形成了多個第一孔和多個第二孔的第二多層基板進行全板鍍銅后，該第一孔處的第一鍍銅層與該第七銅箔表面的第一鍍銅層平齊，該第二孔處的第二鍍銅層與該第三銅箔表面的第二鍍銅層平齊。
8.如權利要求6所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，在第七銅箔一側制作形成第三導電線路層，在第三銅箔一側制作形成多個導電接點的方法包括步驟:通過影像轉移工藝及蝕刻工藝將第七銅箔和第一鍍銅層制作形成第三導電線路層，將第三銅箔和第二鍍銅層制作形成多個導電接點。
9.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法，其特征在于，該第二膠片和第三膠片為可剝膠。
10.一種芯片封裝基板，包括: 第三膠片； 第六膠片，粘接于該第三膠片的一表面； 第一導電線路層，形成于該第三膠片相鄰于該第六膠片的表面，且該第一導電線路層嵌設于該第六膠片的表面內； 第三導電線路層，形成于該第六膠片的遠離該第一導電線路層的表面，該第三導電線路層通過形成于該第六膠片內的第一導電盲孔電連接于該第一導電線路層，該第一導電盲孔為電鍍銅層； 第一防焊層，形成于該第三導電線路層上，該第一防焊層覆蓋從該第三導電線路層露出的第六膠片的表面并部分覆蓋該第三導電線路層，從該第一防焊層露出的第三導電線路層構成多個電性接觸墊 '及 多個導電接點，形成于該第三膠片的遠離該第一導電線路層的表面，該多個導電接點通過形成于該第三膠片的多個第二導電盲孔電連接于該第一導電線路層，該第二導電盲孔為電鍍銅層。
11.如權利要求10所述的芯片封裝基板，其特征在于，每個電性接觸墊表面均形成有金層。
12.一種芯片封裝結構的制作方法，包括步驟: 提供如權利要求10所述的芯片封裝基板；及將芯片封裝于該芯片封裝基板的第一防焊層側，并使芯片與該多個電性接觸墊電導通。
13.如權利要求12所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在將芯片封裝于該芯片封裝基板的第一防焊層側前，通過通過鍍鎳金的方式在該多個電性接觸墊的表面分別形成金層。
14.如權利要求12所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，進一步包括步驟:在每個導電接點上均形成焊球。
15.一種芯片封裝結構，包括如權利要求10所述的芯片封裝基板及芯片，該芯片封裝于該芯片封裝基板的第一防焊層一側，并與該多個電性接觸墊電連接。
16.如權利要求15所述的芯片封裝結構，其特征在于，該芯片封裝結構進一步包括多個焊球，分別形成 于該多個導電接點上。
【文檔編號】H01L23/488GK103681559SQ201210360263
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月25日 優先權日:2012年9月25日
【發明者】許詩濱, 周鄂東, 蕭志忍 申請人:宏啟勝精密電子(秦皇島)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司