微波處理裝置和被處理體的處理方法

專利名稱：微波處理裝置和被處理體的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將微波導(dǎo)入處理容器進行規(guī)定的處理的微波處理裝置和使用微波處理裝置的被處理體的處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造過程中，對作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片實施成膜處理、蝕刻處理、氧化擴散處理、改良處理、退火處理等的各種熱處理。通常，這種熱處理是通過使用具備加熱用的燈或加熱器的基板處理裝置對半導(dǎo)體晶片加熱而進行的。然而，近年來，作為對半導(dǎo)體晶片實施熱處理的裝置，已知有使用微波來代替燈或加熱器的裝置。例如，在專利文獻I中記載有使用微波能量進行硬化、退火(anneal)、膜形 成的熱處理系統(tǒng)。此外，在專利文獻2中記載有通過對在表面形成有成膜材料層的半導(dǎo)體晶片照射電磁波(微波)加熱成膜材料來形成薄膜的熱處理裝置。在這種微波處理裝置中，特別能夠抑制雜質(zhì)的擴散并形成淺的活性層，能夠修復(fù)晶格缺陷。在微波處理裝置中，微波的輸出(功率)由被供給到用于生成微波的微波源的電壓或電流決定。在專利文獻3中記載有電波(微波)輸出大小由磁控管的陽極電流大小決定的技木。在專利文獻4中記載有通過改變被施加于磁控管的端帽(電極)的電位對微波的輸出進行操作的技木?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1:日本特表2009-516375號公報專利文獻2 :日本特開2010-129790號公報專利文獻3 :日本特開平4-160791號公報專利文獻4 :日本特開平10-241585號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題但是，被導(dǎo)入到處理容器的微波，在處理容器內(nèi)形成駐波。在用于處理處理晶片的狀態(tài)持續(xù)的期間，如果駐波的波腹和波節(jié)的位置固定，則產(chǎn)生加熱不均勻等，可能無法對晶片W進行均勻的處理。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠?qū)Ρ惶幚眢w進行均勻的處理的微波處理裝置和使用該微波處理裝置的被處理體的處理方法。用于解決課題的方案本發(fā)明的微波處理裝置，其特征在于，包括收容被處理體的處理容器；微波導(dǎo)入裝置，其具有生成用于處理上述被處理體的微波的至少I個微波源，將微波導(dǎo)入處理容器；和
控制微波導(dǎo)入裝置的控制部，控制部在用于處理被處理體的狀態(tài)持續(xù)的期間，使微波的頻率變化。本發(fā)明的被處理體的處理方法，是使用微波處理裝置處理被處理體的處理方法，該微波處理裝置包括收容被處理體的處理容器；和微波導(dǎo)入裝置，具有生成用于處理被處理體的微波的至少I個微波源，將微波導(dǎo)入處理容器，該處理方法的特征在于本發(fā)明的被處理體的處理方法，在用于處理被處理體的狀態(tài)持續(xù)的期間，使微波的頻率變化。在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，通過改變微波的頻率，使處理容器內(nèi)的駐波的狀態(tài)變化。 在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，也可以在用于處理被處理體的狀態(tài)下，生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次。在這種情況下，本發(fā)明的控制部既可以在生成I次的微波的狀態(tài)的期間，使微波的頻率變化，也可以按(在)生成微波的每個狀態(tài)，使微波的頻率變化。同樣，本發(fā)明的被處理體的處理方法，既可以在生成I次的微波的狀態(tài)的期間，使微波的頻率變化，也可以按生成微波的每個狀態(tài)，使微波的頻率變化。此外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，微波源也可以通過被施加規(guī)定的電壓而生成微波。這種情況下，本發(fā)明中的控制部，也可以通過改變施加于微波源的電壓，使微波的頻率變化。同樣，本發(fā)明的被處理體的處理方法，也可以通過改變施加于微波源的電壓，使微波的頻率變化。此外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，微波導(dǎo)入裝置包括生成微波的多個微波源；和將在多個微波源中生成的微波傳送到處理容器的多個傳送通路。這種情況下，微波導(dǎo)入裝置能夠?qū)⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器。此外，在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，微波用于照射被處理體來處理被處理體。在本發(fā)明的微波處理裝置和被處理體的處理方法中，如上所述，在用于處理被處理體的狀態(tài)持續(xù)的期間，通過改變微波的頻率，能夠使處理容器內(nèi)的駐波的狀態(tài)變化。由此，根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)Ρ惶幚眢w進行均勻的處理。


圖1是表示本發(fā)明的ー實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖2是表示本發(fā)明的ー實施方式的微波導(dǎo)入裝置的高電壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3是表示本發(fā)明的ー實施方式的微波導(dǎo)入裝置的高電壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路圖。圖4是表示圖1所示的處理容器的頂部的上表面的俯視圖。圖5是表示圖1所示的控制部的結(jié)構(gòu)的說明圖。圖6是示意性表示在使微波的頻率變化的第一方式下用于生成脈沖狀的微波的電壓波形的說明圖。圖7是示意性表示在使微波的頻率變化的第二方式下用于生成微波的電壓波形的說明圖。附圖標(biāo)記說明I微波處理裝置2處理容器3微波導(dǎo)入裝置4支承裝置5氣體供給裝置 6排氣裝置8控制部30微波單元31磁控管32導(dǎo)波管33透過窗34循環(huán)器35檢測器36調(diào)諧器37假負(fù)載(dummy load)40高電壓電源部41AC-DC 轉(zhuǎn)換電路42開關(guān)電路43開關(guān)控制器44升壓變壓器45整流電路81エ藝控制器82用戶接ロ83存儲部W半導(dǎo)體晶片
具體實施例方式(微波處理裝置)下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。首先，參照圖1，說明本發(fā)明的ー實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)。圖1是本實施方式的微波處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。本實施方式的微波處理裝置I，是伴隨連續(xù)的多個動作對例如半導(dǎo)體器件制造用的半導(dǎo)體晶片(以下簡稱為“晶片”)W照射微波，實施成膜處理、改良處理、退火處理等規(guī)定的處理的裝置。微波處理裝置I包括收容作為被處理體的晶片W的處理容器2 ;將微波導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的微波導(dǎo)入裝置3 ;在處理容器2內(nèi)支承晶片W的支承裝置4 ;向處理容器2內(nèi)供給氣體的氣體供給裝置5 ;對處理容器2內(nèi)進行減壓排氣的排氣裝置6 ;和對上述微波處理裝置I的各結(jié)構(gòu)部進行控制的控制部8。此外，作為向處理容器2內(nèi)供給氣體的単元，也可以使用不包含在微波處理裝置I的結(jié)構(gòu)中的外部氣體供給裝置來代替氣體供給裝置5。(處理容器)處理容器2例如呈大致圓筒形狀。處理容器2由金屬材料形成。作為形成處理容器2的材料，例如使用鋁、鋁合金、不銹鋼等。此外，處理容器2不限于圓筒形形狀，例如也可以呈角筒形狀。微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置于處理容器2的上部，作為將電磁波(微波)導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的微波導(dǎo)入?yún)g元發(fā)揮功能。微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)將在后文中說明。處理容器2包括板狀的頂部11和底部13 ;連結(jié)頂部11和底部13的側(cè)壁部12 ；設(shè)置成上下貫通頂部11的多個微波導(dǎo)入端ロ Ila ;設(shè)置于側(cè)壁部12的搬入搬出ロ 12a ;和設(shè)置于底部13的排氣ロ 13a。搬入搬出ロ 12a用于在處理容器2和與處理容器2相鄰的未圖示的搬送室之間進行晶片W的搬入搬出。在處理容器2與未圖示的搬送室之間設(shè)置有閘閥G。閘閥G具有開閉搬入搬出ロ 12a的功能，能夠在關(guān)閉狀態(tài)下氣密地密封處理容器2，并且能夠在打開狀態(tài)下在處理容器2與未圖示的搬送室之間移送晶片W。(支承裝置)支承裝置4包括配置于處理容器2內(nèi)的板狀且中空的升降板15 ;從升降板15的 上表面向上方延伸的管狀的多個支承銷14 ;和從升降板15的下表面貫通底部13并延伸到處理容器2的外部的管狀的軸16。軸16在處理容器2的外部固定有未圖示的致動器。多個支承銷14用于在處理容器2內(nèi)與晶片W抵接而支持晶片W。多個支承銷14配置為其上端部排列在晶片W的周向上。此外，多個支承銷14、升降板15和軸16構(gòu)成為能夠通過未圖示的致動器而使得晶片W上下改變位置。此外，多個支承銷14、升降板15和軸16構(gòu)成為能夠通過排氣裝置6而使得晶片W吸附于多個支承銷14。具體而言，多個支承銷14和軸16分別具有與升降板15的內(nèi)部空間連通的管狀的形狀。此外，在多個支承銷14的上端部形成有用于吸引晶片W的背面的吸附孔。多個支承銷14和升降板15由電介質(zhì)材料形成。作為形成多個支承銷14和升降板15的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。(排氣機構(gòu))微波處理裝置I還包括連接排氣ロ 13a和排氣裝置6的排氣管17 ;連接軸16和排氣管17的排氣管18 ;在排氣管17的中途設(shè)置的壓カ調(diào)整閥19 ;和在排氣管18的中途設(shè)置的開閉閥20和壓カ計21。排氣管18以與軸16的內(nèi)部空間連通的方式，與軸16直接或間接地連接。壓カ調(diào)整閥19設(shè)置在排氣ロ 13a與排氣管17、18的連接點之間。排氣裝置6具有干泵等真空泵。通過使排氣裝置6的真空泵動作，對處理容器2的內(nèi)部空間進行減壓排氣。此時，通過使開閉閥20成為打開狀態(tài)，吸引晶片W的背面，能夠使晶片W吸附并固定于多個支承銷14。(氣體導(dǎo)入機構(gòu))微波處理裝置I還包括在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的位置的下方配置的噴淋頭部22 ;配置在噴淋頭部22與側(cè)壁部12之間的環(huán)狀的整流板23 ;連接噴淋頭部22和氣體供給裝置5的配管24 ;和與氣體供給裝置5連接，將處理氣體導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的多個配管25。噴淋頭部22是在對晶片W實施溫度比較低的處理的情況下，用于通過冷卻氣體來冷卻晶片W的部件。噴淋頭部22包括與配管24連通的氣體通路22a ;和與氣體通路22a連通，向晶片W噴出冷卻氣體的多個氣體噴出孔22b。在圖1所示的例子中，多個氣體噴出孔22b形成于噴淋頭部22的上表面?zhèn)取娏茴^部22由介電常數(shù)小的電介質(zhì)材料形成。作為噴淋頭部22的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。此外，噴淋頭部22并非微波處理裝置I中的必要結(jié)構(gòu)要素，也可以不設(shè)置。整流板23具有以上下貫通整流板23的方式設(shè)置的多個整流孔23a。整流板23是用于在處理容器2內(nèi)對配置有晶片W的預(yù)定的區(qū)域的氣氛進行整流并使其向排氣ロ 13a流動的部件。氣體供給裝置5，能夠供給例如N2、Ar、He、Ne、O2、H2等氣體作為處理氣體或冷卻氣體。此外，在微波處理裝置I中進行成膜處理的情況下，氣體供給裝置5向處理容器2內(nèi)供給成膜原料氣體。雖然未圖示，但微波處理裝置I還包括在配管24、25的中途設(shè)置的質(zhì)量流量控制器和開閉閥。被供給到噴淋頭部22和處理容器2內(nèi)的氣體的種類、這些氣體的流量等，由·質(zhì)量流量控制器和開閉閥控制。(溫度測量部)微波處理裝置I還包括測定晶片W的表面溫度的多個放射溫度計26 ;與多個放射溫度計26連接的溫度測量部27。此外，在圖1中，除了測定晶片W的中央部的表面溫度的放射溫度計26之外，省略了多個放射溫度計26的圖示。多個放射溫度計26以其上端部與晶片W的背面接近的方式，從底部13向配置有晶片W的預(yù)定的位置延伸。(微波攪拌機構(gòu))微波處理裝置I還包括在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的位置的上方配置的、由多個葉片構(gòu)成的攪拌風(fēng)扇91 ;設(shè)置于處理容器2的外部的旋轉(zhuǎn)電動機93 ;和貫通頂部11且連接攪拌風(fēng)扇91與旋轉(zhuǎn)電機93的旋轉(zhuǎn)軸92。攪拌風(fēng)扇91是用于通過旋轉(zhuǎn)對被導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的微波進行反射和攪拌的部件。攪拌風(fēng)扇91的葉片的數(shù)量例如為4個。攪拌風(fēng)扇91由介質(zhì)損耗角正切(tan 8 )小的電介質(zhì)材料形成，以使得與攪拌風(fēng)扇91碰撞的微波不會轉(zhuǎn)換成熱而被吸收。作為形成攪拌風(fēng)扇91的材料，例如能夠使用包含金屬、鋯鈦酸鉛(PZT)等的復(fù)合陶瓷、石英、藍寶石等。此外，攪拌風(fēng)扇91的配置不限于圖1所示的例子。攪拌風(fēng)扇91例如也可以在處理容器2內(nèi)配置有晶片W的預(yù)定的位置的下方配置。(控制部)微波處理裝置I的各結(jié)構(gòu)部分別與控制部8連接，由控制部8控制?？刂撇?典型為計算機。圖5是表示圖1所示的控制部8的結(jié)構(gòu)的說明圖。在圖5所示的例子中，控制部8包括具備CPU (中央運算處理裝置)的エ藝控制器81 ;和與該エ藝控制器81連接的用戶接ロ 82和存儲部83。エ藝控制器81是在微波處理裝置I中對例如與溫度、壓力、氣體流量、微波輸出等的處理條件相關(guān)的各結(jié)構(gòu)部(例如微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6、溫度測量部27等)進行總體控制的控制單元。用戶接ロ 82包括エ序管理者為了管理微波處理裝置I而進行命令的輸入操作等的鍵盤和觸摸板、將微波處理裝置I的工作狀況可視化地進行顯示的顯示器等。在存儲部83中存儲用于通過エ藝控制器81的控制來實現(xiàn)由微波處理裝置I執(zhí)行的各種處理的控制程序(軟件)、記錄有處理條件數(shù)據(jù)等的處理方案等。エ藝控制器81根據(jù)來自用戶接ロ 82的指示等，根據(jù)需要從存儲部83調(diào)出并執(zhí)行任意的控制程序和處理方案。由此，在エ藝控制器81的控制下，在微波處理裝置I的處理容器2內(nèi)進行所期望的處理。上述控制程序和處理方案例如能夠利用存儲在⑶-ROM、硬盤、軟盤、閃存、DVD、藍光盤等計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)中的狀態(tài)的程序。此外，上述處理方案也能夠從其它裝置例如通過專用線路隨時發(fā)送以在線利用。(微波導(dǎo)入裝置)接著，參照圖1 圖4，詳細(xì)說明微波導(dǎo)入裝置3的結(jié)構(gòu)。圖2是表示微波導(dǎo)入裝置3的高電壓電源部的概略結(jié)構(gòu)的說明圖。圖3是表示微波導(dǎo)入裝置3的高電壓電源部的電路結(jié)構(gòu)的一例的電路圖。圖4是表示圖1所示的處理容器2的頂部11的上表面的俯視圖。
如上所述，微波導(dǎo)入裝置3設(shè)置于處理容器2的上部，作為將電磁波(微波)導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的微波導(dǎo)入?yún)g元發(fā)揮功能。如圖1所示，微波導(dǎo)入裝置3包括將微波導(dǎo)入處理容器2的多個微波單元30 ;和與多個微波單元30連接的高電壓電源部40。(微波單元)在本實施方式中，多個微波單元30的結(jié)構(gòu)全部相同。各微波單元30包括生成用于處理晶片W的微波的磁控管31 ;將在磁控管31中生成的微波傳送到處理容器2的導(dǎo)波管32 ;和以封閉微波導(dǎo)入端ロ Ila的方式固定于頂部11的透過窗33。磁控管31與本發(fā)明中的微波源對應(yīng)，導(dǎo)波管32與本發(fā)明中的傳送通路對應(yīng)。如圖4所示，在本實施方式中，處理容器2包括在頂部11沿周向等間隔地配置的4個微波導(dǎo)入端ロ 11a。此外，在本實施方式中，微波單元30的數(shù)量為4個。以下，在互相區(qū)分表示4個微波単元30的各磁控管31的情況下，標(biāo)注附圖標(biāo)記31A、31B、31C、31D進行表示。圖4中的上側(cè)的微波導(dǎo)入端ロ Ila例如將由磁控管31A生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的下側(cè)的微波導(dǎo)入端ロ Ila例如將由磁控管31B生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的左側(cè)的微波導(dǎo)入端ロ Ila例如將由磁控管31C生成的微波導(dǎo)入處理容器2。圖4中的右側(cè)的微波導(dǎo)入端ロ Ila例如將由磁控管31D生成的微波導(dǎo)入處理容器2。磁控管31包括被施加有由高電壓電源部40供給的高電壓的陽極和陰極。此外，作為磁控管31，能夠使用能夠發(fā)出各種頻率的微波的磁控管。由磁控管31生成的微波按被處理體的每個處理選擇最佳的頻率，例如在退火處理中，優(yōu)選2. 45GHz,5. 8GHz等頻率較高的微波，特別優(yōu)選5. 8GHz的微波。導(dǎo)波管32具有截面為矩形且環(huán)狀的角筒狀的形狀，從處理容器2的頂部11的上表面向上方延伸。磁控管31連接于導(dǎo)波管32的上端部的附近。導(dǎo)波管32的下端部與透過窗33的上表面連接。在磁控管31生成的微波通過導(dǎo)波管32和透過窗33被導(dǎo)入處理容器2內(nèi)。透過窗33由電介質(zhì)材料形成。作為透過窗33的材料，例如能夠使用石英、陶瓷等。微波單元30還包括在導(dǎo)波管32的中途設(shè)置的循環(huán)器34、檢測器35和調(diào)諧器36 ；和與循環(huán)器34連接的假負(fù)載37。循環(huán)器34、檢測器35和調(diào)諧器36從導(dǎo)波管32的上端部側(cè)起依次設(shè)置。循環(huán)器34和假負(fù)載37構(gòu)成將來自處理容器2的反射波分離的隔離器。即，循環(huán)器34將來自處理容器2的反射波導(dǎo)向假負(fù)載37，假負(fù)載37將由循環(huán)器34引導(dǎo)的反射波轉(zhuǎn)換為熱。檢測器35用于檢測導(dǎo)波管32中的來自處理容器2的反射波。檢測器35例如由阻抗監(jiān)測器、具體而言檢測導(dǎo)波管32中的駐波的電場的駐波監(jiān)測器構(gòu)成。駐波監(jiān)測器例如能夠由突出到導(dǎo)波管32的內(nèi)部空間的3根銷構(gòu)成。通過由駐波監(jiān)測器檢測駐波的電場的位置、相位和強度，能夠檢測來自處理容器2的反射波。此外，檢測器35也可以由能夠檢測行波和反射波的方向性稱合器(結(jié)合器)構(gòu)成。調(diào)諧器36具有對磁控管31與處理容器2之間的阻抗進行匹配的功能。由調(diào)諧器36進行的阻抗匹配是基于檢測器35的反射波的檢測結(jié)果進行的。調(diào)諧器36例如能夠由導(dǎo)體板構(gòu)成，該導(dǎo)體板設(shè)置成能夠出入導(dǎo)波管32的內(nèi)部空間。在這種情況下，通過控制導(dǎo)體板向?qū)Рü?2的內(nèi)部空間的突出量，能夠調(diào)整反射波的電能，調(diào)整磁控管31與處理容器2 之間的阻抗。(高電壓電源部)高電壓電源部40對磁控管31供給用于生成微波的高電壓。如圖2所示，高電壓電源部40包括與商用電源連接的AC-DC轉(zhuǎn)換電路41 ;與AC-DC轉(zhuǎn)換電路41連接的開關(guān)電路42 ;控制開關(guān)電路42的動作的開關(guān)控制器43 ;與開關(guān)電路42連接的升壓變壓器44 ；和與升壓變壓器44連接的整流電路45。磁控管31通過整流電路45與升壓變壓器44連接。AC-DC轉(zhuǎn)換電路41是對來自商用電源的交流(例如三相200V的交流)進行整流轉(zhuǎn)換成規(guī)定波形的直流的電路。開關(guān)電路42是控制由AC-DC轉(zhuǎn)換電路41轉(zhuǎn)換的直流的導(dǎo)通 斷開的電路。開關(guān)控制器43具備例如CPU或FPGA (Programmable Gate Array :可編程門陣列)，生成用于控制開關(guān)電路42的PWM (Pulse Width Modulation :脈沖寬度調(diào)制)信號。在開關(guān)電路42中，通過開關(guān)控制器43進行PWM控制，生成脈沖狀電壓波形。升壓變壓器44將從開關(guān)電路42輸出的電壓波形升壓為規(guī)定的大小。整流電路45是對被升壓變壓器44升壓后的電壓進行整流并供給到磁控管31的電路。下面，參照圖3，對微波導(dǎo)入裝置3具備四個微波單元30 (磁控管31)時的高電壓電源部40的結(jié)構(gòu)的一例進行說明。在該例子中，高電壓電源部40包括I個AC-DC轉(zhuǎn)換電路41、2個開關(guān)電路42A、42B、I個開關(guān)控制器43、2個升壓變壓器44A、44B和2個整流電路45A、45B。AC-DC轉(zhuǎn)換電路41包括與商用電源連接的整流電路51 ;與整流電路51連接的平滑電路52 ;與開關(guān)電路42連接的平滑電路54 ;設(shè)置在平滑電路52與平滑電路54之間的用于改善功率因數(shù)的功率FET53。整流電路51具有2個輸出端。平滑電路52由在與整流電路51的2個輸出端連接的2個配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。功率器FET53設(shè)置在配線61的中途。平滑電路54由在配線61的中途設(shè)置的線圈和在配線61、62之間設(shè)置的電容器構(gòu)成。開關(guān)電路42A是控制由AC-DC轉(zhuǎn)換電路41轉(zhuǎn)換的直流的導(dǎo)通 斷開，并且生成脈沖狀電壓波形而對升壓變壓器44A輸出正向電流和負(fù)向電流的電路。開關(guān)電路42A具有構(gòu)成全橋電路(也稱為H橋)的4個開關(guān)晶體管55A、56A、57A、58A。開關(guān)晶體管55A、56A串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63a和與配線62連接的配線64a之間。開關(guān)晶體管57A、58A串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63a、64a之間。開關(guān)電路42A還具有分別與開關(guān)晶體管55A 58A并聯(lián)連接的諧振電容器。同樣，開關(guān)電路42B是控制由AC-DC轉(zhuǎn)換電路41轉(zhuǎn)換的直流的導(dǎo)通 斷開，并且生成脈沖狀電壓波形而對升壓變壓器44B輸出正向電流和負(fù)向電流的電路。開關(guān)電路42B具有構(gòu)成全橋電路的4個開關(guān)晶體管558、568、578、588。開關(guān)晶體管55B、56B串聯(lián)連接，設(shè)置在與配線61連接的配線63b和與配線62連接的配線64b之間。開關(guān)晶體管57B、58B串聯(lián)連接，設(shè)置在配線63b、64b之間。開關(guān)電路42B還具有分別與開關(guān)晶體管55B 58B并聯(lián)連接的諧振電容器。作為開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B，從效率的觀點出發(fā)能夠使用電場效應(yīng)型晶體管(FET)。作為用于開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B的FET，優(yōu)選M0SFET，特別優(yōu)選功率M0SFET。此外，也可以使用耐壓比MOSFET高且適用于高功率的IGBT (絕緣柵型雙極晶體管)代替MOSFET。 升壓變壓器44A具有2個輸入端和2個輸出端。升壓變壓器44A的2個輸入端中的一個輸入端連接在開關(guān)晶體管55A、56A之間，另ー個輸入端連接在開關(guān)晶體管57A、58A之間。同樣，升壓變壓器44B具有2個輸入端和2個輸出端。升壓變壓器44B的2個輸入端中的一個輸入端連接在開關(guān)晶體管55B、56B之間，另ー個輸入端連接在開關(guān)晶體管57B、58B之間。整流電路45A由與升壓變壓器44A的2個輸出端中的ー個輸出端連接的2個ニ極管和與2個輸出端中的另ー個輸出端連接的2個ニ極管構(gòu)成。磁控管31A經(jīng)由分別與升壓變壓器44A的2個輸出端連接的2個ニ極管，與升壓變壓器44A連接。磁控管31B經(jīng)由分別與升壓變壓器44A的2個輸出端連接的其它2個ニ極管，與升壓變壓器44A連接。整流電路45A的4個ニ極管構(gòu)成為從升壓變壓器44A向磁控管31A的電流方向與從升壓變壓器44A向磁控管31A的電流方向為相反方向。同樣，整流電路45B由與升壓變壓器44B的2個輸出端中的ー個輸出端連接的2個ニ極管和與2個輸出端中的另ー個輸出端連接的2個ニ極管構(gòu)成。磁控管31C經(jīng)由分別與升壓變壓器44B的2個輸出端連接的2個ニ極管，與升壓變壓器44B連接。磁控管31D經(jīng)由分別與升壓變壓器44B的2個輸出端連接的其它2個ニ極管，與升壓變壓器44B連接。整流電路45B的4個ニ極管構(gòu)成為從升壓變壓器44B向磁控管31C的電流方向與從升壓變壓器44B向磁控管3ID的電流方向為相反方向。(處理步驟)接著，以對晶片W實施退火處理的情況為例，說明微波處理裝置I的處理步驟。首先，例如從用戶接ロ 82向エ藝控制器81輸入指令，以使得在微波處理裝置I中進行退火處理。接著，エ藝控制器81接收該指令，讀出存儲在存儲部83或計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)中的處理方案。接著，從エ藝控制器81向微波處理裝置I的各端部件(例如微波導(dǎo)入裝置3、支承裝置4、氣體供給裝置5、排氣裝置6等)發(fā)送控制信號，以使得根據(jù)基于處理方案的條件來執(zhí)行退火處理。接著，使閘閥G為打開狀態(tài)，利用未圖示的搬送裝置將晶片W通過閘閥G和搬入搬出口 12a搬入處理容器2內(nèi)。晶片W載置在支承銷14上。接著，使閘閥G為關(guān)閉狀態(tài)，通過排氣裝置6將處理容器2內(nèi)減壓排氣。此時，使開閉閥20為打開狀態(tài)，吸引晶片W的背面，使晶片W吸附并固定干支承銷14。接著，通過氣體供給裝置5將規(guī)定流量的處理氣體和冷卻氣體導(dǎo)入。通過調(diào)整排氣量和氣體供給量，將處理容器2的內(nèi)部空間調(diào)整為規(guī)定的壓力。接著，從高電壓電源部40對磁控管31施加電壓來生成微波。在磁控管31中生成的微波在導(dǎo)波管32中傳播，接著，透過透過窗33，被導(dǎo)入處理容器2內(nèi)的晶片W的上方空間。在本實施方式中，在多個磁控管31中同時生成多個微波，將多個微波同時導(dǎo)入處理容器2。此外，在多個磁控管31中同時生成多個微波的方法，將在后文中詳細(xì)說明。導(dǎo)入到處理容器2中的多個微波照射到晶片W的表面，通過進行焦耳加熱、磁性加熱、感應(yīng)加熱等電磁波加熱，迅速加熱晶片W。其結(jié)果，對晶片W實施退火處理。當(dāng)從エ藝控制器81向微波處理裝置I的各端部件發(fā)送使等離子體處理結(jié)束的控制信號吋，停止生成微波，并且停止供給處理氣體和冷卻氣體，結(jié)束對晶片W的退火處理。接著，使閘閥G為打開狀態(tài)，通過未圖示的搬送裝置，搬出晶片W。(微波的生成方法) 接著，參照圖3，詳細(xì)說明在多個磁控管31中同時生成多個微波的方法。在開關(guān)電路42A、42B中，通過開關(guān)控制器43進行PWM控制，生成脈沖狀電壓波形。即，對開關(guān)晶體管55A 58A、55B 58B輸入作為分別從開關(guān)控制器43控制的柵極驅(qū)動信號的PWM信號。開關(guān)電路42A、42B合成上述信號而生成脈沖狀電壓波形。該脈沖狀電壓波形例如能夠以將由開關(guān)控制器43產(chǎn)生的PWM信號與由磁控管31產(chǎn)生的微波的輸出波形(后述)相對應(yīng)的圖表的方式存儲在控制部8的存儲部83中。在該圖表中對應(yīng)地規(guī)定有磁控管31中的微波的輸出波形、用于生成微波的上述脈沖狀電壓波形和用于在開關(guān)電路42A、42B中生成該電壓波形的PWM信號。并且，基于例如來自用戶接ロ 82的指示，開關(guān)控制器43與作為上位的控制部的エ藝控制器81協(xié)動，從存儲在存儲部83中的圖表發(fā)送PWM信號，以獲得與作為目的的微波的輸出波形對應(yīng)的脈沖狀電壓波形。當(dāng)對開關(guān)晶體管55A、58A輸入柵極驅(qū)動信號吋，生成從升壓變壓器44A觀看時為正向(電壓増加的方向)的電壓波形，并且電流向依次經(jīng)由開關(guān)晶體管55A、升壓變壓器44A、開關(guān)晶體管58A的方向(正向)流動。由此，在升壓變壓器44A的次級側(cè)(輸出端側(cè))，向經(jīng)由磁控管31A的方向產(chǎn)生電流。此外，升壓變壓器44A升壓以使得升壓變壓器44A的次級側(cè)(輸出端側(cè))的電壓成為規(guī)定的大小。這樣，對磁控管3IA供給用于生成微波的高電壓,在磁控管3IA中生成微波。當(dāng)對開關(guān)晶體管56A、57A輸入柵極驅(qū)動信號吋，生成從升壓變壓器44A觀看時為負(fù)向(電壓減少的方向)的電壓波形，并且電流向依次經(jīng)由開關(guān)晶體管57A、升壓變壓器44A、開關(guān)晶體管56A的方向(負(fù)向)流動。由此，在升壓變壓器44A的次級側(cè)，向經(jīng)由磁控管31B的方向產(chǎn)生電流。此外，升壓變壓器44A升壓以使得升壓變壓器44A的次級側(cè)的電壓成為規(guī)定的大小。這樣，對磁控管31B供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31B中生成微波。當(dāng)對開關(guān)晶體管55B、58B輸入柵極驅(qū)動信號吋，生成從升壓變壓器44B觀看時為正向的電壓波形，并且電流向依次經(jīng)由開關(guān)晶體管55B、升壓變壓器44B、開關(guān)晶體管58B的方向(正向)流動。由此，在升壓變壓器44B的次級側(cè)，向經(jīng)由磁控管31C的方向產(chǎn)生電流。此外，升壓變壓器44B升壓以使得升壓變壓器44B的次級側(cè)的電壓成為規(guī)定的大小。這樣，對磁控管31C供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31C中生成微波。當(dāng)對開關(guān)晶體管56B、57B輸入柵極驅(qū)動信號吋，生成從升壓變壓器44B觀看時為負(fù)向的電壓波形，并且電流向依次經(jīng)由開關(guān)晶體管57B、升壓變壓器44B、開關(guān)晶體管56B的方向(負(fù)向)流動。由此，在升壓變壓器44B的次級側(cè)，向經(jīng)由磁控管31D的方向產(chǎn)生電流。此外，升壓變壓器44B升壓以使得升壓變壓器44B的次級側(cè)的電壓成為規(guī)定的大小。這樣，對磁控管31D供給用于生成微波的高電壓，在磁控管31D中生成微波。在本實施方式中，開關(guān)控制器43控制開關(guān)電路42A、42B，使得在磁控管31A 31D中生成脈沖狀的微波。特別是，在本實施方式中，為了生成脈沖狀的微波，開關(guān)控制器43對開關(guān)電路42A、42B發(fā)送多個PWM信號。由此，在開關(guān)電路42A、42B中，生成多個脈沖狀電壓波形。多個脈沖狀電壓波形與微波的輸出和頻率的關(guān)系，將在后文中詳細(xì)說明。此外，開關(guān)控制器43控制開關(guān)電路42A、42B (開關(guān)晶體管55A、58A、55B、58B)，使得在磁控管31A、31C中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次。此外，開關(guān)控制器43控制開關(guān)電路42A、42B (開關(guān)晶體管56A、57A、56B、57B)，使得在磁控管31A、31C中同時生成微波，并且在磁控管31B、31D中生成微波的狀態(tài)和不生成微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次。在各磁控管31A 31D中每一次生成微波的狀態(tài)的時間例如是20毫秒。這樣，在磁控管31A 31D中同時生成2個微波，2個微波被同時導(dǎo)入處理容器2。另外，開關(guān)控制器43由控制部8的エ藝控制器81控制。然而，被導(dǎo)入到處理容器2的微波，在處理容器2內(nèi)形成駐波。在用于處理晶片W的狀態(tài)持續(xù)的期間，如果駐波的波腹和波節(jié)的位置固定，則產(chǎn)生加熱不均勻等，可能無法對晶片W進行均勻的處理。與此相対，在本實施方式中，在用于處理晶片W的狀態(tài)持續(xù)的期間，通過改變微波的頻率，使處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)發(fā)生變化。以下，參照圖6和圖7對此詳細(xì)說明。一般而言，已知當(dāng)微波的輸出(功率)變化時，微波的中心頻率變化。具體而言，隨著微波的輸出變大，微波的中心頻率也變高。微波的輸出能夠由施加于磁控管31的電壓的大小控制。因此，通過控制施加于磁控管31的電壓的大小，能夠使微波的頻率變化。例如在生成5. 8GHz的微波的磁控管31的情況下，通過改變施加于磁控管31的電壓的大小，能夠使微波的頻率在5. 8GHz± 193MHz的范圍內(nèi)變化。施加于磁控管31的電壓的大小，能夠由在開關(guān)電路42中生成的上述脈沖狀電壓波形的電壓的大小控制。
在本實施方式中，在用于處理晶片W的狀態(tài)持續(xù)的期間，通過改變被供給到磁控管31的電壓的大小，使微波的頻率變化。由此，使處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)、更具體而言使駐波的波腹和波節(jié)的位置發(fā)生變化。作為使微波的頻率變化的方式，例如在生成I次的微波的狀態(tài)的期間即I個脈沖期間，存在使微波的頻率變化的第一方式和按每個生成微波的狀態(tài)即按每個脈沖使微波的頻率變化的第二方式。圖6是示意性表示用于生成脈沖狀的微波的電壓波形的說明圖。在圖6中，(al)、(a2)表示在I個脈沖內(nèi)微波的輸出固定的情況下的例子。(bl)、(b2)表示在I個脈沖內(nèi)微波的輸出增加的情況下的例子。(cl)、(c2)表示在I個脈沖內(nèi)微波的輸出減少的情況下的例子。(dl)、(d2)表示在I個脈沖內(nèi)微波的輸出增加然后減少的情況下的例子。在圖6中，(al)、(bl)、(cl)、(dl)表示升壓變壓器44的初級側(cè)(輸入端側(cè))的電壓波形、即在開關(guān)電路42A、42B中生成的多個脈沖狀的電壓波形。此外，(a2)、(b2)、(c2)、(d2)表示升壓變壓器44的次級側(cè)(輸出端側(cè))的電壓波形、即施加于磁控管31的電壓波形。微波的輸出與升壓變壓器44的次級側(cè)的電壓波形同樣變化。
如上所述，在本實施方式中，為了生成脈沖狀的微波，開關(guān)控制器43對開關(guān)電路42A、42B發(fā)送多個PWM信號。由此，在開關(guān)電路42A、42B中，生成多個脈沖狀的電壓波形。圖6的(al)、(bl)、(cl)、(dl)表示這樣生成的多個脈沖狀的電壓波形。當(dāng)該脈沖狀的電壓波形的頻率比升壓變壓器44的通過頻率域高吋，升壓變壓器44作為濾波器發(fā)揮功能。其結(jié)果，在升壓變壓器44的次級側(cè)生成I個脈沖狀的電壓波形。圖6的(a2)、(b2)、(c2)、(d2)表示這樣生成的電壓波形。在磁控管31中基于上述次級側(cè)的I個脈沖狀的電壓波形，生成外脈沖狀的微波。此外，為了在次級側(cè)生成I個脈沖狀的電壓波形所需要的初級側(cè)的電壓波形的脈沖數(shù)量，即為了生成I個脈沖狀的微波所需要的PWM信號的數(shù)量例如是100個。然而，微波的輸出依賴于次級側(cè)的電壓波形的電壓大小，次級側(cè)的電壓波形的電壓大小依賴于初級側(cè)的電壓波形的每個脈沖的電壓的大小。如圖6 (al)、(a2)所示，當(dāng)初級側(cè)的電壓波形的每個脈沖的電壓的大小固定時，在次級側(cè)的電壓波形中，I個脈沖內(nèi)的電壓的大小固定。與此相對，當(dāng)如圖6 (bl)、(Cl)、(dl)所示那樣使初級側(cè)的電壓波形的每 個脈沖的電壓的大小毎次稍稍變化時，如圖6 (b2)、(c2)、(d2)所示，在次級側(cè)的電壓波形中,在I個脈沖內(nèi)電壓的大小發(fā)生變化。在第一方式中,通過如圖6 (bl)、(cl)、(dl)所示那樣改變初級側(cè)的電壓波形的每個脈沖的電壓的大小，并且改變次級側(cè)的電壓波形中在I個脈沖內(nèi)的電壓的大小，能夠在I個脈沖期間使微波的頻率變化。另外，如圖6 (a2)所示那樣，在次級側(cè)的電壓波形在I個脈沖內(nèi)為固定大小的情況下，未必需要如圖6 (al)所示的多個脈沖狀的電壓，例如能夠通過單ー的矩形電壓波形得到。圖7是示意性表示在第二實施方式中用于生成微波的電壓波形的說明圖。此外，在圖7中，作為用于生成微波的電壓波形，與圖6 (a2)、(b2)、(c2)、(d2)同樣，表示升壓變壓器44的次級側(cè)的電壓波形。另外，與第一實施方式同樣，微波的輸出與升壓變壓器44的次級側(cè)的電壓波形同樣變化。在圖7所示的例子中，按每個生成微波的狀態(tài)即每個脈沖改變電壓波形的電壓大小。在圖7中，朝向紙面從左側(cè)起表示第一脈沖、第二脈沖、第三脈沖和第四脈沖。在I個脈沖內(nèi)看時，與圖6 (a2)所示的例子同樣，電壓波形的電壓大小固定，但是通過按第一 第四脈沖的每個脈沖改變電壓波形的電壓大小，能夠使微波的輸出和頻率按脈沖任意變化。此外，在圖7所示的例子中，第一脈沖和第四脈沖的電壓波形的電壓大小相同，第ニ脈沖與第一脈沖相比其電壓波形的電壓大小較小，第三脈沖與第二脈沖相比其電壓波形的電壓大小較小。在這種情況下，例如以第一脈沖至第三脈沖為ー個單位，通過反復(fù)輸出多個單位，也能夠?qū)崿F(xiàn)以多個脈沖單位使微波的輸出和頻率每次稍稍變化的控制。如上所述，用于生成以脈沖狀生成的微波的電壓波形(升壓變壓器44的次級側(cè)的電壓波形)的控制能夠包括以下兩種情況在I個脈沖內(nèi)使電壓波形的電壓大小變化和在脈沖間使電壓波形的電壓大小變化。并且，微波的頻率的控制也能夠包括以下兩種情況在I個脈沖內(nèi)使頻率變化和在脈沖間使頻率變化。此外，作為使微波的頻率變化的方式，不限于圖6所示的第一方式和圖7所示的第二方式。例如，作為使微波的頻率變化的方式，也可以組合第一方式和第二方式。另外，也可以按每個磁控管31獨立地使微波的頻率變化，也可以在磁控管31之間聯(lián)合使微波的頻
率變化。
接著，說明本實施方式的微波處理裝置I和使用微波處理裝置I的晶片W的處理方法的效果。在本實施方式中，如上所述，在用于處理晶片W的狀態(tài)持續(xù)的期間，使微波的頻率變化。特別是，在本實施方式中，通過控制施加于磁控管31的電壓的大小，使微波的頻率積極地變化。由此，根據(jù)本實施方式，能夠使處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)，具體而言使駐波的波腹和波節(jié)的位置變化。結(jié)果，根據(jù)本實施方式，能夠?qū)琖進行均勻的處理。此外，在本實施方式中，微波處理裝置I包括攪拌風(fēng)扇91，該攪拌風(fēng)扇91用于對通過旋轉(zhuǎn)被導(dǎo)入到處理容器2內(nèi)的微波進行反射和攪拌。根據(jù)本實施方式，通過ー并使用攪拌風(fēng)扇91，能夠更有效地使處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)變化。此外，在本實施方式中，微波導(dǎo)入裝置3具有多個磁控管31和多個導(dǎo)波管32。因此，在本實施方式中，在用于處理晶片W的狀態(tài)持續(xù)的期間，能夠使生成微波的磁控管31變化。由此，根據(jù)本實施方式，能夠更有效地使處理容器2內(nèi)的駐波的狀態(tài)變化。此外，在本實施方式中，微波導(dǎo)入裝置3能夠?qū)⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器2中。當(dāng)同時將多個微波同時導(dǎo)入處理容器2中時，存在在基于各微波的駐波之外還形成基于多個微波的駐波的情況。根據(jù)本實施方式，通過使至少I個微波的頻率變化，能夠使基于多個微波的駐波的狀態(tài)變化。結(jié)果，根據(jù)本實施方式，即使在將多個微波同時導(dǎo)入處理容器2中的情況下，也能夠?qū)琖進行均勻的處理。此外，通過使同時被導(dǎo)入處理容器2的多個微波的頻率互不相同，能夠防止形成基于多個微波的駐波。下面，說明本實施方式的其它效果。在本實施方式中，微波導(dǎo)入裝置3具有多個磁控管31和多個導(dǎo)波管32，能夠?qū)⒍鄠€微波同時導(dǎo)入處理容器2。根據(jù)本實施方式，即使在各磁控管31的輸出對晶片W而言不足夠的情況下，通過將多個微波同時導(dǎo)入處理容器2，也能夠?qū)琖進行處理。此外，在本實施方式中，微波通過照射晶片W來處理晶片W。由此，根據(jù)本實施方式，與等離子體處理相比，能夠?qū)琖進行溫度較低的加熱處理。另外，本發(fā)明不限于上述實施方式，能夠進行各種變更。例如，本發(fā)明的微波處理裝置不限于以半導(dǎo)體晶片為被處理體的情況，例如也能夠適用于以太陽能電池的基板和平板顯示器用基板為被處理體的微波處理裝置。此外，在本實施方式中，對磁控管31A、3IB與升壓變壓器44A連接，磁控管31C、3ID與升壓變壓器44B連接的例子進行了說明，但是磁控管31A 31D也可以分別與其它升壓變壓器連接。在這種情況下，能夠任意變更同時生成微波的磁控管31A 31D的組合。此外，微波單元30的數(shù)量(磁控管31的數(shù)量)和同時被導(dǎo)入處理容器2的微波的數(shù)量不限于在實施方式中說明過的數(shù)量。
權(quán)利要求
1.一種微波處理裝置，其特征在于，包括 收容被處理體的處理容器； 微波導(dǎo)入裝置，其具有生成用于處理所述被處理體的微波的至少I個微波源，將所述微波導(dǎo)入所述處理容器；和 控制所述微波導(dǎo)入裝置的控制部， 所述控制部在用于處理所述被處理體的狀態(tài)持續(xù)的期間，使所述微波的頻率變化。
2.如權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其特征在于 在用于處理所述被處理體的狀態(tài)下，生成所述微波的狀態(tài)和不生成所述微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次， 所述控制部在生成I次的所述微波的狀態(tài)的期間，使所述微波的頻率變化。
3.如權(quán)利要求1所述的微波處理裝置，其特征在于 在用于處理所述被處理體的狀態(tài)下，生成所述微波的狀態(tài)和不生成所述微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次， 所述控制部按生成所述微波的每個狀態(tài)，使所述微波的頻率變化。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波源通過被施加規(guī)定的電壓而生成所述微波， 所述控制部通過改變施加于所述微波源的電壓，使所述微波的頻率變化。
5.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置包括生成所述微波的多個微波源；和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路。
6.如權(quán)利要求5所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置能夠?qū)⒍鄠€所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器。
7.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的微波處理裝置，其特征在于 所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
8.一種處理方法，是使用微波處理裝置處理被處理體的處理方法，該微波處理裝置包括收容所述被處理體的處理容器；和微波導(dǎo)入裝置，具有生成用于處理所述被處理體的微波的至少I個微波源，將所述微波導(dǎo)入所述處理容器，所述處理方法的特征在于 在用于處理所述被處理體的狀態(tài)持續(xù)的期間，使所述微波的頻率變化。
9.如權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于 在用于處理所述被處理體的狀態(tài)下，生成所述微波的狀態(tài)和不生成所述微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次， 在生成I次的所述微波的狀態(tài)的期間，使所述微波的頻率變化。
10.如權(quán)利要求8所述的處理方法，其特征在于 在用于處理所述被處理體的狀態(tài)下，生成所述微波的狀態(tài)和不生成所述微波的狀態(tài)交替反復(fù)多次， 按生成所述微波的每個狀態(tài)，使所述微波的頻率變化。
11.如權(quán)利要求8 10中任一項所述的微波處理方法,其特征在于 所述微波源通過被施加規(guī)定的電壓而生成所述微波， 通過改變施加于所述微波源的電壓，使所述微波的頻率變化。
12.如權(quán)利要求8 10中任一項所述的處理方法，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置包括生成所述微波的多個微波源；和將在所述多個微波源中生成的所述微波傳送到所述處理容器的多個傳送通路。
13.如權(quán)利要求12所述的處理方法，其特征在于 所述微波導(dǎo)入裝置能夠?qū)⒍鄠€所述微波同時導(dǎo)入所述處理容器。
14.如權(quán)利要求8 10中任一項所述的處理方法，其特征在于 所述微波用于對所述被處理體進行照射來處理所述被處理體。
全文摘要
本發(fā)明是在微波處理裝置中對被處理體進行均勻的處理的微波處理裝置和處理方法。微波處理裝置(1)包括收容晶片(W)的處理容器(2)；微波導(dǎo)入裝置(3)，其具有生成用于處理晶片(W)的微波的至少一個磁控管(31)，并將微波導(dǎo)入處理容器(2)中；和控制微波導(dǎo)入裝置(3)的控制部(8)?？刂撇?8)在用于處理晶片(W)的狀態(tài)持續(xù)的期間，使微波的頻率變化。
文檔編號H01L21/67GK103021907SQ201210359879
公開日2013年4月3日 申請日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月26日
發(fā)明者蘆田光利 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社