專利名稱：檢測mpw產品重復缺陷和設計弱點的方法
技術領域：
本發明涉及一種檢測方法，尤其涉及一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法。
背景技術：
隨著集成電路的技術不斷地提升，最小的設計尺寸也在不斷降低，單位面積芯片上的器件數量也越來越多。因此在集成電路設計開發階段，設計者經常采用多項目晶圓(Multi Project Wafer，簡稱MPW)，如圖I中所示，就是將多個具有相同工藝的集成電路設計放在同一圓片I上流片，流片后，每個設計品種可以得到數十片芯片樣品11，這一數量對于設計開發階段的實驗、測試已經足夠。同時實驗費用由所有參加MPW的項目按面積分擔流片費用，以降低開發成本和新產品開發風險，降低中小集成電路設計企業在起步時的門 檻，降低單次實驗流片造成的資源嚴重浪費。但是MPW晶圓通常通過光罩的每個曝光(shot)作為一個圖形空間(die)的方式進行生產。這樣如果光罩本身存在缺陷，將在各個圖形空間的相同位置產生同樣的缺陷，即產生重復缺陷和設計弱點。針對此種重復缺陷和設計弱點，目前常用的檢測方法是通過掃描檢查。但是這種掃描非常耗時，很難及時發現問題，而且僅僅采用檢測光罩本身的方式，不會對成像后的圖形進行檢測。同時在常規的檢測方法中，對成像后的圖形進行檢測的方法是通過圖形空間與圖形空間的比較方法，如圖2中所示，由于各個圖形空間2、3、4均是有同一光罩生產出來，圖形空間2、3、4上會顯示同一位置21、31、41的缺陷，因此即使光罩有缺陷，通過圖形空間比對也不能檢測出來。除非通過陣列(array)模式檢測出恰好處于單元(cell)區域的重復缺陷和設計弱點。但針對大部分通過圖形空間與圖形空間的比較方法進行檢測的區域就無能為力。因此，本領域的技術人員致力于開發一種能夠檢測出MPW晶圓重復缺陷與設計弱點的方法。
發明內容
鑒于上述的現有技術中的問題，本發明所要解決的技術問題是現有的技術無法快速有效的檢測出MPW晶圓的重復缺陷與設計弱點。本發明提供的一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，包括以下步驟 步驟1，應用多項目晶圓技術，將圖形電路設計圖利用光罩在晶圓上形成多個圖形空
間；
步驟2，獲得晶圓的圖形信息；
步驟3，通過比對圖形電路設計圖與晶圓的圖形信息，檢測是否存在差異；
步驟4，如存在差異，光罩存在缺陷和設計弱點；如不存在差異，則光罩無缺陷。在本發明的一個較佳實施方式中，所述步驟2通過掃描機臺掃描獲得晶圓的圖形信息。在本發明的另一較佳實施方式中，所述掃描機臺中還設有比對模塊，所述步驟3中通過掃描機臺中的比對模塊進行比對。在本發明的另一較佳實施方式中，所述步驟3中的比對模塊中設有圖形電路設計圖數據庫，所述步驟3中包括將用于與晶圓的圖形信息比對的圖形電路設計圖輸入到圖形電路設計圖數據庫中。在本發明的另一較佳實施方式中，所述步驟3中還包括將比對結果進行降噪處理，并通過比對出的差異識別是否存在缺陷。在本發明的另一較佳實施方式中，所述步驟2中的晶圓的圖形信息為單一層晶圓的圖形信息。
在本發明的另一較佳實施方式中，所述步驟I中所使用的光罩為掩膜組。本發明的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法簡便易行，能夠快速有效的檢測出了 MPW晶圓的重復缺陷與設計弱點，為良率提升做出貢獻。
圖I是MPW晶圓廣品的結構不意 圖2是現有技術的圖形比對示意 圖3是本發明的實施例的流程 圖4是本發明的實施例的缺陷示意圖。
具體實施例方式以下將結合附圖對本發明做具體闡釋。如圖3中所示的本發明的實施例的一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，包括以下步驟
步驟1，應用多項目晶圓技術，將圖形電路設計圖利用光罩在晶圓上形成多個圖形空間。優選光罩為掩膜組；
步驟2，獲得晶圓的圖形信息；優選為一特定層，比如多晶硅(Poly)層的單一層晶圓，以避免其他信息的干擾；
步驟3，通過比對圖形電路設計圖與晶圓的圖形信息，檢測是否存在差異；
步驟4，如存在差異，光罩存在缺陷和設計弱點；如不存在差異，則光罩無缺陷。本發明的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法簡便易行，能夠快速有效的檢測出了 MPW晶圓的重復缺陷與設計弱點，為良率提升做出貢獻。在本發明的實施例中，步驟2優選通過掃描機臺掃描獲得晶圓的圖形信息。并優選掃描機臺中還設有比對模塊，步驟3中通過掃描機臺中的比對模塊進行比對。此外，在本發明的實施例中，步驟3中的比對模塊中設有圖形電路設計圖數據庫，步驟3中包括將用于與晶圓的圖形信息比對的圖形電路設計圖輸入到圖形電路設計圖數據庫中。另外，在本發明的實施例中，如圖4中所示，步驟3中還包括將比對結果5進行降噪處理，并通過比對出的差異識別是否存在缺陷。
本發明的實施例通過為掃描機臺增加一個整體版圖檢查(Job Deck View，簡稱JDV)數據庫比對模塊，在掃描前將要檢測層的圖形電路設計圖數據導入掃描機臺；然后準備某一特定層，比如Poly層的單一層晶圓，以避免其他信息的干擾；然后對此晶圓進行掃描，并通過比對模塊將掃描到的晶圓信息與圖形電路設計圖信息進行比較，檢測出缺陷示意圖；鑒別所檢測到的差異是否為真正的缺陷，并確定掃描程式。在實際的生產過程中，可以定期按照此方法對光罩缺陷進行掃描，這樣就解決了MPff晶圓重復缺陷和設計弱點的檢測難題，為良率提升以及生長周期的控制做出貢獻。以上對本發明的具體實施例進行了詳細描述，但其只是作為范例，本發明并不限制于以上描述的具體實施例。對于本領域技術人員而言，任何對本發明進行的等同修改和 替代也都在本發明的范疇之中。因此，在不脫離本發明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應涵蓋在本發明的范圍內。
權利要求
1.一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟1，應用多項目晶圓技術，將圖形電路設計圖利用光罩在晶圓上形成多個圖形空間； 步驟2，獲得晶圓的圖形信息； 步驟3，通過比對圖形電路設計圖與晶圓的圖形信息，檢測是否存在差異； 步驟4，如存在差異，光罩存在缺陷和設計弱點；如不存在差異，則光罩無缺陷。
2.如權利要求I所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述步驟2通過掃描機臺掃描獲得晶圓的圖形信息。
3.如權利要求2所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述掃描機臺中還設有比對模塊，所述步驟3中通過掃描機臺中的比對模塊進行比對。
4.如權利要求3所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述步驟3中的比對模塊中設有圖形電路設計圖數據庫，所述步驟3中包括將用于與晶圓的圖形信息比對的圖形電路設計圖輸入到圖形電路設計圖數據庫中。
5.如權利要求I所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述步驟3中還包括將比對結果進行降噪處理，并通過比對出的差異識別是否存在缺陷。
6.如權利要求I所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述步驟2中的晶圓的圖形信息為單一層晶圓的圖形信息。
7.如權利要求I所述的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，其特征在于，所述步驟I中所使用的光罩為掩膜組。
全文摘要
本發明提供的一種檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法，包括應用多項目晶圓技術，將圖形電路設計圖利用光罩在晶圓上形成多個圖形空間；獲得晶圓的圖形信息；通過比對圖形電路設計圖與晶圓的圖形信息，檢測是否存在差異；如存在差異，光罩存在缺陷和設計弱點；如不存在差異，則光罩無缺陷。本發明的檢測MPW產品重復缺陷和設計弱點的方法簡便易行，能夠快速有效的檢測出了MPW晶圓的重復缺陷與設計弱點，為良率提升做出貢獻。
文檔編號H01L21/66GK102881609SQ201210343429
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月17日 優先權日2012年9月17日
發明者范榮偉, 倪棋梁, 龍吟, 王愷, 陳宏璘 申請人:上海華力微電子有限公司