專利名稱：基于倒置工藝的射頻功率管及其形成方法
技術領域：
本發明半導體技術領域，特別涉及一種基于倒置工藝的射頻功率管及其形成方法。
背景技術：
在放大電路中擔任末級輸出的器件叫基于倒置工藝的射頻功率管。現有射頻功率管多為多個硅基場效應管并聯而成，但由于受到溝道層材料的遷移率的限制，射頻功率管性能提升空間有限。因此，研發新型材料、新型結構的射頻功率管成為研究熱點。近年來，研究表明石墨烯材料具有本征載流子遷移率高、強場漂移速度高、電流承載能力高(比金屬高一個數量級)、面內熱導率高等優異性能特點。又因為該材料具有規模化制備材料的潛力，有望成為目前的Si基COMS的附加技術，廣泛應用于半導體技術領域。
現有技術中的石墨烯場效應管的形成方法為首先在SiO2的介質層上形成石墨烯薄膜，隨后在石墨烯薄膜上形成高介電常數(High-K)介質材料的柵極介質層，隨后在柵極介質層上形成柵極以及在石墨烯薄膜上形成源極和漏極。該方法最終得到源漏柵極位于上方、溝道層位于下方的正置結構。其缺點是在石墨烯薄膜上形成High-K介質材料的柵氧化層比較困難，往往因為引入離子修飾成難以做到較小的等效氧化厚度(equivalentoxide thinness, EOT),所以難于提高柵控能力；在石墨烯薄膜上同時形成柵極、源極和漏極的過程中，工藝精確度難以得到保證；以及最終得到的器件的源漏接觸的電阻較大。石墨烯薄膜上承載過多工藝步驟對于保護其優良電學性能不利，例如多次光刻過程中光刻膠對石墨烯性能的惡化，以及可能的濕法刻蝕對High-K材料性能的惡化等等。
發明內容
本發明的目的旨在至少解決上述技術缺陷之一。為此，本發明的一個目的在于提出一種基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，該方法采用倒置工藝，易于實現、穩定可靠。本發明的另一目的在于提出一種基于倒置工藝的射頻功率管，該器件具有倒置結構，源漏接觸小、柵控能力強。為達到上述目的，本發明的實施例公開了一種基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，包括以下步驟提供襯底；在所述襯底之上形成過渡層；在所述過渡層之上形成連接線，所述連接線包括源極連接線、漏極連接線和柵極連接線；在所述過渡層之上形成層間介質層，所述層間介質層填充在所述連接線之間；在所述層間介質層之上形成金屬接觸層，所述金屬接觸層與所述連接線相連；刻蝕所述金屬接觸層以形成互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，其中，所述源極、柵極和漏極按照源極-柵極-漏極-柵極的順序依次相鄰排列，N個所述源極與源極連接線相連，N個所述漏極與漏極連接線相連，2N-1個所述柵極與所述柵極連接線相連，其中N為正整數；在所述柵極之上形成柵極介質層；以及在所述源極、漏極、和柵極介質層之上形成石墨烯薄膜作為所述基于倒置工藝的射頻功率管的溝道層。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，所述過渡層為通過熱氧化形成的Si02。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，所述層間介質層為通過沉積形成的Si02。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，還包括在所述過渡層之上形成所述連接線的同時，在所述過渡層之上形成無源器件。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，所述柵極介質層為高介電常數材料A1203、HfO2或HfSiON。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，所述源極、漏極和柵極在同一平面上。 在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移以形成所述石墨烯薄膜。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法的優選實施例中，還包括步驟蒸發歐姆接觸電阻，以使在所述源極和漏極上形成歐姆接觸。本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法采用倒置工藝，具有如下優點(O該方法首先在介質層同時上形成柵極、源極和漏極，以保證器件結構的精度；(2)在金屬材料的柵極上生長high-K介質材料的柵極介質層，該工藝較易實現；(3)柵極介質層非常薄，因此柵極、源極和漏極可視為在同一平面上，在形成石墨烯薄膜的過程中，可利用氣壓形成平整、緊密的石墨烯-電極接觸；(4)可實現源漏歐姆接觸，并且接觸電阻因為金屬-石墨烯-金屬兩面夾的結構以及石墨烯上較少沾污的原因而阻值較小；(5)總體采用倒置工藝雙層布線，實現了多指結構，有利于縮小器件面積并提高器件性能。為達到上述目的，本發明的實施例還公開了一種基于倒置工藝的射頻功率管，包括襯底；形成在所述襯底之上的過渡層；形成在所述過渡層之上的連接線和層間介質層，其中，所述連接線包括源極連接線、漏極連接線和柵極連接線，所述層間介質層填充在所述連接線之間；形成所述層間介質層之上的互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，所述源極、柵極和漏極按照源極-柵極-漏極-柵極的次序作相鄰排列，N個所述源極與源極連接線相連，N個所述漏極與漏極連接線相連，2N-1個所述柵極與所述柵極連接線相連，其中N為正整數；形成在所述柵極之上的柵極介質層；以及形成在所述源極、漏極和柵極介質層之上的石墨烯薄膜的溝道層。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，所述過渡層為通過熱氧化形成的Si02。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，所述層間介質層為通過沉積形成的Si02。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，還包括形成在所述過渡層之上的無源器件，其中所述無源器件與所述連接線同時形成。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，所述柵極介質層為高介電常數材料A1203、HfO2或HfSiON。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，所述源極、漏極和柵極在同一平面上。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，所述石墨烯薄膜通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移形成。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，還包括形成在所述源極和漏極上的歐姆接觸。本發明的基于倒置工藝的射頻功率管具有倒置結構，具有如下優點(1)該器件的柵極、源極和漏極是同時形成在介質層上的，器件結構精度較高；(2) high-K介質材料的柵極介質層形成在金屬材料的柵極上，可以加工得比較精細；(3)石墨烯與柵極、源極和漏極之間的接觸比較平整、緊密；(4)由于接觸電阻為金屬-石墨烯-金屬兩面夾的結構，以及石墨烯上較少沾污，使得源漏歐姆接觸阻值較小；(5)總體采用倒置工藝雙層布線制成，具有多指結構，有利于縮小器件面積并提高器件性能。 本發明附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
本發明上述的和/或附加的方面和優點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖I為本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的原理圖；圖2-圖10為本發明一個實施例的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能解釋為對本發明的限制。在本發明的描述中，需要理解的是，術語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。在本發明的描述中，需要說明的是，除非另有規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。圖I為本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的原理圖。本發明的射頻功率管為多指結構，源漏柵極均為狹長的條狀，呈平行放置。多個電極按照“源極-柵極-漏極-柵極”的次序作相鄰排列，其中所有源極與器件左側的源極連接線相接觸、所有漏極與器件左側的漏極連接線相接觸、所有柵極與器件右側的柵極連接線相接觸，即形成三組梳狀電極，梳齒(即各組電極)做交叉排列，柵極上方具有柵介質薄層，源極、漏極及柵介質薄層的上方覆蓋有石墨烯薄膜，其中石墨烯薄膜作為溝道層。圖I中的虛線框所示部分可視為一個基礎的FETMOS管，則本發明的射頻功率管可視為多個FETMOS管并聯而成，其中相鄰的兩個FETMOS管共用一個源極或漏極。需要指出的是，除了按照“源極-柵極-漏極-柵極”的次序作相鄰排列之外，還可按照“漏極-柵極-源極-柵極”的次序作相鄰排列，并不改變發明原理的本質，也不改變本發明的效果。 下面參考圖2至圖10來具體闡述根據本發明實施例的基于倒置工藝的射頻功率管形成方法，以及基于倒置工藝的射頻功率管。本發明提出的一種基于倒置工藝的基于倒置工藝的射頻功率管形成方法，包括以下步驟步驟SI，提供襯底。具體地，如圖2所示，提供襯底100。在本發明的一個優選實施例中，采用單面拋光的高阻Si襯底，晶向〈100〉，摻雜為N型。步驟S2，在襯底之上形成過渡層。具體地，如圖3所示，在襯底100之上形成過渡層200。在本發明的一個優選實施例中，對襯底100的上表面進行熱氧化處理，使Si轉變為SiO2，作為過渡層200，厚度為
O.7-1 μ mD 步驟S3，在過渡層之上形成連接線，該連接線包括源極連接線、漏極連接線和柵極連接線。具體地，如圖4所示，首先通過濺射等方式在過渡層200上形成連接線層300 (例如A1)厚度約O. 7 μ m。優選地，還可以沉積Al后還可進一步沉積一層較薄的TiN抗反射層(圖中未示出)，以使提高光刻精度，保證光刻線條質量。然后如圖5a (剖視圖)和圖5b(俯視圖)所示，通過光刻和刻蝕等工藝形成源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303。優選地，形成各條連接線的同時，還可以在過渡層200之上形成無源器件(圖中未示出)。步驟S4，在過渡層之上形成層間介質層，該層間介質層填充在連接線之間。具體地，如圖6a (剖視圖)和圖6b (俯視圖)所示，通過PECVD等方式在源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303之間沉積厚度約為O. 5 μ m的SiO2,作為層間介質層400。以及，在層間介質層400的合適位置進行開通孔，開通孔后露出源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303的一部分，該通孔用于與后續步驟形成的源漏柵電極相連。步驟S5，在層間介質層之上形成金屬接觸層，該金屬接觸層與連接線相連。具體地，通過濺射等方式在層間介質層400之上形成金屬接觸層500 (例如Ti、Ti/TiN或Ni)厚度約O. 7 μ m。該金屬接觸層500通過步驟S4形成的通孔與源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303相連。需要說明的是，若金屬接觸層500的材料的功函數高于(低于)石墨烯，調節石墨烯費米能級，使其表現成P型(η型)。金屬功函數和石墨烯功函數的差越大，石墨烯中載流子濃度越大。功函數和石墨烯差越大，載流子濃度越高，有利于降低接觸電阻。例如，石墨烯功函數普遍認為是4. 3eV, Ti的功函數為3. 96eV,則形成η型石墨烯；TiN功函數為5.05-5. 15eV,Ni功函數5. 15eV,則形成p型石墨烯。選擇多種金屬電極有利于制備多種石墨稀慘雜水平的器件。TiN、Ni和石墨稀的功函數差距較大，提聞了石墨稀中載流子濃度，利于降低接觸電阻。步驟S6，刻蝕金屬接觸層以形成互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，其中N為正整數。具體地，如圖7a (剖視圖)和圖7b (俯視圖)所示，采用電子束光刻的工藝，刻蝕金屬接觸層500以形成互相平行的7個源極501、4個漏極502和7個柵極503。其中，源極501、柵極503和漏極502按照源極-柵極_漏極_柵極(S-G-D-G)的順序依次相鄰排列。4個源極501與源極連接線301相連，4個漏極502與漏極連接線302相連，7個柵極503與柵極連接線303相連。射頻功率管中，一般將柵極線條做的較細以提高器件射頻特性。在一個具體實施例中，柵極線條的寬度為200-300nm，源極線條和漏極線條的寬度為微米級，柵極與源漏極 之間的開槽寬度200nm。需要說明的是，本發明的源漏柵極的數目僅為示例的方便，而非本發明的限定。并且源極501、柵極503和漏極502也可以按照漏極-柵極-源極-柵極(D-G-S-G)的順序依次相鄰排列，原理相同，效果不變。步驟S7，在柵極之上形成柵極介質層。具體地，如圖8a (剖視圖)和圖8b (俯視圖)所示，通過原子層沉積(ALD)在器件表面生長一層高介電常數(High-K)介質材料(例如A1203、HfO2或HfSiON)，其二氧化硅等效厚度(EOT)約為I. 5nm。然后通過光刻和刻蝕工藝去除其他地區的High-K介質材料，即僅在柵極503上保留High-K介質材料作為柵極介質層600。其中，柵極介質層600由于其材料特性，能在較大的物理厚度形成較小的，從而阻止漏電，提高器件的柵控能力。步驟S8、在源極、漏極、和柵極介質層之上形成石墨烯薄膜作為基于倒置工藝的射頻功率管的溝道層。具體地，如圖9a (剖視圖)和圖9b (俯視圖)所示，通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移方法，在源極501、漏極502和柵極503上形成石墨烯薄膜作為溝道層700。由于源極501、漏極502和柵極503由同一金屬接觸層500加工形成，其高度基本一致，而柵極503上新增加的柵極介質層600厚度較薄，故可以視為源漏柵極仍處于同一平面上，因此沉積的石墨烯薄膜可以利用氣壓平整緊密地貼合在源漏柵極頂部，有效避免了轉移覆蓋不緊密，達到緊密吸附的有益效果。圖9c是沿著圖9b中的直線LI進行的縱向剖面圖，可以清楚地看到源漏柵極有序排列，石墨烯作為溝道層從上方將源極和漏極相連。在本發明的一個優選實施例中，還可包括步驟S9，蒸發歐姆接觸電阻，以使在所述源極和漏極上形成歐姆接觸。具體的，如圖IOa (俯視圖)所示，在形成石墨烯薄膜的溝道層700之后，在源極S和漏極D與溝道層700接觸的位置通過蒸發等工藝形成幾十納米(通常取經驗值40nm)厚度的金屬材料及金屬材料的組合(例如Ti+Au，Ti+Pd+Au，Pd+Au)，以形成歐姆接觸800。圖IOb為圖IOa沿著直線L2進行的縱向剖面圖，可以清楚地看到源極和漏極的位置形成了“歐姆接觸800-溝道層700-源極501/漏極502”的兩面夾結構的電極，該電極不僅有著較高的強度，也有利于降低源漏接觸的電阻。
本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法采用倒置工藝，具有如下優點(O該方法首先在介質層同時上形成柵極、源極和漏極，以保證器件結構的精度；(2)在金屬材料的柵極上生長high-K介質材料的柵極介質層，該工藝較易實現；(3)柵極介質層非常薄，因此柵極、源極和漏極可視為在同一平面上，在形成石墨烯薄膜的過程中，可利用氣壓形成平整、緊密的石墨烯-電極接觸；(4)可實現源漏歐姆接觸，并且接觸電阻因為金屬-石墨烯-金屬兩面夾的結構以及石墨烯上較少沾污的原因而阻值較小；(5)總體采用倒置工藝雙層布線，實現了多指結構，有利于縮小器件面積并提高器件性能。本發明還提出了一種基于倒置工藝的射頻功率管，包括襯底100 ;形成在襯底100之上的過渡層200 ;形成在過渡層200之上的連接線和層間介質層400，其中，連接線包括源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303，層間介質層400填充在連接線之間；形成層間介質層400之上的互相平行的N個源極501、N個漏極502和2N-1個柵極503，源極501、柵極503和漏極502按照源極-柵極-漏極-柵極的次序作相鄰排列，N個源極501與源極連接線301相連，N個漏極502與漏極連接線302相連，2N-1個柵極503與柵極連接線303相連，其中N為正整數；形成在柵極503之上的柵極介質層600 ；以及形成在源極501、漏極502和柵極介質層600之上的石墨烯薄膜的溝道層700。 具體地，過渡層200為通過熱氧化形成的SiO2 ;層間介質層400為通過沉積形成的SiO2 ;柵極介質層600可為高介電常數介質材料A1203、HfO2或HfSiON ;石墨烯薄膜700為通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移形成。需要說明的是，其中，源極501、漏極502和柵極503在同一平面上。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，還包括形成在過渡層200之上的無源器件(圖中未示出)，其中無源器件與源極連接線301、漏極連接線302和柵極連接線303同時形成。在本發明的基于倒置工藝的射頻功率管的優選實施例中，還包括形成在源極501和漏極502上的歐姆接觸800。。本發明的基于倒置工藝的射頻功率管具有倒置結構，具有如下優點(1)該器件的柵極、源極和漏極是同時形成在介質層上的，器件結構精度較高；(2) high-K介質材料的柵極介質層形成在金屬材料的柵極上，可以加工得比較精細；(3)石墨烯與柵極、源極和漏極之間的接觸比較平整、緊密；(4)由于接觸電阻為金屬-石墨烯-金屬兩面夾的結構，以及石墨烯上較少沾污，使得源漏歐姆接觸阻值較小；(5)總體采用倒置工藝雙層布線制成，具有多指結構，有利于縮小器件面積并提高器件性能。在本說明書的描述中，參考術語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特征、結構、材料或者特點包含于本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。盡管已經示出和描述了本發明的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的范圍由所附權利要求及其等同限定。
權利要求
1.一種基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，包括以下步驟 提供襯底； 在所述襯底之上形成過渡層； 在所述過渡層之上形成連接線，所述連接線包括源極連接線、漏極連接線和柵極連接線. 在所述過渡層之上形成層間介質層，所述層間介質層填充在所述連接線之間； 在所述層間介質層之上形成金屬接觸層，所述金屬接觸層與所述連接線相連； 刻蝕所述金屬接觸層以形成互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，其中，所述源極、柵極和漏極按照源極-柵極-漏極-柵極的順序依次相鄰排列，N個所述源極與源極連接線相連，N個所述漏極與漏極連接線相連，2N-1個所述柵極與所述柵極連接線相連，其中N為正整數； 在所述柵極之上形成柵極介質層；以及 在所述源極、漏極、和柵極介質層之上形成石墨烯薄膜作為所述基于倒置工藝的射頻功率管的溝道層。
2.如權利要求I所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，所述過渡層為通過熱氧化形成的Si02。
3.如權利要求I所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，所述層間介質層為通過沉積形成的Si02。
4.如權利要求1-3任一項所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，還包括在所述過渡層之上形成所述連接線的同時，在所述過渡層之上形成無源器件。
5.如權利要求4所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，所述柵極介質層為高介電常數材料A1203、HfO2或HfSiON。
6.如權利要求5所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，所述源極、漏極和柵極在同一平面上。
7.如權利要求6所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移以形成所述石墨烯薄膜。
8.如權利要求7所述的基于倒置工藝的射頻功率管的形成方法，其特征在于，還包括步驟蒸發歐姆接觸電阻，以使在所述源極和漏極上形成歐姆接觸。
9.一種基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，包括 襯底； 形成在所述襯底之上的過渡層； 形成在所述過渡層之上的連接線和層間介質層，其中，所述連接線包括源極連接線、漏極連接線和柵極連接線，所述層間介質層填充在所述連接線之間； 形成所述層間介質層之上的互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，所述源極、柵極和漏極按照源極-柵極-漏極-柵極的次序作相鄰排列，N個所述源極與源極連接線相連，N個所述漏極與漏極連接線相連，2N-1個所述柵極與所述柵極連接線相連，其中N為正整數； 形成在所述柵極之上的柵極介質層；以及 形成在所述源極、漏極和柵極介質層之上的石墨烯薄膜的溝道層。
10.如權利要求9所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，所述過渡層為通過熱氧化形成的Si02。
11.如權利要求9所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，所述層間介質層為通過沉積形成的SiO2。
12.如權利要求9-11所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，還包括形成在所述過渡層之上的無源器件，其中所述無源器件與所述連接線同時形成。
13.如權利要求12所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，所述柵極介質層為高介電常數材料Al203、Hf02 *HfSiON。
14.如權利要求13所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，所述源極、漏極和柵極在同一平面上。
15.如權利要求14所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，所述石墨烯薄膜通過Cu襯底上CVD后化學濕法轉移，或者Pt襯底上CVD后電化學法轉移形成。
16.如權利要求15所述的基于倒置工藝的射頻功率管，其特征在于，還包括形成在所述源極和漏極上的歐姆接觸。
全文摘要
本發明公開了一種基于倒置工藝的射頻功率管及其形成方法，該方法包括提供襯底；形成過渡層；形成源極連接線、漏極連接線和柵極連接線；在過渡層之上形成層間介質層，層間介質層填充在連接線之間；在層間介質層之上形成金屬接觸層，金屬接觸層與連接線相連；刻蝕金屬接觸層以形成互相平行的N個源極、N個漏極和2N-1個柵極，其中，源柵漏極按照源極-柵極-漏極-柵極的順序依次相鄰排列，N個源極與源極連接線相連，N個漏極與漏極連接線相連，2N-1個柵極與柵極連接線相連；形成柵極介質層；以及形成石墨烯薄膜作為溝道層。本發明的方法采用倒置工藝，易于實現、穩定可靠；本發明的器件具有倒置結構，源漏接觸小、柵控能力強。
文檔編號H01L21/336GK102867753SQ20121033112
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月7日 優先權日2012年9月7日
發明者呂宏鳴, 肖柯, 吳華強, 錢鶴, 伍曉明 申請人:清華大學