專利名稱：量子點層的制造方法和轉移方法以及量子點光電器件的制作方法
量子點層的制造方法和轉移方法以及量子點光電器件技術領域
本公開涉及量子點層的制造方法以及包括該量子點層的量子點光電器件。
背景技術：
近來，正廣泛開展對于采用量子點(QD)的發射特性的光電器件的研究。
量子點是一種具有尺寸小于激子玻爾半徑的結晶結構的半導體材料，也就是，是一種具有尺寸為幾個納米的結晶結構的半導體材料。盡管量子點具有許多電子，但自由電子的數量限制在從約一個到約一百個的范圍。在這種情況下，電子的能級受到不連續地限制，因此量子點顯示了不同于整體狀態半導體的電特性和光學特性，其中整體狀態的半導體形成連續的能帶。在量子點中，能級根據量子點的尺寸而改變，因此可以通過改變量子點的尺寸來控制帶隙。也就是說，量子點可以僅通過改變其尺寸來控制發射波長。
量子點由于其優點而可以用于光電器件中。例如，量子點具有高色純度、自發射特性、容易通過尺寸調節進行的顏色調整性等。
當通過諸如旋涂的溶液工藝(solution process)制造量子點層時,大面積的量子點層可在空氣剪切力的影響下而制造。然而，因為難以采用現有技術將所制造的量子點層轉移到光電器件或者將量子點層堆疊在多層結構中，所以在光電器件中采用具有優異特性的量子點層存在許多限制。發明內容
一個或更多個實施例提供一種采用犧牲層制造量子點層的方法以及包括該量子點層的量子點光電器件。
根據一實施例的方面，提供了一種量子點層的制造方法，該方法包括在源基板上順次地堆疊自組裝單層(SAM)、犧牲層和量子點層；在量子點層上設置印模；通過印模拾取犧牲層和量子點層；以及采用溶解犧牲層的溶液從量子點層去除犧牲層。
量子點層可以通過溶液工藝形成在犧牲層上。
犧牲層可以是聚合物基高分子量材料。
溶液可以是可極化溶液。
量子點層可以包括布置成二維陣列的多個量子點。
當拾取犧牲層和量子點層時，可以將犧牲層從SAM分離。
印模可以是彈性聚合物。
可以在印模上進行紫外線(UV)-臭氧處理。
微圖案可以形成在印模的接觸量子點層的表面上，以減少量子點層和印模之間的接觸面積。
該方法還可以包括通過將被去除犧牲層的量子點層轉印到器件基板上而在器件基板上形成量子點層。
該方法還可以包括采用熱、壓電效應和諸如聲波的微振動中的至少一種從量子點層分離印模。
根據另一實施例的方面，提供了一種量子點光電器件，該量子點光電器件包括彼此間隔開設置的第一電極和第二電極；以及設置在第一電極和第二電極之間的量子點有源層，其包括采用上述方法制造的量子點層。
量子點層可以包括多個量子點，每個量子點具有能夠發射相同波段的光的尺寸。
量子點有源層可以包括發射不同顏色的光的多個量子點層。
量子點有源層可以具有多層結構，在該多層結構中垂直地堆疊多個量子點層。
量子點有源層可以發射白光。
量子點有源層可以具有單層結構，在該單層結構中水平地設置多個量子點層。
多個量子點層可以設置為彼此間隔開。
從以下結合附圖進行的對實施例的說明，以上和/或其它方面將變得更明顯且更容易理解，附圖中
圖I是示出根據實施例的量子點層的制造方法的流程圖2至圖8是順次地示出根據實施例的量子點層的制造方法的示意圖9是示出根據實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件的圖示，其中圖9示出量子點顯示器；
圖10是示出根據另一實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件的圖示，其中圖10示出白色發射量子點光電器件；
圖11是示出根據實施例的量子點層在轉移之前和轉移之后的吸收率的測量結果的曲線圖12是示出根據實施例的根據是否采用犧牲層的量子點層的拾取率的測量結果的曲線圖；以及
圖13是示出根據實施例的具有單層結構的量子點層的光致發光(PL)強度和發射多種顏色并且具有多層結構的量子點層的光致發光(PL)強度的測量結果的曲線圖。
具體實施方式
將參考附圖詳細描述示例性實施例。附圖中，層和區域的厚度為簡明起見被夸大。 通篇說明書中相同的附圖標記表示相同的元件。
圖I是示出根據實施例的量子點層的制造方法的流程圖。
參考圖1，自組裝單層(SAM)、犧牲層和量子點層被順次地堆疊在源基板10 上(SI)。在形成犧牲層之前，可以預先在源基板10上進行用于形成例如SAM的表面處理，以有助于犧牲層的剝離。在這點上，用于對SAM進行表面處理的材料可以是用于使源基板10的表面硅烷化或氟化的材料。例如，可以通過采用十八烷基三氯硅烷 (octadecyltrichlorosiIane)> 正辛基三氯娃燒(octyltrichlorosilane)或者三氯 (1H, 1H, 2H, 2H-全氟辛基)硅烷和自組裝材料的衍生物的溶液浸泡或者熱處理而在硅基板上進行表面處理。在這種情況下，源基板10的表面能量可以極大地降低，由此有助于犧牲層的剝離。
形成在SAM上的犧牲層可以是即使在低溫下，例如，在室溫到120攝氏度的溫度范圍內也容易生成/去除的聚合物基材料。犧牲層可以由可溶于可極化溶液的材料形成，例如，聚乙烯氧化物(ΡΕ0)、聚乙烯醇(PVAL)、聚酰胺酸(PAA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或者聚乙烯甲醚(PVME)(例如，烷基和過氧化氫型宏根)。而且，用于形成犧牲層的聚合物的分子量可以在從約10，000至約500，000g/mol的范圍內。
然后，量子點層可以形成在犧牲層上。量子點層可以通過溶液工藝形成在犧牲層上。量子點可以是II-IV族量子點、III-IV族量子點、V族量子點或者其化合物。量子點可以包括選自由 CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP 和 InAs組成的組中的至少一種，但是并不局限于此。在不同的條件下，量子點可以包括包含選自由上述材料組成的組中的兩種或更多種材料的化合物。例如，該化合物可以是包含以簡單混合狀態存在的兩個或更多量子點的量子點化合物、混合晶體(其中兩個或更多化合物晶體被部分分離為相同晶體，例如，具有核殼結構或者梯度結構的晶體)或者包括兩種或更多種納米晶體的化合物。例如，量子點可以具有其中空穴可逃逸到外部的核結構或者包括核以及覆蓋該核的殼的核/殼結構。
核可以包括選自由CdSe、CdS、ZnS, ZnSe, CdTe, CdSeTe, CdZnS, PbSe、AgInZnS 和 ZnO組成的組中的至少一種材料,但是并不局限于此。殼可以包括選自由CdSe、ZnSe、ZnS、 ZnTe, CdTe、PbS、TiO、SrSe和HgSe組成的組中的至少一種材料，但實施例并不局限于此。
量子點可以采用本領域公知的量子點合成方法制造。例如，根據本實施例的量子點可以包括通過采用金屬前體的化學濕式方法制造的所有量子點。而且，量子點可以采用將預定金屬前體注入到必要時包含在分散劑中的有機溶液中并且在恒定溫度下生長金屬前體的方法而制造，但實施例并不局限于此。當制造量子點時，量子點的尺寸可以調整為吸收或發射紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)波長的光。
量子點可以通過溶液工藝涂覆在犧牲層上，例如，通過旋涂、深涂覆或者噴涂而涂覆在犧牲層上，由此形成量子點層。量子點層可以稱為量子點單層，其中多個量子點布置成二維陣列。然而，實施例并不局限于此，而是多個量子點可以布置成三維陣列。
印模(stamp)可以設置在量子點層上,并且印模通過轉印(transfer printing)來拾取犧牲層和量子點層(S2)。在這點上，形成在源基板10上的SAM通過共價鍵而耦接到源基板10，并且起到極大地降低表面能量的作用。因此，如果印模拾取犧牲層，則SAM和犧牲層彼此分離。因此，僅量子點和犧牲層被轉移到印模上。
然后，犧牲層可以浸入諸如水或者乙醇的可極化溶液中，以從量子點層去除犧牲層(S3)。在量子點層中，無機納米晶體可以被有機配位體(ligand)包覆，并且有機蓋層 (capping layer)由絕緣材料形成。另一方面,犧牲層由可溶于諸如水或者乙醇的可極化溶液的高分子材料形成。因此，即使在可極化溶液中溶解犧牲層的工藝期間，量子點層的特性也不改變。
上述量子點層可以用作諸如太陽能器件或者發射器件的光電器件的有源層。以下，將描述在器件基板上堆疊量子點層的方法。
圖2至圖8是順次地示出根據實施例的量子點層的制造和轉印方法的示意圖。
參考圖2，SAM 20和犧牲層30順次地形成在源基板10上。在這點上，用于形成 SAM 20的材料可以是用于使源基板10的表面硅烷化或氟化的材料。犧牲層30可以是即使在低溫下，例如，在室溫到120攝氏度的范圍內也容易生成/去除的聚合物基材料。而且， 犧牲層30可以由可溶于諸如水的可極化溶液的材料形成。
如圖3所示,量子點層40通過例如溶液工藝形成在犧牲層30上。量子點層40可以通過例如旋涂形成。量子點層40可以是其中多個量子點布置成二維陣列的量子點單層。
量子點層40形成在犧牲層30上，然后將印模50設置在量子點層40上，如圖4所示，印模50例如為彈性印模。然后，印模50通過采用印模50的突出部拾取量子點層40。 印模50可以是硅氧烷基、丙烯醛基或者環氧基彈性材料或者其復合物，或者可以通過混合增強材料并且調整該材料的強度而形成。印模50可以包括例如軟PDMS、硬PDMS和聚氨酯丙烯酸脂(polyurethaneacrylate)等,或者可以是彈性聚合物。
另外，印模50的接觸量子點層40的表面可以是平坦的，并且可以包括微圖案。印模50可以制造為包括微圖案。例如，期望圖案的模具可以通過采用作為負性光致抗蝕劑 (PR)的SU8 (SU-8光致抗蝕劑)的光刻而形成在硅晶片上，然后液體高分子量材料可以灌注并且固化在模具上，由此完成圖案化的彈性體。在灌注液體高分子量材料之前，可以在模具上進行諸如硅烷化或者氟化的表面處理，以在實施固化后容易從該模具分離高分子材料。圖案化的彈性體被從硅晶片分離，然后被切成具有適當的尺寸，以用作圖案化印模。圖案化印模50可以容易地拾取量子點層40。
如果采用圖案化印模50，可以減小施加到量子點層40的物理應力，量子點層40被按壓以被印模50拾取，而且圖案化印模50可以緊密地接觸量子點層40，由此容易地拾取量子點層40。而且，在印模50上可以進行紫外線(UV)-臭氧處理，以容易地拾取量子點層 40。通過進行UV-臭氧處理，印模50的表面能量增加，由此容許更容易地拾取量子點層40。
如圖5所示，接觸印模50的突出部的量子點層40被印模50拾取。然后，當量子點層40被拾取時，犧牲層30從源基板10和SAM層20分離，以與量子點層40 —起被拾取。
如圖6所示，犧牲層30可以浸入可極化溶液60中，以從量子點層40去除犧牲層 30。犧牲層30可以是即使在低溫下，例如，在從室溫到120攝氏度的范圍內也容易生成/ 去除的聚合物基材料，并且可以由可溶于諸如水的可極化溶液60的材料形成。因此，在某些實施例中，如果犧牲層30被浸入可極化溶液60中，在預定時段之后犧牲層30便溶于可極化溶液60中。
在犧牲層30被去除之后，量子點層40可以被轉印在器件基板70上。然后，如圖7 所示，量子點層40可以形成在器件基板70上。盡管器件基板70被示出為圖7中的單層， 但器件基板70可以根據采用量子點層40的器件類型而包括任何各種堆疊結構。例如，當量子點層40用作光電器件時，器件基板70可以具有其中透明電極、空穴注入層(HIL)、空穴輸送層(HTL)等被堆疊的結構。
同時，當進行轉印時，從約30攝氏度到約200攝氏度的溫度范圍內的熱可以施加到量子點層40。更優選地，約70攝氏度的溫度范圍內的熱可以施加到量子點層40，從而使通過印模50拾取的量子點層40被完整地轉移到器件基板70上。
然后，如圖8所示,將印模50從量子點層40分離。當被印模50拾取的量子點層 40被轉印時，可以施加壓電效應或者諸如聲波的微振動，例如超聲波，以容易地從印模50 分離量子點。而且，圖案化印模50被結構化以在印模50中形成從約納米級到約幾微米級的微圖案，由此容易從印模50分離量子點，這是因為印模50和量子點之間的接觸面積小。如果從約納米級到約幾微米級的微圖案形成在印模50中，則包括量子點層40的多層有機結構或者整個器件可以容易地轉移到另一基板上，這是因為多層有機結構或者整個器件與印模50之間的接觸面積小。
如上所述，如果采用犧牲層30，則量子點層40可以容易被制造。而且，如果采用犧牲層30，量子點層40的特性可以被保持并且量子點層40可以印刷在大面積上。另外，如果采用犧牲層，不管量子點層的厚度如何，在從單層到多層的厚度范圍，量子點層都可以被印刷。
圖9是示出根據本公開實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件100的圖示，其中圖9示出量子點顯示器。
參考圖9，量子點光電器件100包括基板71、采用上述量子點層的制造方法形成的量子點有源層80、被連接到外部電源以向量子點有源層80注入載流子(電荷載流子)的例如陽極的第一電極73和例如陰極的第二電極93、設置在量子點有源層80和第一電極73之間的例如HTL 77的第一電荷輸送層以及設置在量子點有源層80和第二電極93之間的例如電子輸送層(ETL)91的第二電荷輸送層。量子點光電器件100還可以包括在形成在基板 71上的第一電極73和HTL 77之間的HIL 75。
基板71可以是透明玻璃基板或者柔性塑料基板。
第一電極73可以用作陽極，并且可以由具有高功函數的材料形成，以允許空穴被注入第一電極73中。例如，第一電極73可以由諸如銦錫氧化物(ΙΤ0)、銦氧化物等透明氧化物形成。第一電極73可以通過諸如濺射的干式沉積而形成在基板71上。
HTL 77設置在第一電極73與量子點有源層80之間。HTL 77可以由p型半導體聚合物形成，P型半導體聚合物例如為PEDOT、PSS、PPV、PVK等。HTL 77可以采用諸如旋涂的濕式涂覆方法形成。例如，當由PPV形成的聚合物層形成在第一電極73上時，包括PPV 前體聚合物和甲醇有機溶劑的前體溶液被旋涂在第一電極73上，并且在惰性氣體氣氛下或者在真空中、在從約750攝氏度到約300攝氏度的固化溫度下在其上進行熱處理三個小時，由此獲得由PPV薄膜形成的HTL 77。
通過采用上述量子點層的制造方法將其中多種顏色被圖案化的量子點層，例如其中R、G和B顏色被圖案化的量子點層81、83和85轉印到HTL77上，量子點有源層80可以形成為實現像素化的量子點顯示器。每個量子點層是單層，而且多個量子點層可以設置為彼此間隔開。在這點上，量子點可以具有從約Inm至約IOnm的直徑。量子點可以具有均質單層結構或者核-殼的雙層結構。當量子點具有核-殼的雙層結構時，用于形成核和殼的材料可以是上述的不同半導體化合物。然而，用于形成殼的材料的能帶隙可以大于用于形成核的材料的能帶隙。
ETL 91設置在量子點有源層80和第二電極93之間，也就是，例如量子點有源層 80和陰極之間，并且可以由任意不同材料形成。例如，形成ETL 91的材料可以是諸如Ti02、 ZrO2或HfO2等的金屬氧化物、包括Si3N4的無機材料或η型半導體聚合物等。
第二電極93可以用作陰極，并且可以由具有小功函數的材料形成，以允許電子易于注入到ETL 91中。第二電極93可以由選自由鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)、鉀(K)、鈦(Ti)、 銦(In)、釔(y)、鋰(Li)、釓(Gd)、鋁(Al)、銀(Ag)、錫(Sn)、鉛(Pb)、銫(Cs)和鋇(Ba)組成的組中的一種金屬或者其合金形成，或者可以由具有多層結構的材料形成，例如，LiF/Al、LiO2Al, LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但實施例并不局限于此。第二電極93可以通過諸如濺射的干式沉積形成。第二電極93可以相應于量子點有源層80而被圖案化，量子點有源層80具有其中R、G和B顏色被圖案化的量子點層81、83和85的陣列，以實現像素化的量子點顯示器。
HIL 75可以設置在第一電極73和HTL 77之間，并且用于形成HIL 75的材料不受特別限制。具有優良的界面特性并且能夠容易地將電子傳輸到電極的任意材料都可以用于形成HIL 75。例如，HIL 75可以由包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的材料形成。
在圖9中，其中第一電極73、HIL 75,HTL 77和量子點有源層80堆疊在基板71上的結構被耦合到其中第二電極93和ETL 91被堆疊的結構，并且通過基板71發射R、G和B 顏色的光。然而，這只是示例，并且量子點太陽能電池或者量子點光電器件100的堆疊結構不局限于此。例如，在量子點太陽能電池或者量子點顯示器中，ETL和第二電極可以形成在其中第一電極、HIL、HTL、和量子點有源層堆疊在基板上的結構上，并且朝向第二電極入射的太陽光可以被吸收進入量子點有源層中，或者R、G和B顏色的光可以出射。
如果通過第一電極73和第二電極93將電壓施加到量子點光電器件100以形成電場，則從第一電極73和第二電極93注入的空穴和電子穿過HTL 77和ETL 91，而在量子點有源層80內部復合以形成作為激子的電子-空穴對，并且激子由于輻射衰減而進入電性接地狀態，由此 向外部發射光。在這點上，根據從第一電極73和第二電極93注入的空穴和電子是否在其中R、G和B顏色被圖案化的量子點層81、83和85的R、G和B區域中復合而發射R、G和B顏色的光。可以選擇性地發射R、G和B顏色之一的光，或者可以同時發射R、 G和B顏色中的每種的光，這通過在驅動單元(未示出)的控制下區別化它們的光強而實現的，以構造各種顏色的像素。
根據上述量子點層的制造方法，代替形成其中R、G和B顏色被圖案化的量子點層 81、83和85，R、G和B量子點層可以被轉印以構造成如圖10所示的多層，由此實現諸如量子點(QD)太陽能電池或者量子點發光器件(QD-LED)的光電器件。
圖10是示出根據本公開另一實施例的采用量子點層的制造方法制造的量子點光電器件200的圖示。除了量子點有源層80’形成為包括多顏色量子點層，例如R、G和B量子點層81、83和85的多層以及量子點有源層80’未被像素化之外，圖10所示的量子點光電器件200的基本堆疊結構、每層的材料以及激活原理與圖9所示的量子點光電器件100 相同。因此，圖10中，與圖9中一樣的附圖標記表示具有實質上相同功能的元件，并且關于圖9描述的元件的重復描述這里不再重復。
通常，對于之前采用的方法，因為量子點通過溶液工藝制造，所以量子點可以不被制造為薄的多層。然而，采用根據實施例的量子點層的制造方法，犧牲層以及R、G和B量子點層可以通過轉印而印刷在器件上的多層結構中，并且R、G和B顏色的光可以同時發射，由此產生白光發射。而且，白平衡可以采用每個量子點層的厚度以及量子點層之間的部分能量轉移而容易地控制。如圖10所示，在采用量子點多層的器件中，例如，在白色發射的量子點器件中，載流子可以根據具有各種能帶的量子點層的設置順序而順次地越過每個量子點層的量子點的獨有能量勢壘，由此顯著地降低閾值電壓和驅動電壓。
這樣，如果采用目前所公開的量子點層的制造方法制造的具有多層結構的量子點發射層被用于制造白色發射的量子點器件，則可以通過量子點有源層之間的部分能量轉移以及通過控制每個量子點有源層的厚度而控制白光，由此降低驅動電壓并且增加發射效率。而且，如果具有多層結構的量子點有源層被用于制造太陽能器件，則每個量子點有源層吸收各種波長的光，以根據分級能帶結構使產生且分離的電子和空穴迅速地向電極移動， 由此增加太陽能電池的光吸收和效率。
在另一實施例中，給出一種將第一量子點層從一個基板轉移到另一基板的方法， 該方法包括(a)在第一基板上順次地堆疊自組裝單層(SAM)、犧牲層和第一量子點層；(b) 使印模接觸第一量子點層；(C)從第一量子點層去除犧牲層；以及(d)在第二基板上沉積第一量子點層。這些步驟可以如上所述進行。
對于在本實施例中去除犧牲層，可以采用溶解犧牲層的溶液，并且優選地，在第二基板上沉積第一量子點層的步驟之前進行去除犧牲層的步驟。另外，在本實施例中，優選的是，在順次堆疊步驟之后，SAM和犧牲層之間的粘著量少于犧牲層和第一量子點層之間的粘著量。還優選的是，在使印模接觸第一量子點層的步驟之后，第一量子點層和印模之間的粘著量大于SAM和犧牲層之間的粘著量。這容許包括犧牲層、第一量子點層和印模(但不包括 SAM)的單一多層結構在去除犧牲層、第一量子點層和印模的步驟期間被移除。在另一實施例中，第二基板的接觸第一量子點層的表面包括第二量子點層。
以下，將描述采用根據本公開的方法制造的量子點層的性能。
在制造量子點層期間，為了檢查是否發生了量子點層的特性損失，測量量子點層的吸收率。例如，在量子點層被轉移到器件基板上之前和之后的量子點層的吸收率被測量， 其中量子點層具有7nm的厚度并且包括O. 23wt%的量子點溶液。
圖11是示出根據本發明實施例的量子點層在被轉移之前和之后的吸收率的測量結果的曲線圖。如圖11所示，轉移之前的量子點層的吸收率，即形成在犧牲層上的量子點層的吸收率與轉移之后的量子點層的吸收率，即形成在器件基板上的量子點層的吸收率大致相同。因此，圖11示出未受犧牲層影響的量子點層的吸收率。
圖12是示出根據是否采用犧牲層的量子點層的拾取率的測量結果的曲線圖。當印模拾取量子點層而不使用犧牲層時，厚度小于20nm的量子點層的拾取率被顯著地降低。 然而，當印模拾取形成在犧牲層上的量子點層時，厚度小于20nm的量子點層的拾取率高。
圖13是示出具有單層結構的量子點層的光致發光(PL)強度和發射多種顏色并且具有多層結構的量子點層的光致發光(PL)強度的測量結果的曲線圖。參考圖13，量子點層發射紅光時的PL強度與具有多層結構的量子點層發射紅光和綠光時的PL強度相同。因此，圖13示出盡管量子點層具有多層結構在轉印期間也不發生量子點層的損失。
根據量子點層的制造方法，可以采用犧牲層形成并且轉印量子點層。
如果采用犧牲層轉移量子點層，則量子點層的初始狀態可以被保持而不會使得量子點層的特性損失。而且，量子點層可以通過采用犧牲層重復地印刷量子點層而被構造成多層結構，并且諸如大面積太陽能器件或者發射器件的光電器件也可以容易地制造。
另外，如果采用犧牲層，則量子點層可以具有高拾取率而與量子點層的厚度無關， 因此可以轉移具有各種厚度的量子點層。
此外，印模拾取源基板上脫落的量子點以將量子點轉印到器件基板上，因此量子點層可以被圖案化為彩色像素，或者具有各種顏色的量子點層可以堆疊在多層結構中。
應該理解的是，這里描述的示例性實施例應該僅在說明的意義上而不是限制的目的考慮。每個實施例中的特征或方面的描述應該典型地被考慮為可用于其它實施例中的其它類似特征或方面。
本申請要求在2011年9月6日提交到韓國知識產權局的韓國專利申請 No. 10-2011-0090313的權益，其全部內容通過引用結合于此。
權利要求
1.一種量子點層的制造方法，所述方法包括 在源基板上順次地堆疊自組裝單層、犧牲層和量子點層； 在所述量子點層上設置印模； 通過所述印模拾取所述犧牲層和所述量子點層；以及 采用溶解所述犧牲層的溶液從所述量子點層去除所述犧牲層。
2.如權利要求I所述的方法，其中所述量子點層通過溶液工藝形成在所述犧牲層上。
3.如權利要求I所述的方法，其中所述犧牲層是聚合物基高分子量材料。
4.如權利要求I所述的方法，其中所述溶液是可極化溶液。
5.如權利要求I所述的方法，其中所述量子點層包括布置成二維陣列的多個量子點。
6.如權利要求I所述的方法，其中當通過所述印模拾取所述犧牲層和所述量子點層時，所述犧牲層從所述自組裝單層分離。
7.如權利要求I所述的方法，其中所述印模是彈性聚合物。
8.如權利要求I所述的方法，還包括在所述印模上進行紫外線-臭氧處理。
9.如權利要求I所述的方法，其中所述印模的接觸所述量子點層的表面包括使所述量子點層和所述印模之間的接觸面積減少的微圖案。
10.如權利要求I所述的方法，還包括通過將去除了所述犧牲層的所述量子點層轉印到器件基板上，在所述器件基板上形成所述量子點層。
11.如權利要求10所述的方法，還包括采用熱、壓電效應和微振動中的至少一種將所述印模從所述量子點層分離。
12.—種量子點光電器件，包括 第一電極； 第二電極，設置為與所述第一電極間隔開；以及 量子點有源層，設置在所述第一電極和所述第二電極之間，所述量子點有源層包括采用權利要求I所述的方法制造的量子點層。
13.如權利要求12所述的量子點光電器件，其中所述量子點層包括多個量子點，所述多個量子點中的每個具有構造成發射相同波段的光的尺寸。
14.如權利要求12所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層包括發射不同顏色的光的多個量子點層。
15.如權利要求14所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層具有多層結構，在所述多層結構中垂直地堆疊多個量子點層。
16.如權利要求15所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層發射白光。
17.如權利要求14所述的量子點光電器件，其中所述量子點有源層具有單層結構，在所述單層結構中水平地設置所述多個量子點層。
18.如權利要求17所述的量子點光電器件，其中所述多個量子點層設置為彼此間隔開。
19.一種量子點層的轉移方法，用于將第一量子點層從第一基板轉移到第二基板，所述方法包括 (a)在所述第一基板上順次地堆疊自組裝單層、犧牲層和第一量子點層； (b)使印模與所述第一量子點層接觸；(c)從所述第一量子點層去除所述犧牲層；以及 Cd)在所述第二基板上沉積所述第一量子點層。
20.如權利要求19所述的方法，還包括采用溶解所述犧牲層的溶液從所述第一量子點層去除所述犧牲層。
21.如權利要求19所述的方法，其中在順次堆疊之后，所述自組裝單層和所述犧牲層之間的粘著量小于所述犧牲層和所述第一量子點層之間的粘著量。
22.如權利要求21所述的方法，其中在使所述印模與所述第一量子點層接觸之后，所述第一量子點層和所述印模之間的粘著量大于所述自組裝單層和所述犧牲層之間的粘著量。
23.如權利要求19所述的方法，其中所述第一量子點層的厚度小于約20nm。
24.如權利要求19所述的方法，其中所述第二基板的接觸所述第一量子點層的表面包括第二量子點層。
全文摘要
本發明提供量子點層的制造方法和轉移方法以及量子點光電器件。該量子點層的制造方法包括在源基板上順次堆疊自組裝單層、犧牲層和量子點層；在量子點層上設置印模；拾取犧牲層、量子點層和印模；以及采用溶解犧牲層的溶液從量子點層去除犧牲層。
文檔編號H01L31/0352GK102983230SQ201210328278
公開日2013年3月20日 申請日期2012年9月6日 優先權日2011年9月6日
發明者金泰豪, 趙慶相, 丁大榮, 崔秉龍 申請人:三星電子株式會社