專利名稱：導電接合材料、導體接合方法和半導體器件制造方法
導電接合材料、導體接合方法和半導體器件制造方法技術領域
本文所討論的實施方案涉及導電接合材料、通過使用導電接合材料來接合導體的 方法以及制造半導體器件的方法。
背景技術：
已經提出各種導電接合材料作為用于接合電子部件如半導體元件至布線襯底如 玻璃環氧襯底的接合材料。導電接合材料的實例包括金屬糊料如釬料糊料。導電接合材料 的期望性能之一是釬料在約150°C的相對低的溫度下接合之后在后續的熱處理中不會再熔融。
具有這種性能的導電接合材料的一個實例是可變熔點的金屬糊料。在可變熔點金 屬糊料被加熱至特定溫度或者更高的溫度時，熔點變為更高的溫度。
[專利文件]日本公開特許公報號2002-254194
通常，可變熔點金屬糊料包含Cu顆粒，其為具有高熔點的金屬的顆粒。即使在可 變熔點金屬糊料在加熱下熔融，Cu顆粒在可變熔點金屬糊料中仍保持為不熔融的。
因此，可變熔點金屬糊料的表面傾向于呈現不規則結構，導致光澤度降低。在釬料 接合部經過使用激光等的自動外觀檢查時，由于這種現象產生光的反射，這使得難以進行 自動外觀檢查。發明內容
本發明內容的一個目的是提供一種在熱熔融后可以形成令人滿意的有光澤的金 屬涂覆膜并且可以使用自動外觀檢查系統進行外觀檢查的導電接合材料、一種通過使用導 電接合材料來接合導體的方法以及一種制造半導體器件的方法。
根據本發明的一個方面，導電接合材料包括第一金屬顆粒；平均顆粒直徑大于第 一金屬顆粒的平均顆粒直徑的第二金屬顆粒；以及平均顆粒直徑大于第一金屬顆粒的平均 顆粒直徑、相對密度大于第一金屬顆粒的相對密度且熔點高于第二金屬顆粒的第三金屬顆 粒。
圖1A是示出通過熱處理常規導電接合材料在釬焊部分的表面中形成不規則結構 (irregularity)并且其中在布線襯底和電子部件之間供給導電接合材料的狀態的圖。
圖1B是示出通過熱處理常規導電接合材料在釬焊部分的表面中形成不規則結構 并且其中導電接合材料被加熱熔融的狀態的圖。
圖1C是示出通過熱處理常規導電接合材料在釬焊部分的表面中形成不規則結構 并且其中形成CU-Sn金屬間化合物的狀態的圖。
圖1D是示出通過熱處理常規導電接合材料在釬焊部分的表面中形成不規則結構 并且其中所述不規則結構由保持未熔融的Cu顆粒形成的狀態的圖。
圖2A是使用常規導電接合材料進行接合的釬焊部分的表面在加熱之前的照片。
圖2B是使用常規導電接合材料進行接合的釬焊部分的表面在加熱之后的照片。
圖3A是示出通過使用根據一個實施方案的導電接合材料將布線襯底和電子部件 彼此接合在加熱之前的狀態的圖。
圖3B是示出通過使用根據一個實施方案的導電接合材料將布線襯底和電子部件 彼此接合在加熱之后的狀態的圖。
圖4A是示出通過使用根據一個實施方案的導電接合材料將布線襯底和電子部件 彼此接合在加熱之前的狀態的圖。
圖4B是示出通過使用根據一個實施方案的導電接合材料將布線襯底和電子部件 彼此接合在加熱之后的狀態的圖。
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圖5A是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖5B是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖5C是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖5E是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖5F是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意 圖5G是示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意圖6是示出電子部件的一個實例的圖。圖7A是通過使用實施例4的導電接合材料將電子部件與布線襯底彼此接合之后 使用能量色散X射線分析儀測定Cu、Bi和Sn的分布圖像照片的示意圖。
圖7B是通過使用實施例4的導電接合材料將電子部件與布線襯底彼此接合之后 使用能量色散X射線分析儀測定Cu的分布圖像照片的示意圖。
圖7C是通過使用實施例4的導電接合材料將電子部件與布線襯底彼此接合之后 使用能量色散X射線分析儀測定Bi的分布圖像照片的示意圖。
圖7D是通過使用實施例4的導電接合材料將電子部件與布線襯底彼此接合之后 使用能量色散X射線分析儀測定Sn的分布圖像照片的示意圖。
圖8是示出在實施例22中在熱熔融之后的表面狀態和添加的鋁顆粒的量的圖。
圖9A至圖9D是表示實施例、參考例和對比例的導電接合材料的組成以及外觀和 接合強度評價的結果的表1-1和表1-4。
圖10為表示外觀和接合強度評價的結果的表2。
具體實施方式
(導電接合材料)
根據一個實施方案的導電接合材料包括第一金屬顆粒、第二金屬顆粒、第三金屬顆粒、焊劑組分和任選的其他期望組分。
<第一金屬顆粒>
第一金屬顆粒的形狀、結構、材料等可以是任意的，并且可以根據目的適當地選擇。
第一金屬顆粒的形狀的實例包括球形(globular)、類球形(spherical)和橄欖球形。第一金屬顆粒的結構可以是單層結構或多層結構。
第一金屬顆粒的實例包括由單質金屬構成的顆粒、由合金構成的顆粒以及由金屬化合物構成的顆粒。單質金屬的實例包括鋁(相對密度2. 7)和鎵(相對密度5. 9)。
合金的實例包括Sn-Al合金、Sn-1n合金和Sn-Bi合金。這些可以單獨使用或組合使用。Sn-Al合金的一個實例是Sn-55A1合金，其包含作為主要成分的Sn和量為約55質量％的八1。Sn-1n合金的一個實例是Sn-5In合金，其包含作為主要成分的Sn和量為約5 質量％的In。Sn-Bi合金的一個實例是Sn_5Bi合金，其包含作為主要成分的Sn和量為約 5質量％的扮。
金屬化合物的實例包括SnCl2、Snfc、AgCl、AgBr、Ag1、AgNO3和A1C13。這些可以單獨使用或者組合使用。金屬化合物在接合(釬焊)期間具有活化效果，并且由于導電接合材料的氧化物涂覆膜的去除而導致金屬組分(Ag)沉淀，如下面的反應式所示
Sn+2AgCl — SnCl2+2Ag (沉淀)
第一金屬顆粒的平均顆粒直徑小于第二和第三金屬顆粒的平均顆粒直徑，并且優選地為Iym以下并且更優選地為O. 01 μ m至O. 5 μ m。在第一金屬顆粒的平均顆粒直徑大于第二和第三金屬顆粒的平均顆粒直徑時，在熱熔融期間，第一金屬顆粒不能浮在釬焊部分的表面中，并且在熱熔融之后在導電接合材料的表面中出現不規則結構，從而可能無法形成具有令人滿意的光澤的金屬涂覆膜。平均顆粒直徑可以利用激光衍射散射技術使用顆粒尺寸分布分析儀進行測定。
第一金屬顆粒的相對密度小于第三金屬顆粒的相對密度，并且優選地為2. O以上且6. O以下。在第一金屬顆粒的相對密度大于第三金屬顆粒的相對密度時，在熱熔融期間， 第一金屬顆粒不浮在釬焊部分的表面中，并且在熱熔融之后在導電接合材料的表面中出現不規則結構，從而可能無法形成具有令人滿意的光澤的金屬涂覆膜。在相對密度超過6. O 時，難以使用自動外觀檢查機器。相對密度可以通過例如量綱法(dimension method)或阿基米德法來進行測定。
第一金屬顆粒的熔點優選地低于第三金屬顆粒的熔點，并且更優選地為29°C至 700°C，并且還更優選地為100°C至670°C。在第一金屬顆粒的熔點高于第三金屬顆粒的熔點時，在熱熔融期間難以熱熔融第一金屬顆粒，第一金屬顆粒不浮在釬焊部分的表面中，并且在熱熔融之后在導電接合材料的表面中出現不規則結構，從而可能無法形成具有令人滿意的光澤的金屬涂覆膜。熔點可以通過例如差示掃描量熱法(DSC)來進行測定。
第一金屬顆粒相對于導電接合材料中的所有金屬組分的含量優選地為1. 5質量％至20質量％,并且更優選地為2. 5質量％至15質量％。在第一金屬顆粒的含量小于 1.5質量％時，在熱熔融之后在導電接合材料的表面中出現不規則結構并且未形成具有令人滿意的光澤的金屬涂覆膜。在第一金屬顆粒的含量超過20質量％時，第一金屬顆粒的數量不期望地高，并且接合強度可降低。第一金屬顆粒可以是任何顆粒并且可以制造或購買。 制造第一金屬顆粒的方法的一個實例為通過粉化法的粉末化。
<第二金屬顆粒>
第二金屬顆粒的形狀、結構、材料等可以是任意的，并且可以根據目的適當地選擇，只要平均顆粒直徑大于第一金屬顆粒的平均顆粒直徑即可。第二金屬顆粒的形狀的實例包括球形、類球形和橄欖球形狀。第二金屬顆粒的結構可以是單層結構或多層結構。
第二金屬顆粒的實例包括錫(Sn)顆粒、錫(Sn)-鉍(Bi)合金顆粒、錫(Sn)-鉍 (Bi)-銀(Ag)合金顆粒和錫(Sn)-銦(In)合金顆粒。這些可以單獨使用或組合使用。Sn-Bi 的一個實例是Sn-58Bi合金，其包含作為主要成分的Sn和量為約58質量％的Bi。Sn-B1-Ag 合金的實例為Sn-57B1-lAg合金，其包含作為主要成分的Sn、量為約57質量％的Bi和量為約I質量％的八8。Sn-1n合金的一個實例是Sn-50In合金，其包含作為主要成分的Sn和量為約50質量％的In。
第二金屬顆粒的平均顆粒直徑大于第一金屬顆粒的平均顆粒直徑，并且與第三金屬顆粒的平均顆粒直徑大致相同，并且優選地為10 μ m以上,更優選地為10 μ m至100 μ m, 并且還更優選地為10 μ m至40 μ m。在平均顆粒直徑小于10 μ m時，表面氧化變得顯著并且釬料的可焊性和可潤濕性降低。相反，在平均顆粒直徑超過100 μ m時，可印刷性和分散性能可降低。平均顆粒直徑可以利用使用激光衍射散射技術的顆粒尺寸分布分析儀進行測定。
第二金屬顆粒的相對密度優選地為3. 5至11. 0，并且更優選地為4.0至7.0。相對密度可以通過例如量綱法或阿基米德法來進行測定。
第二金屬顆粒的熔點優選地為300°C以下，并且更優選地為100°C至250°C。在熔點高于300°C時，在后續步驟中進行的在約240°C下的熱處理期間釬料的再熔融變得難以抑制，并且接合的質量變得難以確保。熔點可以通過例如DSC進行測定。
第二金屬顆粒相對于所有金屬組分的含量優選為50質量％至90質量并且更優選地為55質量％至65質量％。第二金屬顆粒可以是任意的，并且可以制造或購買。制造第二金屬顆粒的方法的一個實例為通過粉化法的粉末化。
<第三金屬顆粒>
第三金屬顆粒的形狀、結構、材料等可以是任意的，并且可以根據目的適當地選擇，只要平均顆粒直徑大于第一金屬顆粒的平均顆粒直徑、相對密度大于第一金屬顆粒的相對密度并且熔點高于第二金屬顆粒的熔點即可。第三金屬顆粒的形狀的實例包括球形、 類球形和橄欖球形狀。第三金屬顆粒的結構可以是單層結構或多層結構。
第三金屬顆粒的實例包括金(Au)顆粒、銀(Ag)顆粒、銅(Cu)顆粒、鍍金(Au)的銅(Cu)顆粒、鍍錫(Sn)-鉍(Bi)合金的銅(Cu)顆粒和鍍銀(Ag)的銅(Cu)顆粒。這些可以單獨使用或者組合使用。鍍Sn-Bi合金的Cu顆粒的一個實例包括鍍Sn-58Bi合金的Cu 顆粒。用于形成鍍Au的Cu顆粒、鍍Sn-Bi合金的Cu顆粒和鍍Ag的Cu顆粒的鍍覆方法可以是任意的，并且可以根據目的適合地選擇。鍍覆方法的一個實例是化學鍍覆。
第三金屬顆粒的顆粒直徑大于第一金屬顆粒的顆粒直徑，并且與第二金屬顆粒的顆粒直徑大致相同，并且優選地為10 μ m以上，更優選地為10 μ m至100 μ m,并且還更優選地為10 μ m至40 μ m。在平均顆粒直徑小于IOym時，表面氧化變得顯著并且釬料的可焊性和可潤濕性降低。相反，在平均顆粒直徑超過100 μ m時，可印刷性和分散性能可降低。平均顆粒直徑可以利用使用激光衍射散射技術的顆粒尺寸分布分析儀進行測定。
第三金屬顆粒的相對密度大于第一金屬顆粒的相對密度并且優選地為8. O以上， 并且更優選地為8. 9至19. 3。在相對密度小于8. O時，第一金屬顆粒和第三金屬顆粒之間的相對密度的差異減小，在熱熔融之后在導電接合材料的表面中出現不規則結構，并且未形成具有令人滿意的光澤的金屬涂覆膜。相對密度可以通過例如量綱法或阿基米德法來進行測定。
第三金屬顆粒的熔點高于第二金屬顆粒的熔點，并且優選地為900°C以上，并且更優選地為900°C至1100°C。在熔點小于900°C時，第三金屬顆粒與第二金屬顆粒形成低熔點合金，并且可以導致再熔融。熔點可以通過例如DSC進行測定。
第三金屬顆粒相對于所有金屬組分的含量優選地為10質量％至50質量％，并且更優選地為10質量％至30質量％。第三金屬顆粒可以是任意的，并且可以制造或購買。制造第三金屬顆粒的方法的一個實例是通過粉化法的粉末化。
〈焊劑組分〉
焊劑組分可以是任意的，并且可以根據目的進行合適選擇。焊劑組分優選地為環氧基焊劑材料、松香基焊劑材料或它們的混合物。其中，環氧基焊劑材料特別優選用于改善由于環氧樹脂的固化而產生的接合強度。
環氧基焊劑材料
環氧基焊劑材料包含環氧樹脂、羧酸、溶劑和其他任選的組分。
環氧樹脂可以是任意的，并且可以根據目的進行合適選擇。它們的實例包括熱固性環氧樹脂例如雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、酚醛清漆環氧樹脂和它們的改性形式。 這些可以單獨使用或組合使用。
羧酸可以是任意的并且可以根據目的進行合適選擇。它們的實例包括飽和脂肪族二羧酸、不飽和脂肪族二羧酸、環狀脂肪族二羧酸、含氨基的羧酸、含羥基的羧酸、雜環二羧酸以及它們的混合物。特別地，在這些中，琥珀酸、戊二酸、己二酸、壬二酸、十二烷酸、衣康酸、中康酸、環丁烷二羧酸、L-谷氨酸、檸檬酸、蘋果酸、巰基丙酸、疏基二丁酸，并且二硫代乙醇酸是優選的。溶劑的實例包括醇，如甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇基溶劑、二乙二醇單己醚和辛二醇。作為任選的組分，也可以含有添加劑，如觸變劑、螯合劑、表面活性劑和抗氧化劑。環氧樹脂基焊劑材料可以是任意的并且可以合成或購買。
松香基焊劑材料
松香基焊劑材料包含松香樹脂、活化劑、溶劑和其他任選的組分。
松香樹脂的實例包括那些主要由天然松香樹脂或改性松香樹脂構成的那些。改性松香樹脂的實例包括聚合松香、氫化松香、酚樹脂-改性的松香和馬來酸改性的松香。活化劑的實例包括無機活化劑和有機活化劑，例如，齒素基活化劑，如胺鹽酸鹽和有機酸基的活化劑。溶劑的實例包括乙二醇基溶劑、二乙二醇單己醚和辛二醇。作為任選的組分，也可以含有添加劑，如觸變劑、螯合劑、表面活性劑和抗氧化劑。松香基焊劑材料可以是任意的并且可以合成或購買。
在導電接合材料 中的焊劑組分的含量優選為5質量％至50質量％并且優選地為10質量％至30質量％。
〈其他任選組分〉
導電接合材料可以包含除了上述的金屬組分和焊劑組分之外的其他任選組分。任 選組分的實例包括分散劑和抗氧化劑。
本實施方案的導電接合材料是通過將包括第一金屬顆粒、第二金屬顆粒和第三金 屬顆粒的金屬組分、焊劑組分和任選組分的混合而制備的。混合的方法和條件可以是任意 的，并且可以通過使用已知的混合機或攪拌機根據目的進行合適選擇。混合優選地在非氧 化性的氣氛中均勻地進行。
相關技術的導電接合材料在熱熔融過程中具有低的粘結性，并且在表面中具有不 規則結構。由于導電接合材料的表面在熱處理之后具有低光澤度，所以難以使用自動外觀 檢查系統確定接合是否實現(加熱歷史的存在或不存在)。
參照圖1A至圖1D，描述由于熱處理常規導電接合材料而在釬料部分的表面中形 成不規則結構的機理。圖1A是示出在布線襯底和電子部件之間供給導電接合材料的狀態 的圖。圖1B是示出熱熔融狀態的導電接合材料的圖。圖1C是示出Cu-Sn金屬間化合物的 形成的圖。圖1D是示出由于保持未熔融的Cu顆粒而在表面中出現的不規則結構。
如圖1A至圖1D所示，在將電子部件12接合至布線襯底11的過程中的熱熔融期 間，作為導電接合材料10中的高熔點金屬顆粒I的Cu顆粒形成Cu-Sn基金屬間化合物 5(高熔點)。然而，由于釬料的可潤濕性和由于釬料顆粒(即低熔點金屬顆粒2)的液化產 生的粘結作用，所以保持未熔融的高熔點金屬顆粒I傾向于浮在釬焊部分的表面中。由于 保持在釬焊部分的表面中的未熔融的高熔點金屬顆粒1，所以出現顯著的不規則結構并且 光澤度降低。
這也可以由圖2A和圖2B證實。圖2A是釬焊部分的表面在加熱之前的照片。圖 2B是釬焊部分的表面在加熱之后的照片。相關領域的導電接合材料10在表面中具有不規 則結構和低光澤度，并且在加熱之前和之后不呈現顯著的變化。因此，在釬焊部分通過使用 光(激光束等)進行自動外觀檢查時，發生光的漫反射，從而使得難以進行自動外觀檢查。 在圖2A和圖2B中，由11代表的組分是布線襯底，并且由12代表的組分是電子部件。
如果在使用可變熔點金屬糊料釬焊期間，不能適當地進行熱處理，則電子部件和 布線襯底之間的電子連接以及機械強度不能可靠實現，并且因此難以制造。釬焊通常使用 稱為回流爐的加熱設備進行。然而，回流爐內的溫度不穩定，并且由于受熱不充分而導致在 釬焊部分中產生缺陷。因此，使用自動外觀檢查系統來檢查穿過回流爐之后的導電接合材 料的表面中是否存在光澤，以選出受熱不充分的產品，并且標記受熱不充分的部分。
近來的表面安裝器件傾向于使用超小尺寸部件例如0402尺寸芯片器件(L: O. 4mm X W :0. 2mm X D :0. 2mm)。因此,使用顯微鏡通過人眼進行視覺外觀檢查不能滿足在品 質(缺陷監督)、時間和成本的方面的工業標準，因此期望使用自動外觀檢查系統的檢查。
由于具有小直徑和低相對密度的第一金屬顆粒在熱熔融期間浮在釬焊部分的表 面中，并且在熱熔融之后在導電接合材料的表面中產生較少不規則結構，所以本實施方案 的導電接合材料形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜。結果，在布線襯底和電子部件之間的釬 焊部分的自動外觀檢查期間的光的漫反射得到抑制并且可以容易地利用自動外觀檢查系 統。因此，導電接合材料可以用于使用導電接合材料的各個領域。導電接合材料特別適合用于如下所述的實施方案的導體接合方法和半導體制造方法。
(導體接合方法)
根據一個實施方案的導體接合方法包括供給導電接合材料的步驟、接合步驟和任選的其他步驟。
<供給導電接合材料的步驟>
供給導電接合材料的步驟是將一個實施方案的導電接合材料供給至布線襯底的電極、電子部件的端子或者二者的步驟。
布線襯底>>
布線襯底的形狀、尺寸等可以是任意的，并且可以根據目的適當地選擇。形狀的一個實例是板狀。該結構可以是單層結構或多層結構。尺寸可以是根據電極等進行選擇。
用于布線襯底的實例包括玻璃襯底、石英襯底、硅襯底和涂覆有SiO2膜的硅襯底； 以及聚合物襯底如環氧樹脂襯底、酚樹脂襯底、聚對苯二甲酸乙二醇酯襯底、聚碳酸酯襯底、聚苯乙烯襯底和聚甲基丙烯酸甲酯襯底。這些可以單獨使用或組合使用。在這些襯底中，襯底優選選自玻璃襯底、石英襯底、硅襯底以及涂覆有SiO2膜的硅襯底。特別地，優選硅襯底和涂覆有SiO2膜的硅襯底。
襯底可以制造或購買。襯底的厚度可以是任意的并且可以根據目的進行適當地選擇。厚度優選地為100 μ m以上并且更優選地為500 μ m以上。布線襯底的尺寸可以是任意的并且可以根據目的進行選擇。例如，襯底可以具有IOmm至200mm的長度、IOmm至200mm 的寬度和O. 5mm至5mm的厚度。
使用其中形成有布線圖案的布線電路板作為布線襯底。電路板可以是單層電路板 (單層印刷電路板)或多層電路板(多層印刷電路板)。
構成電路基板的電極的金屬的實例包括Cu、Ag、Au、N1、Sn、Al、T1、Pd和Si。其中，特別優選Cu、Ag和Au。這些金屬可以可通過任意各種工藝(如鍍覆和接合)形成為在布線襯底上的電極金屬的表面部分。在將導電接合材料施加到布線襯底上的電極金屬時， 通常對襯底上的電極金屬進行表面涂覆處理，以改善導電接合材料和布線襯底上的電極金屬之間的連接。例如，在使用銅電極時，在電極上形成通過鍍覆形成的Sn、Au、Ni等的薄膜， 特別地，除了 Au之外的上述其它金屬優選使用焊劑等進行表面處理或者在施加釬料糊料之前進行預先焊劑涂覆，然后優選進行各種金屬鍍覆、釬料涂覆等，原因是這些金屬具有可容易氧化的表面。
〈〈電子部件》
電子部件可以是具有端子的任何電子部件，并且可以根據目的進行合適選擇。電子部件的實例包括芯片組件和半導體組件。
芯片組件可以是任意的，并且可以根據目的進行適當地選擇。它們的實例包括電容器和電阻器。
半導體組件可以是任意的，并且可以根據目的進行適當地選擇。它們的實例包括集成電路、大規模集成電路、晶體管、晶閘管和二極管。
電子部件的尺寸可以是任意的，并且可以根據目的進行適當地選擇。它們的實例包括 1608 型(1. 6mmXO. 8mmX0. 8mm)部件、1005 型(lmmXO. 5mmXO. 5mm)部件、0603 型 (O. 6mm X O. 3mm X O. 3mm)部件和 0402 型(0. 4mm X O. 2mm X O. 2mm)部件。
端子 >>
端子可以是任意的，并且可以根據目的進行適當地選擇。它們的實例包括導線、金屬導線和由導電糊料形成的印刷導線。
端子的材料可以是任意的，并且可以根據目的進行適當地選擇。它們的實例包括金屬例如Cu、N1、Au、Al、Mo和Cr，金屬氧化物如ITO和ΙΖ0，以及包括這些金屬和/或金屬氧化物的層疊體或復合體。
-供給方法-
供給導電接合材料的方法可以是任何方法，只要導電接合材料可以施加特定厚度或特定涂覆量并且可以根據目的進行適當地選擇即可。該方法的實例包括絲網印刷、轉移印刷、點膠機排出(dispenser discharging)和噴墨方法。
在絲網印刷中，可以使用運用掩模板的印刷機。常規印刷機包括用于固定布線襯底或電子部件的裝置、用于對準金屬掩模和襯底的電極或電子部件的端子的裝置、以及用于使掩模板和布線襯底或電子部件進行壓力接觸并且通過使用涂刮器將導電接合材料從掩模上通過掩模開口施加到布線襯底的電極上或施加到在掩模下的電子部件的端子上的印刷裝置。掩模板可以是由各種材料如網型或金屬型掩模板制成。由于金屬型掩模板與各種各樣的顆粒尺寸相容并且在工藝期間易于清潔，所以金屬型掩模板得到廣泛使用。
轉移印刷是將特定量的導電性接合材料分配到電極的布線襯底或電子部件的端子的方法，并且包括通過使用具有特定間隙的涂刮器，以特定的厚度形成導電接合材料的固體涂覆膜，通過使用沖壓機沖切涂覆膜，并且將該沖切的膜沖壓到襯底的電極或電子部件的端子上。轉移印刷使用特殊的轉移印刷機。轉移印刷機配備有用于通過涂覆形成固體涂覆膜的涂覆裝置、用于固定布線襯底和對準布線襯底的電極的裝置、以及用于三維方向驅動沖壓機并進行沖切和轉移壓印的裝置。在轉移印刷中的涂覆量比在絲網印刷中傾向于變化，因此期望謹慎以用于連續操作例如清洗和管理沖壓機。因此，絲網印刷是主流的印刷方法。
點膠機排出是將特定量的導電接合材料排出到布線襯底上的電極上或電子部件的端子上的方法并且使用點膠機。點膠機構造為通過對注射器中的導電接合材料施加所需壓力，從注射器的尖端處的針中推出特定量的導電接合材料。點膠機三維地驅動注射器，確定布線襯底上的電極部分的位置，并將所需量的導電接合材料排出到電極上。由于導電接合材料通過針排出，所以施加的糊料不如通過絲網印刷形成的糊料薄。然而，在這個過程中的糊料損失小，并且排出的糊料的量或排出的位置可通過調整程序而改變。因此，點膠機排出可以用于將導電接合材料施加到具有階梯和不規則結構因而不適于用于印刷的掩模板以進行壓力接觸的電子部件和布線襯底上。
噴墨方法是用于將導電接合材料施加到布線襯底的電極或電子部件的端子上的方法，并且包括從細噴嘴中排出導電接合材料。
〈接合步驟〉
接合步驟是通過加熱所施加的導電接合材料到超過第二金屬顆粒的熔點的溫度來使布線襯底和電子部件接合的步驟。
接合步驟是在將電子部件或布線襯底置于供給至布線襯底的電極或電子部件的端子的熔融接合的導電接合材料上時施加特定溫度的步驟。通常使用具有適于釬料熱處理的爐、高溫容器等的回流設備。
使用回流設備的回流熱處理中的加熱方法的主流方法是施加如紅外線或熱空氣。 在回流熱處理期間，爐中的氣氛可以是空氣或氮氣。為了抑制因氧化而使電子部件和釬焊部分劣化，在近來的高密度精密裝備中經常使用氮氣氛。
熱處理優選地在超過第二金屬顆粒的熔點的溫度下進行10到120分鐘。如果熱處理在等于或小于第二金屬顆粒熔點的溫度下進行，則第二金屬顆粒不能轉變成液相并且第三金屬顆粒的分散不能平穩地進行。
熱處理的溫度取決于第二金屬顆粒的熔點并且可以適當地選擇，但優選地高于 300°C。熱處理可以在空氣中進行，但優選地在氮氣氛中進行。
[58]圖3A和3B各自為不出通過使用一個實施方案的導電接合材料接合導體的方法的示意圖。
圖3A示出加熱前的狀態和圖3B示出加熱后的狀態。因為第一金屬顆粒(Al顆粒)101具有小的直徑和小的相對密度，所以第一金屬顆粒101在熱熔融期間聚集在釬焊部分的表面并在導電接合材料100的表面形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜。由于熔融期間的熱能，第二金屬顆粒(Sn-58Bi合金顆粒)102中的Sn和第三金屬顆粒(Cu顆粒)103中的 Cu形成Cu-Sn合金105，并且已經變成單一元素的鉍(Bi) 104在表面中析出。具有大的直徑和大的相對密度的第三金屬顆粒(Cu顆粒)103在布線襯底11和電子部件12之間沉降并變熔融，從而產生導電性。
[59]圖4A和4B各自為示出通過使用根據一個實施方案的導電接合材料接合導體的方法的示意圖。
圖4A示出加熱前的狀態和圖4B示出加熱后的狀態。因為第一金屬顆粒(本實例中為AgCl顆粒)101具有小的直徑和小的相對密度，所以第一金屬顆粒101在熱熔融期間聚集在釬焊部分的表面中并在導電接合材料100的表面上形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜。第一金屬顆粒(AgCl顆粒)101在釬焊期間還具有活化作用。在導電接合材料100的氧化涂覆膜被移除時，發生金屬組分(Ag) 106的沉淀(參考以下反應式)。另外，第二金屬顆粒(Sn-58Bi合金顆粒)102中的Sn和第三金屬顆粒(Cu顆粒)103中的Cu形成Cu-Sn 合金105。具有大的直徑和大的相對密度的第三金屬顆粒(Cu顆粒)103在布線襯底11和電子部件12之間沉降并變熔融，從而產生導電性。
Sn+2AgCl — SnCl2+2Ag (沉淀)
回流加熱由于熱而流出
[60](半導體器件制造方法)
根據一個實施方案的半導體器件制造方法包括上述的導體接合步驟和其它任選步驟。
導體接合步驟可以以與根據一個實施方案的導體接合方法相同的方式進行。
[61]任選步驟可以是任何步驟并且可以是根據目的恰當選擇的步驟。任選步驟的實例包括圖案化金屬線的步驟和形成絕緣膜的步驟。
[62]圖5A至5G為示出制造根據一個實施方案的半導體器件的步驟的一個實施例的示意圖。
參照圖5A，制備具有電極焊墊21的布線襯底20。
參照圖5B，通過印刷將一個實施方案的導電接合材料22涂覆于布線襯底20并置于部分電極焊墊21上。印刷方法可以是任何方法并且可以根據目適合選擇。印刷方法的一個實例是絲網印刷方法。
參照圖5C，在電極焊墊21上設置電子部件23。
參照圖進行一次回流加熱以釬焊電子部件23。
參照圖5E，安裝任選的電子部件23a，安裝導線24，并在期望時進行成形。
參照圖5F，提供密封樹脂25用于密封。結果，例如安裝了圖6示出的電子部件 (0603型芯片)30。圖6中的電子部件30包含表面安裝器件(SMD)芯片31和晶片級封裝 (WLP) 320密封樹脂可以是覆蓋該部件的任何樹脂并且可以是根據目的適合地選。密封樹脂的實例包括熱固性樹脂如酚樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂和聚酯樹脂。
參照圖5G，制備具有引線端子27的印刷襯底26，并通過使用絲網印刷在印刷襯底 26上涂覆釬料糊料將釬料28置于引線端子27上。然后將電子部件的導線24置于印刷襯底26上的引線端子27上，并且進行二次回流加熱以將電子部件釬焊至印刷襯底26上。結果，制造了半導體器件。
[63]根據本實施方案的半導體器件制造方法，可以以較高的效率制造各種半導體器件如閃存、DRAM和FRAM。
[實施例][64]以下通過使用實施例更具體地描述實施方案，這些實施例不以任何方式限制實施方案的范圍。
在實施例中，金屬顆粒的平均直徑、金屬顆粒的相對密度和金屬顆粒的熔點如下所述進行測量。
[65]〈金屬顆粒的平均直徑的測量>
使用粒度分布分析儀(激光衍射型粒度分布測量儀器，由SHIMADZU Corporation 制造的SALD-3100)，通過將金屬顆粒在氣相中分散、施用紅色半導體激光束、與參照模式對比分析輸入光檢測器的顆粒衍射光圖案和散射光圖案、測定顆粒直徑和計數數目以及計算平均顆粒直徑來測量金屬顆粒的平均直徑。
[66]〈金屬顆粒的相對密度的測量〉
通過量綱方法使用游標卡尺和天平測量金屬顆粒的相對密度。
[67]〈金屬顆粒熔點的測量〉
以O. 5°C/秒的溫度梯度通過差示掃描量熱法(DSC)(由Seiko Instruments Inc. 制造的DSC 6200)測量金屬顆粒的熔點。
[68](實施例1)
-導電接合材料的制備_
(I)金屬組分85質量％
第一金屬顆粒(鋁(Al)顆粒，平均直徑1μπι，相對密度2. 72，熔點660°C ) 10質量％
第二金屬顆粒(Sn_58Bi合金顆粒，平均直徑10μπι，相對密度8. 13，熔點 1390C ) :45 質量％
第三金屬顆粒(Cu顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度8. 96，熔點1084°C ) :45質
(2)焊劑組分15質量％
松香(由Matsuo Handa Co.，Ltd.制造的MHK37-BZ) 50質量％有機溶劑(基于乙二醇的溶劑)50質量％
[69](實施例 2)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例2的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(Sn-55A1合金顆粒，平均直徑1μπι，相對密度4. 10，熔點 600 0C )
[70](實施例 3)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例3的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(Sn-5In合金顆粒，平均直徑1 μ m，相對密度5· 89，熔點200°C )
[71](實施例 4)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例4的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(Sn_5Bi合金顆粒，平均直徑1 μ m，相對密度6. 02，熔點200°C )
[72](實施例 5)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例5的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(SnCl2顆粒，平均直徑1μπι，相對密度3. 95，熔點246°C )
[73](實施例 6)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例6的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(SnBr2顆粒，平均直徑1μπι，相對密度5. 12，熔點215°C )
[74](實施例 7)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例7的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(AgCl顆粒，平均直徑1 μ m，相對密度5· 56，熔點455°C )
[75](實施例 8)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例8的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(AgBr顆粒，平均直徑1 μ m，相對密度6· 47，熔點432°C )
[76](實施例 9)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例9的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(AgI顆粒，平均直徑1μπι，相對密度5. 68，熔點552°C )
[77](實施例 10)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例10的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(AgNO3顆粒，平均直徑1 μ m，相對密度4. 35，熔點212°C )
[78](實施例 11)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例11的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(Sn_5In合金顆粒，平均直徑1μπι，相對密度5· 89，熔點 2000C ) :5 質量％
第一金屬顆粒(Sn_5Bi合金顆粒，平均直徑1μπι，相對密度6· 02，熔點 2000C ) :5 質量％
[79](實施例 12)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例12的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第二金屬顆粒改變為以下第二金屬顆粒。
第二金屬顆粒(Sn顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度5· 82，熔點232°C ) :45質fi%
[80](實施例 13)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例13的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第二金屬顆粒改變為以下第二金屬顆粒。
第二金屬顆粒(Sn-57B1-lAg合金顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度8. 14，熔點 1390C ) 45 質量％
[81](實施例 14)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例14的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第三金屬顆粒改變為以下第三金屬顆粒。
第三金屬顆粒(鍍Ag的Cu顆粒，平均直徑10μπι，相對密度8. 96，熔點 1084 0C )
[82](實施例 15)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例15的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第三金屬顆粒改變為以下第三金屬顆粒。
第三金屬顆粒(鍍Sn-58Bi合金的Cu顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度8. 96，熔點:1084 0C )
[83](實施例 16)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例16的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第三金屬顆粒改變為以下第三金屬顆粒。
第三金屬顆粒(鍍Au的Cu顆粒，平均直徑10μπι，相對密度8. 96，熔點 1084 0C )
[84](實施例 17)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例17的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(鋁(Al)顆粒，平均直徑0. 5 μ m，相對密度2. 72，熔點660°C )
[85](實施例 18)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備實施例18的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第二金屬顆粒改變為以下第二金屬顆粒。
第二金屬顆粒(Sn_58Bi合金顆粒，平均直徑20μπι，相對密度8. 13，熔點 139。。)
[86](實施例 19)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備實施例19的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第三金屬顆粒改變為以下第三金屬顆粒。
第三金屬顆粒(Cu顆粒，平均直徑20μπι，相對密度8. 96，熔點1084°C ) :45質fi%
[87](對比例 I)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備對比例I的導電接合材料，只是不包含實施例1中使用的第一金屬顆粒，第二金屬顆粒含量為50質量％和第三金屬顆粒含量為50質量％。
[88](參考例 2)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備參考例2的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第二和第三金屬顆粒改變為以下第二和第三金屬顆粒。
第二金屬顆粒(Sn_9 5Au合金顆粒，平均直徑10μπι，相對密度18. 65，熔點 980 0C )
第三金屬顆粒(Zn顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度7. 14，熔點419°C )
[89](參考例 3)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備參考例3的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(鎢(W)顆粒，平均直徑1μπι，相對密度19· 3，熔點3370°C )
[90](參考例 4)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備參考例4的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第一金屬顆粒改變為以下第一金屬顆粒。
第一金屬顆粒(鋁(Al)顆粒，平均直徑3 μ m,相對密度2. 72，熔點660°C )
[91](參考例 5)
-導電接合材料的制備-
與實施例1中相同地制備參考例5的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第二金屬顆粒改變為以下第二金屬顆粒。
第二金屬顆粒(Sn_58Bi合金顆粒，平均直徑7 μ m，相對密度8. 13，熔點 139。。)
[92](參考例 6)
-導電接合材料的制備_
與實施例1中相同地制備參考例6的導電接合材料，只是將實施例1中使用的第三金屬顆粒改變為以下第三金屬顆粒。
第三金屬顆粒(Cu顆粒，平均直徑7μπι，相對密度8. 96，熔點1084°C ) :45質fi%
[93]接下來，通過使用制備的導電接合材料評價外觀和接合強度。結果示于圖9A 至9D的表1-1至1-4中。
[94] < 外 觀 >
通過使用導電接合材料在加熱下將電子部件接合至襯底同時在180°C保持30分鐘(在實施例12中，250 °C保持30分鐘)，然后利用光功率計(由Yokogawa Meters&Instruments Corporation制造的TB200)分析所得釬焊部分的表面，以確定入射光/反射光輸出(mW)比率。然后通過以下標準評價樣品。
[評價標準]
A :入射光/反射光輸出(mW)比率為70%以上。
B :入射光/反射光輸出(mW)比率為50%以上但小于70%。
C :入射光/反射光輸出(mW)比率小于50%。
[95]〈接合強度〉
通過使用導電接合材料在加熱下將電子部件接合至襯底同時在180°C保持30分鐘(在實施例12中，250°C保持30分鐘)，然后利用剪切強度測試儀(由Dage Japan Co.， Ltd.制造的SERIES 4000)分析所得釬焊部分，以確定導電接合材料相對于Sn-Ag-Cu合金釬料的接合強度比率。通過以下標準評價樣品。
[評價標準]
A :相對于Sn-Ag-Cu合金釬料的接合強度比率為70%以上(700gf/pin以上)。
B :相對于Sn-Ag-Cu合金釬料的接合強度比率為60%以上^OOgf/pin以上)但是小于70% (小于700gf/pin)。
C :相對于Sn-Ag-Cu合金釬料的接合強度比率小于60% (小于600gf/pin)。
[96]圖9A至9D示出表示實施例、參考例和對比例的導電接合材料的組成以及評價外觀和接合強度的結果的表1-1至1-4。
[97](實施例 20)
-電子部件的接合-
通過使用實施例4的導電接合材料如下所述將電子部件接合至布線襯底。
通過絲網印刷將實施例4的導電接合材料涂覆(供給)至具有尺寸為L : 200μπιΧΙ:100μπι的Cu電極的布線襯底(襯底基礎)，將電子部件(0603型芯片)置于其上，并且通過在180°C保持30分鐘將電子部件接合至布線襯底。
如圖3A和3B所示，具有小的直徑和小的相對密度的第一金屬顆粒(Al顆粒)101 在熱熔融期間聚集在釬焊部分的表面中，并在導電接合材料100的表面形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜。由于熔融期間的熱能，第二金屬顆粒(Sn-58Bi合金顆粒)102中的Sn 和第三金屬顆粒(Cu顆粒)103中的Cu形成Cu-Sn合金105,并且已經變成單一元素的秘 (Bi) 104在表面中析出。具有大的直徑和大的相對密度的第三金屬顆粒(Cu顆粒)103在布線襯底11和電子部件12之間沉降并變熔融,從而產生導電性。
[98]圖7A至7D示出在使用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底后的Cu顆粒、Sn顆粒和Bi顆粒的分散狀態的測量結果。通過能量色散X射線分析儀進行測量。能量色散X射線分析儀是一種分析技術，其涉及檢測在使用電子束等掃描物體時產生的特征X射線并由從X射線獲得的能量分布研究構成物體的物質。元素(金屬)鑒定和元素(金屬)分布可通過該技術進行測量。
圖7A是利用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底后利用能量色散X射線分析儀=EDS測量的Cu、Bi和Sn的分布圖像照片的示意圖。
圖7B是利用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底后利用能量色散X射線分析儀=EDS測量的Cu的分布圖像照片的示意圖。
圖7C是示意圖，其標示了利用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底后利用能量色散X射線分析儀EDS測量的Bi的分布圖像照片的示意圖。
圖7D是利用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底后利用能量色散X射線分析儀=EDS所測量的Sn的分布圖像照片的示意圖。
圖7A至7D所示的結果證實，當在實施例20中利用實施例4的導電接合材料將電子部件接合至布線襯底時，實現了圖3B所闡述的加熱后的狀態。
所得接合的電子部件具有有光澤的釬焊部分并且可使用激光束通過自動外觀檢查系統進行檢查。
[99](實施例 21)
-電子部件的接合-
通過使用實施例7的導電接合材料如下所述將電子部件接合至布線襯底。
通過絲網印刷將實施例7的導電接合材料涂覆(供給)至具有尺寸為L : 200μπιΧΙ:100μπι的Cu電極的布線襯底(襯底基礎)，將電子部件(0603型芯片)置于其上，并且通過在180°C保持30分鐘將電子部件接合至布線襯底。
如圖4A和4B所示，具有小的直徑和小的相對密度的第一金屬顆粒
(AgCl顆粒)101在熱熔融期間聚集在釬焊部分的表面中，并在導電接合材料100 的表面上形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜。第一金屬顆粒(AgCl顆粒)101在釬焊期間還具有活化作用。在導電接合材料100的氧化涂覆膜被移除時，發生金屬組分(Ag) 106的沉淀(參考如下反應式)。另外，由于熔融期間的熱能，第二金屬顆粒(Sn-58Bi合金顆粒)102 中的Sn和第三金屬顆粒(Cu顆粒)103中的Cu形成Cu-Sn合金105。具有大的直徑和大的相對密度的第三金屬顆粒(Cu顆粒)103在布線襯底11和電子部件12之間沉降并變熔融， 從而產生導電性。
Sn+2AgCl — SnCl2+2Ag (沉淀)
回流加熱由于熱而流出
所得接合的電子部件具有有光澤的釬焊部分并且可通過使用激光束的自動外觀檢查系統進行檢查。
[100](實施例 22)
-導電接合材料的制備-
(I)金屬組分85質量％
第一金屬顆粒(鋁(Al)顆粒，平均直徑1μπι，相對密度2. 72，熔點660°C ) Z質量％
第二金屬顆粒(Sn顆粒，平均直徑10μπι，相對密度5. 82，熔點232°C ) :Y質
第三金屬顆粒(Cu顆粒，平均直徑10 μ m，相對密度8. 96，熔點1084°C ) :X質fi%
(2)焊劑組分15質量％
松香(由Matsuo Handa Co.，Ltd.制造的 MHK37-BZ) 50 質量％
有機溶劑(基于乙二醇的溶劑):50質量％
[101]根據上述組成，鋁顆粒(第一金屬顆粒)含量(Z質量％ )改變為O質量％、 I質量％、2. 5質量％、5質量％、7. 5質量％、15質量％、20質量％并且制備圖10中表2所示的導電接合材料，同時調節添加的第二金屬顆粒的量(Y質量％ )和添加的第三金屬顆粒的量(X質量％)的比率為5 5(質量比率)。
然后，與實施例1至19相同，評價外觀和接合強度。結果示于圖10的表2中。圖 8示出制備的導電接合材料的表面狀態的圖片。
[102]圖10中的表2和圖8的結果證實，具有小的相對密度的鋁顆粒(第一金屬顆粒)在熱熔融期間聚集在導電接合材料表面中，并可在導電接合材料的表面形成具有滿意光澤的金屬涂覆膜，并且從外觀和接合強度的角度考慮，鋁顆粒的含量優選為1.5質量％ 至20質量％，并且更優選為2. 5質量％至15質量％。
在使用Sn-Al合金顆粒、Sn-Bi合金顆粒、AgNO3顆粒、AgCl顆粒、AgBr顆粒和SnCl 顆粒作為第一金屬顆粒替代鋁(Al)顆粒時，得到了相同的結果。
權利要求
1.一種導電接合材料，包含第一金屬顆粒；第二金屬顆粒，其平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑；和第三金屬顆粒，其平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑，相對密度大于所述第一金屬顆粒的相對密度并且熔點高于所述第二金屬顆粒的熔點。
2.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑為 I μ m以下，以及所述第二和第三金屬顆粒的平均顆粒直徑各自為IOym以上。
3.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒為鋁顆粒。
4.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒為由Sn-Al合金、 Sn-1n合金或Sn-Bi合金制成的顆粒。
5.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒為由SnCl2、SnBr, AgCl> AgBr> AgI> AgNO3 和 AlCl3 制成的顆粒。
6.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒的熔點低于所述第三金屬顆粒的熔點。
7.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第一金屬顆粒的相對密度為2.O以上和6. O以下，所述第三金屬顆粒的相對密度為8. O以上。
8.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第二金屬顆粒的熔點為300°C以下， 所述第三金屬顆粒的熔點為900°C以上。
9.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第二金屬顆粒為選自錫顆粒、錫-鉍合金顆粒、錫-鉍-銀合金顆粒和錫-銦合金顆粒中的至少一種顆粒。
10.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中所述第三金屬顆粒為選自金顆粒、銀顆粒、銅顆粒、鍍金的銅顆粒、鍍錫-鉍合金的銅顆粒和鍍銀的銅顆粒中的至少一種顆粒。
11.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中第一金屬顆粒含量相對于所有金屬組分為1. 5質量％至20質量％。
12.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中金屬含量相對于所述導電接合材料為 50質量％至95質量％。
13.根據權利要求1所述的導電接合材料，其中導電接合材料包括環氧基焊劑材料或松香基焊劑材料。
14.根據權利要求1所述的導電接合材料,其中焊劑材料相對于所述導電接合材料為5 質量％至50質量％。
15.—種導體接合方法，包括將導電接合材料供給至布線襯底的電極、待安裝至所述電極的電子部件的端子、或者所述電極和所述端子二者，所述導電接合材料包含第一金屬顆粒、第二金屬顆粒和第三金屬顆粒，所述第二金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑，所述第三金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑、相對密度大于所述第一金屬顆粒的相對密度并且熔點高于所述第二金屬顆粒的熔點；以及在超過所述第二金屬顆粒的熔點的溫度下，通過加熱所供給的所述導電接合材料來使所述布線襯底和所述電子部件彼此接合。
16.一種半導體器件制造方法，包括接合導體，包括將導電接合材料供給至布線襯底的電極、待安裝至所述電極的電子部件的端子、或者所述電極和所述端子二者，所述導電接合材料包含第一金屬顆粒、第二金屬顆粒和第三金屬顆粒，所述第二金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑，所述第三金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑、相對密度大于所述第一金屬顆粒的相對密度并且熔點高于所述第二金屬顆粒的熔點；以及在超過所述第二金屬顆粒的熔點的溫度下，通過加熱訴供給的所述導電接合材料來使所述布線襯底和所述電子部件彼此接合。
全文摘要
本發明提供導電接合材料、導體接合方法和半導體器件制造方法。一種導電接合材料，包含第一金屬顆粒、第二金屬顆粒和第三金屬顆粒，所述第二金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑，所述第三金屬顆粒的平均顆粒直徑大于所述第一金屬顆粒的平均顆粒直徑、相對密度大于所述第一金屬顆粒的相對密度并且熔點高于所述第二金屬顆粒的熔點。
文檔編號H01L21/60GK103028861SQ20121032084
公開日2013年4月10日 申請日期2012年8月31日 優先權日2011年10月6日
發明者久保田崇, 北嶋雅之, 山上高豐, 石川邦子 申請人:富士通株式會社