含蒽的有機半導體材料及其制備方法和有機電致發光器件的制作方法
【專利摘要】本發明提供了含蒽的有機半導體材料及其制備方法和有機電致發光器件，所述含蒽的有機半導體材料為如下結構式所示的化合物P，其中，R為C1~C6的烷基，通過Suzuki耦合反應制備得到。該材料含有咔唑、蒽和芴平面剛性基團，具有良好的空穴傳輸性能以及較高的熱穩定性，利于延長發光器件的使用壽命。
【專利說明】含蒽的有機半導體材料及其制備方法和有機電致發光器件
【技術領域】
[0001]本發明涉及光電材料領域，特別是涉及一種含蒽的有機半導體材料及其制備方法和有機電致發光器件。
【背景技術】
[0002]隨著信息時代的發展，高效、節能、輕質的有機電致發光平板顯示器(OLEDs)及大面積白光照明越來越受到人們的關注。OLED技術被全球的科學家關注，相關的企業和實驗室都在進行這項技術的研發。作為一種新型的LED技術，具有主動發光且輕、薄、對比度好、能耗低、可制成柔性器件等特點的有機電致發光器件對有機半導體材料提出了較高的要求。
[0003]1987年，美國Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展，而要實現全色顯示及照明等應用目的，發光器件必須具有一定的效率和壽命。目前熱穩定的藍光材料較缺乏，這影響到白光器件的壽命及其發展。
【發明內容】
[0004]為解決上述高熱穩定的有機電致發光藍光材料較缺乏的問題，本發明旨在提供一種含蒽的有機半導體材料，該有機半導體材料具有良好的空穴傳輸性能，同時具有較高的熱穩定性，利于延長發光器件的使用壽命。
[0005]本發明還提供該有機半導體材料的制備方法及含有該有機半導體材料的有機電致發光器件。
[0006]—方面，本發明提供`一種含蒽的有機半導體材料，所述含蒽的有機半導體材料為如下結構式所示的化合物P:
[0007]
【權利要求】
1.一種含蒽的有機半導體材料，其特征在于，該材料為如下結構式所示的化合物P:
2.如權利要求1所述的含蒽的有機半導體材料，其特征在于，所述R為甲基、乙基或叔丁基。
3.一種含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟: 分別提供如下結構式表示的化合物A和化合物B:
4.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述化合物A與化合物B的摩爾比為1:(廣2)。
5.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機鈀催化劑與化合物A的摩爾比為(0.ΟΟ1~Ο.1):1。
6.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機鈀催化劑為四(三苯基膦)鈀、雙(三苯基膦)二氯化鈀或三(二亞芐基丙酮)二鈀中的一種或多種。
7.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述堿性溶液為2mol/L的Cs2CO3溶液、K2CO3溶液或Na2CO3溶液中的一種或多種；所述堿性溶液溶質的摩爾用量為化合物A的摩爾用量的20~25倍。
8.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述有機溶劑為四氫呋喃、乙二醇二甲醚、氯苯或甲苯中的一種或多種。
9.如權利要求3所述的含蒽的有機半導體材料的制備方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反應的反應溫度為70~120°C，反應時間為8~48小時。
10.一種有機電致發光器件，包括陽極、功能層、發光層和陰極，其特征在于，所述發光層的材質為權利要求1或2所述的如下結構式所示的含蒽的有機半導體材料，即化合物P:
【文檔編號】H01L51/54GK103664914SQ201210318649
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月31日 優先權日:2012年8月31日
【發明者】周明杰, 王平, 梁祿生, 馮小明 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司