專利名稱：充分成型的扇出的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)備的板式封裝的領(lǐng)域。背景在工業(yè)中獲得接受的板式封裝的一般實(shí)現(xiàn)是扇出型晶片級封裝(WLP)，其中多個(gè)管芯單元面向下放置在臨時(shí)膠帶載體上。使用壓縮成型工藝用模塑料使多個(gè)管芯單元和臨時(shí)膠帶載體包覆成型。在成型后，去除膠帶載體，讓多個(gè)管芯單元的有源表面暴露在通常稱為重組晶片的結(jié)構(gòu)中。隨后，晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)組合結(jié)構(gòu)在重組晶片的頂部上形成。球柵陣列(BGA)球連接到重組晶片，并且然后重組晶片用鋸分割以形成單獨(dú)的封裝件。附圖簡述在附圖的圖中，作為例子而不是作為限制示出了本公開。
圖1A示出了重組晶片的一個(gè)實(shí)施方式。圖1B-1D根據(jù)實(shí)施方式示出了布置在重組晶片中的多個(gè)封裝件或模塊的俯視圖。圖2是示出了用于制造半導(dǎo)體封裝件的工藝的實(shí)施方式的流程圖。圖3示出了設(shè)備晶片的實(shí)施方式，扇入型RDL結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電接線柱構(gòu)建在所述設(shè)備晶片上。圖4示出了設(shè)備晶片的實(shí)施方式，扇入型RDL結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電接線柱構(gòu)建在所述設(shè)備晶片上。圖5根據(jù)實(shí)施方式示出了安裝在載體元件上的管芯單元。圖6根據(jù)實(shí)施方式示出了包封在模塑料中的管芯單元。圖7根據(jù)實(shí)施方式示出了被包封在模塑料中并貼有錫球的管芯單元。圖8根據(jù)實(shí)施方式示出了被分割的設(shè)備封裝件。圖9示出了球柵陣列(BGA)半導(dǎo)體設(shè)備封裝件的實(shí)施方式。圖10示出了四方扁平無引腳(QFN)半導(dǎo)體設(shè)備封裝件的實(shí)施方式。詳細(xì)描述下面的描述闡述了許多具體細(xì)節(jié)，例如具體的系統(tǒng)、部件、方法等的實(shí)例，以便提供對本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式的好的理解。然而對于本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯，可在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的至少一些實(shí)施方式。在其他實(shí)例中，眾所周知的部件或方法未被詳細(xì)描述或者以簡單的框圖形式出現(xiàn)，以便避免不必要地使本發(fā)明難理解。因此，所闡述的具體細(xì)節(jié)僅是示例性的。具體實(shí)現(xiàn)可從這些示例性細(xì)節(jié)變化且仍然被設(shè)想在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。如本文所用的術(shù)語“在…上方”、“在…之間”和“在…上”是指一層相對于其他層
的相對位置。沉積或布置在另一層上方或下方的一層可直接與該另一層接觸或可具有一個(gè)或多個(gè)中介層。沉積或布置在幾層之間的一層可直接與這幾層接觸或可具有一個(gè)或多個(gè)中介層。相反，在第二層“上”的第一層與該第二層接觸。本文公開的實(shí)施方式包括可應(yīng)用于板式封裝例如扇出型WLCSP的方法和結(jié)構(gòu)。在以下描述中，關(guān)于單個(gè)管芯應(yīng)用描述了具體實(shí)施方式
。本發(fā)明的實(shí)施方式在多管芯模塊或管芯與無源部件(例如，電容器、電感器或電阻器)和/或模塊內(nèi)的其他部件(例如，光學(xué)元件、連接器或其他電子部件)的某種組合中也可能是有用的。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于封裝半導(dǎo)體設(shè)備的方法可包括通過用模塑料包圍管芯單元的所有側(cè)面來將半導(dǎo)體管芯單元包封在模塑料內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施方式中，可包封半導(dǎo)體管芯單元，使得管芯單元的所有六個(gè)側(cè)面被模塑料覆蓋。在一個(gè)實(shí)施方式中，該工藝可包括在管芯單元和載體例如膠帶載體之間產(chǎn)生空隙以允許模塑料流入管芯單元和載體之間的空隙中。在一個(gè)實(shí)施方式中，可通過在管芯單元上構(gòu)建隔板元件然后將管芯單元置于載體上以使隔板將管芯單元與載體表面隔開來產(chǎn)生空隙。在一個(gè)實(shí)施方式中，隔板元件還可用來將管芯單元的一個(gè)或多個(gè)接合焊盤電連接到半導(dǎo)體封裝件的外表面。例如，隔板元件可包括可由被鍍在半導(dǎo)體管芯單元的接合焊盤上的材料例如銅構(gòu)建的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接線柱。在一個(gè)實(shí)施方式中，焊盤在本文可被稱作“接合焊盤”，不論是否有任何電線粘合到所述焊盤上。因此接合焊盤可以是可進(jìn)行電連接以給集成在管芯單元內(nèi)的電路提供信號或接收來自集成在管芯單元內(nèi)的電路的信號的任何點(diǎn)。因此，在一個(gè)實(shí)施方式中，半導(dǎo)體管芯單元可實(shí)質(zhì)上被模塑料包封，使得管芯單元的大部分被模塑料包圍，可能除了任何導(dǎo)電通路例如管芯單元和封裝件外部之間的導(dǎo)電接線柱以外。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)可構(gòu)建在管芯單元上，且隔板元件例如導(dǎo)電接線柱可構(gòu)建在扇入型RDL結(jié)構(gòu)上。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型RDL可用于在X-Y平面中移動(dòng)連接點(diǎn)，使得連接點(diǎn)在X-Y平面中較接近于彼此而間隔開。相反，扇出型RDL可用來在X-Y平面中使連接點(diǎn)移動(dòng)得隔得更遠(yuǎn)。這兩種類型的RDL都可以在遠(yuǎn)離可包括管芯單元的接合焊盤的原始連接點(diǎn)的Z方向上建立新的連接點(diǎn)。在一個(gè)實(shí)施方式中，在切割以將晶片分成單獨(dú)的管芯單元之前，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于原生設(shè)備晶片。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型RDL結(jié)構(gòu)提供了路徑選擇靈活性并減輕了對精確的管芯布置的需要。在一個(gè)實(shí)施方式中，在將管芯單元和任何扇入型RDL結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電接線柱包封在模塑料中之后，扇出型RDL結(jié)構(gòu)可在模塑料的表面上被建造并可與導(dǎo)電接線柱電連接。在一個(gè)實(shí)施方式中，RDL可應(yīng)用于成型晶片，其在單獨(dú)的管芯單元的分割之前可包括被單體模塑料包封的多個(gè)管芯單元。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于制造完全成型的封裝件的工藝被簡化并通過消除可用在其他扇出型WLP工藝中的面板后處理而降低了用于組裝扇出型半導(dǎo)體封裝件的成本。在一個(gè)實(shí)施方式中，完全成型的封裝件在所述封裝件的下表面上在半導(dǎo)體管芯單元的邊緣處沒有形態(tài)不連續(xù)性。這可簡化用于在封裝件的底部上構(gòu)建扇出型RDL結(jié)構(gòu)的工藝。此外，該工藝可減少由模塑料的不均勻分布造成的翹曲效應(yīng)，以便可消除用于控制翹曲的步驟，例如研磨面板的背面。在實(shí)施方式中，可組裝和模塑多個(gè)設(shè)備單元以產(chǎn)生面板或網(wǎng)狀晶片。設(shè)備單元可以是有源設(shè)備單元例如管芯，且還可以是無源設(shè)備單元例如集成無源網(wǎng)絡(luò)或分立的無源設(shè)備單元例如電容器、電阻器或電感器。設(shè)備單元可以被預(yù)封裝，雖然預(yù)封裝不是需要的。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，預(yù)封裝件可包含單個(gè)或多個(gè)設(shè)備單元和其他部件。本文描述的實(shí)施方式可用在任何板式封裝應(yīng)用中，包括單管芯應(yīng)用、多管芯模塊、管芯與模塊內(nèi)的無源部件的某種組合或設(shè)備單元與模塊內(nèi)的另一部件的一種組合。根據(jù)扇出型晶片級封裝(WLP)的一種實(shí)現(xiàn)，多個(gè)管芯單元可面向下布置在臨時(shí)膠帶載體上。然后可使用壓縮成型工藝用環(huán)氧模塑料使載體包覆成型。在成型后，可去除膠帶載體，讓管芯的有源表面暴露。圖LA示出了面板102的實(shí)施方式，面板102包括使用包封材料L06例如環(huán)氧樹脂包覆成型的多個(gè)設(shè)備單元L04。雖然圖1A示出了圓形面板102，可利用可選的面板形式例如矩形或正方形。如圖1A中所示，多個(gè)設(shè)備單元104的有源表面104可實(shí)質(zhì)上與包封材料106齊平。在實(shí)施方式中，面板102可以是在本領(lǐng)域中做為在WLP技術(shù)中形成的重組晶片已知的東西，其中多個(gè)設(shè)備單元面向下布置在臨時(shí)膠帶載體上，然后使用壓縮成型工藝用環(huán)氧模塑料包覆成型，然后去除臨時(shí)膠帶載體，讓多個(gè)管芯單元的有源表面暴露。隨后，可在圖1A所示的結(jié)構(gòu)的頂部上形成組合結(jié)構(gòu)并可分割設(shè)備單元以形成封裝件或模塊。例如，如圖1B所示，面板可被分割成多個(gè)單管芯封裝件150，每個(gè)封裝件包括單個(gè)半導(dǎo)體管芯單元152。參考圖1C，多個(gè)管芯單元152、154可安裝在成型的面板內(nèi)并被分割以形成多管芯封裝件或模塊150。參考圖1D，單個(gè)管芯單元152或多個(gè)管芯單元152、154可安裝在成型的面板內(nèi)(添加無源設(shè)備156 (例如電容器、電感器或電阻器)和/或其他部件158 (例如光學(xué)元件、連接器或其他電子部件))并被分割以形成包括有源設(shè)備和無源設(shè)備和/或其他部件158的封裝件或模塊150。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，設(shè)想了有源設(shè)備和無源設(shè)備與任選地封裝件或模塊內(nèi)的其他部件的多種組合。因此，圖1B-1D中所示的特定結(jié)構(gòu)意指是例證性而非限制性的。該工藝的實(shí)現(xiàn)可導(dǎo)致具有與芯片背面接觸的模塑料的封裝件，但是沒有材料覆蓋芯片的正面。作為結(jié)果，可使用大規(guī)模的后處理來減輕面板翹曲。這可包括在后模具固化期間約束面板，或研磨以在成型后去除芯片背面的模塑料。根據(jù)一種實(shí)現(xiàn)，在首先從面板背面去除模塑料之后，可在面板的背面涂敷層壓的環(huán)氧樹脂膜。以這種方式構(gòu)建的封裝件在芯片的邊緣接觸模塑料的地方也可能具有形態(tài)不連續(xù)性，這可能是由于管芯在成型以及模子溢料期間被壓縮到膠帶中所致。因此，用于構(gòu)建再分布層(RDL)的工藝可能需要設(shè)計(jì)成適應(yīng)這種形態(tài)不連續(xù)性。在一個(gè)實(shí)施方式中，芯片封裝工藝的實(shí)施方式可通過在面板的成型期間同時(shí)包封芯片的所有側(cè)面來處理這些問題，導(dǎo)致在芯片之上和之下的模塑料的相似的厚度。這提供了具有減少的翹曲的平衡結(jié)構(gòu)，使得晶片背面的隨后研磨是不需要的。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可構(gòu)建在原生晶片上，允許更靈活的路徑選擇。在一個(gè)實(shí)施方式中，用于構(gòu)建芯片封裝件的方法可包括構(gòu)建與半導(dǎo)體管芯單元的表面連接的隔板元件，然后將管芯單元置于載體上，使得隔板元件在管芯單元和載體之間產(chǎn)生空隙。在一個(gè)實(shí)施方式中，載體可以是膠帶載體。 在將管芯單元置于載體上以后，可使用壓縮成型工藝來將模塑料引入由隔板元件在管芯單元和載體表面之間產(chǎn)生的空隙中。模塑料可因此包封管芯單元的所有側(cè)面，因?yàn)榇嬖谟糜趯υ诠苄締卧乃袀?cè)面一包括管芯單元面對載體的側(cè)面一上填充的空間。
實(shí)質(zhì)上將管芯單元包封在模塑料內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備封裝制造工藝可進(jìn)一步將管芯單元有源表面處的接合焊盤連接到半導(dǎo)體設(shè)備封裝件外部處的導(dǎo)電材料。例如，隔板元件本身可由導(dǎo)電材料例如銅構(gòu)造，導(dǎo)電材料被電鍍在接合焊盤上或電鍍在與接合焊盤連接的扇出型RDL結(jié)構(gòu)上以產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接線柱。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱可電連接到作為扇出型RDL結(jié)構(gòu)或錫球的一部分的導(dǎo)電材料。圖2根據(jù)實(shí)施方式示出了用于將半導(dǎo)體管芯封裝件包封在模塑料中以產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片封裝件的工藝。在一個(gè)實(shí)施方式中，封裝工藝200可在原生設(shè)備晶片上執(zhí)行，許多半導(dǎo)體設(shè)備在該原生設(shè)備晶片上被構(gòu)造。工藝200開始于塊201。在塊201處，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可貼到原生設(shè)備晶片。例如，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可貼到原生設(shè)備晶片的單獨(dú)的管芯單元。圖3示出了包括多個(gè)管芯單元305A、305B和305C的原生設(shè)備晶片301的實(shí)施方式。扇入型RDL 302可用來將管芯單元305A的接合焊盤304A電耦合到待電鍍到扇入型RDL 302上的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電接線柱303。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可包括多個(gè)層，可選地，該結(jié)構(gòu)可包括單個(gè)層。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可包括一層聚合物306 ;可選地，聚合物306可從某些實(shí)施方式省略。從塊201，工藝200在塊203繼續(xù)。在塊203處，在根據(jù)塊201構(gòu)建的任何扇入型RDL結(jié)構(gòu)302上方構(gòu)建了一個(gè)或多個(gè)隔板元件303?？蛇x地，如果扇入型RDL結(jié)構(gòu)302被省略，則隔板元件303可直接構(gòu)建在半導(dǎo)體管芯單元的接合焊盤例如接合焊盤304A上。在任一情況中，隔板元件可包括可直接地或通過扇入型RDL302與管芯單元305的接合焊盤電連接的導(dǎo)電接線柱303。在一個(gè)實(shí)施方式中，隔板元件303被設(shè)計(jì)成維持管芯單元與支撐所述管芯單元的載體表面之間的空隙。在一個(gè)實(shí)施方式中，隔板元件303是被設(shè)計(jì)成當(dāng)完成時(shí)將管芯單元305A的接合焊盤304A連接到半導(dǎo)體設(shè)備封裝件的外表面處的導(dǎo)電材料的導(dǎo)電接線柱。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過將銅電鍍在之前構(gòu)建的扇入型RDL跡線302上方至少50微米高的高度，來構(gòu)建用作隔板元件且用于與接合焊盤電連接的導(dǎo)電接線柱303。從塊203，工藝200在塊205繼續(xù)。在塊205處，原生設(shè)備晶片在包封到模塑料中之前被薄化并被切割成單獨(dú)的管芯單元。因此，每個(gè)管芯單元與組成晶片的每個(gè)其他設(shè)備單元隔開。圖4根據(jù)實(shí)施方式示出了已變薄至其最終厚度的設(shè)備晶片301和與其他管芯單元305A和305B隔開的管芯單元305C。從塊205，工藝200在塊207繼續(xù)。圖5根據(jù)實(shí)施方式示出了置于載體501上的管芯單元305C、305B和305A。在塊207處，可使用犧牲性雙面泡棉膠帶502將半導(dǎo)體管芯單元305C、305B和305A布置在載體501上，有源側(cè)面向下(接合焊盤面向下)。在一個(gè)實(shí)施方式中，之前構(gòu)建的隔板元件303可產(chǎn)生將半導(dǎo)體管芯單元305A與載體501和泡棉膠帶502分開的空隙503。在一個(gè)實(shí)施方式中，隔板元件303包括與管芯單元305A的至少一個(gè)接合焊盤電連接的至少一個(gè)導(dǎo)電接線柱。從塊207，工藝200在塊209繼續(xù)。圖6根據(jù)實(shí)施方式示出了安裝了管芯單元305C、305B和350A的載體501，其中管芯單元305C-A被模塑料502包封。在工藝200的塊209處，可執(zhí)行成型工藝以將管芯單元包封在膜塑料601內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施方式中，成型工藝是使模塑料被引入到由隔板元件303產(chǎn)生的空隙503中的壓縮成型工藝。在一個(gè)實(shí)施方式中，管芯單元305A實(shí)質(zhì)上被模塑料包封，以使模塑料存在于管芯單元的每一個(gè)側(cè)面上。在一個(gè)實(shí)施方式中，連續(xù)的單體管芯化合物601可包圍管芯單元305A。在一個(gè)實(shí)施方式中，通過壓縮成型工藝涂敷的模塑料601可分布模塑料，使得半導(dǎo)體管芯單元305A的頂部上的模塑料厚度小于在管芯單元305A的底部有源側(cè)面下存在的模塑料厚度的三倍。從塊209，工藝200在塊211繼續(xù)。在塊211處，從載體中取出成型面板。從塊211，工藝200在塊213繼續(xù)。在塊213處，可從成型面板的有源表面去除材料以暴露導(dǎo)電接線柱。例如，可對成型面板清潔或拋光以暴露成型面板表面處的接線柱。該工藝可去除可能散布在導(dǎo)電接線柱和泡棉膠帶之間的任何模塑料。從塊213，工藝在塊215繼續(xù)。圖7根據(jù)實(shí)施方式示出了具有扇出型RDL結(jié)構(gòu)702和錫球701的、包括管芯單元305A、305B和305C的成型面板700。在塊215處，扇出型再分布層(RDL)702可構(gòu)建在成型面板700的有源表面上，且可與在塊213暴露的導(dǎo)電接線柱303電連接。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇出型RDL結(jié)構(gòu)702可包括多個(gè)層；可選地，該結(jié)構(gòu)可包括單個(gè)層。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇出型RDL結(jié)構(gòu)702可包括一層聚合物703 ;可選地，聚合物703可從某些實(shí)施方式省略。從塊215，工藝200在塊217繼續(xù)。在塊217處，錫球701可貼到扇出型RDL結(jié)構(gòu)702。在可省略扇出型RDL結(jié)構(gòu)702的可選的實(shí)施方式中，錫球701可直接貼到在塊213暴露的導(dǎo)電接線柱303。當(dāng)正被制造的設(shè)備封裝件是球柵陣列(BGA)封裝件時(shí)，可使用錫球701的這種貼附。從塊217，工藝200在塊219繼續(xù)。在塊219處，可將成型面板分割成單獨(dú)的設(shè)備封裝件。圖8根據(jù)實(shí)施方式示出了已被分割成多個(gè)設(shè)備封裝件801A、801B和801C的成型面板800的一個(gè)實(shí)施方式。在一個(gè)實(shí)施方式中，可使用鋸來切割成型面板，將每個(gè)包封的管芯單元與面板中每個(gè)其他的包封管芯單元分開。圖9根據(jù)實(shí)施方式示出了半導(dǎo)體設(shè)備封裝件900。在一個(gè)實(shí)施方式中，可根據(jù)如圖2中所示的工藝200制造封裝件900。在一個(gè)實(shí)施方式中，封裝件900包括半導(dǎo)體管芯單元901和與管芯單元901的接合焊盤903電耦合的多個(gè)導(dǎo)電接線柱902。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱902可通過扇入型RDL結(jié)構(gòu)905電連接到焊盤903，所述扇入型RDL結(jié)構(gòu)可包括支撐RDL結(jié)構(gòu)905的跡線的聚合物層908。封裝件的外部由實(shí)質(zhì)上包圍半導(dǎo)體管芯單元901的所有側(cè)面的模塑料904形成。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱902可與暴露在模塑料904外部的導(dǎo)電材料電耦合。如圖9中所示，暴露在模塑料904外部的導(dǎo)電材料可以是錫球907，其中設(shè)備封裝件900是BGA封裝件。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱902可通過扇出型RDL結(jié)構(gòu)906與錫球907電連接。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇出型RDL結(jié)構(gòu)906可包括聚合物層909以支撐導(dǎo)電接線柱902和錫球907所連接到的扇出型RDL結(jié)構(gòu)906的導(dǎo)電跡線。圖10根據(jù)實(shí)施方式示出了具有連接盤柵格陣列的包封的四方扁平無引腳(QFN)封裝件1000。在一個(gè)實(shí)施方式中，封裝件1000包括半導(dǎo)體管芯單元1001和與管芯單元1001的接合焊盤1003電耦合的多個(gè)導(dǎo)電接線柱1002。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱1002可通過扇入型RDL結(jié)構(gòu)1005電連接到接合焊盤1003，扇入型RDL結(jié)構(gòu)可包括支撐RDL結(jié)構(gòu)1005的跡線的聚合物層1008。封裝件的外部由實(shí)質(zhì)上包圍半導(dǎo)體管芯單元1001的所有側(cè)面的模塑料1004形成。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱1002與在模塑料1004表面處或外部暴露的導(dǎo)電材料電耦合。如圖10中所示，在模塑料1004外部暴露的導(dǎo)電材料可以是QFN設(shè)備封裝件1000的連接盤1007。在一個(gè)實(shí)施方式中，導(dǎo)電接線柱1002可通過扇出型RDL結(jié)構(gòu)1006與連接盤1007電連接。在一個(gè)實(shí)施方式中，扇出型RDL結(jié)構(gòu)1006可包括聚合物層1009以支撐導(dǎo)電接線柱1002和連接盤1007所連接到的扇出型RDL結(jié)構(gòu)1006的導(dǎo)電跡線。本文描述的本發(fā)明的實(shí)施方式包括多種操作。這些操作可由硬件部件、軟件、固件或其組合執(zhí)行。如本文所使用的，術(shù)語“耦合到”可以指直接地或通過一個(gè)或多個(gè)中介部件間接耦合。通過本文所述的多種總線提供的任何信號可與其他信號一起被時(shí)分多路傳輸并通過一個(gè)或多個(gè)常用總線來提供。另外，電路部件或塊之間的相互連接可顯示為總線或單個(gè)信號線。每個(gè)總線可以可選地是一條或多條單獨(dú)的信號線，且每個(gè)單獨(dú)的信號線可以可選地是總線。某些實(shí)施方式可以被實(shí)現(xiàn)為可包括存儲在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的指令的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。這些指令可用來對通用或?qū)Ｓ锰幚砥骶幊桃詧?zhí)行所述操作。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)包括用于存儲或傳送以機(jī)器(例如計(jì)算機(jī))可讀的形式(例如，軟件、處理應(yīng)用)的信息的任何機(jī)制。計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)可包括但不限于磁存儲介質(zhì)(例如，軟盤)；光學(xué)存儲介質(zhì)(例如，CD-ROM);磁-光存儲介質(zhì)；只讀存儲器(ROM);隨機(jī)存取存儲器(RAM);可擦可編程存儲器(例如，EPROM和EEPR0M);閃存或適合于存儲電子指令的另一類型的介質(zhì)。另外，一些實(shí)施方式可在分布式計(jì)算環(huán)境中實(shí)踐，其中計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)儲存在一個(gè)以上的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中和/或由一個(gè)以上的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。另外，在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)之間傳輸?shù)男畔⒖纱┻^連接計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的傳輸介質(zhì)被拉出或推出。盡管本文以特定的順序示出并描述了方法的操作，每個(gè)方法的操作順序可改變，使得某些操作可按相反的順序執(zhí)行或使得某個(gè)操作可至少部分地與其他操作同時(shí)執(zhí)行。在另一個(gè)實(shí)施方式中，不同操作的指令或子操作可以用間歇和/或交替的方式。在前述說明書中，本發(fā)明已參考其具體示例性的實(shí)施方式被描述。然而，顯然，可對其進(jìn)行各種修改和改變而不偏離如所附權(quán)利要求書中闡述的本發(fā)明的更廣的精神和范圍。因此應(yīng)在例證性意義而非限制性意義上考慮說明書和附圖。
權(quán)利要求
1.一種方法，包括: 構(gòu)建與半導(dǎo)體管芯單元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半導(dǎo)體管芯單元和載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及 將所述半導(dǎo)體管芯單元包封在模塑料內(nèi)，其中所述包封包括將所述模塑料引入所述空隙中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在將所述模塑料引入所述空隙中之前將所述隔板元件附接到所述載體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在包封所述半導(dǎo)體管芯單元之前，使半導(dǎo)體晶片變薄，所述半導(dǎo)體管芯單元構(gòu)建在所述半導(dǎo)體晶片上；以及 切割所述半導(dǎo)體晶片以將所述半導(dǎo)體管芯單元與多個(gè)其他半導(dǎo)體管芯單元分隔開。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體管芯包封在所述模塑料內(nèi)還包括執(zhí)行壓縮成型工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述半導(dǎo)體管芯單元的頂部上的所述模塑料的第一厚度小于在所述半導(dǎo)體管芯單元的底部下面的所述模塑料的第二厚度的三倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述隔板元件包括與所述半導(dǎo)體管芯單元的至少一個(gè)接合焊盤電耦合的至少一個(gè)導(dǎo)電接線柱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在所述模塑料的外表面處暴露所述至少一個(gè)導(dǎo)電接線柱。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體管芯單元包封在所述模塑料中之前構(gòu)建與所述半導(dǎo)體管芯單元的多個(gè)接合焊盤電耦合的扇入型再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)，其中所述至少一個(gè)導(dǎo)電接線柱被電鍍到所述扇入型RDL結(jié)構(gòu)上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在所述模塑料的表面上構(gòu)建扇出型再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)，其中所述扇出型RDL與所述至少一個(gè)導(dǎo)電接線柱電耦合。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括將多個(gè)錫球貼到所述扇出型RDL結(jié)構(gòu)以產(chǎn)生球柵陣列(BGA)封裝件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體管芯單元包封在所述模塑料中后，將所包封的半導(dǎo)體管芯單元與多個(gè)其他包封的半導(dǎo)體管芯單元分隔開。
12.—種半導(dǎo)體設(shè)備封裝件，包括: 半導(dǎo)體管芯單元； 多個(gè)導(dǎo)電接線柱，其與所述半導(dǎo)體管芯單元的有源表面上的一個(gè)或多個(gè)接合焊盤電耦合；以及 模塑料，其實(shí)質(zhì)上覆蓋所述半導(dǎo)體管芯單元的有源表面，其中所述導(dǎo)電接線柱通過再分布層(RDL)與在所述模塑料外部暴露的導(dǎo)電材料電耦合。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝件，其中所述再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)是扇出型RDL并與所述多個(gè)導(dǎo)電接線柱電耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝件，其中在所述模塑料外部暴露的所述導(dǎo)電材料包括與所述扇出型RDL結(jié)構(gòu)電耦合的多個(gè)錫球，其中所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝件是球柵陣列(BGA)封裝件。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝件，還包括將一個(gè)或多個(gè)接合焊盤連接到所述多個(gè)導(dǎo)電接線柱的扇入型再分布層(RDL)。
16.—種方法,包括: 通過將半導(dǎo)體管芯單元實(shí)質(zhì)上包封在模塑料內(nèi)來構(gòu)建半導(dǎo)體設(shè)備封裝件；以及構(gòu)建將所述半導(dǎo)體管芯單元的接合焊盤電連接到所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝件的外表面處的導(dǎo)電材料的再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體管芯單元包封在所述模塑料內(nèi)包括: 在所述半導(dǎo)體管芯單元和支撐所述半導(dǎo)體管芯單元的載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及 用所述模塑料填充所述空隙。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括: 構(gòu)建與所述半導(dǎo)體管芯單元的所述接合焊盤電耦合的多個(gè)導(dǎo)電接線柱； 將所述導(dǎo)電接線柱附接到載體的表面，其中所述多個(gè)導(dǎo)電接線柱被配置成維持所述半導(dǎo)體管芯單元和所述載體的所述表面之間的空隙。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在所述半導(dǎo)體管芯單元的表面上構(gòu)建扇入型再分布層(RDL)結(jié)構(gòu)，其中所述扇入型RDL被配置成將所述接合焊盤與所述多個(gè)導(dǎo)電接線柱電I禹合。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還 包括在將所述半導(dǎo)體管芯單元實(shí)質(zhì)上包封在所述模塑料中后，將所述RDL結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)導(dǎo)電接線柱電耦合，其中所述RDL結(jié)構(gòu)是扇出型RDL結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及充分成型的扇出。一種用于制造設(shè)備封裝件的方法可包括構(gòu)建與半導(dǎo)體管芯單元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半導(dǎo)體管芯單元和載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及將所述半導(dǎo)體管芯單元包封在模塑料內(nèi)，其中所述包封包括將所述模塑料引入所述空隙中。
文檔編號H01L21/56GK103187322SQ20121031179
公開日2013年7月3日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月30日
發(fā)明者克里斯多佛·斯坎倫 申請人:賽普拉斯半導(dǎo)體公司