專利名稱：一種陣列基板十字線修復方法、陣列基板和液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示屏的制備工藝領域，特別涉及一種陣列基板十字線修復方法、陣列基板和液晶顯示器。
背景技術：
薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)通常是指用半導體薄膜材料制成的絕緣柵場效應晶體管。這種器件通常由半導體薄膜和與其一側表面相接觸的絕緣層組成，具有柵電極，源電極和漏電極。TFT被設置在陣列Array基板上,Array基板如圖I所示,包括一作為基材的支撐基板21，基板21上設置有的導電性柵極26、源極22和漏極23、電絕緣柵極介電層25和半導電層24組成，電絕緣柵極介電層25將柵極26，與源極22和漏極23分害I]，半導電層24與電絕緣柵極介電層26接觸，并與源極22和漏極23相連通，源極22和漏 極23上設有保護層27，保護層27上設有像素電極28，漏極23通過過孔與像素電極28電連接。TFT液晶顯示器Array基板在生產過程種由于設備或者環境的影響會發生鍍膜或者刻蝕不良，導致數據Data線路和柵極Gate線路交叉的地方短路，然后產生十字線不良，造成該產品報廢從而影響了成品的良率和成本。由此可見現有技術中存在如下問題陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，會導致陣列基板報廢的問題。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術中存在的，陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，會導致陣列基板報廢的問題，提供一種陣列基板十字線修復方法、陣列基板和液晶顯不器。本發明實施例提供一種陣列基板十字線修復方法，用于修復陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，基板上的數據線和柵極線，分別和陣列基板上的薄膜晶體管的源極和柵極電連接，薄膜晶體管的漏極和像素電極電連接，包括分別在短路的數據線兩邊，切斷短路的柵極線；切斷第一薄膜晶體管源極與數據線的電連接，以及第二薄膜晶體管源極與數據線的電連接，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路的數據線的兩邊，且各自柵極與短路的柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個切斷點兩側；將第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的漏極電連接，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。進一步，第一薄膜晶體管和/或第二薄膜晶體管，為緊鄰短路數據線的薄膜晶體管。進一步，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。
進一步，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極具體為將與第一薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，將與第二薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接；在短路數據線兩邊，分別切斷與像素電極電連接的公共金屬線，公共金屬線的兩個電連接點位于，公共金屬線的兩個切斷點之間。進一步，公共金屬線的兩個切斷點位于短路數據線與短路數據線緊鄰的數據線之間。進一步，電連接為激光焊接，切斷為激光切割。
本發明實施例還提供一種陣列基板，陣列基板上的數據線和柵極線短路產生十字線，在短路的數據線兩邊，短路的柵極斷路，第一薄膜晶體管源極與數據線斷路，以及第二薄膜晶體管源極與數據線斷路，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路數據線的兩邊，且各自柵極與短路的柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個斷路點兩側，第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。進一步，第一薄膜晶體管和/或第二薄膜晶體管，為緊鄰短路數據線的薄膜晶體管。進一步，與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。進一步，與第一薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，在短路數據線兩邊，與像素電極電連接的公共金屬線斷路，公共金屬線的兩個電連接點位于，公共金屬線的兩個斷路點之間。進一步，公共金屬線的兩個切斷點位于短路數據線與短路數據線緊鄰的數據線之間。本發明實施例還提供一種液晶顯示器，液晶顯示器的本體上設置有如前述的陣列基板。由于當發生不良后首先用切斷柵極線和數據線短路位置，然后再根據像素電極構造出新的通路導通柵極線，實現十字線修復。
圖I表示現有技術中的陣列基板結構圖；圖2表示本發明實施例提供的陣列基板十字線修復方法流程圖；圖3表示本發明實施例提供的陣列基板結構圖。
具體實施例方式下面結合實施例和附圖對本發明進行說明，為了解決現有技術中的陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，會導致陣列基板報廢的問題，本發明實施例提供一種陣列基板十字線修復方法，用于修復陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，基板上的數據線和柵極線，分別和陣列基板上的薄膜晶體管的源極22和柵極26電連接，薄膜晶體管的漏極23和像素電極28電連接，如圖2所示，包括如下步驟步驟101、分別在短路的數據線兩邊，切斷與該數據線短路相接的柵極線。如圖3所示陣列基板的位置I處，陣列基板上的Data線12(即數據線)和Gate線13 (即柵線)因短路產生十字線，接下來對短路的數據線12兩邊的兩個位置2，3進行激光切割(Laser Cut),使得Gate線13上的兩個位置2, 3之間的部分與該Gate線13斷開，以達到Data線12和Gate線13短路處隔離，同時又保證Data線12的完整。本實施例中以激光切割(Laser Cut)作為切斷各種數據連接線路的優選方案，僅以此為優選方案進行說明。類似的以激光焊接作為進行電連接的優選方案。本實施例中，激光切割的兩個位置2，3可以是緊鄰短路的Data線12，也可以是其中的一個位置緊鄰短路的Data線12或兩個位置都不緊鄰短路的Data線12，例如位置2位于短路的Data線12左側的Data線的左側，只要保證位置2，3在短路的Data線12兩邊就可以。 步驟102、切斷第一薄膜晶體管源極與數據線的電連接，以及第二薄膜晶體管源極與數據線的電連接，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路的數據線的兩邊，且各自柵極與短路的柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個切斷點兩側。對兩個TFT位置4，5的源極進行激光切割，切斷Data層TFT的源極金屬線路，以達到Data線和構造修補線路所需利用的像素電極隔離的效果。本實施例中，第一薄膜晶體管的源極進行激光切割的位置4，第二薄膜晶體管的源極進行激光切割的位置5，需要分別位于短路的Data線12的兩邊，第一薄膜晶體管柵極的位置為位置6，與短路的Gate線13在位置6具有電連接點，第二薄膜晶體管柵極的位置為位置7，與短路的Gate線13在位置7具有電連接點，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可以是緊鄰短路的Data線12的薄膜晶體管，也可以不是緊鄰短路Data線12的薄膜晶體管，例如第一薄膜晶體管右側緊鄰短路Data線12左側第一條數據線。有一個原則是位置2，3要位于位置6，7電連接點之間，即位 置6電連接點要在位置3的左面，位置7電連接點要在位置2的右面，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極需連接同一 Gate線即短路的Gate線13。步驟103、將第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的漏極電連接，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。對兩個位置8，11進行激光切割，切斷Data層公共COM金屬線14，以達到構造修補線路所需利用的COM金屬線隔離的效果，從而截取一段COM金屬線做為修補線路。分別對四個位置6，7，9，10進行激光焊接，分別連接TFT Gate柵極層金屬和漏極Drain層金屬(即漏極)，即在第一薄膜晶體管柵極的位置6電連接點進行激光焊接，連接第一薄膜晶體管位置6處漏極Drain層金屬，第二薄膜晶體管柵極的位置7電連接點進行激光焊接，連接第二薄膜晶體管位置7處漏極Drain層金屬。以及連接COM金屬線和ITO層金屬，位置10是第一薄膜晶體管的漏極電連接的ITO層金屬14與COM電極15交互的位置，位置9是在第二薄膜晶體管的漏極電連接的ITO層金屬16與COM電極15交互的位置。以達到通過激光熔接技術形成如下通路由Gate線13到ITO層金屬14 (即像素電極)到截取的COM線路15再到ITO層金屬16到Gate線13。通過該通路可使在第101步中被切斷Gate線路重新導通，從而達到了將十字線修復的效果。如上所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管，可以是緊鄰短路數據線的薄膜晶體管，也可以不是緊鄰短路數據線的薄膜晶體管，兩個位置9，10應位于兩個位置8，11之間，這樣可以保證利用COM層金屬進行修復的同時，不對COM線路產生影響。除了利用COM層金屬進行修復之外，也可以采用其它的金屬層進行修復，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的ITO層金屬，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的ITO層 金屬。本發明實施例還提供一種陣列基板，陣列基板通過前述的修復方法制備而成，陣列基板上的Data線12和Gate線13短路產生十字線，在短路的數據線12兩邊，短路的Gate線13斷路，第一薄膜晶體管源極與數據線斷路，以及第二薄膜晶體管源極與數據線斷路，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路Data線12的兩邊，且各自柵極與短路的Gate線13的電連接點，位于Gate線的兩個斷路點兩側，第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的漏極電連接，與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極14，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極16。具體而言，第一薄膜晶體管和/或第二薄膜晶體管，可以為緊鄰短路Data線的薄膜晶體管，也可以為沒有緊鄰短路Data線的薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的柵極連接同一 Gate線即短路的Gate線13。與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極14，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極16。實現時可以是，與第一薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極14，與公共金屬線15電連接，與第二薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極16，也與公共金屬線15電連接，這樣像素電極14和像素電極16實現了電連接，在短路Data線兩邊，與像素電極電連接的公共金屬線15斷路，公共金屬線15的兩個電連接點9、10位于，公共金屬線15的兩個斷路點8、15之間。公共金屬線的兩個切斷點8、15位于短路Data線與短路Data線緊鄰的數據線之間。本發明實施例還提供一種液晶顯示器，液晶顯示器的本體上設置有如前述的陣列基板。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其進行限制，盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修改后的技術方案脫離本發明技術方案的精神和范圍。
權利要求
1.一種陣列基板十字線修復方法，用于修復陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，基板上的數據線和柵極線，分別和陣列基板上的薄膜晶體管的源極和柵極電連接，薄膜晶體管的漏極和像素電極電連接，其特征在于，包括 分別在短路的數據線兩邊，切斷短路的柵極線； 切斷第一薄膜晶體管源極與數據線的電連接，以及第二薄膜晶體管源極與數據線的電連接，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路的數據線的兩邊，且各自柵極與短路的柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個切斷點兩側； 將第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的漏極電連接，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。
2.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，第一薄膜晶體管和/或第二薄膜晶體管，為緊鄰短路數據線的薄膜晶體管。
3.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，將與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極具體為 將與第一薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，將與第二薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接； 在短路數據線兩邊，分別切斷與像素電極電連接的公共金屬線，公共金屬線的兩個電連接點位于，公共金屬線的兩個切斷點之間。
5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，公共金屬線的兩個切斷點位于短路數據線與短路數據線緊鄰的數據線之間。
6.根據權利要求I所述的方法，其特征在于，電連接為激光焊接，切斷為激光切割。
7.—種陣列基板，其特征在于，陣列基板上的數據線和柵極線短路產生十字線，其特征在于，在短路的數據線兩邊，短路的柵極斷路， 第一薄膜晶體管源極與數據線斷路，以及第二薄膜晶體管源極與數據線斷路，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管分別位于短路數據線的兩邊，且各自柵極與短路的柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個斷路點兩側，第一薄膜晶體管的柵極和第一薄膜晶體管的漏極電連接，第二薄膜晶體管的柵極和第二薄膜晶體管的漏極電連接，與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，電連接到與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。
8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，第一薄膜晶體管和/或第二薄膜晶體管，為緊鄰短路數據線的薄膜晶體管。
9.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，與第一薄膜晶體管漏極電連接的像素電極，通過公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管漏極電連接的像素電極。
10.根據權利要求9所述的陣列基板，其特征在于，與第一薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，與第二薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極，與公共金屬線電連接，在短路數據線兩邊，與像素電極電連接的公共金屬線斷路，公共金屬線的兩個電連接點位于，公共金屬線的兩個斷路點之間。
11.根據權利要求10所述的陣列基板，其特征在于，公共金屬線的兩個切斷點位于短路數據線與短路數據線緊鄰的數據線之間。
12.一種液晶顯示器，其特征在于，液晶顯示器的本體上設置有如權利要求7-11所述的陣列基板。·
全文摘要
本發明提供一種陣列基板十字線修復方法、陣列基板和液晶顯示器，涉及液晶顯示屏的制備工藝領域，以解決現有技術中存在的，陣列基板上的數據線和柵極線因短路所產生的十字線，導致陣列基板報廢的問題，該方法分別在短路的數據線兩邊，切斷短路的柵極線，切斷第一第二薄膜晶體管源極與數據線的連接，第一第二薄膜晶體管分別位于短路數據線兩邊，且各自柵極與柵極線的電連接點，位于柵極線的兩個切斷點兩側，將第一第二薄膜晶體管的柵極分別和各自的漏極電連接，將與兩個漏極電連接的像素電極進行電連接，由于當發生不良后首先用切斷柵極線和數據線短路位置，然后再根據像素電極構造出新的通路導通柵極線，實現十字線修復。
文檔編號H01L21/77GK102798999SQ20121028104
公開日2012年11月28日 申請日期2012年8月8日 優先權日2012年8月8日
發明者劉超, 張玉軍, 趙德江, 楊維 申請人:京東方科技集團股份有限公司