專利名稱：一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及薄膜晶體管液晶顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。
背景技術：
在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,簡稱TFT-IXD)具有體積小、功耗低、制造成本相對較低和無福射等特點，在當前的平板顯示器市場占據了主導地位。目前，TFT-LCD的顯示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉換)模式和AD-SDS (ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉換技術,簡稱ADS)模式等。其中，基于ADS模式的顯示器通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高TFT-IXD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優點。如圖I所示，以現有的ADS模式的TFT-IXD陣列基板為例，其結構包括玻璃基板10、依次形成于玻璃基板10之上的柵線層(包括柵極11 )，柵極絕緣層12，有源層13，數據線層(包括源極14、漏極15)，第一鈍化層16，像素電極17 (即板狀電極)，第二鈍化層18和公共電極19 (即狹縫電極)，其中，像素電極17穿過第一鈍化層16上的過孔21與漏極15連接。在現有技術中，形成第一鈍化層上的過孔通常包括如下步驟在第一鈍化層上涂覆光刻膠；對涂覆光刻膠后的基板進行曝光、顯影，去除過孔位置的光刻膠(過孔位置以外的光刻膠形成刻蝕保護掩模)；對過孔位置進行刻蝕，形成過孔；對基板上殘留的光刻膠進行剝離。現有技術存在的缺陷在于，由于第一鈍化層的厚度較薄(通常在f 3微米之間)，圖中的厚度僅是為了方便作圖，示意性的厚度，在對過孔位置進行刻蝕時，生產工藝較難控制，極易刻蝕掉過孔下方的部分或全部金屬，造成過度刻蝕，最終導致產品缺陷。
發明內容
本發明的目的是提供一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，用以解決現有技術中存在的過孔刻蝕工藝較難控制，易造成過度刻蝕，導致產品缺陷的技術問題。本發明陣列基板，包括包含多條數據線的數據線層，位于所述數據線層之上、包含多個導電阻擋部的導電阻擋層，位于所述導電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導電層，其中，在每一條數據線的上方所述鈍化層上設置有過孔；
所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸；
所述透明導電層通過過孔與對應的導電阻擋部連接。本發明顯示裝置，包括前述技術方案所述的陣列基板。本發明陣列基板的制造方法，包括形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，所述導電阻擋層包含位于每一條數據線之上的導電阻擋部；形成位于導電阻擋層之上的鈍化層，并通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔；形成位于鈍化層之上的透明導電層，所述透明導電層通過所述過孔與對應的導電阻擋部連接。在本發明陣列基板中，由于所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸，因此，當對鈍化層進行刻蝕形成過孔時，導電阻擋部可有效保護數據線層金屬不被刻蝕掉，大大提聞了廣品的合格率。
圖I為現有ADS模式的TFT-IXD陣列基板結構示意圖；圖2為本發明陣列基板第一實施例結構示意圖；圖3為本發明陣列基板第二實施例結構示意圖；圖4為本發明陣列基板的制造方法流程示意圖。附圖標記10-玻璃基板11-柵極12-柵極絕緣層13-有源層14-源極15-漏極16-第一鈍化層17-像素電極18-第二鈍化層19-公共電極20-透明基板30-導電阻擋部21-過孔22-數據線23-鈍化層24-透明導電層25-第二透明導電層
具體實施例方式為了解決現有技術中存在的過孔刻蝕工藝較難控制，易造成過度刻蝕，導致產品缺陷的技術問題，本發明提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法。如圖2所示，本發明陣列基板，包括包含多條數據線22的數據線層，位于所述數據線層之上、包含多個導電阻擋部30的導電阻擋層，位于所述導電阻擋層之上的鈍化層23，以及位于所述鈍化層23之上的透明導電層24，其中，在每一條數據線22的上方所述鈍化層23上設置有過孔21 ；所述導電阻擋部30位于過孔21下方，并與對應的數據線22接觸；所述透明導電層24通過過孔21 (即部分沉積入過孔21)與對應的導電阻擋部30連接。 在本發明實施例中，所述數據線層指多條數據線構成的層結構，在陣列基板的每一個像素單元內，所述數據線22包括源極14和漏極15，即數據線22和源極14和漏極15為一體結構。數據線層的材質可以為鋁釹合金(AINd)、鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢合金(Moff)或鉻(Cr)的單層膜，也可以為這些金屬材料任意組合所構成的復合膜。所述陣列基板包括透明基板20，在透明基板20之上，可進一步包括柵線層、柵極絕緣層12、有源層13等。所述陣列基板可以為頂柵型，也可以為底柵型，如圖2所示的底柵型陣列基板，其結構具體為柵線層(柵線層的柵線在每一個像素單元內包括柵極11)形成于透明基板20之上，柵極絕緣層12形成于柵線層之上，有源層13形成于柵極絕緣層12之上，數據線層形成于有源層13之上，導電阻擋層形成于數據線層之上(具體的，導電阻擋部30形成于漏極15之上)，鈍化層23覆蓋整個基板并在導電阻擋部30的上方形成有過孔21，透明導電層24部分沉積入過孔21與導電阻擋部30連接，進而與漏極15可導電連接。本發明所述過孔并不局限于圖2所示的位置，在基板周邊的信號引導區，同樣需要在鈍化層上刻蝕過孔，此時，位于該區域的導電阻擋部可有效保護數據線金屬不被刻蝕掉。本發明所述陣列基板可以為TN模式、VA模式、IPS模式或ADS模式等。請繼續參照圖2所示，ADS模式的陣列基板還進一步包括形成于透明導電層24上的第二鈍化層18(此時本發明所述鈍化層23為第一鈍化層)，及形成于第二鈍化層18上的狹縫狀的第二透明導電層25 (此時本發明所述透明導電層24為第一透明導電層);其中，第一透明導電層可以為像素電極，則第二透明導電層為公共電極；還可以是，第一透明導電層為公共電極，則第二透明導電層為像素電極。在本發明陣列基板中，由于所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸，因此，當對鈍化層進行刻蝕形成過孔時，導電阻擋部可有效保護數據線層金屬不被刻蝕掉，大大提聞了廣品的合格率。優選的，所述鈍化層23材質為非感光型樹脂。與感光型樹脂相比，非感光型樹脂具有如下優點非感光型樹脂材料的介電常數約為3.0，低于感光型樹脂材料的介電常數(約為4. 0);非感光型樹脂材料的透過率接近100%，遠高于感光型樹脂材料的透過率(約為93%);非感光型樹脂材料的固化溫度更高，約為400度，且氣體逸出幾乎為零，而感光型樹脂材料的固化溫度只能在230度左右，在后續生產工藝過程中，容易產生氣體逸出，影響產品品質。所述導電阻擋部30優選與透明導電層24采用同一材質，如具體可以為氧化銦錫，氧化銦錫具有良好的透過率和導電性能，并且，在陣列基板加工過程中，在對鈍化層的過孔位置進行干法刻蝕時，氧化銦錫不易與刻蝕氣體發生反應，可有效保護數據線金屬不被刻蝕掉。優選在每一條數據線22的上方，所述導電阻擋部30覆蓋對應的數據線22。如圖2所示的實施例，所述導電阻擋部30覆蓋所述數據線22，即導電阻擋部30的圖案與數據線22的圖案完全重疊，此結構的陣列基板在加工時，在依次沉積數據線層金屬和導電阻擋層金屬之后，只需經一次掩模構圖工藝即可形成數據線層22和導電阻擋層30，因此，這也是本發明的較佳實施例；如圖3所示，本發明另外的實施例還可以是，所述導電阻擋部30只設置在數據線22之上與過孔21對應的位置，此外，導電阻擋部也可以覆蓋對應的整個漏極，這些結構的陣列基板在加工時則需要經兩次掩模構圖工藝形成數據線層22和導電阻擋層30。本發明實施例還提供了一種顯示裝置，其包括上述任意一種陣列基板，所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或部件。如圖4所示，本發明陣列基板的制造方法，包括步驟101、形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，所述導電阻擋層包含位于每一條數據線之上的導電阻擋部； 步驟102、形成位于導電阻擋層之上的鈍化層，并通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔；步驟103、形成位于鈍化層之上的透明導電層，所述透明導電層通過所述過孔與對應的導電阻擋部連接。優選的，所述鈍化層材質為非感光型樹脂；所述導電阻擋部與透明導電層材質相同。優選的，所述導電阻擋部材質為氧化銦錫。作為本發明陣列基板制造方法的較佳實施例，所述形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，包括依次在基板上沉積數據線層金屬和導電阻擋層金屬，通過一次掩模構圖工藝形成多條數據線及覆蓋每一條數據線的多個導電阻擋部。其中，所述通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔，包括對鈍化層進行干法刻蝕，形成位于導電阻擋部上方的過孔。其中，所述干法刻蝕所采用的氣體，包括六氟化硫、四氟化炭、氧氣和氦氣中的至少一種氣體，這類氣體可以較快速的刻蝕掉過孔位置的鈍化層。圖2中所示實施例的陣列基板，其主要制作工藝流程如下在透明基板上沉積柵金屬，通過第一次掩模構圖工藝(掩模構圖工藝通常包括清洗、成膜、涂布、曝光、顯影、干刻或濕刻、光刻膠剝離等工序)形成柵線層； 在完成以上步驟的基板上沉積柵極絕緣層；在完成以上步驟的基板上沉積有源層薄膜，通過第二次掩模構圖工藝形成有源層；在完成以上步驟的基板上依次沉積數據線層金屬(材質為鑰)和導電阻擋層金屬(材質為氧化銦錫)，通過第三次掩模構圖工藝形成數據線層及導電阻擋層；在完成以上步驟的基板上沉積鈍化層，通過第四次掩模構圖工藝形成位于導電阻擋部上方的過孔；該步驟中，對鈍化層的過孔位置進行干法刻蝕所采用的氣體包括六氟化硫、四氟化炭、氧氣和氦氣中的至少一種氣體；在完成以上步驟的基板上沉積透明導電層金屬，通過第五次掩模構圖工藝形成透明導電層，該透明導電層沉積入過孔與導電阻擋部連接；在完成以上步驟的基板上沉積第二鈍化層；
在完成以上步驟的基板上沉積透明導電層金屬，通過第六次掩模構圖工藝形成狹縫狀的第二透明導電層。可見，在第四次掩模構圖工藝中，在對鈍化層的過孔位置進行干法刻蝕時，位于過孔位置下方的導電阻擋部可有效保護數據線金屬不被刻蝕掉，大大提高了產品的合格率，此外，也大大提高了生產工藝可控性。
顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種陣列基板，其特征在于，包括包含多條數據線的數據線層，位于所述數據線層之上、包含多個導電阻擋部的導電阻擋層，位于所述導電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導電層，其中，在每一條數據線的上方 所述鈍化層上設置有過孔； 所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸； 所述透明導電層通過過孔與對應的導電阻擋部連接。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層材質為非感光型樹脂。
3.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述導電阻擋部與透明導電層材質相同。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述導電阻擋部材質為氧化銦錫。
5.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，在每一條數據線的上方，所述導電阻擋部覆蓋對應的所述數據線。
6.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述數據線包括源極和漏極，所述導電阻擋部覆蓋對應的所述漏極。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1飛中任一項所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，所述導電阻擋層包含位于每一條數據線之上的導電阻擋部； 形成位于導電阻擋層之上的鈍化層，并通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔； 形成位于鈍化層之上的透明導電層，所述透明導電層通過所述過孔與對應的導電阻擋部連接。
9.如權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述鈍化層材質為非感光型樹脂；所述導電阻擋部與透明導電層材質相同。
10.如權利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述導電阻擋部材質為氧化銦錫。
11.如權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述形成包含多條數據線的數據線層和導電阻擋層，包括 依次在基板上沉積數據線層金屬和導電阻擋層金屬，通過一次掩模構圖工藝形成多條數據線及覆蓋每一條數據線的多個導電阻擋部。
12.如權利要求8所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述通過掩模構圖工藝在鈍化層上形成位于導電阻擋部上方的過孔，包括 對鈍化層進行干法刻蝕，形成位于導電阻擋部上方的過孔。
13.如權利要求12所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕所采用的氣體，包括六氟化硫、四氟化炭、氧氣和氦氣中的至少一種氣體。
全文摘要
本發明公開了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的制造方法，所述陣列基板，包括包含多條數據線的數據線層，位于所述數據線層之上、包含多個導電阻擋部的導電阻擋層，位于所述導電阻擋層之上的鈍化層，以及位于所述鈍化層之上的透明導電層，其中，在每一條數據線的上方所述鈍化層上設置有過孔；所述導電阻擋部位于過孔下方，并與對應的數據線接觸；所述透明導電層通過過孔與對應的導電阻擋部連接。采用本發明技術方案，當對鈍化層進行刻蝕形成過孔時，導電阻擋部可有效保護數據線金屬不被刻蝕掉，大大提高了產品的合格率。
文檔編號H01L27/12GK102799038SQ20121026094
公開日2012年11月28日 申請日期2012年7月25日 優先權日2012年7月25日
發明者謝振宇 申請人:北京京東方光電科技有限公司