有機電致發光器件及其制備方法

有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導電基底、發光層、陰極、保護層、阻擋層及封裝蓋，阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜，第一氮化物膜采用反應濺射制備，第二氮化物膜采用非反應濺射制備，第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂；封裝蓋將發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上，封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。上述有機電致發光器件的壽命較長。本發明還提供一種有機電致發光器件的制備方法。
【專利說明】有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發光器件(OLED)是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層,發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光福射。
[0003]有機電致發光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發光器件內部元件的材料發生老化進而失效，從而所述有機電致發光器件的壽命較短。

【發明內容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長的有機電致發光器件及其制備方法。
[0005]一種有機電致發光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導電基底、發光層、陰極、保護層、阻擋層及封裝蓋，保護層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，1'-聯苯-4-4' - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜，第一氮化物膜采用反應濺射制備，第二氮化物膜采用非反應濺射制備，第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂；封裝蓋將發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上，封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
[0006]在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述導電基底配合形成有收容腔，所述發光層、陰極、保護層及阻擋層均收容于所述收容腔。
[0007]在其中一個實施例中，所述阻擋層為3個?5個，多個所述阻擋層依次層疊。
[0008]在其中一個實施例中，所述封裝蓋的邊緣通過封裝膠與所述導電基板密封連接。
[0009]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在導電基底上形成發光層；
[0011]在所述發光層上形成陰極；
[0012]在所述陰極上形成保護層，所述保護層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1，I' _聯苯-4-4' _ 二胺、8_輕基喧琳招、氧化娃、氣化續或硫化鋅；
[0013]在所述保護層上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂；及
[0014]使用封裝蓋將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
[0015]在其中一個實施例中，通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導電基底密封連接以將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上。
[0016]在其中一個實施例中，所述阻擋層為3個~5個，多個所述阻擋層依次層疊。[0017]在其中一個實施例中，采用反應濺射制備所述第一氮化物膜時，本底真空度為I X 10_3Pa~I X 10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為39Tll%。
[0018]在其中一個實施例中，采用非反應濺射制備所述第二氮化物膜時，本底真空度為I X KT3Pa ~12 X I(T4Pa,靶材為 Si3N4' AIN、BN、SiN、TaN 或 TiN,通入氣體為氬氣。
[0019]上述有機電致發光器件及其制備方法，保護層可以保護陰極，避免陰極在后續的制備工藝中受破壞，阻擋層的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應力；封裝蓋采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機電致發光器件的壽命較長。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為一實施例的有機電致發光器件的結構示意圖；
[0021]圖2為一實施例的有機電致發光的制備方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖和具體實施例對有機電致發光器件及其制備方法進一步闡明。
[0023]請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的導電基底10、功能層20、陰極30、保護層40、阻擋層50及封裝蓋70。
[0024]導電基底10為玻璃導電基底或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。導電基底10上具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為100nnTl50nm。
[0025]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。可以理解，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發光層。
[0026]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1’ -聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。
[0027]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0028]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。
[0029]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nmo
[0030]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。
[0031]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據需要采用其他材料。
[0032]陰極30形成于功能層20表面。陰極30為單層結構。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)。
[0033]保護層40形成于陰極30表面。保護層40的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基-1,1'-聯苯-4-4' -二胺(NPB)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS)。保護層40的厚度為200nnT300nm。
[0034]阻擋層50形成于保護層40表面。阻擋層50包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。 [0035]第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為39Tll%。第一氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0036]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0037]有機阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂。有機阻擋膜的厚度為I P π?.5 μ m。
[0038]本實施方式中，阻擋層50為3個飛個。多個阻擋層50依次層疊。
[0039]封裝蓋70蓋設于阻擋層50。封裝蓋70的材料為PET鍍鋁膜(鋁的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜)。封裝蓋70形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋70的表面凹陷的凹槽。封裝蓋70蓋設于阻擋層50表面且將功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50收容于收容腔，封裝蓋70的邊緣通過封裝膠(圖未示)與導電基底10密封連接，從而封裝蓋70將功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50封裝在導電基底10上。
[0040]上述有機電致發光器件100的保護層40可以保護陰極30，避免陰極30在后續的制備工藝中受破壞，阻擋層50的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層50的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應力；封裝蓋70采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機電致發光器件100的壽命較長。
[0041]可以理解，封裝蓋70的收容腔可以省略，此時直接使封裝蓋70包覆功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50或在導電基底10上設置收容腔即可。
[0042]請同時參閱圖2，一實施方式的有機電致發光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0043]步驟S110、在導電基底10上形成功能層20。
[0044]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0045]導電基底10可以為玻璃導電基底或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為100nnTl50nm。[0046]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0047]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/s。
[0048]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.1人/8。
[0049]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發速度為0.2入/3。
[0050]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/S。
[0051]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發速度為0.2人/8。
[0052]需要說明的是，空 穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據需要采用其他材料。空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發光層。
[0053]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0054]陰極30為單層結構。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)，陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5父10_午&，蒸發速度為5八/8。
[0055]步驟S130、在陰極30表面形成保護層40。
[0056]保護層40的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N ' -二(1-萘基)_N，N ' -二苯基-1， -聯苯-4-4' -二胺(ΝΡΒ)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS)。保護層40的厚度為200nnT300nm。保護層40由真空蒸鍍形成，真空度為8 X KT5Pa ~3 X 10_5Pa，蒸發速度為0.5A/S ~ 5A/s。
[0057]步驟S140、在保護層40表面形成阻擋層50。
[0058]阻擋層50包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0059]第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為39Tll%。第一氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0060]優選的，混合氣體中氮氣的體積百分含量為7%。
[0061]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0062]有機阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂。有機阻擋膜的厚度為I μ πm~.5 μ m。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ=365ηm)進行固化，光強為10~15mW/cm2，曝光時間為15(T200s。
[0063]本實施方式中，阻擋層50為3個飛個。多個阻擋層50依次層疊。
[0064]步驟S150、使用封裝蓋將功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50封裝于導電基底10上。
[0065]封裝蓋70的材料為PET鍍鋁膜。封裝蓋70形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋70的表面凹陷的凹槽。封裝蓋70蓋設于阻擋層50表面且將功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50收容于收容腔。
[0066]封裝蓋70的邊緣抵持導電基底10，在封裝蓋70的邊緣涂布封裝膠是封裝蓋70與導電基底10密封連接，從而封裝蓋70將功能層20、陰極30、保護層40及阻擋層50封裝在導電基底10上。本實施方式中，封裝膠為環氧樹脂封裝膠，封裝膠的厚度為15 μ m~20 μ m，用UV光(λ=365ηπι)進行固化，光強為10~15mW/cm2，曝光時間為300~400s。
[0067]上述有機電致發光器件的制備方法，制備工藝簡單，容易大批量制備；保護層40可以保護陰極30，避免陰極30在后續的制備工藝中受破壞，阻擋層50的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層5的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應力；封裝蓋70采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機電致發光器件100的壽命較長。
[0068]以下結合具體實施例對本發明提供的有機電致發光器件制備方法進行詳細說明。
[0069]實施例1
[0070]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/CuPc/ (Si3N4/Si3N4/聚四氟乙烯)J封裝蓋的有機電致發光器件。
[0071]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0072]1、在導電基底上形成功能層。
[0073]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0074]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0075]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/s ^
[0076]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.1人4。
[0077]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發速度為0.21/3。
[0078]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s。
[0079]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發速度為0.2人/8。
[0080]2、在功能層表面形成陰極。
[0081]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5人/8。
[0082]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0083]保護層的材料為酞菁銅(CuPc)。保護層40的厚度為200nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10々&，蒸發速度為0.5人/5。
[0084]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0085]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0086]第一氮化物膜的材料為Si3N4。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為Si，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為3%。第一氮化物膜的厚度為150nm。
[0087]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為2X 10_4Pa，靶材為Si3N4，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為150nm。
[0088]有機阻擋層的材料為聚四氟乙烯。有機阻擋膜的厚度為1.5 μ m。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為15mW/cm2,曝光時間為200s。
[0089]阻擋層為4個。4個阻擋層依次層疊。
[0090]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋膜封裝于導電基底上。
[0091]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0092]實施例2
[0093]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/NPB/ (A1N/A1N/甲基丙烯酸樹脂)3/封裝蓋的有機電致發光器件。
[0094]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0095]1、在導電基底上形成功能層。
[0096]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0097]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。[0098]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，V -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s。 [0099]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.11/3。
[0100]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-中&，蒸發速度為0.2人/5。
[0101]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發速度為0.1,4/3。
[0102]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發速度為0.2人/8。
[0103]2、在功能層表面形成陰極。
[0104]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5^^。
[0105]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0106]保護層的材料為NPB。保護層40的厚度為300nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X IO-5Pa,蒸發速度為5A/S。
[0107]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0108]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0109]第一氮化物膜的材料為A1N。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為I X IO-4Pa,靶材為Al，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為11%。第一氮化物膜的厚度為lOOnm。
[0110]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為I X 10_4Pa，靶材為A1N，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為lOOnm。
[0111]有機阻擋層的材料為甲基丙烯酸樹脂。有機阻擋膜的厚度為lym。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為10mW/cm2,曝光時間為150s。
[0112]阻擋層為5個。5個阻擋層依次層疊。
[0113]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0114]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0115]實施例3
[0116]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/Alq3/ (BN/BN/脂肪族環氧樹脂)J封裝蓋的有機電致發光器件。[0117]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0118]1、在導電基底上形成功能層。
[0119]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0120]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0121]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/S。
[0122] 空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.1人/5。
[0123]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-中&，蒸發速度為0.2人/3。
[0124]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發速度為0.11^。
[0125]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發速度為0.2人/8。
[0126]2、在功能層表面形成陰極。
[0127]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5人/3。
[0128]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0129]保護層的材料為Alq3。保護層40的厚度為250nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發速度為2^5。
[0130]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0131]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0132]第一氮化物膜的材料為BN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為2X IO-4Pa,靶材為Al，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為7%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0133]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為2X 10_4Pa，靶材為BN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0134]有機阻擋層的材料為脂肪族環氧樹脂。有機阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為12mW/cm2，曝光時間為180s。
[0135]阻擋層為3個。3個阻擋層依次層疊。
[0136]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0137]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0138]實施例4
[0139]本實施例制備結構為:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/SiO/ (SiN/SiN/聚四氟乙烯)J封裝蓋的有機電致發光器件。
[0140]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0141]1、在導電基底上形成功能層。
[0142]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0143]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0144]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/s。
[0145]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.11/3。
[0146]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發速度為0.2人/3。
[0147]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發速度為0.1人/5。
[0148]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發速度為0.2人/8。
[0149]2、在功能層表面形成陰極。
[0150]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5人/5。
[0151]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0152]保護層的材料為SiO。保護層40的厚度為200nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X10_5Pa，蒸發速度為0.5A/S。
[0153]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0154]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。[0155]第一氮化物膜的材料為SiN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為Si，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為3%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0156]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為SiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0157]有機阻擋層的材料為聚四氟乙烯。有機阻擋膜的厚度為1.2μπι。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為12mW/cm2,曝光時間為180s。
[0158]阻擋層為3個。3個阻擋層依次層疊。
[0159]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0160]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0161]實施例5
[0162]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/AVMgF2/ (TaN/TaN/甲基丙烯酸樹脂)3/封裝蓋的有機電致發光器件。
[0163]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0164]1、在導電基底上形成功能層。
[0165]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0166]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0167]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s。
[0168]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/s。
[0169]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發速度為0.21/3。
[0170]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發速度為0.|入/5。
[0171]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發速度為0.2Ai[0172]2、在功能層表面形成陰極。
[0173]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5入/8。
[0174]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0175]保護層的材料為MgF2。保護層40的厚度為300nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10?,蒸發速度為5A/S。
[0176] 4、在保護層表面形成阻擋層。
[0177]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0178]第一氮化物膜的材料為TaN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為2 X10_4Pa，靶材為Ta，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為10%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0179]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為TaN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0180]有機阻擋層的材料為甲基丙烯酸樹脂。有機阻擋膜的厚度為1.2μπι。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為13mW/cm2,曝光時間為190s。
[0181]阻擋層為3個。3個阻擋層依次層疊。
[0182]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0183]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0184]實施例6
[0185]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/ZnS/ (TiN/TiN/脂肪族環氧樹脂)J封裝蓋的有機電致發光器件。
[0186]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0187]1、在導電基底上形成功能層。
[0188]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0189]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0190]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.1 A/S。
[0191]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_中&，蒸發速度為0.11/3。
[0192]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發速度為0.2人/8。
[0193]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發速度為O !As,
[0194]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫CCsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發速度為0.2A/S。
[0195]2、在功能層表面形成陰極。
[0196]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5人/3。
[0197]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0198]保護層的材料為ZnS。保護層40的厚度為250nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X IO-5Pa,蒸發速度為2A/S。
[0199]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0200]阻擋層包括依次 層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0201]第一氮化物膜的材料為TiN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為I X10_3Pa，靶材為Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為6%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0202]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應濺射制備。采用非反應濺射制備第二氮化物膜時，本底真空度為1\10_午8，靶材為111通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0203]有機阻擋層的材料為脂肪族環氧樹脂。有機阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為12mW/cm2,曝光時間為150s。
[0204]阻擋層為3個。3個阻擋層依次層疊。
[0205]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0206]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0207]對比例
[0208]本實施例制備結構為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/ZnS/ (TiN/TiN/脂肪族環氧樹脂)J封裝蓋的有機電致發光器件。
[0209]上述有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0210]1、在導電基底上形成功能層。
[0211]導電基底10為玻璃導電基底。導電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0212]導電基底10表面在形成功能層20之前先進行預處理以去除基底10表面的污染物，并進行表面活化增加導電基底10表面的含氧量以提高導電基底10表面的功函數。具體為，將導電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮氣吹干，烤箱烘干。
[0213]本實施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發速度為0.lA/^
[0214]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發速度為0.lA/s。
[0215]發光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質量百分含量為5%。發光層的厚度為20nm。發光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發速度為0.2人/S。
[0216]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發速度為0.1人/8。
[0217]電子注入層的材料包括Bphen及 摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發速度為0.21/8。
[0218]2、在功能層表面形成陰極。
[0219]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發速度為5人/8。
[0220]3、在陰極表面蒸鍍保護層。
[0221]保護層的材料為ZnS。保護層40的厚度為250nm。保護層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X IO-5Pa,蒸發速度為2A/S。
[0222]4、在保護層表面形成阻擋層。
[0223]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜。
[0224]第一氮化物膜的材料為TiN。第一氮化物膜采用反應濺射制備。采用反應濺射制備第一氮化物膜時，本底真空度為I X10_3Pa，靶材為Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為6%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0225]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料、工藝和厚度均相同。
[0226]有機阻擋層的材料為脂肪族環氧樹脂。有機阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強為12mW/cm2,曝光時間為150s。
[0227]阻擋層為3個。3個阻擋層依次層疊。
[0228]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護層及阻擋層封裝于導電基底上。
[0229]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進行固化，光強10mW/cm2,曝光時間400s。
[0230]本發明實施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司，壓強〈IX 10-3Pa)、磁控濺射設備(沈陽科學儀器研制中心有限公司)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號:2400)、色彩亮度計(柯尼卡美能達，型號:CS-100A)、IEI點膠機系統、DYMAX光固化系統。[0231]請參閱表1，表1所示為實施例f實施例6及對比例制備的有機電致發光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate)的測試結果。從表1中可以看出實施例實施例6制備的有機電致發光器件的水氣穿透率均小于6.0X 10_5g/m2/day，遠小于對比例制備的有機電致發光器件的水氣穿透率(5X 10_4g/m2/day)防水效果較好，可以有效減少外部水氣對有機電致發光器件的侵蝕，從而提高有機電致發光器件的壽命。
[0232]表1
[0233]
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導電基底、發光層及陰極，其特征在于:所述有機電致發光器件還包括依次層疊于所述陰極上的保護層及阻擋層，所述保護層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1,1'-聯苯-4-4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂； 所述有機電致發光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于:所述封裝蓋與所述導電基底配合形成有收容腔，所述發光層、陰極、保護層及阻擋層均收容于所述收容腔。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于:所述阻擋層為3個飛個，多個所述阻擋層依次層疊。
4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于:所述封裝蓋的邊緣通過封裝膠與所述導電基板密封連接。
5.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在導電基底上形成發光層； 在所述發光層上形成陰極； 在所述陰極上形成保護層，所述保護層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1，I·' _聯苯-4-4' _ 二胺、8_羥基喧琳招、氧化娃、氣化續或硫化鋅； 在所述保護層上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環氧樹脂；及 使用封裝蓋將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
6.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導電基底密封連接以將所述發光層、陰極、保護層及阻擋層封裝于所述導電基底上。
7.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:所述阻擋層為3個~5個，多個所述阻擋層依次層疊。
8.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:采用反應濺射制備所述第一氮化物膜時，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮氣和氬氣混合形成的混合氣體，其中混合氣體中氮氣的體積百分含量為3%~11%。
9.根據權利要求5所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于:采用非反應濺射制備所述第二氮化物膜時，本底真空度為IX IO-3Pa~IX 10_4Pa，靶材為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣 體為氬氣。
【文檔編號】H01L51/50GK103545454SQ201210247229
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月17日 優先權日:2012年7月17日
【發明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司