制造非揮發半導體結構的方法及半導體結構的制作方法

制造非揮發半導體結構的方法及半導體結構的制作方法
【專利摘要】本發明是有關于一種制造半導體結構的方法及半導體結構。此半導體結構具有一大致為V形輪廓的淺溝渠隔離結構，其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。此半導體結構是利用離子布值將雜質布植于側壁中，其允許側壁的上半部較下半部被蝕刻得更快而產生一大致為V形輪廓的開口。因為此溝渠上半部具有較寬開口的緣故，而導致此大致為V形的輪廓允許后續裝置可依次而更容易及平順地填入此V形輪廓的溝渠內。
【專利說明】制造非揮發半導體結構的方法及半導體結構
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體結構，特別是涉及一種制造半導體結構的方法及半導體結構。【背景技術】
[0002]傳統增加浮動柵極技術的深寬比的方式常會導致孔洞的產生或是在間隙填充工藝中發生較大的縫隙。如此會減少浮動柵極技術的良率及/或傷害浮動柵極裝置的性能。目前解決這些問題的技術包括在形成浮動柵極裝置時在退火處理時重新加入氫氣、以兩階段方式沉積多晶硅并在形成浮動柵極時結合蝕刻工藝，以及使用六氧化二硅混合氣體在化學氣相沉積工藝中。這些工藝不但十分復雜而且沒有效率，并且通常無法杜絕上述問題而產生沒有孔洞與縫隙的浮動柵極。因此，需要提種一種簡易的工藝以生成沒有孔洞與縫隙的浮動柵極。

【發明內容】

[0003]本發明的目的在于，提供一種新的制造半導體結構的方法及半導體結構，所要解決的技術問題是使其可以制造出大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極半導體結構，非常適于實用。
[0004]本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種制造半導體結構的方法，其包括以下步驟:形成一溝渠于一半導體基板中。該溝渠由一溝渠基底部分及鄰接淺溝渠隔離結構的側壁定義以及形成布植區域于該鄰接淺溝渠隔離結構的一個或兩個側壁。其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。
[0005]本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
[0006]前述的制造半導體結構的方法，還包含形成一 V形輪廓開口于該溝渠中。
[0007]前述的制造半導體結構的方法，還包含對該淺溝渠隔離結構、該溝渠及該布植區域進行退火。除去該布植區域的一部分或全部。形成隧道氧化層于該溝渠基底部分及該淺溝渠隔離結構的該側壁之上。形成一導電薄膜于該隧道氧化層之上。
[0008]前述的制造半導體結構的方法，其中形成布植區域包括以一第一角度布植雜質而形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第一側壁。
[0009]前述的制造半導體結構的方法，其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的0-30°范圍。
[0010]前述的制造半導體結構的方法，其中形成布植區域還包括以一第二角度布植雜質而形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第二側壁。
[0011]前述的制造半導體結構的方法，其中該布植還包含形成另一布植區域于該溝渠基底部分。
[0012]前述的制造半導體結構的方法，其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為0°。[0013]前述的制造半導體結構的方法，其中還包含:旋轉該半導體結構；以及其中形成布植區域還包括以一第二角度布植雜質而形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第
二側壁。
[0014]前述的制造半導體結構的方法，其中該第一傾斜角度與該第二傾斜角度大致相同或是不同。
[0015]前述的制造半導體結構的方法，其中該第一傾斜角度及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的10-70°范圍。
[0016]前述的制造半導體結構的方法，其中該第一及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為55°。
[0017]前述的制造半導體結構的方法，其中該布植及該隧道清潔(該除去該布植區域的一部分)導致鋸齒狀結構于該側壁的上半部(或是靠近布植區域的側壁)產生。
[0018]前述的制造半導體結構的方法，其中該側壁的上半部包含鄰近該布植區域的該側壁部分。
[0019]前述的制造半導體結構的方法，其中在該隧道清潔工藝(該除去制程工藝)之后仍會有布植區域殘留。
[0020]前述的制造半導體結構的方法，其中所植入的該雜質包括氮氣體(N2)、鍺、碳和氟之一及其組合。
[0021]本發明的目的及解決其技術問題還采用以下技術方案來實現。依據本發明提出的一種半導體結構，包含:一淺溝渠隔離結構形成于一半導體基板中，因此定義出該半導體結構的主動區域的一溝渠。該溝渠包含由一溝渠基底部分及鄰接淺溝渠隔離結構的側壁定義的一開口。其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。
[0022]本發明的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
[0023]前述的半導體結構，其中鋸齒狀結構定義于該側壁的上半部。
[0024]前述的半導體結構，還包含布植區域于在該側壁的該上半部。
[0025]前述的半導體結構，還包含殘留布植區域可以定義于鄰近該淺溝渠隔離結構的該側壁的該上半部。
[0026]前述的半導體結構，其中所植入的該雜質包括氮氣體、鍺、碳和氟之一及其組合。
[0027]前述的半導體結構，其中該殘留布植區域包括以植入劑量范圍在lE12cnT2到lE16cm_2之間進行布植。
[0028]前述的半導體結構，其中該側壁的該上半部包含鄰近該布植區域的該側壁部分。
[0029]前述的半導體結構，還包含布植區域于該側壁的該上半部及該溝渠基底部分。
[0030]本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。借由上述技術方案，本發明制造半導體結構的方法及半導體結構至少具有下列優點及有益效果:本發明可以制造出大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極半導體結構。
[0031]綜上所述，本發明是有關于一種制造半導體結構的方法及半導體結構。此半導體結構具有一大致為V形輪廓的淺溝渠隔離結構，其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。此半導體結構是利用離子布值將雜質布植于側壁中，其允許側壁的上半部較下半部被蝕刻得更快而產生一大致為V形輪廓的開口。因為此溝渠上半部具有較寬開口的緣故，而導致此大致為V形的輪廓允許后續裝置可依次而更容易及平順地填入此V形輪廓的溝渠內。本發明在技術上有顯著的進步，具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
[0032]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1A及圖1B分別是顯示濕式清潔氧化物的損失與氟植入劑量的關系圖以及濕式清潔氧化物的損失與硼植入劑量的關系圖。
[0034]圖2A-圖2D是顯示沒有使用本發明的布植工藝的標準浮動柵極裝置與使用本發明的氟布植工藝的浮動柵極裝置的比較圖。
[0035]圖3是根據本發明的一實施例形成此大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極裝置的工藝流程圖。
[0036]圖4A、圖4B和圖4C是顯示此處所揭露工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。
[0037]圖5A、圖5B和圖5C是顯示此處所揭露工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。
[0038]圖6A、圖6B和圖6C是顯示此處所揭露工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。
[0039]圖7A、圖7B和圖 7C是顯示此處所揭露浮動柵極裝置工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。
[0040]402:基板403、405:側壁
[0041]404:淺溝渠隔離(STI)結構 406:溝渠
[0042]408:隧道氧化層409:布植區域
[0043]410:第二側壁上緣411:第一側壁上緣
[0044]418:多晶硅層
【具體實施方式】
[0045]為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的制造半導體結構的方法及半導體結構其【具體實施方式】、方法、步驟、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
[0046]有關本發明的前述及其他技術內容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現。通過【具體實施方式】的說明，應當可對本發明為達成預定目的所采取的技術手段及功效獲得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發明加以限制。
[0047]請參閱圖1A及圖1B所示，是分別顯示濕式清潔氧化物的損失與氟植入劑量的關系圖以及濕式清潔氧化物的損失與硼植入劑量的關系圖。圖1A顯示在有退火及沒有退火的情況下氧化物的損失與氟植入劑量的關系曲線102及104。而圖1B顯示氧化物的損失與硼植入劑量的關系。當植入劑量超過lE13Cm_2時熱氧化物的蝕刻速率會隨著氟或硼的植入劑量的增加而增加。因此，此退火工藝可以降低蝕刻速率，且劑量與退火工藝可以用來調整在高密度等離子體(HDP)淺溝渠隔離區域的適當損失數量。[0048]圖2A-圖2D是顯示沒有使用本發明的布植工藝的標準浮動柵極裝置200、201與使用本發明的氟布植工藝的浮動柵極裝置250、251的比較圖。圖2B和圖2D顯示區域201和251的放大圖。舉例而言，此氟的布植工藝是使用能量約15keV，劑量1.5E15cm_2，布植角度55°，之后再旋轉90°的兩階段旋轉工藝進行。此浮動柵極裝置250、251大致是沒有縫隙及孔洞的，而標準浮動柵極裝置200、201則是含有孔洞202。
[0049]此氟布植工藝是使用或非門柵(NOR)快閃記憶體的55納米節點技術而產生大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極結構。
[0050]圖3是是根據本發明的一實施例形成此大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極裝置的工藝300流程圖。在步驟302，形成淺溝渠隔離(STI)結構于一半導體基板中，定義出此半導體裝置的主動區域溝渠。
[0051]在步驟304，將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的側壁。這些雜質是利用許多不同的傾斜角度方式將離子斜向的植入此淺溝渠隔離(STI)結構的側壁。
[0052]舉例而言，在某些實施例中，這些雜質是利用第一角度植入此淺溝渠隔離(STI)結構的第一側壁且利用第二角度植入此淺溝渠隔離(STI)結構的第二側壁，其是鄰近第一側壁。第一角度和第二角度最好是大致相同的，但是根據設計考量也可以是不同的。此第一角度和第二角度的布植可以是大致同時進行，但是也可以是利用兩階段或多階段布植方式進行。在兩階段或多階段布植方式的情形中，此裝置可以在布植階段中進行旋轉使得可以使用相同的離子槍來進行對不同側壁區域的布植。此裝置可以根據設計的考量旋轉一次、兩次或多次。在其他的實施例中，雜質是利用大致為0°的(或是垂直)植入。以下將會搭配圖7A、圖7B和圖7C對這些不同的布植方式作更詳細地描述。
[0053]這些(在步驟304)植入的雜質可以包括但是不局限于氮氣體(N2)、鍺、碳和氟。在一實施例中，第一傾斜角度是55°。在某些實施例中，第一傾斜角度是在10-70°的范圍。
[0054]在步驟304中，某些實施例可以根據植入雜質的入射角度而采用不同的植入能量與劑量范圍。舉例而言，雜質是利用大致為0°的(或是垂直)植入的實施例中，植入能量范圍可以是在IkeV到20keV之間而劑量范圍則是在lE12cm_2到lE14cm_2。大致為O。的(或是垂直)植入角度可以包括自0-30°的傾斜角度。在其他傾斜角度是在10-70°的范圍的實施例中，植入能量范圍可以是在IkeV到IOOkeV之間而劑量范圍則是在lE12cm_2到lE16cm2。
[0055]在步驟306，對此淺溝渠隔離(STI)結構及溝渠進行退火。此淺溝渠隔離(STI)結構的退火包括將一記憶胞臨界電壓布植區域中的雜質活化。一般而言，此退火步驟可以修復半導體結構在布植時受到損害的區域。
[0056]在某些實施例中，步驟306的對淺溝渠隔離(STI)結構及溝渠進行退火是在將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的側壁之前(步驟304)。而在其他的實施例中，步驟306的對淺溝渠隔離(STI)結構及溝渠進行退火則是在將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的側壁之后(步驟304)。
[0057]在步驟308，在淺溝渠隔離(STI)結構及溝渠區域進行一隧道清潔步驟。此隧道清潔步驟可以包括在具有雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的側壁區域中使其的蝕刻速率增加。在步驟310，形成一隧道氧化層于淺溝渠隔離(STI)結構的側壁及溝渠之上。在步驟312，形成一浮動柵極結構。步驟312可以包括形成一多晶硅薄膜于隧道氧化層之上然后使用圖案化工藝將此多晶硅薄膜進行圖案化成浮動柵極。
[0058]圖4A-圖4C、圖5A-圖5C、圖6A-圖6C和圖7A-圖7C是顯示此處所揭露浮動柵極裝置工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。圖4A-圖4C、圖5A-圖5C、圖6A-圖6C和圖7A-圖7C也是顯示此浮動柵極結構中不同深寬比的示意圖。舉例而言，圖4A、圖5A、圖6A和圖7A中的區域412、422、432和452分別顯示其深寬比約為1，圖4B、圖5B、圖6B和圖7B中的區域414、424、434和454分別顯示其深寬比約為1.5，而第圖4C、圖5C、圖6C和圖7C中的區域416、426、436和456分別顯示其深寬比約為2。
[0059]請首先參閱圖4A-圖4C所示，提供一基板402然后使用傳統的微影及蝕刻技術進行蝕刻，以產生具有輪廓的基板402。在一實施例中，此基板402是硅。一氧化層404形成于此硅基板402之上。對此裝置進行化學機械研磨，產生淺溝渠隔離(STI)結構404及溝渠406。因此，淺溝渠隔離(STI)結構404形成于此半導體基板402之上，定義此裝置的主動區域406 (例如圖3中的步驟302)。
[0060]圖4A-圖4C也顯示將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構404的側壁403、405 (例如圖3中的步驟304)。在一實施例中，雜質以相對于此淺溝渠隔離(STI)結構404的第一側壁403的第一傾斜角度401的方式植入以在第一側壁上緣411形成布植區域。布植也可以包括以相對于此淺溝渠隔離(STI)結構404的第二側壁405的第二傾斜角度407的方式植入以在第二側壁上緣410形成布植區域。這些布植進入淺溝渠隔離(STI)結構404的第一和第二側壁403、405中的雜質構成布植區域409且可以是同時或先后植入。第一和第二布植角度401和407可以是大致相同或不同的。
[0061]此外，布植進入淺溝渠隔離(STI)結構404的第一和第二側壁403、405中的步驟可以是利用兩階段或多階段(未示)布植方式進行。舉例而言，可以利用第一角度401植入此淺溝渠隔離(STI)結構的第一側壁403，然后將此裝置旋轉180°，且之后再利用相同的離子槍以植入此淺溝渠隔離(STI)結構的第二側壁405(在旋轉180°之后大致與相對于第一側壁403的第一角度401相同的角度植入)。或是在其他的實施例中,可以利用第一角度401植入此淺溝渠隔離(STI)結構的第一側壁403，然后將此裝置旋轉90°，且之后再將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的另一側壁(在旋轉180°之后大致與相對于第一側壁403的第一角度401相同的角度植入)，然后將此裝置再次旋轉90°，且之后再使用相同的離子槍將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構的另一側壁(在旋轉180°之后大致與相對于第一側壁403的第一角度401相同的角度植入，)等等。因此，植入側壁的布植次數以及旋轉次數均是根據布植區域409的尺寸、形狀和深度而具有彈性的。
[0062]在某些實施例中，這些植入的雜質可以包括但是不局限于氮氣體(N2)、鍺、碳和氟。此外，在某實施例中，此離子布植是以傾斜角度(例如401和407)植入的方式進行。如之前在圖3中所描述的，在一實施例中，傾斜角度可以是55°。在某些實施例中，傾斜角度是在10-70°的范圍。此外，某些實施例可以根據植入雜質的入射角度而采用不同的植入能量與劑量范圍，其植入能量范圍可以是在IkeV到IOOkeV之間，而劑量范圍則是在lE12cm_2到lE16cnT2。此劑量可以根據高密度等離子體氧化物淺溝渠隔離的損失決定。
[0063]圖5A-圖5C則是顯示將雜質植入此淺溝渠隔離(STI)結構404的側壁403、405 (例如圖3中的步驟304)的另一實施例。在此實施例中，雜質以相對于此淺溝渠隔離(STI)結構404的第一側壁403大致相對于淺溝渠隔離(STI)結構404的第一和第二側壁403、405為0°的角度421(或是垂直)植入。在一實施例中，雜質以相對于此淺溝渠隔離(STI)結構404的第一側壁403大致為0°的傾斜角度421的方式植入以在第一側壁上緣411形成布植區域。在一實施例中，雜質以相對于此淺溝渠隔離(STI)結構404的第二側壁405大致為0°的傾斜角度421的方式植入以在第二側壁上緣410形成布植區域。這些雜質也可以大致為0°的傾斜角度421的方式植入硅基板402的表面，以在基板402的表面形成布植區域。這些布植進入淺溝渠隔離(STI)結構404的第一和第二側壁403、405中的雜質構成布植區域409且可以是同時或先后植入。
[0064]同樣地，在某些實施例中，這些植入的雜質可以包括但是不局限于氮氣體(N2)、鍺、碳和氟。如之前在圖3中所描述的，在一實施例中，傾斜角度可以是0°。在某些實施例中，傾斜角度是在0-30°的范圍。此外，某些實施例可以根據植入雜質的入射角度而采用不同的植入能量與劑量范圍，其植入能量范圍可以是在IkeV到20keV之間，而劑量范圍則是在lE12cnT2到lE14cnT2。此劑量可以根據高密度等離子體氧化物淺溝渠隔離的損失決定。
[0065]圖6A-圖6C是顯示上述各實施例的此裝置在隧道清潔與隧道氧化層形成之后的輪廓。在隧道清潔之后，布植區域(圖4A-圖4C和圖5A-圖5C中的409)相對于未被布植的區域具有較高的蝕刻速率。換句話說，布植區域相對于沒有任何雜質布植的區域會被更快的蝕刻。第圖6A-圖6C顯示蝕刻完成后的輪廓。此淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403,405的上方部分442、444、446相比較于側壁403、405的下方部分443、445、447會有較多的高密度等離子體(HDCVD)氧化物損失，導致此淺溝渠隔離(STI)溝渠406形成一個上寬下窄的V形輪廓。換句話說，側壁403、405是逐漸收縮的，導致形成一個上寬下窄V形輪廓的主動區域溝渠。因此，淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403、405的上方部分442、444、446之間的距離Dl會大于側壁403、405的下方部分443、445、447之間的距離D2。
[0066]由于布植與隧道清潔工藝的結果，會形成較粗造(或是具有小鋸齒狀皺折)的表面449于淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403、405的上方部分442、444、446。為了說明起見，圖6A-圖6C僅顯示一部分的小鋸齒狀皺折449，但是這些小鋸齒狀皺折可以存在于整個淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403、405的上方部分442、444、446 (例如圖4A-圖4C和圖5A-圖5C靠近布植區域409的部分)。因此，側壁403、405的上方部分442、444、446較此淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403、405的下方部分443、445、447更粗糙。
[0067]在某些實施例中，此布植區域(如圖4A-圖4C和圖5A-圖5C中的409)在隧道清潔工藝時不會被完整的去除。因此，或許會存在殘留的布植區域419。在一實施例中，隧道清潔工藝除去幾乎全部的布植區域(如圖4A-圖4C和圖5A-圖5C中的409)。
[0068]簡而言之，在布植工藝中結構受到傷害最嚴重的區域是在淺溝渠隔離(STI)結構404側壁403、405的上方部分442、444、446，其或許允許上方的高密度等離子體氧化物損失較下方的高密度等離子體氧化物損失更多且其可以導致在沿著側壁403、405的上方部分442、444、446產生小鋸齒狀結構。如此會產生大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極結構因為例如是隧道氧化層或是多晶硅等后續層次會因為此溝渠上寬下窄的輪廓而更容易及平順地填入此V形輪廓的溝渠406內。
[0069]圖7A-圖7C是顯示此大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極裝置452、454、456工藝步驟中不同階段的剖面示意圖。一隧道氧化層408形成于基板402之上，且一多晶硅層418形成于隧道氧化層408之上，產生大致沒有縫隙及孔洞的浮動柵極裝置452、454、456。[0070]雖然本發明是以浮動柵極記憶體作為實施例，此處所揭露的工藝可以適用于各種記憶體中，例如浮動柵極記憶體、電荷捕捉記憶體、非揮發記憶體或是嵌入記憶體等。
[0071]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。
【權利要求】
1.一種制造半導體結構的方法，其特征在于其包括以下步驟: 形成一溝渠于一半導體基板中，該溝渠由一溝渠基底部分及鄰接淺溝渠隔離結構的側壁定義；以及 形成布植區域于該鄰接淺溝渠隔離結構的一個或兩個側壁， 其中該側壁是逐步傾斜的，且其中該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。
2.根據權利要求1所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含形成一V形輪廓開口于該溝渠中。
3.根據權利要求1所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含: 對該淺溝渠隔離結構、該溝渠及該布植區域進行退火； 除去該布植區域的一部分； 形成隧道氧化層于該溝渠基底部分及該淺溝渠隔離結構的該側壁之上； 形成一導電薄膜于該隧道氧化層之上。
4.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中形成布植區域包括以一第一傾斜角度布植雜質以形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第一側壁。
5.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的0-30°范圍。·
6.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中形成布植區域還包括以一第二傾斜角度布植雜質以形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第二側壁。
7.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該布植還包含形成另一布植區域于該溝渠基底部分。
8.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為0°。
9.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其還包含: 旋轉該半導體結構；以及 其中形成布植區域還包括以一第二角度布植雜質而形成布植區域于該鄰近淺溝渠隔離結構的一第二側壁。
10.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一傾斜角度與該第二傾斜角度相同。
11.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁的10-70°范圍。
12.根據權利要求9所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該第一及該第二傾斜角度是相對于該淺溝渠隔離結構的該側壁大致為55°。
13.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該布植及該除去該布植區域的一部分導致鋸齒狀結構于該側壁的上半部產生。
14.根據權利要求13所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中該側壁的上半部包含鄰近該布植區域的該側壁部分。
15.根據權利要求3所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中在該除去工藝之后仍會有布植區域殘留。
16.根據權利要求4所述的制造半導體結構的方法，其特征在于其中所植入的該雜質包括氮氣體、鍺、碳和氟之一及其組合。
17.一種半導體結構，其特征在于其包含: 一淺溝渠隔離結構形成于一半導體基板中，因此定義出該半導體結構的一溝渠；以及 其中該溝渠包含由一溝渠基底部分及鄰接該淺溝渠隔離結構的側壁定義的一開口， 其中該側壁是逐步傾斜的， 且該側壁上半部間的距離大于該側壁下半部間的距離。
18.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其中鋸齒狀結構定義于該側壁的上半部。
19.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其還包含布植區域在該側壁的該上半部。
20.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其還包含殘留布植區域由靠近該側壁的該上半部的淺溝渠隔離區域所定義。
21.根據權利要求20所述的半導體結構，其特征在于其中所植入的該雜質包括氮氣體、鍺、碳和氟之一及其組合。
22.根據權利要求2 0所述的半導體結構，其特征在于其中該殘留布植區域包括以植入劑量范圍在lE12cm_2到lE16cm_2之間進行布植。
23.根據權利要求19所述的半導體結構，其特征在于其中該側壁的該上半部包含鄰近該布植區域的該側壁部分。
24.根據權利要求17所述的半導體結構，其特征在于其還包含布植區域于該側壁的該上半部及該溝渠基底部分。
【文檔編號】H01L21/28GK103545192SQ201210246800
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月17日 優先權日:2012年7月17日
【發明者】郭仲儀 申請人:旺宏電子股份有限公司