發光二極管的制造方法
【專利摘要】一種發光二極管的制造方法，其包括如下步驟：提供承載板及連接板，所述連接板間隔設置于二相鄰的承載板之間；提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片依次電性連接至相應的二相鄰的承載板上；提供基板，所述基板貼設于承載板的下表面；提供模具，所述模具包括模仁及與所述模仁對應的模穴；將承載板置于所述模仁與模穴之間，使模仁正對發光二極管芯片，模穴正對基板，壓合該模具，從而使外露于基板的承載板沿模穴的邊緣彎折，形成圍設發光二極管芯片的反射杯。
【專利說明】發光二極管的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種半導體的制造方法，特別設計一種發光二極管的制造方法。
【背景技術】
[0002]發光二極管作為一種新興的光源，目前已廣泛應用于多種照明場合之中，并大有取代傳統光源的趨勢。
[0003]傳統的發光二極管通常包括一絕緣基板、結合于絕緣基板上的電極結構、電連接該電極結構的發光芯片，為了改善發光二極管的發光特性，通常還在絕緣基板上形成覆蓋絕緣基板及發光芯片的反射杯。然而，反射杯通常采用蝕刻或者模具注塑成型的方式形成，采用上述方法，步驟繁瑣、操作過程復雜。
【發明內容】
[0004]有鑒于此，有必要提供一種制程簡單的發光二極管的制造方法。
[0005]一種發光二極管的制造方法，其包括如下步驟:
提供承載板及連接板，所述連接板間隔設置于二相鄰的承載板之間；
提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片依次電性連接至相應的二相鄰的承載板
上;
提供基板，所述基 板貼設于承載板的下表面；
提供模具，所述模具包括模仁及與所述模仁對應的模穴；及
將承載板置于所述模仁與模穴之間，使模仁正對發光二極管芯片，模穴正對基板，壓合該模具，從而使外露于基板的承載板沿模穴的邊緣彎折，形成圍設發光二極管芯片的反射杯。
[0006]本發明提供的發光二極管的制造方法，采用模具壓合直接形成發光二極管的反射杯，制程簡單快捷，易于操作，且由于該反射杯為金屬反射杯，因此其反射能力比通常采用的塑膠的反射杯的反射能力更強，從而提高了發光二極管的發光效率，再由于該金屬反射杯可以快速地將發光二極管芯片發出的熱量導出，從而提高了該發光二極管的散熱效果。
[0007]下面參照附圖，結合【具體實施方式】對本發明作進一步的描述。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0008]圖1為本發明中的發光二極管制造方法的各步驟流程示意圖。
[0009]圖2至圖13為本發明中第一實施例中的發光二極管制造方法的各步驟示意圖。
[0010]圖14至圖16為本發明中第二實施例中的發光二極管制造方法中形成第二導電層的步驟示意圖。
[0011]主要元件符號說明 _
承載板I ?ο
蛋^電層 Ti
_樹脂層113、15
【權利要求】
1.一種發光二極管的制造方法，其包括如下步驟: 提供承載板及連接板，所述連接板間隔設置于二相鄰的承載板之間； 提供發光二極管芯片，所述發光二極管芯片依次電性連接至相應的二相鄰的承載板上; 提供基板，所述基板貼設于承載板的下表面； 提供模具，所述模具包括模仁及與所述模仁對應的模穴；及 將承載板置于所述模仁與模穴之間，使模仁正對發光二極管芯片，模穴正對基板，壓合該模具，從而使外露于基板的承載板沿模穴的邊緣彎折，形成圍設發光二極管芯片的反射杯。
2.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述反射杯的內表面為沿所述模穴邊緣貼設的豎直面、弧形面或者斜面。
3.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述模仁的下表面具有緩沖層，所述緩沖層用以保護發光二極管芯片在模具合模過程中不受損壞。
4.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:還包括在基板的相對兩側分別形成第一導電層。
5.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述第一導電層沿基板的相對兩側延伸至基板的下表面，且相對間隔設置。
6.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述二相鄰的基板之間的承載板所圍設的孔穴內形成樹脂層，且所述樹脂層填充所述孔穴。
7.如權利要求4所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:二相鄰的基板之間的承載板所圍設的孔穴內形成二間隔的樹脂層，且所述二樹脂層分別貼設于所述孔穴相對兩側的內表面。
8.如權利要求7所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:在所述二樹脂層相互靠近的兩側面上分別形成第二導電層，且所述第二導電層沿所述樹脂層的側面延伸至樹脂層的底面。
9.如權利要求8所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述第二導電層直接延伸至第一導電層。
10.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于:所述模具包括上模具及與上模具配合的下模具；所述上模具包括主體部及自主體部凸設的所述模仁；所述下模具為縱長的框體，且所述下模具對應于上模具的模仁的位置開設有間隔設置且貫穿下模具的所述模穴，其用以在壓合時對應收容上模具的模仁。
【文檔編號】H01L33/48GK103545415SQ201210238674
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月11日 優先權日:2012年7月11日
【發明者】羅杏芬 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司