專利名稱：一種消影且增透的導電鍍膜層的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃或透明塑料表面上的鍍膜層，尤其是一種消影且增透的導電
鍍膜層。
背景技術：
是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫，ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜，通常有兩個性能指標電阻率和透光率。 在氧化物導電膜中，以摻Sn的In203 (ITO)膜的透過率最高和導電性能最好，而且容易在酸液中蝕刻出細微的圖形，其中透光率達90%以上。ITO中其透光率和阻值分別由In203與Sn02之比例來控制，通常Sn02: In203=l: 9。在ZnO體系中摻雜Al得到ZnO A1透明導電薄膜，即AZO薄膜，慘雜后薄膜導電性能大幅度提高，電阻率可降低到10-4 ohm 而且透明導電薄膜AZO薄膜在氫等離子體中穩定性要優于ΙΤ0，同時具有可同ITO相比擬的光電特性，而且AZO薄膜的制備方便，元素資源比In元素豐富，且無毒，逐漸成為ITO薄膜最佳替代者，AZO薄膜目前已經在平板顯示器和薄膜太陽能電池中得到了部分應用。電容式觸摸屏要用到透明導電膜電極(如ITO或ΑΖ0)，該電極應用于顯示區域，由于導電膜的折射率和基板(玻璃或透明塑料)的折射率的差別，(如ITO和AZO的折射率約為
2.0，玻璃約I. 5，塑料如PET約I. 5)，使得顯示區內的電極和電極縫隙之間反射和透過率有較大的差別，如附3為常規做法的透明導電膜電極(ΙΤ0或ΑΖ0)，圖4為常規做法制成的電極示意圖(ITO厚度為40匪)，電極對可見光的反射率為電極鍍層(ITO或ΑΖ0)的反射率，而電極縫隙的反射率為玻璃或透明塑料的反射率，電極鍍層(ITO或ΑΖ0)的平均反射率為16. 5%，玻璃或透明塑料的平均反射率為4. 2%，反射率的巨大差異會使電極和縫隙清晰可見，影響顯示的效果和外觀，特別是在手機、平板電腦、筆記本及普通電腦上，電極和縫隙可見會嚴重影響視覺效果。目前在小屏幕觸摸屏上采用減小縫隙的方法來降低電極和縫隙的可見度，但受光刻設備等的限制，如果在20英寸以上大屏幕觸摸屏采用微小縫隙的方法，設備投資及制造成本會非常高，產品不良率也會升高。如方塊電阻為60歐的ITO或AZO導電鍍膜層的平均反射率約16. 5%，嚴重降低了可見光的通過率，這樣在光線比較明亮的環境中特別是背后有窗戶、燈光的環境中，屏幕會應反射光太強而無法看清。
發明內容
本發明目的是提供一種玻璃或透明塑料表面的消影增透導電鍍膜層，使從玻璃或透明塑料表面看不見導電層電極和縫隙，并能將導電層對可見光的平均反射率從16. 5%降低至10%，而縫隙即基材加底層膜的平均反射率為10%，(電極的刻蝕只是導電層，刻蝕掉的導電層部分的底層膜保留)能使可見光通過導電層的量增加39%，提高顯示屏的清晰對比度，在保證導電層功能的同時，達到消影和增透的功能。
本發明的技術方案是
一種消影且增透的導電鍍膜層，包括普通玻璃或透明塑料構成的基片層和ITO或ZAO層構成的電極層，其特征在于，在基片層和電極層之間復合增加若干個Si02層和Ti02或Nb205 層。。優選的，所述消影增透導電鍍膜層從基片層表面依次往上為 第一 Si02層 ，第一Ti02或Nb205層；第二 Si02層；第二 Ti02或Nb205層；第三Si02層；電極層。優選的，所述第一 Si02層的厚度不限；第一 Ti02或Nb205層的厚度為2-50nm;第ニ Si02層的厚度為10-80nm ;第二 Ti02或Nb205層的厚度為2_50nm ;第三Si02層的厚度為20-80nm ;電極層的厚度為10_150nm。所述消影增透導電鍍膜層利用真空濺射的方法鍍于玻璃或透明塑料表面，每層鍍層使用不同材料且厚度不同，使可見光經過不同鍍層的反射光產生光干渉，針對導電鍍膜 層起到降低可見光反射率、提高其透過率的效果。在可見光的范圍內(40(T700nm)，使導電鍍膜層的反射率降低，提高了觸摸屏的整體透過率。進ー步的，設定并精確控制各膜層的厚度，在導電鍍膜層前面的膜層(圖I之2、3、
4、5、6膜層)的作用下，使得其與有導電鍍膜層的反射率一致，起到消除電極及電極縫隙影子的功能。本發明的ー些用途
I、觸摸屏電腦、筆記本電腦。、平板電腦。、觸摸屏手機。、觸摸屏車載導航儀。本發明的優點是
I.本發明具有消除觸摸屏電極及電極縫隙影子的功能。.本發明有増加觸摸屏對可見光透過率的作用，能提升可見光通過觸摸屏的量，使得觸摸屏顯示設備(如電腦、平板電腦、手機等)更加清晰。
下面結合附圖及實施例對本發明作進ー步描述
圖I為本發明消影增透導電鍍膜層的結構示意 圖2為本發明消影增透導電鍍膜層在導電層制成電極后的結構示意圖。圖3為常規方法做成的ITO或AZO鍍層示意圖。圖4為常規做法制成的電極示意圖。圖5為本發明制成的觸摸屏的反射率測試數據圖。圖6為常規方法制成的觸摸屏的反射率測試數據圖。其中1、普通玻璃或透明塑料，2、第一 Si02層，3、第一 Ti02或Nb205層；4、第二Si02 層；5、第二 Ti02 或 Nb205 層；6、第三 Si02 層；7、ITO 或 AZO 層。
具體實施例方式實施例如圖I所示，一種消影增透導電鍍膜層，可在普通玻璃或透明塑料I上涂鍍的六層復合的消影增透導電鍍膜層，所述消影增透導電鍍膜層從普通玻璃或透明塑料表面依次往上為第一 Si02層 2 ;第一 Ti02 或 Nb205 層 3 ;第二 Si02 層 4 ;第二 Ti02 或 Nb205 層 5 ;第三 Si02 層 6 ；ITO或AZO層7.
所述第一 Si02層2的厚度不限；第一 Ti02或Nb205層3的厚度為2_50nm ;第二 Si02層4的厚度為10-80nm ;第二 Ti02或Nb205層5的厚度為2_50nm ;第三Si02層6的厚度為20-80nm ；ΙΤ0 或 AZO 層 7 的厚度為 10_150nm。制作過程各鍍層均在真空室中用濺射鍍法完成。普通玻璃或透明塑料一清洗一真空鍍膜第一層(二氧化硅Si02鍍層)一真空鍍膜第二層(氧化鈦Ti02或氧化鈮Nb205鍍層)一真空鍍膜第三層(二氧化硅Si02鍍層)—真空鍍膜第四層(氧化鈦Ti02或氧化鈮Nb205鍍層)一真空鍍膜第五層(二氧化硅Si02鍍層)一真空鍍膜第六層(ΙΤ0或AZO鍍層)一貼保護膜一包裝入庫。
圖5為本發明制成的觸摸屏的反射率測試數據，由數據圖可見電極鍍層與縫隙對可見光的反射率基本一樣，這樣能有效消除電極縫隙陰影。圖6為常規方法制成的觸摸屏的反射率測試數據，由數據可見電極與縫隙對可見光的反射率相差很大，這會造成從屏幕能可見電極縫隙的陰影。以上僅是本發明的具體應用范例，對本發明的保護范圍不構成任何限制。除上述實施例外，本發明還可以有其它實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術方案，均落在本發明所要求保護的范圍之內。
權利要求
1.一種消影且增透的導電鍍膜層，包括普通玻璃或透明塑料構成的基片層和ITO或ZAO層構成的電極層，其特征在于，在基片層和電極層之間復合增加若干個Si02層和Ti02或Nb205層。
2.根據權利要求I所述的消影且增透的導電鍍膜層，其特征在于，所述消影增透導電鍍膜層從基片層表面依次往上為第一 Si02層；第一 Ti02或Nb205層；第二 Si02層；第二Ti02或Nb205層；第三Si02層；電極層。
3.根據權利要求2所述的消影且增透的導電鍍膜層，其特征在于，所述第一Si02層的厚度不限；第一 Ti02或Nb205層的厚度為2-50nm;第二 Si02層的厚度為10_80nm ;第ニ Ti02或Nb205層的厚度為2-50nm ;第三Si02層的厚度為20_80nm ;電極層的厚度為10_150nmo
全文摘要
本發明公開了一種消影且增透的導電鍍膜層，包括普通玻璃或透明塑料構成的基片層和ITO或ZAO層構成的電極層，其特征在于，在基片層和電極層之間復合增加若干個SiO2層和TiO2或Nb2O5層。本發明具有如下功能在保證導電層良好導電性能的同時，消除導電電極影子，使得透過普通玻璃或透明塑料看不見電極；還具有增加可見光透過率，將可見光通過導電層的透過率提升20—50%。
文檔編號H01B5/14GK102779570SQ20121020962
公開日2012年11月14日 申請日期2012年6月25日 優先權日2012年6月25日
發明者王立新 申請人:普發玻璃(深圳)有限公司