專利名稱：高功率低插損微波合路器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種微波鐵氧體器件，尤其涉及一種高功率低插損微波合路器。
背景技術：
合路器是微波傳輸系統的室外器件，是一個三端口網絡，一個端口連接微波天線，一個為主路端口，連接主用的室外設備單元，另一支路為輔路，主路與輔路間一般采用不等的功率分配。波導型微波合路器由于具有插損小，能承受較大的功率，使用方便靈活，可靠性高等優點，而廣泛用于上述微波傳輸系統中。目前，國內外常見的波導型微波合路器普遍采用孔縫禍合方式，在公共波導壁上開一個或多個孔縫使兩個相鄰波導中的能量禍合，通過調節孔縫的尺寸、數量及其相對位置可獲得相應功率分配比的微波合路器
發明內容
本發明的目的是克服現有技術存在的不足，提供一種高功率低插損微波合路器。本發明的目的通過以下技術方案來實現
高功率低插損微波合路器，特點是包含殼體和置于殼體中的微帶耦合板、兩只兩端口的隔離器、高功率負載以及安裝于殼體上的連接器，兩只兩端口的隔離器和高功率負載安裝于微帶耦合板上，一只四端口的耦合器件的端口與兩只兩端口的隔離器的端口對應連接。進一步地，上述的高功率低插損微波合路器，其中，所述耦合器件為3dB耦合器。更進一步地，上述的高功率低插損微波合路器，其中，所述殼體上設有散熱裝置。本發明技術方案突出的實質性特點和顯著的進步主要體現在
隔離器連接到各自端口的主要作用是傳輸(以最小的損耗)兩路(或兩路以上的)獨立的高頻信號，通過混合型耦合器將高頻信號進行耦合，采用優化微帶耦合板的線寬以平衡奇模阻抗的創新設計方法，并可以抑制反射信號。在電路匹配的條件下，兩個端口傳輸的高頻信號可以得到良好的隔離，典型隔離度> 50 dB，這包括每一路正向傳輸的信號通過一個隔離度大于25dB的隔離器后，再通過3dB的耦合器的25dB隔離度所實現。此高功率低插損合路器的另一特點是散熱特性，因為兩個或兩個以上的獨立的高頻信號經過3dB耦合器后，大約有50%的功率會被消耗在高功率負載及散熱裝置上，保證了微波合路器的熱穩定性。
下面結合附圖對本發明技術方案作進一步說明
圖I :本發明的結構示意圖。
具體實施方式
如圖I所示，高功率低插損微波合路器，包含殼體I和置于殼體中的微帶耦合板2、兩只兩端口的隔離器4、高功率負載3以及安裝于殼體上的連接器5，蓋板6通過螺釘7固定于殼體上，隔離器4為高性能低交調的隔離器，微帶耦合板2是采用平衡奇模阻抗的優化設計的微帶耦合板，殼體上設有散熱裝置，兩只兩端口的隔離器4和高功率負載3安裝于微帶耦合板2上，一只四端口的耦合器件的端口與兩只兩端口的隔離器的端口對應連接，耦合器件為3dB耦合器。隔離器連接到各自端口的主要作用是傳輸(以最小的損耗)兩路(或兩路以上的)獨立的高頻信號，通過混合型耦合器將高頻信號進行耦合，采用優化微帶耦合板的線寬以平衡奇模阻抗的創新設計方法，并可以抑制反射信號。在電路匹配的條件下，兩個端口傳輸的高頻信號可以得到良好的隔離，典型隔離度> 50 dB，這包括每一路正向傳輸的信號通過一個隔離度大于25dB的隔離器后，再通過3dB的耦合器的25dB隔離度所實現。此高功率
低插損合路器的另一要點是散熱特性，因為兩個或兩個以上的獨立的高頻信號經過3dB耦合器后，大約有50%的功率會被消耗在高功率負載及散熱裝置上，保證了微波合路器的熱穩定性。微波合路器采用相匹配的四端口耦合器件，混合型耦合器實際上是具有對稱的特性，也就是耦合度會在工作頻率通帶內，逐漸從通帶邊緣到中心增大，從中心向邊緣減小。同樣，混合型耦合器呈現正向低損耗，從而保證從正向傳輸的高頻信號具有平坦的耦合特性和高功率的承受能力。一般最普遍在實際使用的耦合器是帶狀線技術，耦合電路被穩固地置于一對接地面之間，這種耦合器可承受高功率，但卻有結構復雜、裝配精度要求高等問題。另一種技術解決方案是運用微帶技術進行混合型耦合器設計和制造，但是要有承受高功率能力就取決于混合型耦合器的實際尺寸大小。為使微帶耦合器得到的50歐姆阻抗系統的同等的輸出功率，實現偶數模式的高阻抗線具有相當難度，其線寬會變得很細。采用微帶技術的混合型耦合器的物理尺寸將可在有限的空間里將微波鐵氧體隔離器安裝到其相應的端口。與波長直接相關的鐵氧體尺寸也將與產生的交調大小相關，因此，在可用的空間范圍內，微波鐵氧體隔離器具有正向傳輸高頻信號低損耗，低交調分量的性能。微波合路器的高功率裝置的散熱器以成本效益的目的進行設計。按常規，采用擠壓成型加工的散熱器，因為散熱片之間的距離很緊湊，要達到所需的機械外觀，就要求金屬形變是精準的，必須設計新的散熱片機加工工藝實現這些功能。綜上所述，本發明采用低成本的微帶線技術并且有效解決了生產制造具有高功率特性的產品的問題，廣泛地采用優化微帶耦合板的線寬以平衡奇模阻抗的方法。需要理解到的是以上所述僅是本發明的優選實施方式，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.高功率低插損微波合路器，其特征在于包含殼體和置于殼體中的微帶耦合板、兩只兩端口的隔離器、高功率負載以及安裝于殼體上的連接器，兩只兩端口的隔離器和高功率負載安裝于微帶耦合板上，一只四端口的耦合器件的端口與兩只兩端口的隔離器的端口對應連接。
2.根據權利要求I所述的高功率低插損微波合路器，其特征在于所述耦合器件為3dB率禹合器。
3.根據權利要求I所述的高功率低插損微波合路器，其特征在于所述殼體上設有散熱裝置。
全文摘要
本發明涉及高功率低插損微波合路器，包含殼體和置于殼體中的微帶耦合板、兩只兩端口的隔離器、高功率負載以及安裝于殼體上的連接器，兩只兩端口的隔離器和高功率負載安裝于微帶耦合板上，一只四端口的耦合器件的端口與兩只兩端口的隔離器的端口對應連接。隔離器連接到各自端口的主要作用是傳輸(以最小的損耗)兩路(或兩路以上的)獨立的高頻信號，通過混合型耦合器將高頻信號進行耦合，采用優化微帶耦合板的線寬以平衡奇模阻抗的創新設計方法，并可抑制反射信號。
文檔編號H01P5/16GK102723566SQ20121020939
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月25日 優先權日2012年6月25日
發明者帕米特S恰瓦羅, 潘沛然, 顧倩 申請人:世達普(蘇州)通信設備有限公司