形成cmos全硅化物金屬柵的方法
【專利摘要】本發明揭示了一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，該方法包括：提供基底；在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層；沉積金屬層；在所述第二多晶硅柵極上制備反射層；進行第一次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化；去除所述反射層和在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；以及進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，形成具有不同的金屬濃度但相同的高度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，得到不同功函數金屬柵極。該制備工藝簡單，有利于降低生產成本。
【專利說明】形成CMOS全硅化物金屬柵的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域，特別是涉及一種CMOS (互補金屬氧化物半導體)全娃化物金屬柵制備方法。
【背景技術】
[0002]互補金屬氧化物半導體(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor,簡稱CMOS)通常使用于超大規模集成電路(VLSI)裝置中。降低CMOS的尺寸有有利于改善集成電路的速度性能、密度以及每單位功能的成本，所以降低CMOS的尺寸已成為目前的發展趨勢。隨著特征尺寸的不斷縮小，特別是特征尺寸小到45nm或以下時，傳統的多晶硅柵極結構會出現柵極漏電等問題，所以出現了新型金屬柵極技術來取代傳統的多晶硅柵極技術。
[0003]目前CMOS全硅化物金屬柵分為兩種:1.第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極為材質不同的全娃化物金屬柵；2.第一全娃化物金屬柵極和第二全娃化物金屬柵極為材質相同但金屬濃度不同的全硅化物金屬柵。現有技術中這兩種全硅化物金屬柵的制備方法都存在一定問題，首先，第一種全硅化物金屬柵的制備方法需要分別沉積兩種材質不同的金屬層，工藝繁瑣；其次，第二種全硅化物金屬柵因為只有一種金屬，所以不需要積兩種材質不同的金屬層，但為了實現不同的金屬濃度，往往通過制備不同高度的多晶硅柵極，再經過熱退火進行硅化過程來實現，這種方法制備的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極高度不同，不利于后續工藝的進行。
[0004]所以，如何提供一種可以克服以上問題的CMOS全硅化物金屬柵的制備方法，已成為本領域技術人員需要解決的問題。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于，解決現有的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法工藝復雜，及全硅化物金屬柵極高度不同的問題。
[0006]為解決上述技術問題，本發明提供一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，包括:
[0007]提供基底，所述基底包括第一裝置制造區和第二裝置制造區，在所述第一裝置制造區上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區上形成第二多晶硅柵極；
[0008]在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層；
[0009]沉積金屬層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極、第二多晶硅柵極及電介質層；
[0010]在所述第二多晶硅柵極上制備反射層；
[0011]進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化；
[0012]去除所述反射層和在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；以及
[0013]進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數不同。
[0014]進一步的，在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層的步驟中，包括:
[0015]在所述基底上沉積所述電介質層，所述電介質層覆蓋所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極；及
[0016]去除部分所述電介質層，以露出所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極。
[0017]進一步的，采用化學機械研磨工藝去除部分所述電介質層。
[0018]進一步的，所述電介質層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種。
[0019]進一步的，在所述第二多晶硅柵極上制備反射層的步驟中，包括:
[0020]在所述金屬層上沉積所述反射層，所述反射層覆蓋所述第一裝置制造區和所述第二裝置制造區 '及
[0021]去除所述第一裝置制造區上的所述反射層，保留第二多晶硅柵極上的所述反射層。
[0022]進一步的，所述反射層的材料包括鋁、銀、鎳、鉬的一種或幾種。
[0023]進一步的，所述反射層的厚度為ιοοΑ?ιοοοΑ。
[0024]進一步的，在制備電介質層和沉積金屬層的步驟之間，還包括在所述金屬層和所述反射層之間沉積一層阻擋層。
[0025]進一步的，所述阻擋層的材料為氮化鈦。
[0026]進一步的，所述阻擋層的厚度為50人?200人。
[0027]進一步的，所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度和不同的金屬濃度。
[0028]進一步的，所述第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C?550°C，時間為0.1
秒?300秒。
[0029]進一步的，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C?850°C，時間為0.1
秒?300秒。
[0030]進一步的，采用濕法刻蝕工藝法去除所述反射層和未反應的所述金屬層。
[0031]進一步的，其特征在于，所述金屬層的材料包括鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種。
[0032]進一步的，其特征在于，所述金屬層的厚度為100A?500A。
[0033]與現有技術相比，本發明提供的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法具有以下優點:
[0034]1、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極是通過沉積工藝，同時在所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成的同一金屬層制備而成的，使金屬層在第一次熱退火過程中受熱不同，從而沉積到第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極中的金屬的含量不同，再經過第二次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，不需要制備不同材質的金屬層，進而簡化工藝步驟，降低了生產成本。
[0035]2、本發明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法是利用反射層，使金屬層在第一次熱退火過程中受熱不同，從而擴散到第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極中的金屬的含量不同，再經過第二次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，因而不需制備高度不同的金屬層來控制第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的金屬濃度，工藝簡單，且金屬在柵極中分布均勻。
[0036]3、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度，便于后續工藝的加工進行。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0037]圖1為本發明一實施例的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的流程圖；
[0038]圖2a_圖2h為本發明一實施例的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的工藝步驟的示意圖。
[0039]其中，101、第一裝置制造區；102、第二裝置制造區；103、第一多晶硅柵極；104、第二多晶娃柵極；105、電介質層；106、金屬層；107、反射層第一娃化物金屬柵極；108、第二硅化物金屬柵極；109、第一全硅化物金屬柵極；110、第二全硅化物金屬柵極；111、反射層；112、阻擋層。
【具體實施方式】
[0040]下面將結合示意圖對本發明的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。
[0041]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。
[0042]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0043]本發明的核心思想在于，提供一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，通過沉積金屬層，并在所述第二多晶硅柵極上制備反射層，進行第一次熱退火，退火過程中，利用第二多晶硅柵極上的反射層反射掉部分熱量，使第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極受熱不同，以使第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極與金屬層的反應程度不同，進而第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極中金屬濃度不同。去除所述反射層和在進行第一次熱退火過程中未反應的所述金屬層后進行第二次熱退火，最終形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極。該第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極具有不同的金屬濃度，但具有相同的高度，便于后續工藝的加工進行，并且制備工藝簡單，有利于降低生產成本。
[0044]圖1為本發明一實施例的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的流程圖，結合圖1和本發明的核心思想，本發明提供一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，包括以下步驟:
[0045]步驟S11，提供基底，所述基底包括第一裝置制造區和第二裝置制造區，在所述第一裝置制造區上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區上形成第二多晶硅柵極；[0046]步驟S12，在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層；
[0047]步驟S13，沉積金屬層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極、第二多晶硅柵極及電介質層；
[0048]步驟S14，在所述第二多晶硅柵極上制備反射層；[0049]步驟S15，進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化；
[0050]步驟S16，去除所述反射層和在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；
[0051]步驟S17，進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數不同。
[0052]以下請參考圖1和圖2a_圖2h詳細說明本發明的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的具體過程，其中，圖1為本發明一實施例的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的流程圖，圖2a-圖2h為本發明一實施例的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法的工藝步驟的示意圖。
[0053]如圖2a所示，在步驟Sll中，提供基底，基底包括第一裝置制造區101和第二裝置制造區102，在第一裝置制造區101上形成第一多晶硅柵極103，在第二裝置制造區102上形成第二多晶硅柵極104。本實施例中的基底只含有一個第一裝置制造區101和一個第二裝置制造區102，但含有多個第一裝置制造區101和多個第二裝置制造區102的基底亦在本發明的思想范圍之內。
[0054]如圖2b所示，在步驟S12中，在基底上制備電介質層105，電介質層105露出第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104。電介質層105的材料為絕緣材料，較佳的為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種，在較佳的實施例中，電介質層105為二氧化硅和氮化硅的疊層。
[0055]在較佳的實施例中，在基底上制備電介質層105的步驟S 12中，包括:首先，在基底上沉積所述電介質層105，電介質層105覆蓋所述第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104，較佳的，電介質層105可以在250°C~1000°C之間且在含有反應氣體的環境下通過常規方法形成，例如氧化物生長法、化學氣相沉積法或物理氣相沉積法；然后，去除部分所述電介質層105，較佳的，采用化學機械研磨工藝(CMP)去除部分所述電介質層105，以露出第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104。在本實施例中，采用化學機械研磨工藝得到的電介質層105與第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104位于同一平面，此外，還可以采用干法刻蝕去除部分所述電介質層105，得到電介質層105與第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104位于不同平面亦在本發明的思想范圍之內。
[0056]如圖2c所示，在步驟S13中，沉積金屬層106，以覆蓋所述第一多晶硅柵極103、第二多晶硅柵極104及電介質層105，在第一裝置制造區101和第二裝置制造區102上沉積金屬層106。金屬層106可通過傳統的沉積技術形成，例如蒸發、濺射沉積或化學氣相沉積。金屬層106可包括任何的硅化工藝的金屬，例如鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種，厚度為 IOOA~500人，如 150A、200A? 250A.300A, 350A、400A, 450A0在較佳的實施例中金屬層106為鎳或鎳鉬。
[0057]在較佳的實施例中，還包括在金屬層106和反射層111之間沉積一層阻擋層112，如圖2d所示。沉積一層阻擋層112在進行一次金屬層沉積工藝步驟S13和在所述第二多晶硅柵極上制備反射層步驟S14之間進行，阻擋層112不但可以保護金屬層106在制備反射層的過程中受到損傷，還可以保護金屬層106在熱退火的過程中被氧化。較佳的，阻擋層112 為氮化鈦，厚度為 50A~200A,如 80A、100A、120A, 150A, isoA?[0058]如圖2e所示，在步驟S14中，在所述第二多晶硅柵極104上制備反射層111。在第二多晶硅柵極104上制備反射層111，反射層111的材料包括鋁、銀、鎳、鉬的一種或幾種，厚度為 100A-1000A,to 200A> 300A、500A、600A, 700A、800A。在較佳的實施例中，在第二多晶硅柵極104上制備反射層111的步驟S 14中，包括:首先，在所述金屬層106上采用常規的濺射、蒸鍍或化學氣相沉積的方法沉積反射層111，反射層111覆蓋第一裝置制造區101和第二裝置制造區102，由于本實施例中制備了阻擋層112，所以在阻擋層112上沉積反射層111 ;然后，去除第一裝置制造區101上的反射層111，較佳的，采用光刻、干法刻蝕工藝去除第一裝置制造區101上的反射層111。在本實施例中，第一裝置制造區101上不存在反射層111而第二裝置制造區102上存在反射層111，以保證第二多晶硅柵極104上存在反射層111而第一多晶娃柵極103上不存在反射層111，但本發明不限于反射層111制備在第二裝置制造區102上，例如反射層111僅制備在第二多晶硅柵極104上，或反射層111制備在第二裝置制造區102和除第一多晶硅柵極103之外第一裝置制造區101上時，也在本發明的思想范圍之內。
[0059]如圖2f所示，在步驟S15中，進行第一次熱退火。在進行第一次熱退火步驟S15時，第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104上的金屬層106會擴散到第一多晶娃柵極103和第二多晶硅柵極104之中，金屬層106與第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104發生化學反應以產生相變化，使第一多晶硅柵極103和第二多晶硅柵極104部分金屬化，從而形成第一娃化物金屬柵極107和第二娃化物金屬柵極108。在本實施例中，由于第二多晶硅柵極104上存在反射層111而第一多晶硅柵極103上不存在反射層111，所以在進行第一次熱退火時，反射層111會反射掉第二多晶娃柵極104上的一部分熱量,使得擴散到第一多晶硅柵極103中的金屬比擴散到第二多晶硅柵極104中的多，所以形成的第一硅化物金屬柵極107中的金屬濃度比第二硅化物金屬柵極108中的金屬濃度高。其中，第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C~550°C，在包括氮的純氣環境下進行退火，退火時間為0.1秒~300秒。特別注意的是，以金屬層106為鎳或鎳鉬為例，第一次快速熱退火較佳的溫度為200°C~350°C，退火時間為I秒~200秒，例如溫度為250°C、280°C、300°C、320°C，退火時間為10秒、50秒、80秒、100秒、120秒、150秒、180秒。
[0060]如圖2g所示，在步驟S16中，在步驟S15之后，第一裝置制造區101和第二裝置制造區102上方均存在反射層111和未反應的金屬層106。采用濕法刻蝕工藝，去除反射層111和未反應的所述金屬層106。由于本實施例中沉積了阻擋層112，所以還一并去除阻擋層112，之后所產生的結構見圖2g。
[0061]如圖2h所示，在步驟S17中，進行第二次熱退火。在此步驟中，第一硅化物金屬柵極107和第二娃化物金屬柵極108中的金屬繼續向和第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104沉積擴散，和娃發生化學反應以產生相變化，使金屬在娃中的分布更加均勻，使第一多晶娃柵極103和第二多晶娃柵極104全部金屬化,從而形成第一全娃化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110，其中，第一全硅化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110的功函數不同。由于第一硅化物金屬柵極107中的金屬濃度比第二硅化物金屬柵極108中的金屬濃度高，所以形成的第一全硅化物金屬柵極109中的金屬濃度比第二全硅化物金屬柵極110中的金屬濃度高，但第一全硅化物金屬柵極109和第二全硅化物金屬柵極110的高度相同。其中，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C?850°C，在包括氮的純氣環境下進行退火，退火時間為0.1秒?300秒。特別注意的是，以金屬層106為鎳或鎳鉬為例，第二次熱退火較佳的溫度為300°C?600°C，退火時間為I秒?200秒，例如溫度為 350°C、350°C、400 V、450 V、500°C、550°C，退火時間為 10 秒、50 秒、80 秒、100 秒、120秒、150秒、180秒。
[0062]綜上所述，本發明實施例提供一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，該方法是利用反射層，在第一次熱退火時反射掉第二多晶硅柵極上的一部分熱量，從而得到不同的金屬濃度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，該第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極但具有相同的高度。應注意的是，本發明不限于上述實施例，其它結構的COMS結構，只要是利用反射層，在第一次熱退火時反射掉第二多晶硅柵極上的一部分熱量，從而得到具有不同的金屬濃度的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的方法，亦在本發明的思想范圍之內。
[0063]本發明所述形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，與現有技術相比具有以下優點:
[0064]1、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極是通過沉積工藝，同時在所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極上形成的同一金屬層制備而成的，使金屬層在第一次熱退火過程中受熱不同，從而擴散到第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極中的金屬的含量不同，再經過第二次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，不需要制備不同材質的金屬層，進而簡化工藝步驟，降低了生產成本。
[0065]2、本發明的CMOS全硅化物金屬柵制備方法是利用反射層，使金屬層在第一次熱退火過程中受熱不同，從而擴散到第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極中的金屬的含量不同，再經過第二次熱退火，同時形成金屬濃度不同的第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，因而不需制備高度不同的金屬層來控制第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的金屬濃度，工藝簡單，且金屬在柵極中分布均勻。
[0066]3、所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度，便于后續工藝的加工進行。
[0067]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，包括: 提供基底，所述基底包括第一裝置制造區和第二裝置制造區，在所述第一裝置制造區上形成第一多晶硅柵極，在所述第二裝置制造區上形成第二多晶硅柵極； 在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層； 沉積金屬層，以覆蓋所述第一多晶硅柵極、第二多晶硅柵極及電介質層； 在所述第二多晶硅柵極上制備反射層； 進行第一次熱退火，所述金屬層與所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極反應，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極部分金屬化； 去除所述反射層和在第一次熱退火過程之后未反應的所述金屬層；以及 進行第二次熱退火，使所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極全部金屬化，以分別形成第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極，所述第一全硅化物金屬柵極和第二全硅化物金屬柵極的功函數不同。
2.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，在所述基底上及所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極的側壁上制備電介質層的步驟中，包括: 在所述基底上沉積所述電介質層，所述電介質層覆蓋所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極；及去除部分所述電介質層，以露出所述第一多晶硅柵極和第二多晶硅柵極。
3.如權利要求2所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，采用化學機械研磨工藝去除部分所述電介質層。
4.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述電介質層的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化鋯或二氧化鉿中的一種或幾種。
5.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，在所述第二多晶硅柵極上制備反射層的步驟中，包括: 在所述金屬層上沉積所述反射層，所述反射層覆蓋所述第一裝置制造區和所述第二裝置制造區；及去除所述第一裝置制造區上的所述反射層，保留第二多晶硅柵極上的所述反射層。
6.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述反射層的材料包括鋁、銀、鎳、鉬的一種或幾種。
7.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述反射層的厚度為 iooA'ioooA。
8.如權利要求1所述的形成CMOS全娃化物金屬柵的方法,其特征在于,在制備電介質層和沉積金屬層的步驟之間，還包括在所述金屬層和所述反射層之間沉積一層阻擋層。
9.如權利要求8所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氮化鈦。
10.如權利要求8所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為50人~200人。
11.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述第一全硅化物金屬柵極和所述第二全硅化物金屬柵極具有相同的高度和不同的金屬濃度。
12.如權利要求1所述的形成CMOS全娃化物金屬柵的方法,其特征在于,所述第一次熱退火為快速熱退火，溫度為150°C~550°C，時間為0.1秒~300秒。
13.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，所述第二次熱退火為快速熱退火，溫度為250°C~850°C，時間為0.1秒~300秒。
14.如權利要求1所述的形成CMOS全硅化物金屬柵的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝法去除所述反射層和未反應的所述金屬層。
15.如權利要求1-14中任何一項所述的形成CMOS全娃化物金屬柵的方法,其特征在于，所述金屬層的材料包括鎳、鉬、金、鈷、銅、鉭、鑰、鎢、鋯及鋅的一種或幾種。
16.如權利要求1-14中任何一項所述的形成CMOS全娃化物金屬柵的方法,其特征在于，所述金屬層的厚度為100A-500A。
【文檔編號】H01L21/28GK103515319SQ201210206306
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月20日 優先權日:2012年6月20日
【發明者】肖海波 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司