發光二極管封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發明提供一種發光二極管封裝結構，其包括反射杯、發光二極管芯片及封裝體。所述反射杯內開設有容置槽。所述發光二極管芯片設置在容置槽的底部。所述封裝體包括完全覆蓋發光二極管芯片的主導光層及依次層疊在所述主導光層上的至少一個次導光層。所述主導光層的折射率最低。所述次導光層的折射率沿遠離底發光二極管的方向依次增高。
【專利說明】發光二極管封裝結構
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及一種發光二極管封裝結構。
【背景技術】
[0002]一般的發光二極管封裝結構包括反射罩、設置在反射罩底部的發光二極管芯片以及填入反射罩內以密封發光二極管芯片的封裝體。通常情況下，所述封裝體為單一材料，所述發光二極管芯片所發出的光線在封裝體內沿直線傳播。然而，所述發光二極管芯片的出光方向上有一部分光線無法直接從反射罩的開口射出而被封裝體吸收而造成浪費。
【發明內容】
[0003]鑒于此，有必要提供一種提高出光效率的發光二極管封裝結構。
[0004]一種發光二極管封裝結構，其包括反射杯、發光二極管芯片及封裝體。所述反射杯內開設有容置槽。所述發光二極管芯片設置在容置槽的底部。所述封裝體包括完全覆蓋發光二極管芯片的主導光層及依次層疊在所述主導光層上的至少一個次導光層。所述主導光層的折射率最低。所述次導光層的折射率沿遠離底發光二極管的方向依次增高。
[0005]相對于現有技術，本發明所提供的發光二極管封裝結構通過設置折射率逐漸增高的多個導光層，使得原先朝向反射杯的側面射出的光線經過多次折射后能從開口出射，從而增加所述發光二極管封裝結構的出光效率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]圖1為本發明實施方式所提供的發光二極管封裝結構的結構示意圖。
[0007]圖2為圖1中發光二極管封裝結構內的導光層交界面為曲面的結構示意圖。
[0008]圖3為圖1中發光二極管封裝結構內的導光層交界面上所設置的微型結構的示意圖。
[0009]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種發光二極管封裝結構，其包括反射杯、發光二極管芯片及封裝體，所述反射杯內開設有容置槽，所述發光二極管芯片設置在容置槽的底部，所述封裝體包括完全覆蓋發光二極管芯片的主導光層及依次層疊在所述主導光層上的至少一個次導光層，所述主導光層的折射率最低，所述次導光層的折射率沿遠離底發光二極管的方向依次增高。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述不同導光層之間的交界面為平面。
3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述不同導光層之間的交界面為曲面。
4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述曲面朝向發光二極管心片關出。
5.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述曲面朝遠離發光二極管芯片的方向突出。
6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述不同導光層之間的交界面上設置有微型結構。
7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述微型結構的形狀選自沿特定方向平行排列的V型槽、沿特定方向排列的圓柱形突起、呈點狀分布的半球形突起及呈點狀分布的圓錐形突起的組合。
8.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于:所述容置槽開設在所述反射杯的一頂面上并向反射杯的內部延伸，所述容置槽包括位于頂面上的開口、與開口相對的底面及連接所述開口邊緣與底面邊緣的側面，所述開口的面積大于所述底面的面積。
【文檔編號】H01L33/48GK103515516SQ201210204833
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月20日 優先權日:2012年6月20日
【發明者】黃星童, 康文旗 申請人:鑫成科技(成都)有限公司, 深鑫成光電（深圳）有限公司