專利名稱：一種類單晶硅片的燒結方法
技術領域：
本發明屬于太陽能電池領域，具體涉及到一種類單晶硅片的燒結方法。
背景技術：
在太陽能電池領域中，常規晶體硅電池有單晶電池和多晶電池兩種。單晶電池缺陷少，通過堿絨的各向異性腐蝕原理形成金字塔形織構化表面，增加光的吸收次數，提高轉換效率，效率要比多晶高I. 5%以上；多晶電池產量大，成本低，衰減小。隨著鑄錠技術的發展，現多晶爐生產出的類單晶集合了大部分單晶和多晶的優勢。但是在生產過程中，該類硅片除了大部分面積是(100)晶向外，不可避免的存在一部分其它各種晶向的晶粒，該晶粒經、過堿絨后，織構化效果要比(100)晶向的單晶差很多。對于晶體硅電池，燒結是最后一道工序，燒結的目的就是使得Ag-Si形成良好的歐姆接觸。類單晶多晶區域堿絨形成的表面形貌與單晶(100)晶向堿絨后的形貌有著明顯的區別，而不同的表面織構化對Ag-Si的接觸有一定的影響，常規的雙溫區低溫燒結會使得Ag-Si接觸不良，產生顯著的電池功率損耗，因此對于類單晶硅片，影響Ag-Si燒結工藝需要選擇合適的燒結工藝。
發明內容
本發明的目的是提供一種簡單的、適合類單晶多晶區域的燒結方法，對8、9溫區進行溫度調整，找到適合類單晶多晶區域絨面的燒結方式，使得Ag-Si接觸牢固，同時又不破壞P-N結，該方法工藝簡單，燒結效果好。一種類單晶硅片的燒結方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行1%_2%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。由于類單晶電池絨面不是很均勻，在常規工藝下接觸不是很好，因此通過降低8區溫度，提高9區溫度，延長液態Ag更充分接觸到類單晶硅表面，然后進行短時間高溫迅速加熱，使得Ag與Si能更好的成為合金，為了有一定的溫度梯度，所以在降低8區的溫度的同時時，降低了 7區的溫度。因此本發明的燒結方式是高溫、快速，多晶區域的接觸電阻有明顯的改善，電池效率還有O. 5%左右的提高。
具體實施例下面結合具體實施例對本發明做進一步的說明，以助于理解本發明的內容。實施例I :一種類單晶硅片的燒結方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行1%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規156X156單晶的擴散、 刻蝕、PECVD；
3、燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。實施例2
一種類單晶硅片的燒結方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。實施例3
一種類單晶硅片的燒結方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行2%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。實施例4:
傳統的一種類單晶硅片的燒結方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度620°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度825°C持續時間4. 7s，9區溫度870°C持續時間2. 8s。采用各實施例的燒結方法得到的類單晶電池性能參數如下表所示
權利要求
1.一種類單晶硅片的燒結方法，其特征在于 具體步驟如下 (1)采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行1%_2%濃度的NaOH制絨； (2)采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD； (3)燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。
2.如權利要求I所述的一種類單晶硅片的燒結方法，其特征在于具體步驟如下 (1)采用有一定多晶區域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨； (2)采用常規156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD； (3)燒結把單晶放入燒結爐中，燒結爐中的烘干區I區溫度330°C持續時間7.6s，2區溫度320°C持續時間7. 6s，3區溫度350°C持續時間7. 6s，4區溫度550°C持續時間7. 6s，5區溫度520°C持續時間7. 6s，6區溫度530°C持續時間7. 6s，7區溫度550°C持續時間7. 6s，燒結區8區溫度615°C持續時間4. 7s，9區溫度895°C持續時間2. 8s。
全文摘要
本發明涉及一種簡單的、適合類單晶多晶區域的燒結方法，通過降低8區溫度，提高9區溫度，延長液態Ag更充分接觸到類單晶硅表面，然后進行短時間高溫迅速加熱，使得Ag與Si能更好的成為合金，為了有一定的溫度梯度，所以在降低8區的溫度的同時時，降低了7區的溫度。因此本發明的燒結方式是高溫、快速，Ag-Si接觸牢固，同時又不破壞P-N結，多晶區域的接觸電阻有明顯的改善，電池效率還有0.5%左右的提高，該方法工藝簡單，燒結效果好。
文檔編號H01L21/324GK102737989SQ20121017717
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月1日 優先權日2012年6月1日
發明者包兵兵, 柳杉, 梅超, 王鵬, 范亞妮, 蔡理洋, 黃治國 申請人:上饒光電高科技有限公司